CN114300365B - 铜合金引线框架的后处理工艺以及铜合金引线框架 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及芯片载体制造的领域，具体公开了一种铜合金引线框架的后处理工艺以及铜合金引线框架。铜合金引线框架的后处理工艺，包括对铜合金引线框架进行喷砂处理、粗化处理、铜保护处理、密着剂处理、防银胶扩散处理以及烘干出料等步骤。其中，密着剂处理的方法为：将铜合金引线框架置于pH为4‑7的密着剂水溶液中浸泡；密着剂的分子结构中含有‑Si‑OR。铜合金引线框架，经过上述铜合金引线框架的后处理工艺处理而得。本申请在铜合金引线框架后处理中加入了密着剂处理工序，提高了铜合金引线框架的表面附着力，有利于提高铜合金引线框架与封装树脂之间的结合强度，进而提高了芯片、封装树脂和铜合金引线框架的结合紧密性，使芯片更好的发挥作用。
Description
技术领域
本申请涉及芯片载体制造的领域，更具体地说，它涉及一种铜合金引线框架的后处理工艺以及铜合金引线框架。
背景技术
集成电路（Integrated Circuit）是一种微型的电子器件，芯片和引线框架都是集成电路的关键组件。引线框架是芯片的载体，不仅可以支撑和固定芯片，还负责将芯片的内部电路和外部引线连接，是实现电路回路的关键；同时，引线框架还可以起到芯片散热的作用。
目前，引线框架中应用最广泛的是铜合金引线框架。铜合金引线框架的制备方法通常包括铜合金板带上的图案刻蚀、铜合金板带上镀银以及引线框架后处理等步骤；其中，引线框架后处理主要是对经过刻蚀镀银后的铜合金引线框架进行喷砂、铜保护、防银胶扩散及水洗等处理。
铜合金引线框架制备完成后，芯片通过封装树脂紧密连接在引线框架上，实现了芯片和引线框架的有机结合，进而使芯片的作用得以发挥；芯片与铜合金引线框架的结合紧密性，直接关系到芯片的作用是否能充分地发挥。
发明内容
为了提高芯片与铜合金引线框架的结合紧密性，本申请提供一种铜合金引线框架的后处理工艺以及铜合金引线框架。
第一方面，提供了一种铜合金引线框架的后处理工艺，采用如下的技术方案：
铜合金引线框架的后处理工艺，包括：
S10、对新制成的铜合金引线框架进行喷砂处理；
S20、对所述铜合金引线框架进行粗化处理；
S30、对所述铜合金引线框架进行铜保护处理；
S40、对所述铜合金引线框架进行密着剂处理；
S50、对所述铜合金引线框架进行防银胶扩散处理；
S60、烘干所述铜合金引线框架，出料。
通过采用上述技术方案，密着剂的处理有利于提高铜合金引线框架的吸附能力，从而有利于提高铜合金引线框架与封装树脂的结合强度，进而使芯片、封装树脂和铜合金引线框架的连接更加紧密，有利于芯片更好的发挥作用。
可选的，所述S40中，所述密着剂处理的方法为：将铜合金引线框架置于pH为4-7的密着剂水溶液中浸泡；所述密着剂的分子结构中含有-Si-OR，其中R代表烃基。
通过采用上述技术方案，密着剂中的-OR结构在pH为4-7的条件下能够发生水解反应而生成-OH，不同分子的-OH继而发生缩合脱水反应，从而在铜合金引线框架的表面形成有机硅氧烷层；有机硅氧烷具有网络状的分子结构能够与封装树脂发生反应，从而提高了封装树脂和铜合金引线框架之间的结合强度，进而提高了芯片与铜合金引线框架的结合紧密性。
可选的，所述S40中，所述密着剂的分子结构为SH(CH2)2-Si-(OCH2CH3)3；所述密着剂水溶液的浓度为35-100mL/L、温度为25-35℃；将所述铜合金引线框架置于密着剂水溶液中浸泡的时间为15-35s。
通过采用上述技术方案，含-(CH2)2SH的分子更利于附着在铜合金引线框架的表面。同时，通过对密着剂水溶液的浓度、温度以及铜合金引线框架在密着剂水溶液中的浸泡时间的优化，有利于进一步提高铜合金引线框架和封装树脂之间的结合强度，进而进一步提高了芯片与铜合金引线框架的结合紧密性。
可选的，所述S40中，所述密着剂处理的方法还包括在浸泡密着剂水溶液之后再将铜合金引线框架置于紫外光下进行辐照；所述紫外光的辐照度为360-480μW•cm-2；将所述铜合金引线框架置于紫外光下进行辐照的时间为5-10s。
通过采用上述技术方案，紫外线的辐照能够促进密着剂中的-OR更充分地水解成-OH，并形成网络结构的有机硅氧烷，从而有利于提高铜合金引线框架和封装树脂之间的结合强度，使芯片与铜合金引线框架的结合更加紧密。
可选的，所述S10中，所述喷砂处理的方法为：向铜合金引线框架垂直喷砂水；
所述砂为金刚砂，所述砂水质量比为18-30:1；喷砂水时，控制喷射压力为0.5-1kg/cm3、喷射时间为40-80s。
通过采用上述技术方案，优化了喷砂的工艺。
