JPH09291375A

JPH09291375A - 鉄基材に被膜を備えた物品

Info

Publication number: JPH09291375A
Application number: JP10694396A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Umeda; 泰梅田; Makoto Yanagawa; 誠柳川; Shiho Terada; 志帆寺田
Original assignee: NOGE DENKI KOGYO KK; Noge Electric Industries Co Ltd
Current assignee: NOGE DENKI KOGYO KK; Noge Electric Industries Co Ltd
Priority date: 1996-04-26
Filing date: 1996-04-26
Publication date: 1997-11-11

Abstract

(57)【要約】【課題】基材として、鉄や鉄合金を用いた場合であって
も、高い耐食性の得られる被膜の構成を提供する。【解決手段】基材１１と、基材１１上の少なくとも一部
に形成された被膜１２〜１９とを有する物品。基材１１
は、鉄を含む材料からなる。被膜は、複数層からなり、
複数層のうちの基材１１と接する層１２は、鉄よりもイ
オン化傾向の大きい元素を含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、鉄基材上にめっき
被膜を備えた物品に関し、特に、鉄基材に被膜を備えた
リードフレームに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子用のリードフレームにおいて
は、従来より半田付け時やワイヤボンディング時の接合
性、ならびに、リードフレーム自体の耐食性を向上させ
るために、基材に様々な被膜加工を施す技術が開発され
ている。例えば、特公昭６３−４９３８２号公報には、
Ｎｉ下地メッキ層とＰｄ層とを積層することにより、半
田付け時やワイヤボンディング時の接合性を保持しつ
つ、耐食性を向上させる構成が開示されている。また、
特開平４−１１５５５８号公報には、Ｐｄ層の上に、Ａ
ｇやＡｕめっき被膜を薄く形成することによりＰｄ層の
酸化を防ぎ、半田濡れ性を向上させる構成が開示されて
いる。さらに、特開平７−１６９９０１号公報には、Ｎ
ｉ層の上に保護合成層を形成する構成が開示されてい
る。保護合成層として、Ｐｄ層、Ｐｄ／Ｎｉ層、Ａｕ層
等の多層膜が示されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来のリードフレームの構成において、リードフレーム
の基材として鉄や鉄合金を用いた場合には、十分な耐食
性が得られないことがわかった。具体的には、上述の従
来の技術で開示されているリードフレームの構成の基材
として鉄や鉄合金材を用いた試料に対して、耐環境テス
トしてよく知られるＪＩＳ規格の塩水噴霧試験を行う
と、表面に鉄さびが著しく発生してしまうのである。こ
のような鉄さびが発生すると、半田付け時の接合性が著
しく低下するとともに、リードの強度を下げてしまうた
め、製品の寿命に大きく影響を与える。

【０００４】本発明は、リードフレームの基材として、
鉄や鉄合金を用いた場合であっても、高い耐食性の得ら
れるリードフレームの構成を提供することを目的とす
る。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のよれば、下記のような物品が提供される。

【０００６】すなわち、基材と、前記基材上の少なくと
も一部に形成された被膜とを有する物品であって、前記
基材は、鉄を含む材料からなり、前記被膜は複数層から
なり、該複数層のうちの前記基材と接する層は、鉄より
もイオン化傾向の大きい元素を含む層とする。

【０００７】上述の元素としては、例えばＺｎを用いる
ことができる。

【０００８】本発明では、鉄よりもイオン化傾向の大き
い元素を含む層を基材に接するように配置することによ
り、鉄合金の腐食が、被膜の最外表面に達することがな
いようにするものである。さびの発生は、基材や被膜に
含まれる金属の中でイオン化傾向が一番昇な元素が、被
膜中のピンホール部分等において反応してイオンとな
り、このイオンが表面に移動して酸化されるために生じ
る。基材に鉄や鉄合金を使用した場合、従来の被膜中の
金属元素よりもイオン化傾向の大きい鉄元素のさびが生
じやすい。本発明では、鉄よりもイオン化傾向の大きい
元素を含む膜を、基材に接するように配置する。このた
め、この元素が鉄よりも先にイオン化し、鉄さびの発生
を押さえることが可能になる。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態について図
面を用いて説明する。

