JP3314754B2 - 鉛を含まない錫ベース半田皮膜を有する半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

鉛を含まない錫ベース半田皮膜を有する半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number
JP3314754B2
JP3314754B2 JP11446999A JP11446999A JP3314754B2 JP 3314754 B2 JP3314754 B2 JP 3314754B2 JP 11446999 A JP11446999 A JP 11446999A JP 11446999 A JP11446999 A JP 11446999A JP 3314754 B2 JP3314754 B2 JP 3314754B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plane
crystal orientation
orientation index
less
silver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP11446999A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000307046A (ja
Inventor
隆 久原
松夫 舛田
剛 常盤
久裕 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP11446999A priority Critical patent/JP3314754B2/ja
Priority to US09/548,351 priority patent/US6395583B1/en
Publication of JP2000307046A publication Critical patent/JP2000307046A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3314754B2 publication Critical patent/JP3314754B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85439—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85463—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/85464—Palladium (Pd) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01011—Sodium [Na]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01022—Titanium [Ti]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01044—Ruthenium [Ru]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01077—Iridium [Ir]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01083—Bismuth [Bi]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣ等に使用される
ニッケル又はニッケル合金、銅または銅合金及び鉄又は
鉄合金で形成されるリードフレームに関し、特に、環境
有害汚染物質の一つである鉛を含まない電子部品用リー
ドフレーム及び本発明のリードフレームを使用した半導
体装置及び半導体装置の外装メッキとして本発明の光沢
度が０．６以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が
１．５以上５以下であり、（２１１）面の結晶配向指数
が０．９以下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指
数が０．５以上である体心正方構造の錫を含む表面処理
層を設けた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３、図４は従来のリードフレーム平面
図及び断面図を示している。従来のリードフレームで
は、ワイヤボンディングを行うインナーリード部２には
銀めっきを行い、アウターリード部１には鉛及び錫を含
んだ表面処理を行っていた。
【０００３】近年、環境問題がクローズアップされてお
り、その中でＩＣパッケージに使用される部品について
も、環境有害物質を含まない材質が検討されている。電
子部品用リードフレームに用いられる材料の中で特に環
境に対して有害とされる物の中に半田に使用されている
鉛がある。鉛は放置すると環境に溶け出し人体に悪影響
を及ぼすため、電子業界では鉛フリーの半田、又は半田
ペースト等の開発が進められているが、現状の鉛含有半
田以上の特性を持った材料はまだ、実用化の段階に無
い。電子部品用のリードフレームについて、色々な取組
みがなされている。近年、鉛入り半田の代替えとして、
パラジウムを全面メッキしたリードフレームが実用化さ
れているが、パラジウムは単体では、ダイアタッチ工程
やワイヤボンド工程で熱が掛かると半田の濡れ性が劣化
し、表面実装時の半田付けの信頼性に問題がある。この
ため、近年、パラジウムの表面に金を保護膜として薄く
メッキした物が提案されている。しかし、パラジウム自
体の供給国は限られており、供給不足のため価格が高騰
し、コストの面で問題がある。更に金を保護膜として形
成するとコスト的には更に大きな問題となっている。更
に、パラジウムフレームはＩＣの組立工程時の樹脂モー
ルド工程でバリが発生しやすく、このバリを除去する工
程を追加しなければならないため、コストメリットが無
くなる。また、パラジウムを全面メッキしたリードフレ
ームでは、パラジウムと生地の材料である金属との間に
大きな電位差が生じるためニッケル又はニッケル合金、
鉄又は鉄合金等では間にニッケルやパラジウムニッケル
合金を介在させても、腐食により信頼性に問題が出てく
るため、現状では銅又は銅合金にしか応用できない事が
大きな問題となっている。
【０００４】パラジウム以外の取組みとしては、現在の
錫−鉛系半田の鉛の代りにインジウム、ビスマス、亜鉛
等の金属を添加して、鉛フリーの半田メッキを形成する
取組みがなされている。リフロー用の半田合金や半田ペ
ーストでは錫のほかに２種類以上の金属を含む３元系、
４元系の合金が提案されているが、メッキ液では３元
系、４元系の合金の析出組成を制御する事は困難なの
で、錫と他に１種類の金属を添加した２元合金が主流で