可选的，所述S20中，所述粗化处理的方法为：将所述铜合金引线框架置于粗化剂水溶液中浸泡；
所述粗化剂包括有机酸和缓冲质，其中有机酸占比为9-18wt%；所述粗化剂水溶液的浓度为12-45g/L；将所述铜合金引线框架置于粗化剂水溶液中浸泡的时间为60-120s。
通过采用上述技术方案，优化了粗化处理的工艺。
可选的，所述S30中，所述铜保护处理的方法为：将所述铜合金引线框架置于铜保护剂水溶液中浸泡；
所述铜保护剂水溶液的浓度为12-40mL/L；将所述铜合金引线框架置于铜保护剂水溶液中浸泡的时间为25-45s。
通过采用上述技术方案，优化了铜保护的工艺。
可选的，所述S50中，所述防银胶扩散处理的方法为：将所述铜合金引线框架置于防银胶扩散剂水溶液中浸泡；
所述防银胶扩散剂水溶液的浓度为5-10ml/L；将所述铜合金引线框架置于防银胶扩散剂水溶液中浸泡的时间为15-25s。
通过采用上述技术方案，优化了防银胶扩散的工艺。
可选的，在S10和S20、S20和S30、S30和S40、S40和S50以及S50和S60之间均还包括对所述铜合金引线框架进行压力水洗的步骤；控制每次水洗时的水洗压力在30-55psi，水洗时间为20-40s。
通过采用上述技术方案，水洗有利于去除铜合金引线框架表面的杂质和试剂残留，有利于提高所得铜合金引线框架的质量。
第二方面，提供了一种铜合金引线框架，采用如下的技术方案：
铜合金引线框架，经过上述铜合金引线框架的后处理工艺处理而得。
通过采用上述技术方案，获得与芯片能够结合紧密的铜合金引线框架，从而有利于芯片作用的充分发挥，进而有利于提高集成电路的质量。
综上所述，本申请至少具有以下有益技术效果之一：
1、本申请在铜合金引线框架的后处理工艺中加入了密着剂处理工序，提高了铜合金引线框架的表面附着力，有利于提高铜合金引线框架与封装树脂之间的结合强度，进而提高了芯片、封装树脂和铜合金引线框架的结合紧密性，使芯片更好的发挥作用。
2、本申请密着剂的分子中含有-Si-OR结构；基团-OR能够发生水解而形成-OH；而-OH能进一步发生缩合反应，从而在铜合金引线框架的表面上形成网络结构的有机硅氧烷。该有机硅氧烷能与封装树脂发生反应，使封装树脂和铜合金引线框架之间的结合强度大大提高。
3、本申请通过紫外线辐照促进了-OR的水解，从而有利于促进网络分子结构的有机硅氧烷的形成，对于提高铜合金引线框架和封装树脂之间的结合强度具有积极的作用。
具体实施方式
以下结合实施例对本申请作进一步详细说明。
实施例1
本实施例公开了一种铜合金引线框架的后处理工艺，包括以下步骤：
S0、将新制成的铜合金引线框架（即完成刻蚀镀银工序后的铜合金引线框架）置于传动带上。
S10、向铜合金引线框架喷砂。在本实施方案中，具体为：采用60°锥形喷嘴以0.5kg/cm3的压力向铜合金引线框架垂直喷射砂水80s；其中：砂为粒径为350-400目的金刚砂，砂水质量比为18:1。
S11、对铜合金引线框架进行四次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为30psi，水洗时间为40s。
S20、在传动带的输送下，铜合金引线框架进入粗化剂槽中并完全浸泡在粗化剂水溶液中。在本实施方案中，粗化剂由9wt%的柠檬酸（有机酸）、54.6wt%的氯化铜以及36.4wt%的过硫酸氢钾构成，其中，氯化铜和过硫酸氢钾为缓冲质；同时控制粗化剂水溶液的浓度为12g/L，铜合金引线框架在粗化剂水溶液中浸泡的时间为120s。
S21、对铜合金引线框架进行六次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为30psi，水洗时间为40s。
S30、在传动带的输送下，铜合金引线框架进入铜保护剂槽中并完全浸泡在铜保护剂水溶液中。在本实施方案中，铜保护剂具体为SL-362型环保铜合金钝化剂；同时控制铜保护剂水溶液的浓度为12mL/L，铜合金引线框架在铜保护剂水溶液中浸泡的时间为45s。
S31、对铜合金引线框架进行四次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为30psi，水洗时间为40s。
S40、在传动带的输送下，铜合金引线框架进入密着剂槽中并完全浸泡在密着剂水溶液中。具体的，在本实施方案中，密着剂由结构式为SH(CH2)2-Si-(OCH2CH3)3的有机物与乙醇按体积比为1：1混合而成；同时控制密着剂水溶液的浓度为35mL/L、温度为35℃、pH值为4，铜合金引线框架在密着剂水溶液中浸泡的时间为15s。