【００１０】まず、一実施の形態のリードフレームにつ
いて、図１（ａ）を用いて説明する。

【００１１】図１（ａ）のように、本実施の形態では、
基材１１として鉄合金を用い、基材１１の表面に、基材
１１に接するようにＺｎ−Ｓｎ合金層１２を配置してい
る。Ｚｎ−Ｓｎ合金層１２は、基材１１に含まれるＦｅ
よりもイオン化傾向の昇な元素Ｚｎを含んでいるため、
Ｚｎ−Ｓｎ合金層１２を基材１１に接するように配置す
ることにより、ＺｎがＦｅよりも先にイオン化する。こ
れにより、鉄さびの発生を押さえることができる。

【００１２】このＺｎ−Ｓｎ合金層１２の上には、リー
ドフレームの半田付け時およびボンディング時の接合性
を向上させるために、Ｃｕ層１３からＰｄ−Ａｕ拡散層
１９までの各層が形成されている。

【００１３】Ｚｎ−Ｓｎ合金層１２の上に配置されるＣ
ｕ層１３は、Ｃｕ層１３の上に形成されるＮｉ層１４の
密着性を向上させるための下地膜である。Ｎｉ層１４
は、半田付け時に半田と溶融し、良好な接合を形成す
る。

【００１４】Ｎｉ層１４の上には、Ｎｉ層１４の酸化を
防ぐためにＰｄ層１８が配置される。Ｎｉ層１４とＰｄ
層１８との間には、両者の密着性を向上させるために、
層１５〜層１７が形成される。すなわち、Ｎｉ層１４の
上側には、Ｎｉ層１４と接するようにＮｉ−Ａｕ拡散層
１５が形成され、また、Ｐｄ層１８の下側には、Ｐｄ層
１８と接するようにＰｄ−Ａｕ拡散層１７が形成され
る。Ｎｉ−Ａｕ拡散層１５とＰｄ−Ａｕ拡散層１７との
間には、これら２層を形成するためのＡｕ層１６が配置
される。Ｐｄ層１８は、耐食性に優れているとともに、
半田には溶融し難く、ボンディングワイヤとの接合にも
優れているため、Ｎｉ層１４の酸化を防ぎ、半田付け時
やボンディング時に良好な接合性を提供することができ
る。

【００１５】また、Ｐｄ層１８の最表面には、Ｐｄ−Ａ
ｕ拡散層１９を配置する。Ｐｄ−Ａｕ拡散層１９は、Ｐ
ｄ層１８の表面に酸化膜が形成されてボンディング性や
半田濡れ性が低下するのを防止するために配置される。

【００１６】このように、本実施の形態の図１（ａ）の
構成のリードフレームでは、被膜の最下層にＺｎ−Ｓｎ
合金膜を配置しているため、被膜にピンホール１が存在
し、ピンホール１を介して各層が大気にさらされる場合
であっても、被膜に含まれる金属元素の中でイオン化傾
向が最も昇な元素であるＺｎが、基材１１中のＦｅより
も先にイオン化する。よって、基材１１中のＦｅがイオ
ン化して酸化し鉄さびとなるのを抑制することができ
る。実装後のアウターリードの強度は、腐食が生じない
ため弱くならない。

【００１７】実際に、図１（ａ）の形態の被膜を備えた
リードフレーム試料を作成し、その耐食性、半田濡れ
性、および、ボンディング特性について調べた。その結
果を、図３，図４を用いて説明する。

