JPS6372895A - 電子・電気機器用部品の製造方法 - Google Patents
電子・電気機器用部品の製造方法Info
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- JPS6372895A JPS6372895A JP21707686A JP21707686A JPS6372895A JP S6372895 A JPS6372895 A JP S6372895A JP 21707686 A JP21707686 A JP 21707686A JP 21707686 A JP21707686 A JP 21707686A JP S6372895 A JPS6372895 A JP S6372895A
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- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（目 的）
本発明は金属板上にＡｕ、Ａｇ等の貴金属めっきを施し
た後、圧延加工を施したリードフレームあるいは端子コ
ネクター等の電子・電気機器用部品の製造方法に関する
。
た後、圧延加工を施したリードフレームあるいは端子コ
ネクター等の電子・電気機器用部品の製造方法に関する
。
（従来技術）
Ａｕ、Ａｇ等の貴金属は化学的及び物理的性質に優れて
いるので、各種の電子・電気部品に広く利用されている
が、非常に高価であるためできるだけめっき層を薄くす
ることが望まれている。一方、電子・電気部品としての
貴金属めっき材は数百塵の熱を受ける場合があるが、こ
のような高温ＩＡ境下における下地金属の酸化あるいは
貴金属表面層への下地金属の拡散等により半田付性、ボ
ンディング性等が著しく劣化したり変色してしまうとい
う欠点があった。
いるので、各種の電子・電気部品に広く利用されている
が、非常に高価であるためできるだけめっき層を薄くす
ることが望まれている。一方、電子・電気部品としての
貴金属めっき材は数百塵の熱を受ける場合があるが、こ
のような高温ＩＡ境下における下地金属の酸化あるいは
貴金属表面層への下地金属の拡散等により半田付性、ボ
ンディング性等が著しく劣化したり変色してしまうとい
う欠点があった。
このため上記のような高温環境下における品質の低下を
防ぐ目的のために、貴金属めっきを施す前の下地めっき
として、５ｎ−Ｎｉ、５ｎ−Ｃｏ、Ｐｂ−Ｎｉ及びＮｉ
等を施すことが試みられているが、これらの下地めっき
を施したものでも４５０℃の大気中に３分間保持すると
、貴金属めっき層が例えば、ＡｕＯ，１μあるいはＡ
ｇ ０ 、５μ程度の薄いめっき厚では十分な半田付性
及びボンディング性を示す材料は得られておらず、上記
特性を満たすためには貴金属めっき層を数μ程度の厚い
めっきを施さなければならないという欠点があった。こ
のように従来の下地めっきをしたものでは貴金属を大量
に消費し、著しい経済的損失を受けていた。
防ぐ目的のために、貴金属めっきを施す前の下地めっき
として、５ｎ−Ｎｉ、５ｎ−Ｃｏ、Ｐｂ−Ｎｉ及びＮｉ
等を施すことが試みられているが、これらの下地めっき
を施したものでも４５０℃の大気中に３分間保持すると
、貴金属めっき層が例えば、ＡｕＯ，１μあるいはＡ
ｇ ０ 、５μ程度の薄いめっき厚では十分な半田付性
及びボンディング性を示す材料は得られておらず、上記
特性を満たすためには貴金属めっき層を数μ程度の厚い
めっきを施さなければならないという欠点があった。こ
のように従来の下地めっきをしたものでは貴金属を大量
に消費し、著しい経済的損失を受けていた。
（構 成）
本発明はかかる現状に鑑み鋭意研究を行った結果成され
たものであり、貴金属めっき層がＡｕ００１μあるいは
Ａｇ０．５μ程度の薄いめっき厚において、４５０℃の
大気中に３分間保持した後でも十分な半田付性及びボン
ディング性を示す貴金属めっき材を提供するものである
。すなわち本発明は金属板上に、金又は銀の下地めっき
と、さらにその上に下地めっきが金めつきの場合は銀又
は銀合金めっきを、下地めっきが銀めっきの場合は金又
は金合金めっきを施し、さらにこれに圧延加工を施した
電子・電気用部品の製造方法に関するものである。
たものであり、貴金属めっき層がＡｕ００１μあるいは
Ａｇ０．５μ程度の薄いめっき厚において、４５０℃の
大気中に３分間保持した後でも十分な半田付性及びボン
ディング性を示す貴金属めっき材を提供するものである
。すなわち本発明は金属板上に、金又は銀の下地めっき
と、さらにその上に下地めっきが金めつきの場合は銀又
は銀合金めっきを、下地めっきが銀めっきの場合は金又
は金合金めっきを施し、さらにこれに圧延加工を施した
電子・電気用部品の製造方法に関するものである。
尚、下地としての金めつき層あるいは銀めっき層は０．
０１μ以上の厚さがあれば加熱された後でも良好な半田