在本步骤中，SH(CH2)2-Si-(OCH2CH3)3通过基团- (CH2)2SH附着在铜合金引线框架的表面；-OCH2CH3在水中水解成-OH，继而不同分子间的-OH发生缩合脱水反应，从而在铜合金引线框架的表面形成了具有网络分子结构的有机硅氧烷，该硅氧烷网络能够与封装树脂发生反应，从而提高了铜合金引线框架和封装树脂的结合性，使芯片、封装树脂和铜合金引线框架连接紧密。
S41、对铜合金引线框架进行两次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为30psi，水洗时间为40s。
S42、对铜合金引线框架进行中检，观察铜合金引线框架的外观品质状况，如表面清洁状况、是否有变形不良等；中检时间控制为5s。
S50、在传动带的输送下，铜合金引线框架进入防银胶扩散剂槽中并完全浸泡在防银胶扩散剂水溶液中。在本实施方案中，防银胶扩散剂具体为BA-2型（JX金属商事株式会社）；同时控制防银胶扩散剂水溶液的浓度为5mL/L，铜合金引线框架在防银胶扩散剂水溶液中浸泡的时间为25s。
S51、对铜合金引线框架进行四次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为30psi，水洗时间为40s。
S60、对铜合金引线框架烘干。具体的，采用70℃热风对铜合金引线框架进行吹扫，并控制吹扫时间为75s。烘干后出料。
本实施例还公开了一种铜合金引线框架，其采用上述铜合金引线框架的后处理工艺制得。该引线框架与封装树脂具有良好的结合强度，从而芯片和引线框架结合紧密，有利于芯片更好的发挥作用。
实施例2
本实施例与实施例1基本相同，不同之处在于：铜合金引线框架的后处理工艺中，铜合金引线框架经过喷砂后先压力水洗，之后超声波水洗，之后再压力水洗。
具体的相关步骤为：
S10、向铜合金引线框架喷砂。在本实施方案中，具体为：采用60°锥形喷嘴以0.5kg/cm3的压力向铜合金引线框架垂直喷射砂水80s；其中：砂为粒径为350-400目的金刚砂，砂水质量比为18:1。
S12、对铜合金引线框架进行压力水洗，控制水洗压力为30psi，水洗时间为40s。
S13、对铜合金引线框架进行超声波水洗，控制超声波频率35kHz，水洗时间为50s。
S14、再次对铜合金引线框架进行两次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为30psi，水洗时间为40s。
S20、在传动带的输送下，铜合金引线框架进入粗化剂槽中并完全浸泡在粗化剂水溶液中。在本实施方案中，粗化剂由9wt%的柠檬酸（有机酸）、54.6wt%的氯化铜以及36.4wt%的过硫酸氢钾构成，其中，氯化铜和过硫酸氢钾为缓冲质；同时控制粗化剂水溶液的浓度为12g/L，铜合金引线框架在粗化剂水溶液中浸泡的时间为120s。
实施例3
本实施例与实施例2基本相同，不同之处在于：铜合金引线框架的后处理工艺的S40中，铜合金引线框架在浸泡密着剂水溶液后还置于紫外光下进行辐照。
具体为：
S40、在传动带的输送下，铜合金引线框架首先进入盛放密着剂（由SH(CH2)2-Si-(OCH2CH3)3与乙醇按体积比1:1混合而成）的液槽中并完全浸泡在密着剂水溶液（浓度为35mL/L、温度为35℃、pH值为4）中15s。之后随着传动带的输送，铜合金引线框架处于紫外灯下进行紫外辐照；具体的，在本实施方案中，紫外光的波长选择为365mm；同时控制紫外光的辐照度为360μW•cm-2，铜合金引线框架在紫外光下辐照的时间为10s。
在本步骤中，通过紫外线辐照，有利于促进-OCH2CH3更充分地水解成-OH，进而能在铜合金引线框架的表面形成更好的具有网络分子结构的有机硅氧烷。
实施例4-15
实施例4-15与实施例3基本相同，不同之处在于：铜合金引线框架的后处理工艺的S40中，部分控制参数不同，具体见表1。
表1 实施例3-15的S40的控制参数
| 项目 | 密着剂水溶液的浓度/mL·L<sup>-1</sup> | 密着剂水溶液的温度/℃ | 密着剂水溶液的pH值 | 浸泡时间/s | 紫外光的辐照度/μW•cm<sup>-2</sup> | 辐照时间/s |
| 实施例3 | 35 | 35 | 4 | 15 | 360 | 10 |
| 实施例4 | 70 | 35 | 4 | 15 | 360 | 10 |
| 实施例5 | 100 | 35 | 4 | 15 | 360 | 10 |
| 实施例6 | 70 | 30 | 4 | 15 | 360 | 10 |
| 实施例7 | 70 | 25 | 4 | 15 | 360 | 10 |
| 实施例8 | 70 | 35 | 5 | 15 | 360 | 10 |