【００１８】試料は、基材１１を、鉄とニッケルとの合
金（Ｎｉ４２％残部Ｆｅ）で形成し、被膜の各層は、め
っきにより形成した。Ｎｉ層１４、Ｐｄ層１８、Ｐｄ−
Ａｕ拡散層１９の厚さは、それぞれ、０．５〜３μｍ、
０．０２〜０．５μｍ、０．０１μｍとした。また、Ｎ
ｉ−Ａｕ拡散層１５、Ａｕ層１６、Ｐｄ−Ａｕ拡散層１
７の厚さは、それぞれ、０．００３μｍ、０．００５μ
ｍ、０．００４μｍとした。また、Ｚｎ−Ｓｎ層１２と
Ｃｕ層１３の厚さは、図３，図４のように変化させて、
複数の試料を作成した。比較試料として、Ｚｎ−Ｓｎ層
１２を備えていないものも作成した。

【００１９】まず、本実施の形態のリードフレームの耐
食性を調べるために、各試料をそれぞれ３つずつ用意
し、これらの試料を用いて塩水噴霧試験（ＪＩＳＺ２
３７１）を行った。試験は、温度３５±１℃、塩水濃度
５±１％、２４時間の条件で行った。評価は、試料表面
の３cm²あたりの腐食点の数を計数することによってお
こなった。その結果を図３に示す。

【００２０】図３から明らかなように、Ｚｎ−Ｓｎ合金
層１２が配置されていない試料（図３においてＺｎ−Ｓ
ｎ層の厚さが０μｍのもの）と、Ｚｎ−Ｓｎ合金層１２
が配置されている試料とを比較すると、Ｚｎ−Ｓｎ合金
層１２が配置されている試料の方が耐食性が優れてい
る。これにより、本実施の形態のようにＺｎ−Ｓｎ合金
層１２を配置する構成により、鉄さびを抑制することが
できることが確認できた。また、Ｚｎ−Ｓｎ合金層１２
の厚さが厚い方がより耐食性に優れていることもわかっ
た。

【００２１】また、図３から、Ｃｕ層１３が配置されて
いない試料よりも、配置されている試料の方が耐食性に
優れ、しかも、Ｃｕ層１３の厚さが厚いほどより耐食性
に優れていることがわかる。これは、Ｃｕ層１３を配置
することにより、Ｎｉ層１４の密着性を向上させること
ができるためであると考えられる。

【００２２】また、本実施の形態のリードフレームの半
田濡れ性を評価するための試験を行った。この試験は、
上述の試料を３００℃で１分間加熱後、２３０℃の共晶
半田に１秒間浸漬する試験である。試験後、試料表面の
９５％が半田で濡れている場合に合格と評価した。ただ
し、半田にはフラックスとして田村化研製のＮＡ−２０
０を使用した。評価結果を図４に示す。図４から明らか
なように、すべての試料が合格であり、本実施の形態の
リードフレームにおけるＺｎ−Ｓｎ合金層１２が、半田
濡れ性に影響を与えないことが確認できた。

【００２３】さらに、本実施の形態のリードフレームの
ボンディング時の接合強度を評価するために、上述の試
料を用いて実際にボンディングを行い、接合強度を調べ
る実験を行った。その結果、いずれの試料を接合強度は
良好であった。これにより、本実施の形態のリードフレ
ームにおけるＺｎ−Ｓｎ合金層１２が、ボンディングの
接合強度に影響を与えないことが確認できた。

【００２４】以上のように、本実施の形態の図１（ａ）
の構成のリードフレームは、鉄さびを抑えることがで
き、しかも、半田濡れ性およびボンディング接合性も高
いことがわかる。

【００２５】なお、本実施の形態のリードフレームの外
形は、図８のような形状とすることができる。すなわ
ち、アイランド部８１と、インナーリード部８２と、ア
ウターリード部８３と、タイバー部８４とを備えた形状
である。アウターリード部８３は、ＩＣチップ化された
時にモールドの外側に露出される部分である。また、イ
ンナーリード部８２は、モールドの内側に位置し、アイ
ランド部８１に搭載される半導体素子とのワイヤボンデ
ィングが施される部分である。