付性及びボンディング性を維持するいわゆる耐熱性向上
の効果は十分である。したがって、このような０．０１
μ〜０．１μ程度の薄いめっき層を施すにはストライク
めっき浴を利用すると緻密で均一な皮膜が得られて好ま
しい。
０１μ以上の厚さがあれば加熱された後でも良好な半田
付性及びボンディング性を維持するいわゆる耐熱性向上
の効果は十分である。したがって、このような０．０１
μ〜０．１μ程度の薄いめっき層を施すにはストライク
めっき浴を利用すると緻密で均一な皮膜が得られて好ま
しい。
そしてこれにさらに上層めっきを行い、続いて圧°延加
工を施すことにより半田付性及びボンディング性の良好
な電子・電気機器用部品が得られる。
工を施すことにより半田付性及びボンディング性の良好
な電子・電気機器用部品が得られる。
（発明の詳細な説明）
このような金あるいは銀めっき材の高温環境下において
劣化する機構については、必ずしも理論的な解明がなさ
れているわけではないが、一般には次のように考えられ
る。すなわち、金めつき材の場合には、高温環境下にお
いて母材金属あるいは従来の下地めっき中のＣｕ、Ｆｅ
、Ｎｉ、Ｃ。
劣化する機構については、必ずしも理論的な解明がなさ
れているわけではないが、一般には次のように考えられ
る。すなわち、金めつき材の場合には、高温環境下にお
いて母材金属あるいは従来の下地めっき中のＣｕ、Ｆｅ
、Ｎｉ、Ｃ。
等が金めつきの表面に拡散してきてそこで大気に触れ、
酸化物を形成し、半田付性あるいはボンディング性の劣
化の原因となる。又、銀めっき材の場合は同様に高温環
境下において、酸素を容易に透過させてしまうので、母
材金属あるいは従来の下地めっきと酸素が結合し、同様
に酸化膜の形成につながり半田付性あるいはボンディン
グ性を悪化させる原因となる。
酸化物を形成し、半田付性あるいはボンディング性の劣
化の原因となる。又、銀めっき材の場合は同様に高温環
境下において、酸素を容易に透過させてしまうので、母
材金属あるいは従来の下地めっきと酸素が結合し、同様
に酸化膜の形成につながり半田付性あるいはボンディン
グ性を悪化させる原因となる。
したがって、本発明においては金又は金合金めっき材の
下地めっきとして異種金属である銀めっきを施すことに
より金めつき内での前記のような酸化物の形成を妨げ、
又、銀又は銀合金めっき材の下地めっきとして金めつき
を施すことにより下地の酸化を防止しようとするもので
ある。
下地めっきとして異種金属である銀めっきを施すことに
より金めつき内での前記のような酸化物の形成を妨げ、
又、銀又は銀合金めっき材の下地めっきとして金めつき
を施すことにより下地の酸化を防止しようとするもので
ある。
このようなめっきを施すことにより、高温大気中にさら
された後の半田付性及びボンディング性が良好であるこ
とは先に出願した本出願人にかかる特願昭６１−４０３
００に述べたとおりであるが、本発明はこれにさらに圧
延加工を施すことにより、より優れた半田付性及びボン
ディング性を有せしめることを特徴とするものである。
された後の半田付性及びボンディング性が良好であるこ
とは先に出願した本出願人にかかる特願昭６１−４０３
００に述べたとおりであるが、本発明はこれにさらに圧
延加工を施すことにより、より優れた半田付性及びボン
ディング性を有せしめることを特徴とするものである。
このようなめっき材を圧延加工することにより。
高温大気中にさらされた後の半田付性及びボンディング
性はさらに向上する。
性はさらに向上する。
金めつき中への母材金属あるいは下地めっき金属、ある
いは銀めっき中への酸素の拡散は、主としてめっきピン
ホールによる表面拡散が原因となっているが、圧延加工
により上記のようなめっきピンホールを圧着することに
より、金めつき中への母材金属あるいは下地めっき金属
、あるいは銀めっき中への酸素の拡散速度を低減するこ
とができ、高温大気中にさらされた後の半田付性及びボ
ンディング性を向上させるものである。
いは銀めっき中への酸素の拡散は、主としてめっきピン
ホールによる表面拡散が原因となっているが、圧延加工
により上記のようなめっきピンホールを圧着することに
より、金めつき中への母材金属あるいは下地めっき金属
、あるいは銀めっき中への酸素の拡散速度を低減するこ
とができ、高温大気中にさらされた後の半田付性及びボ
ンディング性を向上させるものである。
端子・コネクターとして用いる場合、本発明の圧延加工
を施すことによって、接触電気抵抗が著しく減少する効
果がある。この圧延加工を施すことにより、めっき表面
は平滑となり接触子との実接触表面積が増し、通電時の
接触抵抗が減少するのである。この効果は実接触表面積
の小さい低荷重接触においてより顕著である。
を施すことによって、接触電気抵抗が著しく減少する効
果がある。この圧延加工を施すことにより、めっき表面
