JP4639701B2 - 錫めっき皮膜を有する金属板及びそれを備えた電子部品並びに錫めっき皮膜の製造方法 - Google Patents
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本実施の形態1においては、PPF(PrePlated Frame:前めっき)方式に用いられる電子部品用リードフレームを例に説明する。
ム、ルテニウムの金属またはその酸化物のうち一つ以上を含む不溶性電極により任意に選択できる。例えば、チタンの生地に酸化イリジウムと酸化タンタルの混合物を被覆した不溶性電極を使用することが好ましい。通常の錫板などを用いた溶解性電極を使用すると、電極交換が頻繁となり、その都度生産ラインを停止する必要があるため、量産性が極端に低下し、好ましくない。もちろん、高速めっき方法を用いない場合は、可溶性陽極を用いることもできる。
実施例1においては、図1,図2で示したような、電子部品用リードフレームにめっきを行った。先ず、電子部品用リードフレームに使用される基材として、実施例1では銅合金であるアロイ194を用いた。最初、このアロイ194の薄板をリードフレームの形状に加工する。
部の基材を処理するが、この前処理に実施例1では5%の硫酸を用いた。
錫めっき皮膜を形成したリードフレームを220℃で恒温状態にある恒温槽に60秒間保持してアニール後、取り出したこと以外は、実施例1と同様の方法で行った。
めっき液としては、アルキルスルホン酸と錫塩との混合物を用いて金属錫として50g/L、酸としてアルキルスルホン酸溶液(65wt%)を75mL/L、添加剤として非イオン界面活性剤と陰イオン界面活性剤のイソプロピルアルコール/メタノール/水溶液を60mL/Lの濃度で調製したものを用いた。浴温50℃、流速5L/minの条件で錫めっき皮膜を形成したこと以外は、実施例1と同様の方法で行った。
めっき液としては、硫酸第一錫と硫酸の混合物を用いて金属錫として45g/L、酸として硫酸溶液(30wt%)を100mL/L、添加剤1を100mL/L、添加剤2を20mL/L、酸化防止剤としてヒドロキノン水溶液(5%)を20mL/Lの濃度で調製したものを用いた。浴温40℃、流速5L/minの条件で錫めっき皮膜を形成したこと以外は、実施例1と同様の方法で行った。
めっき液としては、メタンスルホン酸錫溶液を用いて金属錫として50g/L、酸としてメタンスルホン酸溶液(55%)を210mL/L、添加剤として界面活性剤(50wt%)を80mL/L、酸化防止剤として硫黄化合物溶液(15wt%)を15mL/Lの濃度で調製したものを用いた。浴温45℃、流速5L/minの条件で錫めっき皮膜を形成したこと以外は、実施例1と同様の方法で行った。
錫めっき皮膜を形成する条件を電流密度10A/dm2により行ったこと以外は、実施例1と同様の方法で行った。
錫めっき皮膜を形成する条件を電流密度10A/dm2により行ったこと以外は、比較例1と同様の方法で行った。
、次に9μmであった比較例3が−12.2Mpa、ウイスカ成長が33μmであった比較例2が−21.9Mpa、最もウイスカ成長が大きかった比較例1が−18.0Mpaの応力であり、圧縮応力が大きい皮膜ほど、ウイスカが成長しやすい傾向が見られた。応力値が+側の引張応力の領域は、皮膜自身が収縮しようとするために基材との密着性が悪くなり好ましくない。
散が粒界拡散からバルク拡散に変化したためと考える。よって、基材との密着性が良好な応力値の範囲は、圧縮応力範囲の−7.2MPaから0MPaの領域であった。
2 インナーリード部
3 アウターリード部
4 タイバー部
5 銀めっき層
6 錫めっき層
7 チップ搭載部
Claims (5)
- 銅下地めっきが0.2μm以上形成された基材の表面に対し、(220)面に優先配向された結晶配向面と、−2.0MPaの圧縮応力とを有し、粒径範囲が1μm以上5μm以下でかつ平均粒径が1.7μm以下の錫粒子により構成される錫めっき皮膜を有することを特徴とする金属板。
- 銅下地めっきが0.2μm以上形成された基材の表面に対し、(220)面に優先配向された結晶配向面と、−7.2MPa以上−6.2MPa以下の圧縮応力とを有し、粒径範囲が1μm以上5μm以下でかつ平均粒径が1.7μm以下の錫粒子により構成される錫めっき皮膜を有することを特徴とする金属板。
- 請求項1又は2記載の錫めっき皮膜を有する金属板を備えたことを特徴とする電子部品。
- 銅下地めっきが0.2μm以上形成された基材の表面に対し、塩酸、硝硫酸の中から選択され生成された処理剤による前処理を行った後、金属錫と酸との混合物にノニオン系界面活性剤が添加されためっき液を用いて、浴温25℃、流速5L/min、電流密度40A/dm2の条件で錫めっきを行うことにより、(220)面に優先配向された結晶配向面と、−2.0MPaの圧縮応力とを有し、粒径範囲が1μm以上5μm以下でかつ平均粒径が1.7μm以下の錫粒子により構成されることを特徴とする錫めっき皮膜の製造方法。
- 銅下地めっきが0.2μm以上形成された基材の表面に対し、塩酸、硝硫酸の中から選択され生成された処理剤による前処理を行った後、金属錫と酸との混合物にノニオン系界面活性剤が添加されためっき液を用いて、浴温25℃、流速5L/min、電流密度40A/dm 2 の条件で錫めっきを行い、前記錫めっきの後、220℃で恒温状態にある恒温槽に60秒間保持してアニール処理を行うことにより、(220)面に優先配向された結晶配向面と、−7.2MPa以上−6.2MPa以下の圧縮応力とを有し、粒径範囲が1μm以上5μm以下でかつ平均粒径が1.7μm以下の錫粒子により構成されることを特徴とする錫めっき皮膜の製造方法。
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