【００２６】本実施の形態では、アウターリード部８３
には、図１（ａ）の層１２〜層１９の被膜のすべてを形
成する。また、インナーリード部８２のうちボンディン
グが施される領域IIにも、層１２〜１９の被膜のすべて
を形成するが、インナーリード部８２のうちのボンディ
ングが施されない領域IIIには層１２〜層１４の３層の
みを形成することが望ましい。また、アイランド部８１
（図８の領域IV）も、層１２〜層１４の３層のみを形成
することが望ましい。このように、図８の領域IIIおよ
びIVにおいて、Ｎｉ層１４を露出するのは、半導体素子
とアイランド部８１との接着に用いられる樹脂や、モー
ルドに用いられる樹脂との密着を良好にするためであ
る。

【００２７】ここで、本実施の形態の図１（ａ）のリー
ドフレームの各層の膜厚は、上述の試料の膜厚に限定さ
れるものではなく、自由に設計することができる。たと
えば、Ｚｎ−Ｓｎ合金層１２を１．０〜３．０μｍ、Ｃ
ｕ層１３を３〜７μｍ、Ｎｉ層１４を０．５〜２．０μ
ｍ、Ｐｄ層１８を０．０５〜１．０μｍ、Ｐｄ−Ａｕ拡
散層１９を０．００５〜０．０１５μｍにすることがで
きる。

【００２８】また、図１（ａ）の実施の形態では、Ｚｎ
−Ｓｎ合金層１２を用いているが、Ｚｎ−Ｓｎ合金層１
２の代わりにＺｎ層を配置する構成にすることや、図１
（ｂ）のように、Ｚｎ−Ｓｎ合金層１２と基材１１との
間にＺｎ層２０を配置する構成にすることができる。Ｚ
ｎ層は、Ｚｎ−Ｓｎ合金層１２よりも硬度は低いが、層
に含まれるＺｎの割合がＺｎ−Ｓｎ合金層１２よりも大
きいため、Ｚｎイオンをより多く放出することができ、
鉄さびを押さえるのに好適である。

【００２９】さらに、本実施の形態では、鉄よりもイオ
ン化傾向の昇な元素としてＺｎを用い、Ｚｎを含む層１
２、２０を基材１１上に配置しているが、本発明はＺｎ
に限定されるものではない。例えば、ＭｇやＡｌ等の鉄
よりもイオン化傾向の大きい元素を含む膜をＺｎ−Ｓｎ
合金層１２の代わりに用いることも可能である。このと
きには、リードフレームの半田付けやボンディングに用
いる接合条件に応じて、接合に悪影響を与えない膜を実
験により選択して用いる。

【００３０】また、本発明において、鉄よりもイオン化
傾向の大きい元素を含む層（図１（ａ）ではＺｎ−Ｓｎ
合金層１２）の上に形成される層の構成は、図１（ａ）
の構成に限定されるものではない。これらの層は、リー
ドフレームの半田付け時およびボンディング時に必要と
される接合性を提供することができる層の構成であれば
いかなる構成であってよい。たとえば、図１（ａ）で
は、Ｎｉ層１４とＰｄ層１８との密着性を向上させるた
めに、層１５〜層１７を配置しているが、これらの３層
を取り去った構成にすることが可能である。また、たと
えば、図２（ａ）のように、図１（ａ）の構成において
Ａｕ層１６がない構成や、図２（ｂ）のように層１５〜
層１７の代わりに、ＮｉとＰｄとＡｕとが相互に拡散し
たＮｉ−Ｐｄ−Ａｕ拡散層２２を備えた構成にすること
ができる。さらに、図２（ｃ）のように、図１（ａ）の
Ａｕ層１６の代わりにＮｉ−Ｐｄ−Ａｕ拡散層２２を備
えた構成にすることもできる。図２（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）の構成の場合にも、Ｎｉ層１４とＰｄ層１８との
密着性を向上させることができる。

【００３１】また、図１（ａ）では被膜の最表層をＰｄ
にＡｕが拡散したＰｄ−Ａｕ拡散層１９としているが、
必ずしも拡散層にする必要はなく、単にＡｕ層を配置し
た構成にすることも可能である。