は平滑となり接触子との実接触表面積が増し、通電時の
接触抵抗が減少するのである。この効果は実接触表面積
の小さい低荷重接触においてより顕著である。
圧延加工の加工度としては、製品の質別に応じて任意に
とることが出来るが、０．１％以上から９６％以下の範
囲であることが好ましい。その理由は加工度０．１％未
満では、表層の金あるいは銀めっきがほとんど加工され
ないため上記効果が小さいためであり、又上限の加工度
９６％を超えると母材の加工性が著しく悪くなるためで
ある。
とることが出来るが、０．１％以上から９６％以下の範
囲であることが好ましい。その理由は加工度０．１％未
満では、表層の金あるいは銀めっきがほとんど加工され
ないため上記効果が小さいためであり、又上限の加工度
９６％を超えると母材の加工性が著しく悪くなるためで
ある。
母材の金属としては、Ｆｅ、Ｆｅ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金
及びセラミックのメタライズ材等に適用できる。
及びセラミックのメタライズ材等に適用できる。
尚、本発明においては本発明の下地めっきの前にさらに
他の下地めっきを施すことはもちろん可能であって、本
発明はこれらを当然包含するものである。
他の下地めっきを施すことはもちろん可能であって、本
発明はこれらを当然包含するものである。
次に、本発明を実施例に基づき説明する。
（実施例）
ステンレス（ＳＵＳ４３０．０．１１ｓａｔ）及びりん
青銅（Ｑ、２０ｍｔ）を公知の方法で脱脂、酸洗処理を
施した後、以下の工程に基づいて貴金属めっきを施した
。その後加工度１０％にて圧延加工し、さらに４５０℃
の大気中で加熱処理（３分間）を施して半田付性、ボン
ディング性及び接触抵抗を評価した。
青銅（Ｑ、２０ｍｔ）を公知の方法で脱脂、酸洗処理を
施した後、以下の工程に基づいて貴金属めっきを施した
。その後加工度１０％にて圧延加工し、さらに４５０℃
の大気中で加熱処理（３分間）を施して半田付性、ボン
ディング性及び接触抵抗を評価した。
本発明例
（１）ニッケルストライクめっき ０．０２μ→金スト
ライクめっき０．０２μ→銀めっき０．５μ（母材 ス
テンレス） （２）銀ストライクめっき０．０２μ→金めっき０．１
μ（母材 りん青ｔｉ４） 比較例 （３）銀ストライクめっき０．０２μ→金めつき０．１
μ（母材 りん青銅）、但し後述の圧延加工なしく４）
ニッケルストライクめっき ０．０２μ（母材 ステン
レス） →ニッケルコバ用８合金 ０．５μ→金めっき ０．１
μ→銀めっき ０．５μ （５）ニッケルすずめつき ０．５μ→金めつき０．１
μ（母材 りん青銅） →銀めっき ０．５μ （６）金ストライクめっき０．０２μ→金めつき０．１
μ（母材 りん青銅） （７）銀ストライクめっき０．０２μ→銀めっき０．５
μ（母材 りん青銅） 評価結果を第１表に示す、又、めっき条件及び評価方法
については以下に示す。
ライクめっき０．０２μ→銀めっき０．５μ（母材 ス
テンレス） （２）銀ストライクめっき０．０２μ→金めっき０．１
μ（母材 りん青ｔｉ４） 比較例 （３）銀ストライクめっき０．０２μ→金めつき０．１
μ（母材 りん青銅）、但し後述の圧延加工なしく４）
ニッケルストライクめっき ０．０２μ（母材 ステン
レス） →ニッケルコバ用８合金 ０．５μ→金めっき ０．１
μ→銀めっき ０．５μ （５）ニッケルすずめつき ０．５μ→金めつき０．１
μ（母材 りん青銅） →銀めっき ０．５μ （６）金ストライクめっき０．０２μ→金めつき０．１
μ（母材 りん青銅） （７）銀ストライクめっき０．０２μ→銀めっき０．５
μ（母材 りん青銅） 評価結果を第１表に示す、又、めっき条件及び評価方法
については以下に示す。
・ニッケルストライクめっき
浴組成 塩化ニッケル ２５０ ｇ ／ Ｑ塩
酸 １００ ｇ ／ ｆｆ温 度
２０℃ 電流密度 ５Ａ／ｄａ” ・ニッケルーコバルト合金めっき （Ｎｉ ３０ｗｔ％、Ｃｏ ７０ｗｔ％）浴組成 硫
酸ニッケル １３５ ｇ ／ Ｑ硫酸コバルト １
１５ｇ／Ｑ は う ａ ２５ｇ／ Ω塩化
カリ １５ＫＩｎ 温 度 ４０℃ 電流密度 ＩＡ／ｄａ” ・ニッケルーす 合金めっき （Ｎｉ ３３ｗｔ％、Ｃｏ ６７ｗｔ％）浴組成 塩化
第１すず ５０ｇＩＱ 塩化ニッ塩化ニッケル ｇ ／ Ｑ フッ化ナトリウム ２８ＫＩｎ 酸性フッ化アンモニウム３５ｇＩＱ 温 度 ６５℃ 電流密度 Ｏ，Ｓ＾／ｄ１１２ ・金ストライクめっき 浴組成 シアン化金カリウム ２１ＫＩｎり エ
ン 酸 ２０ｇ／Ｑクエン酸ソーダ １
００ ｇ ／ Ｑ 常 温 ・銀ストライクめっき 浴組成 シアン化銀 ２ｇＩＱ シアン化カリウム １００ ｇ ／ Ｑ常 温 ・金 め つ き 山中貴金属製 テンペレックス７０１（商品名）温
度 ５０℃ ・夏−１しヱし−１ 山中貴金属製 ５ＩＬＶＬＥＸ ＪＳ−１（商品名