| 实施例9 | 70 | 35 | 7 | 15 | 360 | 10 |
| 实施例10 | 70 | 35 | 5 | 25 | 360 | 10 |
| 实施例11 | 70 | 35 | 5 | 35 | 360 | 10 |
| 实施例12 | 70 | 35 | 5 | 25 | 420 | 10 |
| 实施例13 | 70 | 35 | 5 | 25 | 480 | 10 |
| 实施例14 | 70 | 35 | 5 | 25 | 420 | 8 |
| 实施例15 | 70 | 35 | 5 | 25 | 420 | 5 |
实施例16
本实施例与实施例14基本相同，不同之处在于：铜合金引线框架的后处理工艺的部分步骤中，部分控制参数不同。
具体为：
S0、将新制成的铜合金引线框架置于传动带上。
S10、向铜合金引线框架喷砂。在本实施方案中，具体为：采用60°锥形喷嘴以0.8kg/cm3的压力向铜合金引线框架垂直喷射砂水60s；其中：砂为粒径为350-400目的金刚砂，砂水质量比为25:1。
S12、对铜合金引线框架进行压力水洗，控制水洗压力为40psi，水洗时间为30s。
S13、对铜合金引线框架进行超声波水洗，控制超声波频率50kHz，水洗时间为40s。
S14、再次对铜合金引线框架进行两次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为40psi，水洗时间为30s。
S20、在传动带的输送下，铜合金引线框架进入粗化剂槽中并完全浸泡在粗化剂水溶液中。在本实施方案中，粗化剂由14wt%的柠檬酸、51.6wt%的氯化铜以及34.4wt%的过硫酸氢钾构成；同时控制粗化剂水溶液的浓度为30g/L，铜合金引线框架在粗化剂水溶液中浸泡的时间为90s。
S21、对铜合金引线框架进行六次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为40psi，水洗时间为30s。
S30、在传动带的输送下，铜合金引线框架进入铜保护剂槽中并完全浸泡在铜保护剂水溶液中。在本实施方案中，铜保护剂具体为SL-362型环保铜合金钝化剂；同时控制铜保护剂水溶液的浓度为25mL/L，铜合金引线框架在铜保护剂水溶液中浸泡的时间为35s。
S31、对铜合金引线框架进行四次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为40psi，水洗时间为30s。
S40、在传动带的输送下，铜合金引线框架进入密着剂槽中并完全浸泡在密着剂水溶液中；之后随着传动带的输送，铜合金引线框架处于紫外灯下进行紫外辐照。具体的，在本实施方案中，密着剂由结构式为SH(CH2)2-Si-(OCH2CH3)3的有机物与乙醇按体积比为1：1混合而成；同时控制密着剂水溶液的浓度为70mL/L、温度为35℃、pH值为5，铜合金引线框架在密着剂水溶液中浸泡的时间为25s。并且，在本实施方案中，紫外光的波长选择为365mm；同时控制紫外光的辐照度为420μW•cm-2，铜合金引线框架在紫外光下辐照的时间为8s。
S41、对铜合金引线框架进行两次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为40psi，水洗时间为30s。
S42、对铜合金引线框架进行中检，观察铜合金引线框架的外观品质状况，如表面清洁状况、是否有变形不良等；中检时间控制为8s。
S50、在传动带的输送下，铜合金引线框架进入防银胶扩散剂槽中并完全浸泡在防银胶扩散剂水溶液中。在本实施方案中，防银胶扩散剂具体为BA-10型；同时控制防银胶扩散剂水溶液的浓度为7mL/L，铜合金引线框架在防银胶扩散剂水溶液中浸泡的时间为20s。
S51、对铜合金引线框架进行四次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为40psi，水洗时间为30s。
S60、对铜合金引线框架烘干。具体的，采用80℃热风对铜合金引线框架进行吹扫，并控制吹扫时间为55s。烘干后出料。
实施例17
本实施例与实施例14基本相同，不同之处在于：铜合金引线框架的后处理工艺的各步骤中，部分控制参数不同。
具体为：
S0、将新制成的铜合金引线框架置于传动带上。
S10、向铜合金引线框架喷砂。在本实施方案中，具体为：采用60°锥形喷嘴以1kg/cm3的压力向铜合金引线框架垂直喷射砂水40s；其中：砂为粒径为350-400目的金刚砂，砂水质量比为30:1。
S12、对铜合金引线框架进行压力水洗，控制水洗压力为55psi，水洗时间为20s。
S13、对铜合金引线框架进行超声波水洗，控制超声波频率60kHz，水洗时间为30s。