ある。しかし、錫にインジュウムを添加したものは、イ
ンジュウムのコストが高く実用化困難である。錫にビス
マスを添加したものは、融点を低く出来るが、硬く脆く
なりやすいため加工性が悪く、曲げ加工を含むリードフ
レームにはふむきである。また、錫−ビスマス系は半田
濡れ性が悪いため、接合強度が弱く、熱疲労強度が悪い
ため、表面実装時にＩＣが半田が浮いてリフトオフ現象
が発生するという欠点がある。また、錫に亜鉛を添加し
たものは、従来の錫−鉛に近い融点を有し、亜鉛のコス
トも低いが、亜鉛は空気中で酸化しやすいため、ＩＣの
組立工程で熱履歴がかかると酸化して半田濡れ性が劣化
するという欠点がある。
【０００５】近年、鉛フリーの最有力候補として、錫に
銀を添加した合金が注目され、メッキ液の開発がなされ
ているが、外観、曲げによるクラックの発生、熱履歴に
よる変色、熱履歴による半田濡れ性の劣化等の問題があ
り実用化を阻んでいる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上の従来の
欠点を全面的に改善し、環境有害汚染物質の一つである
鉛を含まない、半田濡れ性、接合強度の特性が良く、低
コストの電子部品用リードフレーム及び本発明による電
子部品用リードフレームを使用した半導体装置及び半導
体装置の外装メッキとして本発明の銀及び錫を含む表面
処理層を設けた半導体装置とその製造方法を提案するも
のである。非シアン系の浴により錫−銀系合金メッキ皮
膜としては、新井らによってピロリン酸−ヨウ化物浴
（表面技術協会第９３回講演大会予稿集１９５（１９９
６））が報告されており、さらに特願平８−２７３９５
４号などの特許が出願されているが、ゼロクロスタイム
が２．３秒以上と長く、半導体装置に使用するリードフ
レームとしては、満足できる特性を有していなかった。
また、電流密度も最大３．０Ａ／ｄｍ2と低く、量産性
良く、低コストの電子部品用リードフレームを生産する
場合の電流密度２０〜６００Ａ／ｄｍ2に比べると、工
業用に使用するには実用性の乏しいものであった。ま
た、通常の錫メッキや半田メッキは半光沢や無光沢に比
べ光沢メッキの方が初期の半田濡れ性やゼロクロスタイ
ムが良いと言われているが、光沢を上げるため光沢剤を
添加するためメッキ膜中に有機物が入り、耐熱後に表面
が酸化して、変色が発生し、半田濡れ性やゼロクロスタ
イムが劣化する（機能めっき皮膜の物性、電気鍍金協会
編、日刊工業新聞社、ｐ１９０）。さらに発明者らによ
り出願された特願平１０−３３５４１６号の特許では初
期ゼロクロスタイム０．４〜０．７秒、耐熱後（１７５
℃２４時間）ゼロクロスタイム０．５〜０．８秒と半導
体装置に使用するリードフレームとして満足できる特性
を有しているが、電流密度が２０〜２４Ａ／ｄｍ2であ
り更に量産性をたかめ十分な特性を確保する必要があっ
た。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明はニッケル又はニ
ッケル合金、銅又は銅合金系及び鉄又は鉄合金で形成さ
れるリードフレームにおいて、インナーリード部に銀又
は銀を含む合金の表面処理層を設けかつ、アウターリー
ド部に少なくとも、光沢度が０．６以上で、銀と（２２
０）面の結晶配向指数が１．５以上５以下であり、（２
１１）面の結晶配向指数が０．９以下であり、かつ、
（２００）面の結晶配向指数が０．５以上である体心正
方構造の錫を含む合金の表面処理層を形成する事により
解決される。アウターリード部の光沢度が０．６以上
で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上５以
下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以下で
あり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５以上
である体心正方構造の錫を含む表面処理層の形成用のメ
ッキ液においては、少なくとも、酸としてアルカンスル
ホン酸、アルカノールスルホン酸、及びスルファミン酸
より選択された１種又は２種以上を含み、錫塩としてメ
タンスルホン酸錫、ＳｎＯ、より選択された１種又は２
種以上を含み、銀塩としてメタンスルホン酸銀、Ａｇ2
Ｏ、ＡｇＯより選択された１種又は２種以上を含むこと
を使用する。また、アウターリード部の光沢度が０．６
以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上
５以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以
下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５
以上である体心正方構造の錫を含む表面処理層と生地と
の密着性を改善するために塩酸、硝酸、硫酸を１種又は
２種以上から選択された処理剤によって、アウターリー
ド部の光沢度が０．６以上で、銀と（２２０）面の結晶
配向指数が１．５以上５以下であり、（２１１）面の結
晶配向指数が０．９以下であり、かつ、（２００）面の
結晶配向指数が０．５以上である体心正方構造の錫を含
む表面処理層処理前に処理する。表面状態や半田濡れ性
を改善するために前記アウターリード部の光沢度が０．
６以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以
上５以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９
以下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．
５以上である体心正方構造の錫を含む表面処理層を三燐
酸ナトリウムを含む処理剤によって、アウターリード部
の光沢度が０．６以上で、銀と（２２０）面の結晶配向
指数が１．５以上５以下であり、（２１１）面の結晶配
向指数が０．９以下であり、かつ、（２００）面の結晶
配向指数が０．５以上である体心正方構造の錫を含む表
面処理層処理後に処理する。
【０００８】光沢度が０．６以上で、銀と（２２０）面
の結晶配向指数が１．５以上５以下であり、（２１１）
面の結晶配向指数が０．９以下であり、かつ、（２０
０）面の結晶配向指数が０．５以上である体心正方構造
の錫を含む表面処理層の厚さは３〜１５μｍの範囲で選
択するのが良い。また、光沢度が０．６以上で、銀と
（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上５以下であ
り、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以下であり、
かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５以上である
体心正方構造の錫を含む表面処理層の銀含有比率を１〜