）温 度 ２０℃ ・半田・性試験 ゛ サンプルを２５％ロジンメタノールに５秒浸漬後２３５
±５℃に保持された６０／４０ （Ｓｎ／Ｐｂ）半田洛
中に５秒間浸漬し、その時の外観状況及び濡れ曲線より
得られたＴ２（浮力が０になるまでの時間：短い程濡れ
性良好）をもって半田付性を評価した。
酸 １００ ｇ ／ ｆｆ温 度
２０℃ 電流密度 ５Ａ／ｄａ” ・ニッケルーコバルト合金めっき （Ｎｉ ３０ｗｔ％、Ｃｏ ７０ｗｔ％）浴組成 硫
酸ニッケル １３５ ｇ ／ Ｑ硫酸コバルト １
１５ｇ／Ｑ は う ａ ２５ｇ／ Ω塩化
カリ １５ＫＩｎ 温 度 ４０℃ 電流密度 ＩＡ／ｄａ” ・ニッケルーす 合金めっき （Ｎｉ ３３ｗｔ％、Ｃｏ ６７ｗｔ％）浴組成 塩化
第１すず ５０ｇＩＱ 塩化ニッ塩化ニッケル ｇ ／ Ｑ フッ化ナトリウム ２８ＫＩｎ 酸性フッ化アンモニウム３５ｇＩＱ 温 度 ６５℃ 電流密度 Ｏ，Ｓ＾／ｄ１１２ ・金ストライクめっき 浴組成 シアン化金カリウム ２１ＫＩｎり エ
ン 酸 ２０ｇ／Ｑクエン酸ソーダ １
００ ｇ ／ Ｑ 常 温 ・銀ストライクめっき 浴組成 シアン化銀 ２ｇＩＱ シアン化カリウム １００ ｇ ／ Ｑ常 温 ・金 め つ き 山中貴金属製 テンペレックス７０１（商品名）温
度 ５０℃ ・夏−１しヱし−１ 山中貴金属製 ５ＩＬＶＬＥＸ ＪＳ−１（商品名
）温 度 ２０℃ ・半田・性試験 ゛ サンプルを２５％ロジンメタノールに５秒浸漬後２３５
±５℃に保持された６０／４０ （Ｓｎ／Ｐｂ）半田洛
中に５秒間浸漬し、その時の外観状況及び濡れ曲線より
得られたＴ２（浮力が０になるまでの時間：短い程濡れ
性良好）をもって半田付性を評価した。
・ボンディング性試験ノ法
サンプル上に２５μφの金線を１ｍの間隔でボール−ウ
ェッジボンドを施し、その引張り強度によりボンディン
グ性を評価した。
ェッジボンドを施し、その引張り強度によりボンディン
グ性を評価した。
・ 法
ＪＩＳ Ｃ−５４０２に準拠、測定用プローブは１．０
−φのＰ ｔ ／ Ｉ ｒ合金を用い、荷重は１■、電
流は１０ ｍ Ａで行った。
−φのＰ ｔ ／ Ｉ ｒ合金を用い、荷重は１■、電
流は１０ ｍ Ａで行った。
以下余白
第１表 半田付性及びボンディング性
Ｘ半田付性 Ｔ、： −全く濡れを示さない。
外観状況： ０９６％以上の濡れを示した。
× ４０％未満の濡れを示した。
Ｘボンディング性 ： −ボンディングできない。
第１表に示すように本発明例では比較例に比べ４５０℃
、３分間の加熱処理後の半田付性及びボンディング性に
優れており、さらに接触抵抗も低く、良好な性質をそな
えている。
、３分間の加熱処理後の半田付性及びボンディング性に
優れており、さらに接触抵抗も低く、良好な性質をそな
えている。
（効 果）
このように本発明の電子・電気機器用部品は、熱による
劣化が少なく（耐熱性がすぐれ）、又、貴金属めっきの
薄肉化が可能であり、工業上価れた効果を奏するもので
ある。
劣化が少なく（耐熱性がすぐれ）、又、貴金属めっきの
薄肉化が可能であり、工業上価れた効果を奏するもので
ある。
Claims (2)
- （１）金属板上に金又は銀の下地めっきと、さらにその
上に下地めっきが金めっきの場合は銀又は銀合金めっき
を、下地めっきが銀めっきの場合は金又は金合金めっき
を施し、さらにこれに圧延加工を施した電子・電気機器
用部品の製造方法。 - （２）下地めっきが金又は銀のストライクめっきである
特許請求の範囲第１項記載の電子・電気機器用部品の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21707686A JPS6372895A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 電子・電気機器用部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21707686A JPS6372895A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 電子・電気機器用部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6372895A true JPS6372895A (ja) | 1988-04-02 |
Family
ID=16698454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21707686A Pending JPS6372895A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 電子・電気機器用部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6372895A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1065711A2 (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-03 | Intersil Corporation | Method of manufacturing a plated electronic termination |