S14、再次对铜合金引线框架进行两次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为55psi，水洗时间为20s。
S20、在传动带的输送下，铜合金引线框架进入粗化剂槽中并完全浸泡在粗化剂水溶液中。在本实施方案中，粗化剂由18wt%的柠檬酸、49.2wt%的氯化铜以及32.8wt%的过硫酸氢钾构成；同时控制粗化剂水溶液的浓度为45g/L，铜合金引线框架在粗化剂水溶液中浸泡的时间为60s。
S21、对铜合金引线框架进行六次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为55psi，水洗时间为20s。
S30、在传动带的输送下，铜合金引线框架进入铜保护剂槽中并完全浸泡在铜保护剂水溶液中。在本实施方案中，铜保护剂具体为SL-362型环保铜合金钝化剂；同时控制铜保护剂水溶液的浓度为40mL/L，铜合金引线框架在铜保护剂水溶液中浸泡的时间为25s。
S31、对铜合金引线框架进行四次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为55psi，水洗时间为20s。
S40、在传动带的输送下，铜合金引线框架进入密着剂槽中并完全浸泡在密着剂水溶液中；之后随着传动带的输送，铜合金引线框架处于紫外灯下进行紫外辐照。具体的，在本实施方案中，密着剂由结构式为SH(CH2)2-Si-(OCH2CH3)3的有机物与乙醇按体积比为1：1混合而成；同时控制密着剂水溶液的浓度为70mL/L、温度为35℃、pH值为5，铜合金引线框架在密着剂水溶液中浸泡的时间为25s。并且，在本实施方案中，紫外光的波长选择为365mm；同时控制紫外光的辐照度为420μW•cm-2，铜合金引线框架在紫外光下辐照的时间为8s。
S41、对铜合金引线框架进行两次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为55psi，水洗时间为20s。
S42、对铜合金引线框架进行中检，观察铜合金引线框架的外观品质状况，如表面清洁状况、是否有变形不良等；中检时间控制为10s。
S50、在传动带的输送下，铜合金引线框架进入防银胶扩散剂槽中并完全浸泡在防银胶扩散剂水溶液中。在本实施方案中，防银胶扩散剂具体为BA-10型；同时控制防银胶扩散剂水溶液的浓度为10mL/L，铜合金引线框架在防银胶扩散剂水溶液中浸泡的时间为15s。
S51、对铜合金引线框架进行四次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为55psi，水洗时间为20s。
S60、对铜合金引线框架烘干。具体的，采用90℃热风对铜合金引线框架进行吹扫，并控制吹扫时间为35s。烘干后出料。
对比例1
本对比例与实施例1的不同之处在于：不含S40和S41两个步骤。
具体为：
一种铜合金引线框架的后处理工艺，包括以下步骤：
S0、将新制成的铜合金引线框架置于传动带上。
S10、向铜合金引线框架喷砂。在本实施方案中，具体为：采用60°锥形喷嘴以0.5kg/cm3的压力向铜合金引线框架垂直喷射砂水80s；其中：砂为粒径为350-400目的金刚砂，砂水质量比为18:1。
S11、对铜合金引线框架进行四次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为30psi，水洗时间为40s。
S20、在传动带的输送下，铜合金引线框架进入粗化剂槽中并完全浸泡在粗化剂水溶液中。在本实施方案中，粗化剂由9wt%的柠檬酸、54.6wt%的氯化铜以及36.4wt%的过硫酸氢钾构成；同时控制粗化剂水溶液的浓度为12g/L，铜合金引线框架在粗化剂水溶液中浸泡的时间为120s。
S21、对铜合金引线框架进行六次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为30psi，水洗时间为40s。
S30、在传动带的输送下，铜合金引线框架进入铜保护剂槽中并完全浸泡在铜保护剂水溶液中。在本实施方案中，铜保护剂具体为SL-362型环保铜合金钝化剂；同时控制铜保护剂水溶液的浓度为12mL/L，铜合金引线框架在铜保护剂水溶液中浸泡的时间为45s。
S31、对铜合金引线框架进行四次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为30psi，水洗时间为40s。
S42、对铜合金引线框架进行中检，观察铜合金引线框架的外观品质状况，如表面清洁状况、是否有变形不良等；中检时间控制为5s。