８ｗ％とすることにより従来の欠点を全面的に改善し、
環境有害汚染物質の一つである鉛を含まない、半田濡れ
性、接合強度の特性が良く、低コストの電子部品用リー
ドフレームとその製造方法を提案する事が出来る。ここ
で光沢度は、ＧＡＭ社製の光沢度計ＭＯＤＥＬ１４４
（グレースケール）により測定した。光沢度の測定原理
を以下に説明する。物質表面に垂直方向（真上９０度方
向）から光を当てると物資の表面状態により反射率に差
が生じる。この検出量の差を一定角度（４５度方向）に
で設置された検出器で測定することにより光沢度の度合
いを算出することができる。光沢度のデンシティーＤは
Ｄ＝Ｌｏｇ（１／Ｒ）（Ｒ：４５度方向の反射率）で示
される。凸凹状態の場合はデンシティーは小さくなり、
平滑状態の場合は、デンシティーは大きくなる。配向指
数は、Ｗｉｌｌｓｏｎらの方法（Ｋ．Ｓ．Ｗｉｌｌｓｏ
ｎ ａｎｄ Ｊ．Ａ．Ｒｏｇｅｒｓ，ＡＥＳ．Ｔｅｃ
ｈ．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ，９２（１９６４））により
算出した。配向指数の算出は、Ｘ線回折により求めた、
それぞれの面指数の回折強度Ｉｉ（ｈｉ、ｋｉ、ｌｉ）
とすると、求める回折面の強度Ｉｊ（ｈｊ、ｋｊ、ｌ
ｊ）とそれぞれの面指数の回折強度の和ΣＩｉ（ｈｉ、
ｋｉ、ｌｉ）の比Ｉ．Ｆ＝Ｉｊ（ｈｊ、ｋｊ、ｌｊ）／
ΣＩｉ（ｈｉ、ｋｉ、ｌｉ）となる。次に、ＡＳＴＭカ
ードより求めた各面の強度の和と求める面の比Ｉ．Ｆ．
Ｒを同様に求めると結晶配向指数はＩ．Ｆ／Ｉ．Ｆ．Ｒ
となる。求めた結晶配向指数が１以上である場合は、そ
の格子面の配向性が高く膜の結晶はその結晶配向指数に
優先的に配向していると判断できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明において使用される環境に
害を与えないメッキとしては、光沢度が０．６以上で、
銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上５以下で
あり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以下であ
り、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５以上で
ある体心正方構造の錫の合金を使用する。銀と錫の合金
メッキでは（２２０）面の結晶配向指数が５以上になっ
てくると、（２１１）面の結晶配向指数は０．９以下と
なり、（２００）面の結晶配向指数が０．５以上となっ
た体心正方構造の錫を含む膜が形成可能であるが、光沢
度は０．６以下になりアウターリードを曲げ加工すると
メッキ膜にクラックが入りやすく、またＩＣ組立時の熱
によりメッキ膜表面が酸化しやすく、変色し半田濡れ性
にも悪影響を与える。メカニズムに関しての詳細は不明
であるが、クラックに関しては結晶のすべり面との関係
が有り、（２２０）面が臨界せん断応力が最も小さいす
べり面であるためクラックが入りにくいことが考えられ
る。また、β−Ｓｎ（錫）は体心構造の為（１１１）面
の反射は観察されないが、外見上、単位面積当たりの格
子点の密度の割合が最大になる面は（１１１）面であり
酸化が進みにくいことが考えられる。従って、（１１
１）面が優先的に配向していれば、酸化変色や半田濡れ
性に良い影響を与えると推定できる。以上の考えられる
メカニズムにより、（１１１）面方向により近く、臨界
せん断応力が最も小さいすべり面である（２２０）面方
向ともより近い条件の結晶方位が本発明である、（２２
０）面の結晶配向指数が１．５以上５以下であり、（２
１１）面の結晶配向指数が０．９以下であり、かつ、
（２００）面の結晶配向指数が０．５以上である体心正
方構造の条件となっていると考えられる。我々は以上の
様な不具合を改善するため、錫−銀膜の結晶配向性を制
御する事により光沢度が０．６以上で、銀と（２２０）
面の結晶配向指数が１．５以上５以下であり、（２１
１）面の結晶配向指数が０．９以下であり、かつ、（２
００）面の結晶配向指数が０．５以上である体心正方構
造の錫を含む錫−銀膜がクラックの発生も、耐熱後の変
色も無く良好な半田濡れ性を示す事を見出した。また、
錫−銀はパラジウムのように供給体制、コストに問題も
無く、錫−ビスマス、錫−亜鉛、錫−インジュウムに比
べても、特性的には問題が無い。従来の錫−鉛に比べて
融点共晶点２２１℃とが高いが、リードフレームのアウ
ターリードのメッキとしては、完全に溶融して濡れる訳
ではなく表面実装時に半田ペーストやリフロー用の半田
と界面で反応して、接合強度が発生するため、接合強度
及び半田濡れ性は従来の鉛入り半田と同等である。
【００１０】図１、図２は本発明のリードフレーム平面
図及び断面図である。ワイヤーボンディングを行うイン
ナーリード部２には銀又は銀を含む合金の表面処理層５
を設け、アウターリード部１には光沢度が０．６以上
で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上５以
下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以下で
あり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５以上
である体心正方構造の錫を含む表面処理層６を形成す
る。銀又は銀を含む合金の表面処理層５及び光沢度が
０．６以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．
５以上５以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が
０．９以下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数
が０．５以上である体心正方構造の錫を含む表面処理層
６は分離しても、接触しても良い。銀又は銀を含む合金
の表面処理層５はインナーリード部２のみに形成しても
良く、パッド３にかかっても、パッド３全体を覆っても
良い。銀又は銀を含む合金の表面処理層５及び光沢度が
０．６以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．
５以上５以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が
０．９以下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数
が０．５以上である体心正方構造の錫を含む表面処理層
６は本実施の形態では、銀の安定剤であるイオウ化合
物、チオアミド化合物、チオール化合物、チオ硫酸塩を
１〜４ｇ／Ｌ含むメッキにて電流密度６０Ａ／ｄｍ2で
形成し、比較例は、銀の安定剤を４ｇ／Ｌ以上とし電流
は直流電源にて２０〜２５Ａ／ｄｍ2で形成した。しか