| JP2006303345A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | 電子部品搭載用基板および電子部品 |
| JP2009218615A (ja) * | 2009-06-22 | 2009-09-24 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | 電子部品 |
| JP2010024508A (ja) * | 2008-07-22 | 2010-02-04 | Toyota Motor Corp | 金属めっき処理方法 |
| JP2010040679A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
| WO2023189417A1 (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | 古河電気工業株式会社 | 電気接点材料、ならびにこれを用いた接点、端子およびコネクタ |
| WO2023189419A1 (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | 古河電気工業株式会社 | 電気接点材料、ならびにこれを用いた接点、端子およびコネクタ |
| WO2023189418A1 (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | 古河電気工業株式会社 | 電気接点材料、ならびにこれを用いた接点、端子およびコネクタ |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP21707686A patent/JPS6372895A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1065711A2 (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-03 | Intersil Corporation | Method of manufacturing a plated electronic termination |
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| US7174626B2 (en) | 1999-06-30 | 2007-02-13 | Intersil Americas, Inc. | Method of manufacturing a plated electronic termination |
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| JP4490861B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2010-06-30 | 日立協和エンジニアリング株式会社 | 基板 |
| US7842889B2 (en) | 2005-04-25 | 2010-11-30 | Hitachi Kyowa Engineering Co., Ltd. | Substrate for mounting electronic part and electronic part |
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| WO2023189417A1 (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | 古河電気工業株式会社 | 電気接点材料、ならびにこれを用いた接点、端子およびコネクタ |
| WO2023189419A1 (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | 古河電気工業株式会社 | 電気接点材料、ならびにこれを用いた接点、端子およびコネクタ |
| WO2023189418A1 (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-05 | 古河電気工業株式会社 | 電気接点材料、ならびにこれを用いた接点、端子およびコネクタ |
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