S50、在传动带的输送下，铜合金引线框架进入防银胶扩散剂槽中并完全浸泡在防银胶扩散剂水溶液中。在本实施方案中，防银胶扩散剂具体为BA-10型；同时控制防银胶扩散剂水溶液的浓度为5mL/L，铜合金引线框架在防银胶扩散剂水溶液中浸泡的时间为25s。
S51、对铜合金引线框架进行四次压力水洗，控制每次水洗的水洗压力为30psi，水洗时间为40s。
S60、对铜合金引线框架烘干。具体的，采用70℃热风对铜合金引线框架进行吹扫，并控制吹扫时间为75s。烘干后出料。
性能检测
取实施例1-17以及对比例1所得铜合金引线框架进行引线框架和封装树脂结合强度的测试。
具体测试方法为：将芯片封装树脂（南亚NPCN-704环氧树脂）通过模塑机封到铜合金引线框架表面；之后利用RHESCA PTR-1011型结合力测试仪测试引线框架和封装树脂间的剪切强度，以该强度表征引线框架和封装树脂之间的结合强度；其中，检测时的环境温度为25℃，剪切高度为引线框架上的1.2mm处。具体检测结果如表2所示。
表2 实施例1-17以及对比例1的引线框架和封装树脂间的结合强度
| 项目 | 结合强度/kg·cm<sup>-2</sup> |
| 实施例1 | 28.5 |
| 实施例2 | 28.8 |
| 实施例3 | 29.5 |
| 实施例4 | 30.1 |
| 实施例5 | 30.2 |
| 实施例6 | 29.9 |
| 实施例7 | 29.4 |
| 实施例8 | 30.3 |
| 实施例9 | 29.3 |
| 实施例10 | 30.7 |
| 实施例11 | 30.8 |
| 实施例12 | 31.4 |
| 实施例13 | 31.2 |
| 实施例14 | 31.6 |
| 实施例15 | 30.6 |
| 实施例16 | 31.7 |
| 实施例17 | 31.5 |
| 对比例1 | 24.2 |
参见表2，对比实施例1和对比例1的检测结果可以发现，通过对铜合金引线框架进行密着剂处理，封装树脂和铜合金引线框架的结合强度有明显增强。这是由于：密着剂中的-OR结构可以在pH为4-7的条件下发生水解缩合而在铜合金引线框架的表面形成具有网络状分子结构有机硅氧烷；硅氧烷能够与封装树脂发生反应，从而能提高铜合金引线框架和封装树脂之间的结合强度，使芯片、封装树脂和铜合金引线框架的连接更加紧密，进而能更充分的发挥芯片的作用。
对比实施例1和实施例2的检测结果可以发现，采用压力-超声波-压力结合的水洗方式所得的铜合金引线框架具有更好的与封装树脂结合的能力。这是因为：相比于单纯压力水洗的方式，采用压力-超声波-压力结合的水洗方式，能更好地将铜合金引线框架表面清洗干净，去除残留的金刚砂，有利于后续步骤取得更好的效果。
对比实施例2和实施例3的检测结果可以发现，铜合金引线框架在浸泡密着剂水溶液后再接受紫外光辐照，有利于明显提高其与封装树脂结合的能力。这是由于：紫外线的辐照有利于促进密着剂中的-OR更充分地水解成-OH，从而使有机硅氧烷形成更好，进而有利于提高铜合金引线框架和封装树脂之间的结合强度，使芯片与铜合金引线框架结合更紧密。
实施例3-5考察了密着剂水溶液的浓度对所得铜合金引线框架与封装树脂结合强度的影响。由检测结果可知，随着密着剂水溶液浓度的增加，铜合金引线框架与封装树脂之间的结合强度随之增加并趋于平衡。
实施例4，6-7考察了密着剂水溶液的温度对所得铜合金引线框架与封装树脂结合强度的影响。由检测结果可知，由于密着剂分子的活度随着温度的升高而提高，故随着密着剂水溶液温度的升高，铜合金引线框架与封装树脂之间的结合强度逐渐增加。
实施例4，8-9考察了密着剂水溶液的pH值对所得铜合金引线框架与封装树脂结合强度的影响。由检测结果可知，随着pH由中性变为酸性，由于更利于密着剂中的-OR发生水解和缩合，故具有网络分子结构的有机硅氧烷的形成更好，铜合金引线框架与封装树脂之间的结合强度随之增加；但是当密着剂水溶液的酸性较高时，铜合金引线框架与封装树脂之间的结合强度反而有所下降；这可能是由于酸性较高会导致-OR的水解缩合反应过于活泼而不易控制，从而反而使有机硅氧烷的形成变差。
实施例8，10-11考察了在密着剂水溶液中的浸泡时间对所得铜合金引线框架与封装树脂结合强度的影响。由检测结果可知，随着浸泡时间的增加，由于有利于-OR更充分地发生水解和缩合，使有机硅氧烷形成更好，故铜合金引线框架与封装树脂之间的结合强度不断增加。
实施例10，12-13考察了紫外光的辐照度对所得铜合金引线框架与封装树脂结合强度的影响。分析检测结果可得，随着紫外光辐照度的升高，铜合金引线框架与封装树脂之间的结合强度先升高后有所下降；这是由于适当提高紫外光的辐照度有利于提高密着剂的分子活度，从而能促进有机硅氧烷的形成；但是过高的紫外光辐照度，可能会对密着剂的分子结构造成破坏，从而反而会在一定程度上损害了有机硅氧烷的网络状分子结构，进而影响了铜合金引线框架与封装树脂之间的结合强度。