【００３２】ここで、図１（ａ）の構成のリードフレー
ムの被膜を製造する工程について説明する。本実施の形
態では、被膜の各層を電気めっきにより形成している。

【００３３】まず、図５（ａ）のように、複数のリード
フレーム基材１１が連なった短冊状の基材５０を複数本
めっき治具５１にセットする。これを、図５（ｂ）のよ
うに、めっき浴５２中の２つのアノード５３の間に配置
する。めっき治具５１を介して短冊状の基材５０を電源
の負極に接続し、電解洗浄やめっきを行う。このとき、
めっき浴５２内に、噴流形成装置５４により噴流を形成
する。また、めっき浴５２の加温が必要な工程では、不
図示のヒータにより加熱する。めっき浴５２としては、
表１および表２に示した各工程のそれぞれの組成のめっ
き浴を用意しておき、これらのめっき浴で表１および表
２に示した条件で順に、１、アルカリ電解洗浄工程、２、塩酸浸漬工程、３、Ｚｎ−Ｓｎめっき工程４、銅めっき工程５、ニッケルめっき工程６、金ストライク工程７、パラジウムめっき工程８、金ストライク工程を行うことにより、図１（ａ）に示した層構成の被膜を
基材１１上に形成することができる。

【００３４】工程１、２は、基材１１表面の洗浄工程で
ある。工程３は、Ｚｎ−Ｓｎ合金層１２を形成する工程
である。工程４はＣｕ層１３を、工程５はＮｉ層１４
を、工程６はＡｕ層１６を、工程７はＰｄ層１８を形成
する工程である。工程８は、Ｐｄ−Ａｕ拡散層１９の形
成のためのＡｕ層を、Ｐｄ層１８の上に形成する工程で
ある。

【００３５】これらのめっき工程が終了した後、被膜の
乾燥工程として、熱風乾燥を施す。このとき本実施の形
態では、熱風温度を１１０℃〜１５０℃にすることによ
り、乾燥と同時にめっき被膜に熱処理を加え、Ａｕ層１
６のＡｕをＮｉ層１４およびＰｄ層１８に拡散させて、
Ｎｉ−Ａｕ拡散層１５およびＰｄ−Ａｕ拡散層１７を形
成する。同時に、工程８で形成したＡｕ層をＰｄ層１８
に拡散させてＰｄ−Ａｕ拡散層１９を形成する。

【００３６】なお、熱風乾燥後にさらに、１００℃〜４
５０℃程度の熱処理を所定の時間施すことにより、Ａｕ
を十分に拡散させて拡散Ｎｉ−Ａｕ拡散層１５、Ｐｄ−
Ａｕ拡散層１７およびＰｄ−Ａｕ拡散層１９を形成する
ことも可能である。熱処理時間は、例えば、４００℃の
場合には２分程度、４５０℃の場合には１分程度にする
ことができる。熱処理温度を１５０℃以上にする場合に
は、被膜や基材の酸化を防ぐために還元雰囲気中で行う
ことが望ましい。熱風乾燥後に熱処理を行う場合には、
熱風乾燥の温度を通常の温度に下げることが可能であ
る。また、上述の高温の熱風乾燥と熱処理の両方を行う
ことも可能である。熱風乾燥および熱処理の温度と時間
は、拡散層の厚さが所望の厚さ得られる温度と時間を実
験的に定めて、それを用いる。

【００３７】

【表１】

【００３８】

【表２】

【００３９】ただし、上述の工程において、図８のよう
に層１５〜層１９は、アウターリード部８３、および、
インナリード部８２のボンディングを施す領域IIのみに
形成するため、工程６の前に、図８の領域IIIおよびIV
にマスクを形成する。

【００４０】また、図１（ｂ）のように、Ｚｎ−Ｓｎ層
１２と基材１１との間に、Ｚｎ層２０を形成する場合に
は、上述の工程２と工程３との間に表１の工程３’を加
える。また、図２（ａ）のようにＡｕ層１６を備えな
い構成の被膜を形成する場合には、工程６のめっき時間
を短くしてめっきされるＡｕの量を少なくしたり、めっ
き浴温度を高くしてＡｕの拡散を促進させることによ
り、めっきされたすべてのＡｕを拡散させるようにする
ことで形成できる。また、図２（ｂ）、（ｃ）のように
Ｐｄ層１８とＮｉ層１４との間にＮｉ−Ｐｄ−Ａｕ拡散
層を形成する場合には、工程８の後に熱処理する工程を
加えることにより、ＰｄとＮｉとＡｕとを相互に拡散さ
せることにより形成できる。