し、本発明の結晶配向を実現するメッキ条件は、液組
成、添加剤の種類、浴温、攪拌条件、電流密度、電流波
形などの条件を制御することにより実現可能である。ま
た、物理蒸着やスパッタリング、ＣＶＤなどの方法でも
形成可能である。以下本発明の詳細な実施の形態を説明
する。
【００１１】（実施の形態１）半導体リードフレームに
使用される基板には低スズリン青銅またはアロイ１９４
等の銅または銅合金や鉄にニッケルを約４２ｗ％添加し
た４２材と呼ばれる鉄・ニッケル合金が用いられる。本
実施の形態では４２材を生地として用いた。最初、この
４２材合金の薄板をリードフレームの形状に加工する。
加工する方法としては、感光レジストを表面に塗布し、
パターンを焼付けた後、現像し感光レジストをリードフ
レームのポジパターンとして残し、塩化第二鉄又は塩化
第二銅等のエッチング液で加工する方法と、リードフレ
ームの形状を打ち抜くための金型を造りこの金型を用い
てプレス装置により打ち抜き加工する方法がある。本発
明では、エッチング法もプレス法も任意に選択できる。
本実施の形態ではプレスにより、４２材合金の板をリー
ドフレーム形状に加工した後、洗浄工程を経て、必要に
応じて熱処理工程を通し、プレスで打ち抜いた時に基板
に残った応力を除去する。その後、メッキ工程に入る。
以下に本発明のメッキ工程の詳細を説明する。
【００１２】洗浄工程により生地に付着したプレス工程
や熱処理工程の油性分をアルカリ脱脂剤等により浸漬法
又は電気的な方法の併用又は単独使用により除去した
後、銅下地メッキを０．２μｍ以上形成する。銅の下地
メッキ液としては、シアン化銅溶液を使用した。その
後、銀の部分メッキ工程によりインナーリード部２に銀
メッキを行う。銀メッキ液としてはシアン化銀液を使用
した。
【００１３】銀の部分メッキを行った後、生地とＳｎ−
Ａｇ層の密着性を改善するため塩酸、硝酸、硫酸を１種
又は２種以上から選択された処理剤によって、アウター
リード部１の光沢度が０．６以上で、銀と（２２０）面
の結晶配向指数が１．５以上５以下であり、（２１１）
面の結晶配向指数が０．９以下であり、かつ、（２０
０）面の結晶配向指数が０．５以上である体心正方構造
の錫を含む表面処理層６を処理前に処理する。本実施の
形態では塩酸を含む３０℃処理剤により１５秒間、表面
の不純物を除去するとともに、表面をエッチングし、ア
ンカー効果によりＳｎ−Ａｇ層の密着性を改善した。
【００１４】この前処理の後に、アウターリード部１に
電流密度６０Ａ／ｄｍ2によりＳｎ−Ａｇの部分メッキ
をおこなった。メッキ液において、酸としてアルカンス
ルホン酸、アルカノールスルホン酸、及びスルファミン
酸より、錫塩としてメタンスルホン酸錫、ＳｎＯ、銀塩
としてメタンスルホン酸銀、Ａｇ2Ｏ、ＡｇＯより任意
に選択できる。メッキ液の組成としては、酸として５０
〜２００ｇ／Ｌ、錫金属として２０〜６０ｇ／Ｌ、銀金
属としては０．５〜３ｇ／Ｌの範囲が、本発明の光沢度
が０．６以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が
１．５以上５以下であり、（２１１）面の結晶配向指数
が０．９以下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指
数が０．５以上である体心正方構造の錫を含む表面処理
層６を形成するのに最適である。本発明の本実施の形態
ではメタンスルホン酸１５０ｇ／Ｌを使用した。Ｓのの
濃度は金属錫の量として４０ｇ／Ｌ、Ａｇ2Ｏの濃度は
金属銀の濃度として１．５ｇ／Ｌとした。添加剤として
は、少なくとも、銀の安定剤として、イオウ化合物、チ
オアミド化合物、チオール化合物、チオ硫酸塩を１種又
は２種以上添加し、錫の安定剤として、カルボン酸、ス
ルファミン酸、ピロリン酸塩、キレート剤、を１種又は
２種以上添加し、結晶調整剤として、芳香族スルホン酸
塩、脂肪族スルホン酸塩、ヒダトイン化合物、システイ
ン化合物、芳香族有機アミンと脂肪族アルデヒド、芳香
族アルデヒド、非イオン界面活性剤、両性イオン界面活
性剤、アニオン界面活性剤、の内から選択された添加剤
を１種又は２種以上選択できるが、本実施の形態では、
２アミノベンゼンチオール３ｇ／Ｌ、ナフタレンスルホ
ン酸モノポリエチレングリコールエーテル５ｇ／Ｌ、ビ
スフェノールＡジポリエチレングリコールエーテル８０
ｇ／Ｌを使用した。特に銀の安定剤であるは２アミノベ
ンゼンチオール４ｇ／Ｌ以上添加すると結晶配向性が不
安定になり、１ｇ／Ｌ以下であると銀の安定性が損なわ
れる。メッキ方法はスパージャーを使用した、噴流メッ
キを行いメッキ液の流量を４００Ｌ／ＭＩＮ．とし、メ
ッキ液の液温は２５℃とした。陽極電極は、白金、イリ
ジウム、タンタル、ロジウム、ルテニウムの金属または
その酸化物のうちのひとつ以上を含む不溶解性電極によ
り任意に選択できる。本実施の形態ではチタンの生地に
酸化イリジウムと酸化タンタルの混合物を被覆した不溶
性電極を使用した。半田合金を用いた溶解性電極を使用
すると、電極交換が頻繁になり、その都度ラインを停止
しなければならないため、量産性が極端に落ちる。
【００１５】メッキ厚さは３〜１５μｍの範囲で任意に
選択できる。メッキ厚が３μｍより薄くなると、下地の
影響で半田濡れ性が悪くなる。１５μｍ以上厚くなる
と、モールド樹脂の封止工程で金型の隙間から樹脂が漏
れるなどの不具合が有る。本実施の形態では８μｍのＳ
ｎ−Ａｇメッキを行った。また、銀含有比率は１〜８ｗ
％の間で任意に選択できる。銀が１ｗ％以下になると、
錫のウイスカーが発生しやすくなる。８ｗ％を超えると
ＩＣの駆動時に銀のエレクトロマイグレーションが発生
する。本実施の形態では銀含有比率は２ｗ％とした。次
に、最初に形成した銅下地メッキの銀メッキ、Ｓｎ−Ａ
ｇメッキ以外の表面に露出している部分を除去する。更
に、リード側面に漏れた銀を除去するため電気的にフレ
ーム表面の銀を除去した。その後、半田濡れ性を改善す
るため三燐酸ナトリウムを含む処理剤によって、アウタ
ーリード部１の光沢度が０．６以上で、銀と（２２０）
面の結晶配向指数が１．５以上５以下であり、（２１
１）面の結晶配向指数が０．９以下であり、かつ、（２
００）面の結晶配向指数が０．５以上である体心正方構
造の錫を含む表面処理層６処理後に銀及び錫を含む表面
処理層６をエッチング処理をした。三燐酸ナトリウム濃
度は１２０ｇ／Ｌ、液温６０℃にて３０秒間浸漬した。
最後に、変色防止剤を浸漬した後、水洗後乾燥させ仕上
げた。
【００１６】Ｘ線回折装置により結晶配向性を調べた結
果、光沢度が１．１６で、銀と（２２０）面の結晶配向
指数が２．９３であり、（２１１）面の結晶配向指数が
０．１４であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が
１．０１である体心正方構造の錫を含む錫―銀のメッキ
層である事が確認できた。