实施例12，14-15考察了紫外光辐照时间对所得铜合金引线框架与封装树脂结合强度的影响。分析检测结果可得，随着紫外光辐照度时间的增加，由于能够促进-OR发生水解缩合反应，使有机硅氧烷形成更好，从而铜合金引线框架与封装树脂之间的结合强度随之提高；但是过长的辐照，可能会损害密着剂本身的分子结构，从而反而会降低铜合金引线框架与封装树脂之间的结合强度。
本具体实施例仅仅是对本申请的解释，其并不是对本申请的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本申请的权利要求范围内都受到专利法的保护。
Claims (9)
1.铜合金引线框架的后处理工艺，其特征在于：包括：
S10、对新制成的铜合金引线框架进行喷砂处理；
S20、对所述铜合金引线框架进行粗化处理；
S30、对所述铜合金引线框架进行铜保护处理；
S40、对所述铜合金引线框架放置于pH为4-7的密着剂水溶液中浸泡；所述密着剂结构式中含有-Si-OR基团，其中R代表烃基；
S50、对所述铜合金引线框架进行防银胶扩散处理；
S60、烘干所述铜合金引线框架，出料。
2.根据权利要求1所述的铜合金引线框架的后处理工艺，其特征在于：所述S40中，所述密着剂的分子结构为SH(CH2)2-Si-(OCH2CH3)3；所述密着剂水溶液的浓度为35-100mL/L、温度为25-35℃；将所述铜合金引线框架置于密着剂水溶液中浸泡的时间为15-35s。
3.根据权利要求2所述的铜合金引线框架的后处理工艺，其特征在于：所述S40中，所述密着剂处理的方法还包括在浸泡密着剂水溶液之后再将铜合金引线框架置于紫外光下进行辐照；所述紫外光的辐照度为360-480μW•cm-2；将所述铜合金引线框架置于紫外光下进行辐照的时间为5-10s。
4.根据权利要求1-3任一所述的铜合金引线框架的后处理工艺，其特征在于：所述S10中，所述喷砂处理的方法为：向铜合金引线框架垂直喷砂水；
所述砂为金刚砂，所述砂水质量比为18-30:1；喷砂水时，控制喷射压力为0.5-1kg/cm3、喷射时间为40-80s。
5.根据权利要求1-3任一所述的铜合金引线框架的后处理工艺，其特征在于：所述S20中，所述粗化处理的方法为：将所述铜合金引线框架置于粗化剂水溶液中浸泡；
所述粗化剂包括有机酸和缓冲质，其中有机酸占比为9-18wt%；所述粗化剂水溶液的浓度为12-45g/L；将所述铜合金引线框架置于粗化剂水溶液中浸泡的时间为60-120s。
6.根据权利要求1-3任一所述的铜合金引线框架的后处理工艺，其特征在于：所述S30中，所述铜保护处理的方法为：将所述铜合金引线框架置于铜保护剂水溶液中浸泡；
所述铜保护剂水溶液的浓度为12-40mL/L；将所述铜合金引线框架置于铜保护剂水溶液中浸泡的时间为25-45s。
7.根据权利要求1-3任一所述的铜合金引线框架的后处理工艺，其特征在于：所述S50中，所述防银胶扩散处理的方法为：将所述铜合金引线框架置于防银胶扩散剂水溶液中浸泡；
所述防银胶扩散剂水溶液的浓度为5-10ml/L；将所述铜合金引线框架置于防银胶扩散剂水溶液中浸泡的时间为15-25s。
8.根据权利要求1-3任一所述的铜合金引线框架的后处理工艺，其特征在于：在S10和S20、S20和S30、S30和S40、S40和S50以及S50和S60之间均还包括对所述铜合金引线框架进行压力水洗的步骤；控制每次水洗时的水洗压力在30-55psi，水洗时间为20-40s。
9.铜合金引线框架，其特征在于：经过权利要求1-8任一所述的铜合金引线框架的后处理工艺处理而得。
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Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4721994A (en) * | 1985-06-25 | 1988-01-26 | Toray Silicone Co., Ltd. | Lead frame for semiconductor devices |
| TW334469B (en) * | 1995-08-04 | 1998-06-21 | Doconitele Silicon Kk | Curable organosiloxane compositions and semiconductor devices |