【００４１】上述のめっき工程では、図５（ｂ）に示し
たような装置のほか、リードフレーム基材１１を連続さ
せたフープ材６３を用いる図６のようなめっき装置を用
いることができる。図６のようなフープ材６３を用いる
場合には、フープ材６３をローラー６１により送り出
し、めっき浴６２を通過させる。フープ材６３への給電
は、ローラー６１により行う構成とする。このとき、め
っき浴６２は、図７のように処理槽７１と管理槽７２と
に分けることができる。図７のようにすることで、管理
槽７２からポンプ７３でポンプアップしためっき浴を噴
流として処理槽７１に供給でき、処理槽７１からオーバ
ーフローしためっき浴を管理槽７２へ循環させるように
構成できる。

【００４２】つぎに、図１（ａ）および図８の本実施の
形態のリードフレームに半導体素子を取り付け、半導体
チップを製造する工程について簡単に説明する。まず、
図８のアイランド部８１に接着剤を用いて半導体素子を
固定する。半導体素子の電極パッドと、リードフレーム
のインナーリード部とをボンディングワイヤによりボン
ディングし接合する。半導体素子とインナーリード部８
２を樹脂により埋め込みモールドを形成する。そして、
タイバー部８４を切り取り、アウターリード部８３を用
途に合わせて足曲げ成形する。これにより半導体チップ
が完成する。半導体チップをプリント基板等に実装する
際には、アウターリード部の先端をプリント基板のホー
ルにさしこみ半田漕に浸漬し半田付けする。

【００４３】このような半導体チップの製造工程におい
て、本実施の形態のリードフレームは、インナーリード
部８２の領域IIおよびアウターリード部８３に図１
（ａ）のような被膜を備えているため、半田付け時およ
びボンディング時の接合特性が良好である。このため、
作業性が高く、不良品が生じにくい。また、全体にＺｎ
−Ｓｎ合金層１２が配置されているため、外気に接して
も鉄さびの発生が抑制でき、リードの腐食による導通不
良等が生じにくい。このように、本実施の形態のリード
フレームを用いることにより、鉄基材のリードフレーム
であっても鉄さびの生じにくい半導体リードフレームを
製造することができる。

【００４４】上述の実施の形態のリードフレームでは、
基材上の被膜をめっきにより形成したが、めっき以外の
方法、たとえばスパッタリングや蒸着等の気相成長法に
より各層を形成することももちろん可能である。

【００４５】また、上述の実施の形態では、Ｎｉ−Ａｕ
拡散層１５やＰｄ−Ａｕ拡散層１７やＰｄ−Ａｕ拡散層
１９などを、めっき途中やめっき後の熱処理によりＡｕ
を拡散させることにより形成しているが、これらの拡散
層の代わりに、Ｎｉ−Ａｕ合金層やＰｄ−Ａｕ合金層を
めっきや熱処理により最初から形成することもできる。
これら合金層を形成した場合にも、従来よりも被膜の密
着性を向上させることができる。

【００４６】上述の実施の形態では、リードフレームに
ついて説明してきたが、本発明はリードフレームに限定
されるものではなく、鉄基材上に被膜を備える他の物品
に適用することも可能である。

【００４７】

【発明の効果】上述のように、本発明では、鉄や鉄合金
基材上に被膜を備えた物品であって、高い耐食性が得ら
れる構造を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ），（ｂ）本発明の一実施の形態のリード
フレームの構造を示す断面図。

