JPS62199795A - 電子・電気機器用部品 - Google Patents

電子・電気機器用部品

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JPS62199795A
JPS62199795A JP4029986A JP4029986A JPS62199795A JP S62199795 A JPS62199795 A JP S62199795A JP 4029986 A JP4029986 A JP 4029986A JP 4029986 A JP4029986 A JP 4029986A JP S62199795 A JPS62199795 A JP S62199795A
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JP
Japan
Prior art keywords
plating
cobalt
nickel
plating layer
electronic
Prior art date
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Pending
Application number
JP4029986A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhiro Arakida
荒木田 泰弘
Kazuhiko Fukamachi
一彦 深町
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eneos Corp
Original Assignee
Nippon Mining Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Mining Co Ltd filed Critical Nippon Mining Co Ltd
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Priority to US07/016,942 priority patent/US4767508A/en
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (目 的) 本発明は、金属板上にAu、Ag等の貴金属めっきを施
したリードフレームあるいは端子コネクター等の電子・
電気機器用部品に関するものである。
(従来技術) Au、Ag等の貴金属は化学的及び物理的性質に優れて
いるので、各種の電子・電気部品に広く利用されている
が、非常に高価であるためできるだけめっき層を薄くす
ることが望まれている。一方、電子・電気部品としての
貴金属めっき材は数百度の熱を受ける場合があるが、こ
のような高温環境下における下地金属の酸化あるいは貴
金属表面層への下地金属の拡散等により半田付性、ボン
ディング性等が著しく劣化したり変色してしまうという
欠点があった。
このため上記のような高温環境下における品質の低下を
防ぐ目的のために、貴金属めっきを施す前の下地めっき
として、5n−Ni、5n−Go、Pd−Ni及びNi
等を施すことが試みられているが、これらの下地めっき
を施したものでも450℃の大気中に3分間保持すると
、貴金属めっき層が例えば、Au0.1μあるいはAg
0.5μ程度の薄いめっき厚では十分な半田付性及びボ
ンディング性を示す材料は得られておらず、上記特性を
満たすためには貴金属めっき層を数μ程度の厚いめっき
を施さなければならないという欠点があった。このよう
に従来の下地めっきをしたものでは貴金属を大量に消費
し、著しい経済的損失を受けていた。
(構 成) 本発明はかかる現状に鑑み鋭意研究を行った結果酸され
たものであり、貴金属めっき層がA u O。
1μあるいはAg0.5μ程度の薄いめっき厚において
、450℃の大気中に3分間保持した後でも十分な半田
付性及びボンディング性を示す貴金属めっき材を提供す
るものである。すなわち本発明は金属板上に、貴金属め
っきの下地としてコバルト−ニッケル合金ストライクめ
っき層と、さらにその上に貴金属めっき層を備えた電子
・電気機器用部品並びに金属板上に、貴金属めっきの下
地としてコバルト60wt%を超え、残部がニッケルか
らなるコバルト−ニッケル合金めっき層と、さらにその
上に金又は金合金めっき層を備えた前記電子・電気機器
用部品及び金属板上に、貴金属めっきの下地としてコバ
ルト2wt%以上、残部がニッケルからなるコバルl−
−ニッケル合金めっき層と、さらにその上に銀又は銀合
金めっき層を備えた前記電子・電気機器用部品に関する
ものである。
(発明の詳細な説明) 本発明中のコバルト−ニッケル合金ストライクめっき液
には塩化ニッケル10 g / Q〜300g/Q、塩
化コバルト5g/Q〜300 g / Q及び塩酸30
 g / Q 〜300 g / n、好ましくは50
g / Q〜200 g / Qの液組成のものを用い
る。
以上のように塩化ニッケル及び塩化コバルトの濃度を5
g/f1以上としたのは、5g/Q未満では金属イオン
の濃度が低く緻密なめっき皮膜を得ることができないか
らであり、又、300 g / Q以下としたのは、3
00 g / Qを超えると析出物が粒状となる傾向が
認められると共に、液の粘性が増し、汲出し量が多くな
り不経済であるからである。塩酸の濃度を300 g 
/ 11以上としたのは、300 g / Q未満では
活性化の効果が十分ではないからであり、又、300 
g / Q以下としのは、300 g / Qを超えて
も性能の向上が認められないからである。更に必要に応
じて界面活性剤が添加されるが、陰イオン性の界面活性
剤としてはポリオキシエチレンアルコールエーテル、ポ
リオキシエチレンアルキルフェノールエーテル等が適当
であり、非イオン性の界面活性剤としてはポリエチレン
グリコールアルコールエーテル、ポリエチレングリコー
ルアルキルフェノール、ポリエチレングリコール脂肪酸
等が適当である。これらの界面活性剤は1種又は2種以
上組合せて使用することができるが、使用濃度は30 
g / Q以下、好ましくは10 g / Q以下とす
る。又、めっき条件については浴温を5〜50°C1好
ましくは10〜40°C1電流密度を0.1〜2OA/
drr?、好ましくは1〜15A/drrfとし、攪拌