| CN1306676A (zh) * | 1999-04-08 | 2001-08-01 | 新光电气工业株式会社 | 半导体装置用引线框架 |
| KR100363113B1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-12-05 | Sung Woo Electronics Co Ltd | Method for fabricating leadframe |
| CN108389803A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-08-10 | 天水华天机械有限公司 | 一种小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺 |
| CN109742222A (zh) * | 2018-12-22 | 2019-05-10 | 昆山弗莱吉电子科技有限公司 | 引线框架及其生产工艺 |
| EP3608955A1 (en) * | 2018-08-07 | 2020-02-12 | Infineon Technologies Austria AG | Leadframe, semiconductor package and method |
| CN113113321A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-07-13 | 昆山弗莱吉电子科技有限公司 | 半导体高密度引线框架及其制造工艺 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3314754B2 (ja) * | 1999-04-22 | 2002-08-12 | 松下電器産業株式会社 | 鉛を含まない錫ベース半田皮膜を有する半導体装置およびその製造方法 |
| US8524540B2 (en) * | 2011-02-01 | 2013-09-03 | Nilesh Kapadia | Adhesion promoting composition for metal leadframes |
-
2021
- 2021-11-27 CN CN202111427623.3A patent/CN114300365B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4721994A (en) * | 1985-06-25 | 1988-01-26 | Toray Silicone Co., Ltd. | Lead frame for semiconductor devices |
| TW334469B (en) * | 1995-08-04 | 1998-06-21 | Doconitele Silicon Kk | Curable organosiloxane compositions and semiconductor devices |
| CN1306676A (zh) * | 1999-04-08 | 2001-08-01 | 新光电气工业株式会社 | 半导体装置用引线框架 |
| KR100363113B1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-12-05 | Sung Woo Electronics Co Ltd | Method for fabricating leadframe |
| CN108389803A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-08-10 | 天水华天机械有限公司 | 一种小塑封体集成电路的高可靠性引线框架加工工艺 |
| EP3608955A1 (en) * | 2018-08-07 | 2020-02-12 | Infineon Technologies Austria AG | Leadframe, semiconductor package and method |
| CN109742222A (zh) * | 2018-12-22 | 2019-05-10 | 昆山弗莱吉电子科技有限公司 | 引线框架及其生产工艺 |
| CN113113321A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-07-13 | 昆山弗莱吉电子科技有限公司 | 半导体高密度引线框架及其制造工艺 |
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