【図２】（ａ），（ｂ），（ｃ）本発明の一実施の形態
のリードフレームの構造を示す断面図。

【図３】図１（ａ）の形態のリードフレーム試料に塩水
噴霧試験を行った結果を説明するための説明図。

【図４】図１（ａ）の形態のリードフレーム試料の半田
濡れ性試験を行った結果を説明するための説明図。

【図５】本発明の一実施の形態のリードフレームを製造
するための（ａ）めっき用治具と（ｂ）めっき装置の全
体の構成を説明するための説明図。

【図６】本発明の一実施の形態のリードフレームを製造
するためのめっき装置の構成を示す説明図。

【図７】図６のめっき装置をさらに説明するための説明
図。

【図８】本実施の形態のリードフレームの形状を示す説
明図。

【符号の説明】

１・・・ピンホール、１１・・・基材、１２・・・Ｚｎ
−Ｓｎ合金層、１３・・・Ｃｕ層、１４・・・Ｎｉ層、
１５・・・Ｎｉ−Ａｕ拡散層、１６・・・Ａｕ層、１７
・・・Ｐｄ−Ａｕ拡散層、１８・・・Ｐｄ層、１９・・
・Ｐｄ−Ａｕ拡散層、２０・・・Ｚｎ層、２２・・・Ｎ
ｉ−Ｐｄ−Ａｕ拡散層、５１・・・めっき用治具、５２
・・・めっき浴、５３・・・アノード。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基材と、前記基材上の少なくとも一部に形
成された被膜とを有し、前記基材は、鉄を含む材料からなり、前記被膜は複数層からなり、該複数層のうちの前記基材
と接する層は、鉄よりもイオン化傾向の大きい元素を含
むことを特徴とする物品。
【請求項２】請求項１において、前記元素は、Ｚｎであ
ることを特徴とする物品。
【請求項３】請求項１において、前記被膜は、Ｎｉを含
む層と、該Ｎｉを含む層の上側に配置されたＰｄを含む
層とを有し、前記Ｎｉを含む層と前記Ｐｄを含む層との間には、前記
Ｎｉを含む層に接する位置に、ＮｉおよびＡｕを含む層
が配置され、前記Ｐｄを含む層に接する位置に、Ｐｄお
よびＡｕを含む層が配置されていることを特徴とする物
品。
【請求項４】請求項３において、前記ＮｉおよびＡｕを
含む層と、前記ＰｄおよびＡｕを含む層との間には、Ａ
ｕを含む層が配置されていることを特徴とする物品。
【請求項５】請求項３において、前記ＮｉおよびＡｕを
含む層は、前記Ｎｉを含む層にＡｕを拡散させることに
より形成された層であることを特徴とする物品。
【請求項６】請求項３において、前記ＰｄおよびＡｕを
含む層は、前記Ｐｄを含む層にＡｕを拡散させることに
より形成された層であることを特徴とする物品。
【請求項７】請求項１において、前記被膜は、Ｎｉを含
む層と、該Ｎｉを含む層の上側に配置されたＰｄを含む
層とを有し、前記Ｎｉを含む層と前記Ｐｄを含む層との間には、Ｎ
ｉ、Ａｕ、および、Ｐｄを含む層が配置されていること
を特徴とする物品。
【請求項８】請求項４または７において、前記Ｎｉを含
む層と、前記基材と接する層との間には、前記Ｎｉを含
む層と接する位置に、Ｃｕを含む層が配置されているこ
とを特徴とする物品。
【請求項９】請求項２において、前記基材と接する層の
上には、ＺｎとＳｎとを含む層が配置されていることを
特徴とする物品。
【請求項１０】基材と、前記基材上の少なくとも一部に
形成された被膜とを有し、前記基材は、鉄を含む材料からなり、前記被膜は複数層からなり、該複数層のうちの前記基材
と接する層は、鉄よりもイオン化傾向の大きい元素を含
むことを特徴とするリードフレーム。
【請求項１１】基材上に、複数層からなる被膜を備えた
物品の製造方法であって、前記基材として、Ｆｅを含む材料からなるものを用い、前記基材上に、Ｚｎを含む層をめっきにより形成する工
程を有することを特徴とする物品の製造方法。