【００１７】半田の濡れ性評価は半田濡れ試験機（ソル
ダーチェッカー：タンチン社製ＳＷＥＴ１００）を使用
し、錫−鉛（Ｈ６３Ｓ）半田、浴温度２３０℃で行っ
た、フラックスはＲ−１００−４０（非ハロゲン）を用
いた。同時にアウターリード部１を９０°に曲げメッキ
膜の剥離状態を観察した。その結果、初期のゼロクロス
時間及び１７５℃２４時間耐熱後のゼロクロス時間及び
外観は（表１）の結果のように良好なものとなった。
【００１８】
【表１】
【００１９】（実施の形態２）本発明の第２実施の形態
に於けるニッケル又はニッケル合金、銅又は銅合金系及
び鉄又は鉄合金で形成される電子部品用リードフレーム
の構造の詳細を説明する。以下本発明の詳細な実施の形
態を説明する。半導体リードフレームに使用される基板
には低スズリン青銅またはアロイ１９４等の銅または銅
合金や鉄にニッケルを約４２ｗ％添加した４２材と呼ば
れる鉄・ニッケル合金が用いられる。本実施の形態では
アロイ１９４を生地として用いた。最初、このアロイ１
９４合金の薄板をリードフレームの形状に加工する。本
実施の形態では、エッチング法もプレス法も任意に選択
できる。本実施の形態ではプレスにより、アロイ１９４
の板をリードフレーム形状に加工した後、洗浄工程を経
て、必要に応じて熱処理工程を通し、プレスで打ち抜い
た時に基板に残った応力を除去する。その後、メッキ工
程に入る。以下に本発明のメッキ工程の詳細を説明す
る。
【００２０】以下実施の形態１と同様に洗浄工程、銅下
地メッキ工程、銀の部分メッキ工程を行う。
【００２１】銀の部分メッキを行った後、硫酸５０ｇ／
Ｌを含む３０℃の処理剤により１５秒間前処理を行っ
た。この前処理の後に、アウターリード部１に電流密度
６０Ａ／ｄｍ2にてＳｎ−Ａｇの部分メッキをおこなっ
た。本実施の形態では金属錫の量として４０ｇ／ＬのＳ
ｎＯ、金属銀の濃度として１．５ｇ／ＬのＡｇ2Ｏ、メ
タンスルホン酸１５０ｇ／Ｌをベースとして使用したメ
ッキ液を使用した。添加剤としては４，４−アミノジフ
ェニルスルフィド３ｇ／Ｌ、ナフタレンスルホン酸モノ
ポリエチレングリコールエーテル５ｇ／Ｌ、ビスフェノ
ールＡジポリエチレングリコールエーテル８０ｇ／Ｌを
使用した。メッキ方法はスパージャーを使用した、噴流
メッキを行いメッキ液の流量を４００Ｌ／ＭＩＮ．と
し、メッキ液の液温は２５℃とした。陽極電極は、実施
の形態１と同様に選択できるが、本実施の形態ではチタ
ンの生地に酸化イリジウムと酸化タンタルの混合物を被
覆した不溶性電極を使用した。本実施の形態では８μｍ
のＳｎ−Ａｇメッキを行った。また、銀含有比率は２．
５％とした。次に、最初に形成した銅下地メッキの銀メ
ッキ、Ｓｎ−Ａｇメッキ以外の表面に露出している部分
を除去する。更に、リード側面に漏れた銀を除去するた
め電気的にフレーム表面の銀を除去した。その後、半田
濡れ性を改善するため三燐酸ナトリウムを含む処理剤に
よって、アウターリード部１の光沢度が０．６以上で、
銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上５以下で
あり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以下であ
り、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５以上で
ある体心正方構造の錫を含む表面処理層６処理後に光沢
度が０．６以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が
１．５以上５以下であり、（２１１）面の結晶配向指数
が０．９以下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指
数が０．５以上である体心正方構造の錫を含む表面処理
層６をエッチング処理をした。三燐酸ナトリウム濃度は
１２０ｇ／Ｌ、液温６０℃にて３０秒間浸漬した。最後
に、変色防止剤を浸漬した後、水洗後乾燥させ仕上げ
た。
【００２２】Ｘ線回折装置により結晶配向性を調べた結
果、光沢度が０．７４で、（２２０）面の結晶配向指数
が１．６９であり、（２１１）面の結晶配向指数が０で
あり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．８９で
ある体心正方構造の錫を含む錫―銀のメッキ層である事
が確認できた。半田の濡れ性評価は実施の形態１と同様
の条件でおこなった。同時にアウターリード部１の曲げ
試験により剥離状態を観察した。その結果、初期のゼロ
クロス時間及び１７５℃２４時間耐熱後のゼロクロス時
間及び外観は（表１）の結果のように良好なものとなっ
た。
【００２３】（比較例１）比較例として形成される電子
部品用リードフレームの構造の詳細を説明する。本比較
例では４２材合金を生地として用いた。最初、この４２
材合金の薄板をリードフレームの形状に加工する。４２
材合金の板をリードフレーム形状に加工した後、洗浄工
程を経て、必要に応じて熱処理工程を通し、プレスで打
ち抜いた時に基板に残った応力を除去する。その後、メ
ッキ工程に入る。以下実施の形態１と同様に洗浄工程、
銅下地メッキ工程、銀の部分メッキ工程を行う。銀の部
分メッキを行った後、前処理を行なわずに、アウターリ
ード部１に直流電源により電流密度２０Ａ／ｄｍ2にて
Ｓｎ−Ａｇの部分メッキをおこなった。本比較例ではＳ
ｎＯ、Ａｇ2Ｏ、メタンスルホン酸をベースとして使用
したメッキ液を使用した。本比較例ではメタンスルホン
酸１５０ｇ／Ｌを使用した。ＳｎＯの濃度は金属錫の量
として４０ｇ／Ｌ、Ａｇ2Ｏの濃度は金属銀の濃度とし
て１．５ｇ／Ｌとした。添加剤としては少なくとも、本
比較例では、アミノフェニルジスルフィド５ｇ／Ｌ、ナ
フタレンスルホン酸モノポリエチレングリコールエーテ
ル５ｇ／Ｌ、ビスフェノールＡジポリエチレングリコー
ルエーテル８０ｇ／Ｌを使用した。陽極電極は、チタン
の生地に酸化イリジウムと酸化タンタルの混合物を被覆
した不溶性電極を使用した。本比較例では８μｍのＳｎ
−Ａｇメッキを行った。また、銀含有比率は２．５％と
した。次に、最初に形成した銅下地メッキの銀メッキ、
Ｓｎ−Ａｇメッキ以外の表面に露出している部分を除去
した。更に、リード側面に漏れた銀を除去するため電気
的にフレーム表面の銀を除去した。その後、半田濡れ性
を改善するため三燐酸ナトリウムを含む処理剤によっ
て、アウターリード部１の銀及び錫を含む表面処理層６
処理後に銀及び錫を含む表面処理層６をエッチング処理
をした。最後に、変色防止剤を浸漬した後、水洗後乾燥
させ仕上げた。
【００２４】Ｘ線回折装置により結晶配向性を調べた結
果、光沢度が０．４５で、（２２０）面の結晶配向指数
が６．３８であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．