を行ってもよく又静止状態でも実施できる。陽極として
は好ましくはニッケル、コバルト及びコバルト−ニッケ
ル合金を用いるが、ステンレス等の不溶性の金属を使用
することができる。コバルト−ニッケル合金ストライク
めっき層の厚みは0.1μ未満が望ましく、好ましくは
500Å以下である。このように規定したのはコバルト
−ニッケル合金ストライクめっき層の厚みが0.1μ以
上では貴金属層の耐熱性(加熱後の半田付性及びボンデ
ィング性)が著しく劣化するからである。
母材の金属としてはFe、Fe合金、Cu、CU金合金
びセラミックのメタライズ材等が使用される。なお本発
明においては、本発明の下地めっきの前にさらに他の下
地めっきを施すことはもちろん可能であって、本発明は
これらを当然包含するものである。
以下、本発明を実施例に基づき説明する。
(実施例) ステンレス(SUS430.0.11+nmt)及びり
ん青銅(0,20nwnt)を公知の方法で脱脂、酸洗
処理を施した後、以下の工程に基づいて貴金属めっきを
施した。めっきした後、450℃の大気中で加熱処理(
0,60,180秒)を施し、半田付性及びボンディン
グ性を評価した。
(本発明例) (1)  ニッケルーコバルト合金ストライクめっき■
0.02μ(母材 ステンレス) →金めっき0.1μ →銀めっき0.5μ (2)ニッケルーコバルト合金ストライクめっき■0.
02μ(母材 りん青銅) →金めつき0.1μ →銀めっき0.5μ (比較例) (3)ニッケルストライクめっき0.02μ→ニツケル
ーコ(母材 ステンレス) バルト合金めっき0.1μ、0.5μ →金めっき0.
1μ→銀めっき0.5μ (4)ニッケルーすず合金めっき0.1μ、0.5μ(
母材 りん青銅) →金めっき0.1μ →銀めっき0.5μ (5)ニッケルストライクめっき0.02μ→パラジウ
ムニ(母材 ステンレス) ッケル合金めっき0.1μ、0.5μ →金めっき0.
1μ→銀めっき0.5μ →金めつき0.1μ →銀めっき0.5μ (7)ニッケルーコバルト合金ストライクめっき■0.
2μ(母材 ステンレス) →金めっき0.1μ →銀めっき0.5μ 評価結果を第1表に示す。又、めっき条件及び評価方法
については以下に示す。
浴組成  塩化コバルト   100g/12塩化ニッ
ケル   150g/i2 塩     fI!100g、l! 温   度   20℃ 電流密度  5A/dm2 浴組成  塩化コバルト   50 g / Q塩化ニ
ッケル   200 g / Q塩      酸  
  150 g / Qポリオキシエチレンラウリル アルコールエーテル 2gIQ 温   度   20℃ 電流密度  LA/dm” 浴組成  硫酸ニッケル   13g/Q硫酸コバルト
   115 、 / Aは   う   酸    
  25 g / Q塩化カリ  15g/Q 温   度   40℃ 電流密度  LA/dm” ・ニッケルストライクめっき 浴組成  塩化ニッケル   250 g / Q塩 
     酸    100 g / Q温   度 
  20℃ 電流密度  5A/dm” ・ニッケルーすず合金下地めっき Ni33wt%、Sn67wt% 浴組成 塩化第1すず 50g/Q 塩化ニッケル 300 g / Q フッ化ナトリウム   28 g/ Q酸性フッ化アン
モニウム 35 g / Q 温   度   65°C 電流密度  0.5A/dm” 日進化成■製 PNP−80EL (商品名)温   
度   30℃ 電流密度  1 、 OA/dm2 ・金めつき 国中貴金属製 テンペレックス701(商品名)温  
 度   50℃ ・銀めっき 国中貴金属製 5ILVLEX JS−1(商品名)温
   度   20℃ サンプルを25%口ジンメタノール5秒浸漬後240±
5℃に保持された60/40 (Sn/Pb)半田浴中
に5秒浸漬し、ヌレ曲線を得た。得られたヌレ曲線より
T2(浮力が0になるまでの時間:短い程濡れ性良好)
をもとめ半田付性を評価した。又、外観状況もwi察し
た。(n = 5)・ボンディング性試験方法 サンプル上に25μφの金線をlnwnの間隔でボール
−ウェッジボンドを施し、その引っ張り強度によりボン
ディング性を評価した。(n = 20)以下余白 第1表に示すように本発明例では比較例に比べ半田付性
及びボンディング性に優れている。
特に半田付性においては180秒の加熱処理をした後で
も、比較例の加熱処理をしないものと同程度の性質を示
し、加熱処理後においても半田付性に著しく優れている
ことが分かる。
(効 果) このように本発明の電子・電気機器用部品及びその製造
方法は熱による劣化が少なく(耐熱性がすぐれ)又、貴
金属めっきの薄肉化が可能でありかつ製造コストが安い
工業上価れた効果を奏するものである。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)金属板上に、貴金属めっきの下地としてコバルト
    −ニッケル合金ストライクめっき層と、さらにその上に
    貴金属めっき層を備えた電子・電気機器用部品。
  2. (2)金属板上に、貴金属めっきの下地としてコバルト
    60wt%を超え、残部がニッケルからなるコバルト−
    ニッケル合金めっき層と、さらにその上に金又は金合金
    めっき層を備えた特許請求範囲の第1項に記載された電
    子・電気機器用部品。
  3. (3)金属板上に、貴金属めっきの下地としてコバルト
    2wt%以上、残部がニッケルからなるコバルト−ニッ
    ケル合金めっき層と、さらにその上に銀又は銀合金めっ
    き層を備えた特許請求範囲の第1項に記載された電子・
    電気機器用部品。
JP4029986A 1986-02-27 1986-02-27 電子・電気機器用部品 Pending JPS62199795A (ja)

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US07/016,942 US4767508A (en) 1986-02-27 1987-02-20 Strike plating solution useful in applying primer plating to electronic parts

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