１２であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．
１１である体心正方構造の錫を含む錫―銀の層である事
が確認できた。半田の濡れ性評価は実施の形態１と同様
の条件でおこなった。同時にアウターリード部１の曲げ
試験により剥離状態を観察した。その結果、初期のゼロ
クロス時間及び１７５℃２４時間耐熱後のゼロクロス時
間及び外観は（表１）の結果のように劣化し、曲げ試験
においてクラックが発生した。
【００２５】（比較例２）本比較例ではアロイ１９４を
生地として用いた。最初、このアロイ１９４合金の薄板
をリードフレームの形状に加工する。アロイ１９４の板
をリードフレーム形状に加工した後、洗浄工程を経て、
必要に応じて熱処理工程を通し、プレスで打ち抜いた時
に基板に残った応力を除去する。その後、メッキ工程に
入る。以下実施の形態１と同様に洗浄工程、銅下地メッ
キ工程、銀部分メッキ工程を行う。銀の部分メッキを行
った後、硝酸を含む処理剤により前処理を行なった。そ
の後、アウターリード部に直流電源により電流密度２０
Ａ／ｄｍ2にてＳｎ−Ａｇの部分メッキをおこなった。
本比較例ではＳｎＯ、Ａｇ2Ｏ、メタンスルホン酸をベ
ースとしたメッキ液を使用した。本比較例ではメタンス
ルホン酸１５０ｇ／Ｌを使用した。ＳｎＯの濃度は金属
錫の量として４０ｇ／Ｌ、Ａｇ2Ｏの濃度は金属銀の濃
度として１．５ｇ／Ｌとした。添加剤としては少なくと
も、本比較例では、４，４−アミノジフェニルスルフィ
ド６ｇ／Ｌ、ナフタレンスルホン酸モノポリエチレング
リコールエーテル５ｇ／Ｌ、ビスフェノールＡジポリエ
チレングリコールエーテル８０ｇ／Ｌを使用した。陽極
電極は、チタンの生地に酸化イリジウムと酸化タンタル
の混合物を被覆した不溶性電極を使用した。本比較例で
は直流電源により電流密度２０Ａ／ｄｍ2にて８μｍの
Ｓｎ−Ａｇメッキを行った。また、銀含有比率は２．５
％とした。次に、最初に形成した銅下地メッキの銀メッ
キ、Ｓｎ−Ａｇメッキ以外の表面に露出している部分を
除去した。更に、リード側面に漏れた銀を除去するため
電気的にフレーム表面の銀を除去した。その後、半田濡
れ性を改善するため三燐酸ナトリウムを含む処理剤によ
って、アウターリード部１の銀及び錫を含む表面処理層
６処理後に銀及び錫を含む表面処理層６をエッチング処
理を行わず、変色防止剤を浸漬した後、水洗後乾燥させ
仕上げた。
【００２６】Ｘ線回折装置により結晶配向性を調べた結
果、光沢度が０．５で、（２２０）面の結晶配向指数が
６．０７であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．
０．６以下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数
が０．２７である体心正方構造の錫を含む錫―銀の層で
ある事が確認できた。半田の濡れ性評価は実施の形態１
と同様の条件でおこなった。同時にアウターリード部１
の曲げ試験により剥離状態を観察した。その結果、初期
のゼロクロス時間及び１７５℃２４時間耐熱後のゼロク
ロス時間及び外観は（表１）の結果のように実施の形態
１，２に比べ悪化した。曲げ試験においてクラックが発
生した。
【００２７】（実施の形態３）本実施の形態を図５によ
り説明する。図１、図２の本発明によるリードフレーム
にダイアタッチ樹脂塗布後、ＩＣチップ７を固定し、２
００℃２時間オーブンにより乾燥固定後、ワイヤーボン
ディングによりリードフレームとＩＣチップ７を電気的
に接続した。次に、モールド樹脂９によりＩＣチップ７
を封止した。従来は、封止後リードフレームの表面の酸
化層を除去後、アウターリード部１に外装半田メッキを
行っていたが、本発明のリードフレームを使用する事に
より、工程が簡素化された。
【００２８】（実施の形態４）本実施の形態を図５によ
り説明する。Ａｇメッキのみを行ったリードフレームに
ダイアタッチ樹脂塗布後、ＩＣチップ７を固定し、２０
０℃２時間オーブンにより乾燥固定後、ワイヤーボンデ
ィングによりリードフレームとＩＣチップ７をボンディ
ングワイヤー８で電気的に接続した。次に、モールド樹
脂９によりＩＣチップ７を封止した。封止後リードフレ
ームの表面の酸化層を除去後、アウターリード部１に電
流密度６０Ａ／ｄｍ2にて８μｍのＳｎ−Ａｇの外装メ
ッキをおこなった。本実施の形態ではＳｎＯ、Ａｇ
2Ｏ、メタンスルホン酸をベースとして使用したメッキ
液を使用した。その後、半田濡れ性を改善するため三燐
酸ナトリウムを含む処理剤によって、アウターリード部
１の銀及び錫を含む表面処理層６処理後に水洗後乾燥さ
せ仕上げた。Ｘ線回折装置により結晶配向性を調べた結
果、光沢度が０．６以上で、（２２０）面の結晶配向指
数が１．５以上５以下であり、（２１１）面の結晶配向
指数が０．９以下であり、かつ、（２００）面の結晶配
向指数が０．５以上である体心正方構造である事が確認
できた。
【００２９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、環境有害
汚染物質の一つである鉛を含まない、半田濡れ性、接合
強度の特性が良く、低コストのニッケル又はニッケル合
金、銅又は銅合金系及び鉄又は鉄合金で形成されるリー
ドフレームが得られるという有利な効果が得られた。ま
た、本発明のリードフレームを使用し、ＩＣの組立を行
う事により、外装半田工程を必要としない、低コストの
半導体装置を作成する事が出来た。さらに本発明の光沢
度が０．６以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が
１．５以上５以下であり、（２１１）面の結晶配向指数
が０．９以下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指
数が０．５以上である体心正方構造の錫を含む合金の表
面処理層を外装メッキとして形成する事により、環境有
害汚染物質の一つである鉛を含まない、半田濡れ性、接
合強度の特性が良い半導体装置を形成する事が可能とな
った。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のリードフレーム平面図
【図２】本発明のリードフレーム断面図
【図３】従来のリードフレームの平面図
【図４】従来のリードフレーム断面図
【図５】本発明のリードフレームを使用したＩＣパッケ
ージの断面図
【符号の説明】
１ アウターリード部 ２ インナーリード部 ３ パッド ４ リードフレーム生地 ５ 銀又は銀を含む合金の表面処理層 ６ 銀及び錫を含む表面処理層 ７ ＩＣチップ ８ ボンディングワイヤー ９ モールド樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 久裕 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 C25D 7/00

Claims (14)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ニッケル又はニッケル合金、銅又は銅合金
    系及び鉄又は鉄合金で形成されるリードフレームにおい
    て、インナーリード部に銀又は銀を含む合金の表面処理
    層を設けかつ、アウターリード部に少なくとも、光沢度
    が０．６以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が
    １．５以上５以下であり、（２１１）面の結晶配向指数
    が０．９以下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指
    数が０．５以上である体心正方構造の錫を含む合金の表
    面処理層を設けた事を特徴とするリードフレームを用い
    た半導体装置。
  2. 【請求項２】前記アウターリード部の光沢度が０．６以
    上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上５
    以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以下
    であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５以
    上である体心正方構造の錫を含む表面処理層を含む請求
    項１に記載の電子部品用リードフレームにおいて、少な
    くとも、光沢度が０．６以上で、銀と（２２０）面の結
    晶配向指数が１．５以上５以下であり、（２１１）面の
    結晶配向指数が０．９以下であり、かつ、（２００）面
    の結晶配向指数が０．５以上であるアウターリード部の
    体心正方構造の錫を含む表面処理層を形成するためのメ
    ッキ液が、酸としてアルカンスルホン酸、アルカノール
    スルホン酸、及びスルファミン酸より選択された１種又
    は２種以上を含み、錫塩としてメタンスルホン酸錫、Ｓ
    ｎＯ、より選択された１種又は２種以上を含み、銀塩と
    してメタンスルホン酸銀、Ａｇ2Ｏ、ＡｇＯより選択さ
    れた１種又は２種以上を含むことを特徴とする請求項１
    に記載の半導体装置及びその製造方法。
  3. 【請求項３】前記アウターリード部の光沢度が０．６以
    上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上５
    以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以下
    であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５以
    上である体心正方構造の錫を含む表面処理層を含む請求
    項１に記載の電子部品用リードフレームにおいて密着性
    を改善するため少なくとも、塩酸、硝酸、硫酸を１種又
    は２種以上から選択された処理剤によって、アウターリ
    ード部の光沢度が０．６以上で、銀と（２２０）面の結
    晶配向指数が１．５以上５以下であり、（２１１）面の
    結晶配向指数が０．９以下であり、かつ、（２００）面
    の結晶配向指数が０．５以上である体心正方構造の錫を
    含む表面処理層処理前にエッチング処理する事を特徴と
    する請求項１に記載の半導体装置及びその製造方法。
  4. 【請求項４】前記アウターリード部の光沢度が０．６以
    上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上５
    以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以下
    であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５以
    上である体心正方構造の錫を含む表面処理層を含む請求
    項１に記載の電子部品用リードフレームにおいて、半田
    濡れ性を改善するため少なくとも三燐酸ナトリウムを含
    む処理剤によって、アウターリード部の光沢度が０．６
    以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上
    ５以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以
    下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５
    以上である体心正方構造の錫を含む表面処理層処理後に
    光沢度が０．６以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指
    数が１．５以上５以下であり、（２１１）面の結晶配向
    指数が０．９以下であり、かつ、（２００）面の結晶配
    向指数が０．５以上である体心正方構造の錫を含む表面
    処理層をエッチング処理する事を特徴とする請求項１に
    記載の半導体装置及びその製造方法。
  5. 【請求項５】前記アウターリード部の光沢度が０．６以
    上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上５
    以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以下
    であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５以
    上である体心正方構造の錫を含む表面処理層を含む請求
    項１に記載の電子部品用リードフレームにおいて、光沢
    度が０．６以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が
    １．５以上５以下であり、（２１１）面の結晶配向指数
    が０．９以下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指
    数が０．５以上である体心正方構造の錫を含む表面処理
    層の厚さを３〜１５μｍとした事を特徴とする請求項１
    に記載の半導体装置。
  6. 【請求項６】前記アウターリード部の光沢度が０．６以
    上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上５
    以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以下
    であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５以
    上である体心正方構造の錫を含む表面処理層を含む請求
    項１に記載の電子部品用リードフレームにおいて、光沢
    度が０．６以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が
    １．５以上５以下であり、（２１１）面の結晶配向指数
    が０．９以下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指
    数が０．５以上である体心正方構造の錫を含む表面処理
    層の銀含有比率を１〜８ｗ％とした事を特徴とする請求
    項１に記載の半導体装置。
  7. 【請求項７】前記アウターリード部の光沢度が０．６以
    上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上５
    以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以下
    であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５以
    上である体心正方構造の錫を含む表面処理層を含む請求
    項１に記載の電子部品用リードフレームにおいて、光沢
    度が０．６以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が
    １．５以上５以下であり、（２１１）面の結晶配向指数
    が０．９以下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指
    数が０．５以上である体心正方構造の錫を含む表面処理
    層を白金、イリジュウム、タンタル、ロジウム、ルテニ
    ウムの金属またはその酸化物のうちのひとつ以上を含む
    不溶解性電極によりメッキした事を特徴とする請求項１
    に記載の半導体装置。
  8. 【請求項８】前記アウターリード部の光沢度が０．６以
    上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上５
    以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以下
    であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５以
    上である体心正方構造の錫を含む表面処理層を含む請求
    項１に記載の電子部品用リードフレームを使用して形成
    された事を特徴とする半導体装置。
  9. 【請求項９】少なくとも、リードフレームを用いて形成
    される半導体装置において、アウターリード部に少なく
    とも、光沢度が０．６以上で、銀と（２２０）面の結晶
    配向指数が１．５以上５以下であり、（２１１）面の結
    晶配向指数が０．９以下であり、かつ、（２００）面の
    結晶配向指数が０．５以上である体心正方構造の錫を含
    む合金の表面処理層を設けた事を特徴とする半導体装
    置。
  10. 【請求項１０】前記アウターリード部に光沢度が０．６
    以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上
    ５以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以
    下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５
    以上である体心正方構造の錫を含む表面処理層を含む請
    求項９に記載の半導体装置において、少なくとも、アウ
    ターリード部の光沢度が０．６以上で、銀と（２２０）
    面の結晶配向指数が１．５以上５以下であり、（２１
    １）面の結晶配向指数が０．９以下であり、かつ、（２
    ００）面の結晶配向指数が０．５以上である体心正方構
    造の錫を含む表面処理層を形成するためのメッキ液に、
    酸として有機スルホン酸、金属塩として有機スルホン酸
    塩、あるいは金属酸化物を含む事を特徴とする請求項９
    に記載の半導体装置及びその製造方法。
  11. 【請求項１１】前記アウターリード部に光沢度が０．６
    以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上
    ５以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以
    下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５
    以上である体心正方構造の錫を含む表面処理層を含む請
    求項９に記載の半導体装置においてアウターリード部に
    設ける表面処理槽の密着性を改善するため少なくとも、
    塩酸、硝酸、硫酸を１種又は２種以上から選択された処
    理剤によって、アウターリード部の光沢度が０．６以上
    で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上５以
    下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以下で
    あり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５以上
    である体心正方構造の錫を含む表面処理層処理前にエッ
    チング処理する事を特徴とする請求項９に記載の半導体
    装置及びその製造方法。
  12. 【請求項１２】前記アウターリード部の光沢度が０．６
    以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上
    ５以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以
    下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５
    以上である体心正方構造の錫を含む表面処理層を含む請
    求項９に記載の半導体装置において、半田濡れ性を改善
    するため少なくとも三燐酸ナトリウムを含む処理剤によ
    って、アウターリード部の光沢度が０．６以上で、銀と
    （２２０）面の結晶配向指数が１．５以上５以下であ
    り、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以下であり、
    かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５以上である
    体心正方構造の錫を含む表面処理層処理後に銀及び錫を
    含む表面処理層をエッチング処理する事を特徴とする請
    求項９に記載の半導体装置及びその製造方法。
  13. 【請求項１３】前記アウターリード部の光沢度が０．６
    以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上
    ５以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以
    下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５
    以上である体心正方構造の錫を含む表面処理層を含む請
    求項９に記載の半導体装置において、光沢度が０．６以
    上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上５
    以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以下
    であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５以
    上である体心正方構造の錫を含む表面処理層の厚さを３
    〜１５μｍとした事を特徴とする請求項９に記載の半導
    体装置。
  14. 【請求項１４】前記アウターリード部の光沢度が０．６
    以上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上
    ５以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以
    下であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５
    以上である体心正方構造の錫を含む表面処理層を含む請
    求項９に記載の半導体装置において、光沢度が０．６以
    上で、銀と（２２０）面の結晶配向指数が１．５以上５
    以下であり、（２１１）面の結晶配向指数が０．９以下
    であり、かつ、（２００）面の結晶配向指数が０．５以
    上である体心正方構造の錫を含む表面処理層の銀含有比
    率を１〜８ｗ％とした事を特徴とする請求項９に記載の
    半導体装置。
JP11446999A 1999-04-22 1999-04-22 鉛を含まない錫ベース半田皮膜を有する半導体装置およびその製造方法 Expired - Fee Related JP3314754B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11446999A JP3314754B2 (ja) 1999-04-22 1999-04-22 鉛を含まない錫ベース半田皮膜を有する半導体装置およびその製造方法
US09/548,351 US6395583B1 (en) 1999-04-22 2000-04-12 Semiconductor device with a coating of Pb-free Sn-base solder and manufacturing method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11446999A JP3314754B2 (ja) 1999-04-22 1999-04-22 鉛を含まない錫ベース半田皮膜を有する半導体装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000307046A JP2000307046A (ja) 2000-11-02
JP3314754B2 true JP3314754B2 (ja) 2002-08-12

Family

ID=14638524

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11446999A Expired - Fee Related JP3314754B2 (ja) 1999-04-22 1999-04-22 鉛を含まない錫ベース半田皮膜を有する半導体装置およびその製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6395583B1 (ja)
JP (1) JP3314754B2 (ja)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4547583B2 (ja) * 1999-09-24 2010-09-22 石原薬品株式会社 スズ合金メッキを施した表面被覆材料、並びに当該被覆材料を利用した電子部品
JP2001230360A (ja) 2000-02-18 2001-08-24 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
US20030137032A1 (en) * 2000-05-01 2003-07-24 Abbott Donald C. Pre-finished leadframe for semiconductor devices and method fo fabrication
DE10025107A1 (de) * 2000-05-20 2001-11-22 Stolberger Metallwerke Gmbh Elektrisch leifähiges Metallband und Steckverbinder
JP3417395B2 (ja) 2000-09-21 2003-06-16 松下電器産業株式会社 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体装置
JP3395772B2 (ja) * 2000-11-20 2003-04-14 松下電器産業株式会社 錫−銀合金めっき皮膜の製造方法及び錫−銀合金めっき皮膜及びそれを備えた電子部品用リードフレーム
JP2002299540A (ja) 2001-04-04 2002-10-11 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP4016637B2 (ja) 2001-10-24 2007-12-05 松下電器産業株式会社 錫−銀合金めっき皮膜を有する電子部品用リードフレーム及びその製造方法
JP4447215B2 (ja) * 2002-12-16 2010-04-07 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 電子部品
JP2004297014A (ja) * 2003-03-28 2004-10-21 Denso Corp 半導体装置のワイヤボンディング方法及び半導体装置
KR20060030356A (ko) * 2004-10-05 2006-04-10 삼성테크윈 주식회사 반도체 리이드 프레임과, 이를 포함하는 반도체 패키지와,이를 도금하는 방법
US7192809B2 (en) * 2005-02-18 2007-03-20 Texas Instruments Incorporated Low cost method to produce high volume lead frames
JP2008274316A (ja) * 2007-04-25 2008-11-13 Toyota Motor Corp めっき部材およびその製造方法
CN101425468B (zh) * 2007-10-29 2012-07-04 飞思卡尔半导体（中国）有限公司 经过涂敷的引线框
JP5356968B2 (ja) * 2009-09-30 2013-12-04 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 Ｓｎめっき被膜、及びそれを有する複合材料
US9129951B2 (en) 2013-10-17 2015-09-08 Freescale Semiconductor, Inc. Coated lead frame bond finger
US9070392B1 (en) 2014-12-16 2015-06-30 Hutchinson Technology Incorporated Piezoelectric disk drive suspension motors having plated stiffeners
US9734852B2 (en) 2015-06-30 2017-08-15 Hutchinson Technology Incorporated Disk drive head suspension structures having improved gold-dielectric joint reliability
JP6621681B2 (ja) * 2016-02-17 2019-12-18 株式会社三井ハイテック リードフレーム及びその製造方法、並びに半導体パッケージ
DE102016112289B4 (de) * 2016-07-05 2020-07-30 Danfoss Silicon Power Gmbh Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung desselben
CN114300365B (zh) * 2021-11-27 2023-01-03 昆山弗莱吉电子科技有限公司 铜合金引线框架的后处理工艺以及铜合金引线框架

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0144164B1 (ko) * 1995-05-12 1998-07-01 문정환 엘오씨 반도체 패키지 및 반도체 장치를 패키징하는 방법
JP3561821B2 (ja) * 1995-12-01 2004-09-02 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体パッケージ装置
JP3545549B2 (ja) 1996-09-26 2004-07-21 株式会社大和化成研究所 電気・電子回路部品
KR100243368B1 (ko) * 1996-10-18 2000-02-01 유무성 리드프레임의 열처리 방법
US6087714A (en) * 1998-04-27 2000-07-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor devices having tin-based solder film containing no lead and process for producing the devices

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000307046A (ja) 2000-11-02
US6395583B1 (en) 2002-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3314754B2 (ja) 鉛を含まない錫ベース半田皮膜を有する半導体装置およびその製造方法
JP3417395B2 (ja) 半導体装置用リードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体装置
US6087714A (en) Semiconductor devices having tin-based solder film containing no lead and process for producing the devices
JP4016637B2 (ja) 錫−銀合金めっき皮膜を有する電子部品用リードフレーム及びその製造方法
KR102333434B1 (ko) 리드 프레임 및 그 제조방법
WO2017179447A1 (ja) リードフレーム材およびその製造方法
JP4639701B2 (ja) 錫めっき皮膜を有する金属板及びそれを備えた電子部品並びに錫めっき皮膜の製造方法
JP3395772B2 (ja) 錫−銀合金めっき皮膜の製造方法及び錫−銀合金めっき皮膜及びそれを備えた電子部品用リードフレーム
JP2001107290A (ja) 電子部品用錫系めっき条材とその製造法
JP6182757B2 (ja) めっき材の製造方法及びめっき材
KR100947921B1 (ko) 연성인쇄회로기판의 고연성 Ａｕ 표면처리 도금방법
EP0127857B1 (en) Solderable stainless steel article and method for making same
JP2000265294A (ja) 錫及び錫合金めっき浴、めっき皮膜及び半導体装置用のリードフレーム
EP0132596A2 (en) Solderable nickel-iron alloy article and method for making same
JPH10284667A (ja) 耐食性、耐酸化性に優れる電気電子機器用部品材料、及びその製造方法
JPH11121673A (ja) リードフレーム
JP3402228B2 (ja) 鉛を含まない錫ベース半田皮膜を有する半導体装置
JP2005105307A (ja) リフローＳｎめっき部材、前記部材の製造方法、および前記部材が用いられた電気電子機器用部品
JP2684631B2 (ja) コンデンサ用リード線
JPH11307710A (ja) メッキリードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体装置
JPS6340866B2 (ja)
JPS607161A (ja) ニツケル・鉄合金のｉｃ用リ−ドフレ−ムに半田性およびボンデイング性を付与する方法
JPH0555429A (ja) 半導体装置用リードフレーム
JPH0373962B2 (ja)
JPH0987899A (ja) 電子機器用銅合金材料の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080607

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090607

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100607

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100607

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110607

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120607

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120607

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130607

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees