JP2673642B2 - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JP2673642B2 JP2673642B2 JP28708992A JP28708992A JP2673642B2 JP 2673642 B2 JP2673642 B2 JP 2673642B2 JP 28708992 A JP28708992 A JP 28708992A JP 28708992 A JP28708992 A JP 28708992A JP 2673642 B2 JP2673642 B2 JP 2673642B2
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- Japan
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- plating
- palladium
- lead frame
- bismuth
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- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体用リードフレー
ムに関するものである。
ムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来集積回路装置を作る際、一般的にリ
ードフレームのチップ搭載部とワイヤーボンディング部
には最外殻層に銀又は金鍍金があり、外部リード部には
スズ又はスズ合金層がある。この方法では鍍金マスクが
必要であり、製造工程が複雑になり、製造コストも高い
ことから、リードフレーム全面にパラジウム鍍金を施す
方法も取られている。しかしながら、パラジウム鍍金層
は熱処理や経時変化によって出来る酸化膜が強いため
に、外部リード部がパラジウム層である半導体フレーム
を、一般的に多用されている非活性フラックスを用いて
半田付けすると半田濡れ不良が発生する。また、優れた
ボンディング性と熱処理後の半田濡れ性を得るために全
面パラジウム鍍金フレーム上に、従来の部分スズ合金鍍
金では製造工程が複雑となり製造コストが高くなる。ま
た、全面パラジウム鍍金フレーム上に、従来の部分金又
は部分銀の鍍金厚１〜８μをフレーム全面に施したので
は貴金属の使用量が増え、製造コストが高くなる。ま
た、パラジウムの代わりに他のＰｄ合金、すなわち、Ｐ
ｄ−Ａｕ，Ｐｄ−Ａｇ，Ｐｄ−Ｃｕ，Ｐｄ−Ｎｉではボ
ンディング性が悪く、チップ搭載時のＡｇペーストによ
る接着強度が低く、モールド樹脂との密着性が悪くな
る。
ードフレームのチップ搭載部とワイヤーボンディング部
には最外殻層に銀又は金鍍金があり、外部リード部には
スズ又はスズ合金層がある。この方法では鍍金マスクが
必要であり、製造工程が複雑になり、製造コストも高い
ことから、リードフレーム全面にパラジウム鍍金を施す
方法も取られている。しかしながら、パラジウム鍍金層
は熱処理や経時変化によって出来る酸化膜が強いため
に、外部リード部がパラジウム層である半導体フレーム
を、一般的に多用されている非活性フラックスを用いて
半田付けすると半田濡れ不良が発生する。また、優れた
ボンディング性と熱処理後の半田濡れ性を得るために全
面パラジウム鍍金フレーム上に、従来の部分スズ合金鍍
金では製造工程が複雑となり製造コストが高くなる。ま
た、全面パラジウム鍍金フレーム上に、従来の部分金又
は部分銀の鍍金厚１〜８μをフレーム全面に施したので
は貴金属の使用量が増え、製造コストが高くなる。ま
た、パラジウムの代わりに他のＰｄ合金、すなわち、Ｐ
ｄ−Ａｕ，Ｐｄ−Ａｇ，Ｐｄ−Ｃｕ，Ｐｄ−Ｎｉではボ
ンディング性が悪く、チップ搭載時のＡｇペーストによ
る接着強度が低く、モールド樹脂との密着性が悪くな
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この発明はボンディン
グ性に優れ、半田濡れ性も熱処理によって劣化せず、Ａ
ｇペースト密着性、モールド樹脂密着性に優れたパラジ
ウム−ビスマス合金鍍金リードフレームを提供するもの
である。
グ性に優れ、半田濡れ性も熱処理によって劣化せず、Ａ
ｇペースト密着性、モールド樹脂密着性に優れたパラジ
ウム−ビスマス合金鍍金リードフレームを提供するもの
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明はチップ搭載部
及びワイヤーボンディング部より成る内部リード部と、
外部リード部とから構成される半導体リードフレームに
おいて、前記ワイヤーボンディング部と、外部リード部
との何れか一方又は両方の最表層部がビスマスを０．０
５〜１０％含有する厚さ０．０１〜１０μのパラジウム
−ビスマス合金層により形成してあることを特徴とする
リードフレームを提供するものである。このようなリー
ドフレームであって、ワイヤーボンディング部の最表層
部を前記パラジウム−ビスマス合金層により形成したも
のにおいて、チップ搭載部の最表層部を前記パラジウム
−ビスマス合金層により形成したリードフレームも提供
するものである。なお、素材にニッケル鍍金を施した後
パラジウム−ビスマス合金層を形成しても良く、何れの
場合もニッケル層やパラジウム−ビスマス合金層は電解
鍍金方法、無電解鍍金方法、及び蒸着法の何れによって
も良い。
及びワイヤーボンディング部より成る内部リード部と、
外部リード部とから構成される半導体リードフレームに
おいて、前記ワイヤーボンディング部と、外部リード部
との何れか一方又は両方の最表層部がビスマスを０．０
５〜１０％含有する厚さ０．０１〜１０μのパラジウム
−ビスマス合金層により形成してあることを特徴とする
リードフレームを提供するものである。このようなリー
ドフレームであって、ワイヤーボンディング部の最表層
部を前記パラジウム−ビスマス合金層により形成したも
のにおいて、チップ搭載部の最表層部を前記パラジウム
−ビスマス合金層により形成したリードフレームも提供
するものである。なお、素材にニッケル鍍金を施した後
パラジウム−ビスマス合金層を形成しても良く、何れの
場合もニッケル層やパラジウム−ビスマス合金層は電解
鍍金方法、無電解鍍金方法、及び蒸着法の何れによって
も良い。
【０００５】
【作用】この発明によるリードフレームは半田濡れ性の
熱処理による劣化が防止でき、更にボンディング性、チ
ップ密着性、樹脂密着性も良好であることが判明した。
熱処理による劣化が防止でき、更にボンディング性、チ
ップ密着性、樹脂密着性も良好であることが判明した。
【０００６】
【実施例】以下この発明の実施例について説明する。以
下の説明で半田濡れ性評価はメニスコグラフ試験装置を
用いた。ボンディング性評価はワイヤーボンディングマ
シンにて２５μφの金線ボンディングで評価した。チッ
プのＡｇペースト接着強度はダイシェア強度測定で評価
した。モールド樹脂との密着性は引き抜き法及び剪断法
で評価した。銅合金基材のリードフレームの表面に、常
法により脱脂及び活性化を行った後、全面に１μのニッ
ケル鍍金を行い、次いで０．１μのパラジウム−ビスマ
ス鍍金をしてこの発明のリードフレームを得た。これを
実施例１とする。また、前記１μのニッケル鍍金を省略
して銅合金基材の上に０．３μのパラジウム−ビスマス
鍍金をしてこの発明によるリードフレームを得た。これ
を実施例２とする。
下の説明で半田濡れ性評価はメニスコグラフ試験装置を
用いた。ボンディング性評価はワイヤーボンディングマ
シンにて２５μφの金線ボンディングで評価した。チッ
プのＡｇペースト接着強度はダイシェア強度測定で評価
した。モールド樹脂との密着性は引き抜き法及び剪断法
で評価した。銅合金基材のリードフレームの表面に、常
法により脱脂及び活性化を行った後、全面に１μのニッ
ケル鍍金を行い、次いで０．１μのパラジウム−ビスマ
ス鍍金をしてこの発明のリードフレームを得た。これを
実施例１とする。また、前記１μのニッケル鍍金を省略
して銅合金基材の上に０．３μのパラジウム−ビスマス
鍍金をしてこの発明によるリードフレームを得た。これ
を実施例２とする。
【０００７】ここで、ニッケル鍍金はスルファミン浴を
用いて４Ａ／ｄｍ2 により行い、パラジウム−ビスマス
合金鍍金は日本高純度化学株式会社製のパラブライトＳ
ＳＴ市販浴にビスマスとして硝酸ビスマス０．３ｇ／リ
ットルを添加した浴を用いて３Ａ／ｄｍ2 にて行い、ビ
スマス０．３％含有のＰｄ−Ｂｉ合金を最外層に鍍金し
た。
用いて４Ａ／ｄｍ2 により行い、パラジウム−ビスマス
合金鍍金は日本高純度化学株式会社製のパラブライトＳ
ＳＴ市販浴にビスマスとして硝酸ビスマス０．３ｇ／リ
ットルを添加した浴を用いて３Ａ／ｄｍ2 にて行い、ビ
スマス０．３％含有のＰｄ−Ｂｉ合金を最外層に鍍金し
た。
【０００８】前記各実施例と比較のため、銅合金基材の
上に１μのニッケル鍍金と０．１μのパラジウム鍍金を
行った比較例１と、銅合金基材の上に０．１μのパラジ
ウム鍍金を行った比較例２のリードフレームを得た。ま
た、上記のパラジウムの代わりにＰｄ−Ａｕを用いてＮ
ｉ鍍金上に鍍金した比較例３と、Ｎｉ鍍金を省略して鍍
金した比較例４のリードフレームを得た。また、パラジ
ウムの代わりにＰｄ−Ａｇを用いてＮｉ鍍金上に鍍金し
た比較例５と、Ｎｉ鍍金を省略した比較例６のリードフ
レームを得た。また、パラジウムの代わりにＰｄ−Ｃｕ
を用いてＮｉ鍍金上に鍍金した比較例７と、Ｎｉ鍍金を
省略した比較例８のリードフレームを得た。更にまた、
パラジウムの代わりにＰｄ−Ｎｉを用いてＮｉ鍍金上に
鍍金した比較例９と、Ｎｉ鍍金を省略した比較例１０の
リードフレームを得た。
上に１μのニッケル鍍金と０．１μのパラジウム鍍金を
行った比較例１と、銅合金基材の上に０．１μのパラジ
ウム鍍金を行った比較例２のリードフレームを得た。ま
た、上記のパラジウムの代わりにＰｄ−Ａｕを用いてＮ
ｉ鍍金上に鍍金した比較例３と、Ｎｉ鍍金を省略して鍍
金した比較例４のリードフレームを得た。また、パラジ
ウムの代わりにＰｄ−Ａｇを用いてＮｉ鍍金上に鍍金し
た比較例５と、Ｎｉ鍍金を省略した比較例６のリードフ
レームを得た。また、パラジウムの代わりにＰｄ−Ｃｕ
を用いてＮｉ鍍金上に鍍金した比較例７と、Ｎｉ鍍金を
省略した比較例８のリードフレームを得た。更にまた、
パラジウムの代わりにＰｄ−Ｎｉを用いてＮｉ鍍金上に
鍍金した比較例９と、Ｎｉ鍍金を省略した比較例１０の
リードフレームを得た。
【０００９】上記のＰｄ，Ｐｄ−Ａｕ，Ｐｄ−Ａｇ，Ｐ
ｄ−Ｎｉ，Ｐｄ−Ｃｕはそれぞれ現時点で一般市場で販
売されている日本高純度化学株式会社製鍍金液であるパ
ラブライトＳＳＴ，パラブライトＡＵ，パラブライトＡ
Ｇ，パラブライトＮ１０，パラブライトＣＵで鍍金し、
各合金鍍金においてはＰｄ以外の合金金属を各々１％含
有させたＰｄ合金鍍金を行った。前記各実施例と比較例
について１５０℃で２時間後３００℃で５分の加熱処理
を行ったが、その前後の半田濡れ性を測定した。半田付
け条件はαメタル社のＲ−１００のフラックスを浸漬塗
布して２３０±１℃の６３％Ｓｎ−３７％Ｐｂ半田浴に
浸漬してゼロクロス時間を測定した。
ｄ−Ｎｉ，Ｐｄ−Ｃｕはそれぞれ現時点で一般市場で販
売されている日本高純度化学株式会社製鍍金液であるパ
ラブライトＳＳＴ，パラブライトＡＵ，パラブライトＡ
Ｇ，パラブライトＮ１０，パラブライトＣＵで鍍金し、
各合金鍍金においてはＰｄ以外の合金金属を各々１％含
有させたＰｄ合金鍍金を行った。前記各実施例と比較例
について１５０℃で２時間後３００℃で５分の加熱処理
を行ったが、その前後の半田濡れ性を測定した。半田付
け条件はαメタル社のＲ−１００のフラックスを浸漬塗
布して２３０±１℃の６３％Ｓｎ−３７％Ｐｂ半田浴に
浸漬してゼロクロス時間を測定した。
【００１０】ボンディング性評価試験は２５μφ金線を
用いて、加重８０ｇ，温度１６０℃，超音波条件８００
ｍＷ（ミリワット），６５ｍＳ（ミリ秒）にて３３０℃
で３０秒の加熱処理の前後のワイヤーボンディングを行
い、ピールゲージで引っ張り強度を測定した。チップ接
着強度評価試験は、ペーストキュア条件１６０℃、６０
分後、ダイシェア強度２６０℃にて測定した。モールド
樹脂密着性評価試験は、低応力樹脂を用いて１５０℃２
時間後３００℃５分の加熱処理の前後の接着力を引き抜
き法及び剪断法により測定した。以上の結果は表１〜６
に示すとおりである。この表において、評価の，，
，の記号はそれぞれ半田濡れ性，ボンディング性，
チップ接着性，樹脂密着性を表示するものである。ま
た、評価のＡは優れたもの、Ｂはやや良いもの、Ｃはや
や悪いもの、Ｄは悪いものを表示する。
用いて、加重８０ｇ，温度１６０℃，超音波条件８００
ｍＷ（ミリワット），６５ｍＳ（ミリ秒）にて３３０℃
で３０秒の加熱処理の前後のワイヤーボンディングを行
い、ピールゲージで引っ張り強度を測定した。チップ接
着強度評価試験は、ペーストキュア条件１６０℃、６０
分後、ダイシェア強度２６０℃にて測定した。モールド
樹脂密着性評価試験は、低応力樹脂を用いて１５０℃２
時間後３００℃５分の加熱処理の前後の接着力を引き抜
き法及び剪断法により測定した。以上の結果は表１〜６
に示すとおりである。この表において、評価の，，
，の記号はそれぞれ半田濡れ性，ボンディング性，
チップ接着性，樹脂密着性を表示するものである。ま
た、評価のＡは優れたもの、Ｂはやや良いもの、Ｃはや
や悪いもの、Ｄは悪いものを表示する。
【００１１】
【表１】
【００１２】
【表２】
【００１３】
【表３】
【００１４】
【表４】
【００１５】
【表５】
【００１６】
【表６】
【００１７】この発明においては更に鉄合金基材の４２
アロイ材リードフレーム表面を実施例１と同様に全面に
１μのニッケル鍍金を行い、その上に０．１μのパラジ
ウム−ビスマス鍍金をしてこの発明のリードフレームを
得た。これを実施例３とする。また、前記１μのニッケ
ル鍍金を省略して４２アロイ材上に０．１μのパラジウ
ム−ビスマス鍍金をしてこの発明によるリードフレーム
を得た。これを実施例４とする。ここで鍍金液は実施例
１，２と同一である。
アロイ材リードフレーム表面を実施例１と同様に全面に
１μのニッケル鍍金を行い、その上に０．１μのパラジ
ウム−ビスマス鍍金をしてこの発明のリードフレームを
得た。これを実施例３とする。また、前記１μのニッケ
ル鍍金を省略して４２アロイ材上に０．１μのパラジウ
ム−ビスマス鍍金をしてこの発明によるリードフレーム
を得た。これを実施例４とする。ここで鍍金液は実施例
１，２と同一である。
【００１８】また、比較のため、４２アロイ材上に１μ
のニッケル鍍金と０．１μのパラジウム鍍金を行った比
較例１１と、４２アロイ材上にニッケル鍍金を省略して
０．１μのパラジウム鍍金を行った比較例１２のリード
フレームを得た。この比較例１１，１２のパラジウムの
代わりに、Ｐｄ−Ａｕを用いてＮｉ鍍金上の比較例１３
及びＮｉ鍍金を省略した比較例１４のリードフレームを
得た。またパラジウムの代わりにＰｄ−Ａｇを用いてＮ
ｉ鍍金上の比較例１５及びＮｉ鍍金を省略した比較例１
６のリードフレームを得た。またパラジウムの代わりに
Ｐｄ−Ｃｕを用いてＮｉ鍍金上の比較例１７及びＮｉ鍍
金を省略した比較例１８のリードフレームを得た。また
パラジウムの代わりにＰｄ−Ｎｉを用いてＮｉ鍍金上の
比較例１９及びＮｉ鍍金を省略した比較例２０のリード
フレームを得た。実施例１，２等と同一の半田濡れ性評
価試験，ボンディング性評価試験，チップ接着強度評価
試験，モールド樹脂密着性評価試験を行ない表７〜１２
に示す結果が得られた。
のニッケル鍍金と０．１μのパラジウム鍍金を行った比
較例１１と、４２アロイ材上にニッケル鍍金を省略して
０．１μのパラジウム鍍金を行った比較例１２のリード
フレームを得た。この比較例１１，１２のパラジウムの
代わりに、Ｐｄ−Ａｕを用いてＮｉ鍍金上の比較例１３
及びＮｉ鍍金を省略した比較例１４のリードフレームを
得た。またパラジウムの代わりにＰｄ−Ａｇを用いてＮ
ｉ鍍金上の比較例１５及びＮｉ鍍金を省略した比較例１
６のリードフレームを得た。またパラジウムの代わりに
Ｐｄ−Ｃｕを用いてＮｉ鍍金上の比較例１７及びＮｉ鍍
金を省略した比較例１８のリードフレームを得た。また
パラジウムの代わりにＰｄ−Ｎｉを用いてＮｉ鍍金上の
比較例１９及びＮｉ鍍金を省略した比較例２０のリード
フレームを得た。実施例１，２等と同一の半田濡れ性評
価試験，ボンディング性評価試験，チップ接着強度評価
試験，モールド樹脂密着性評価試験を行ない表７〜１２
に示す結果が得られた。
【００１９】
【表７】
【００２０】
【表８】
【００２１】
【表９】
【００２２】
【表１０】
【００２３】
【表１１】
【００２４】
【表１２】
【００２５】また、この発明において、Ｐｄ−Ｂｉ合金
の最表層の厚さを０．００５μ，０．０１μ，０．１
μ，１μ，１０μ等に変化させ、かつＢｉ含有量を０．
００５％，０．０１％，０．１％，１％，１０％と変化
させた材料を製作し各々を前記各実施例及び比較例と同
一の条件でテストしたが０．００５μと０．００５％の
ものを除き、実施例のＰｄ−Ｂｉ合金層と比較して性能
の変化は見られなかった。また、この発明においては必
要に応じて内部リード部のワイヤーボンディング部の
み、あるいは外部リード部のみにＰｄ−Ｂｉ鍍金を施し
たり、内部リード部のチップ搭載部のみを除外して他の
全部にＰｄ−Ｂｉ鍍金を施す場合もある。また、この発
明においてＮｉ鍍金を施した上にＰｄ−Ｂｉ鍍金を施す
ものではＮｉ鍍金を０．０５〜１０μにすることが望ま
しい。更にまた、この発明においてはパラジウム−ビス
マス合金層の下地鍍金として種々の積層鍍金構造とする
ことができ、特にＮｉ，Ｃｕ，Ｐｄ−Ｂｉ以外の合金鍍
金に成る積層鍍金であってもよい。
の最表層の厚さを０．００５μ，０．０１μ，０．１
μ，１μ，１０μ等に変化させ、かつＢｉ含有量を０．
００５％，０．０１％，０．１％，１％，１０％と変化
させた材料を製作し各々を前記各実施例及び比較例と同
一の条件でテストしたが０．００５μと０．００５％の
ものを除き、実施例のＰｄ−Ｂｉ合金層と比較して性能
の変化は見られなかった。また、この発明においては必
要に応じて内部リード部のワイヤーボンディング部の
み、あるいは外部リード部のみにＰｄ−Ｂｉ鍍金を施し
たり、内部リード部のチップ搭載部のみを除外して他の
全部にＰｄ−Ｂｉ鍍金を施す場合もある。また、この発
明においてＮｉ鍍金を施した上にＰｄ−Ｂｉ鍍金を施す
ものではＮｉ鍍金を０．０５〜１０μにすることが望ま
しい。更にまた、この発明においてはパラジウム−ビス
マス合金層の下地鍍金として種々の積層鍍金構造とする
ことができ、特にＮｉ，Ｃｕ，Ｐｄ−Ｂｉ以外の合金鍍
金に成る積層鍍金であってもよい。
【００２６】
【発明の効果】この発明のリードフレームは従来品より
耐熱性，ボンディング性，チップ接着性，樹脂密着性に
優れており、良好な半田濡れ性があり、かつ製造工程が
単純で経済性と信頼性が大きいという効果を有してい
る。
耐熱性，ボンディング性，チップ接着性，樹脂密着性に
優れており、良好な半田濡れ性があり、かつ製造工程が
単純で経済性と信頼性が大きいという効果を有してい
る。
Claims (2)
- 【請求項１】 チップ搭載部及びワイヤーボンディング
部より成る内部リード部と、外部リード部とから構成さ
れる半導体リードフレームにおいて、前記ワイヤーボン
ディング部と、外部リード部との何れか一方又は両方の
最表層部がビスマスを０．０５〜１０％含有する厚さ
０．０１〜１０μのパラジウム−ビスマス合金層により
形成してあることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体リードフレームで
あって、前記ワイヤーボンディング部の最表層部を前記
パラジウム−ビスマス合金層により形成したものにおい
て、前記チップ搭載部の最表層部がビスマスを０．０５
〜１０％含有する厚さ０．０１〜１０μのパラジウム−
ビスマス合金層により形成してあることを特徴とするリ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28708992A JP2673642B2 (ja) | 1992-10-02 | 1992-10-02 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28708992A JP2673642B2 (ja) | 1992-10-02 | 1992-10-02 | リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120394A JPH06120394A (ja) | 1994-04-28 |
| JP2673642B2 true JP2673642B2 (ja) | 1997-11-05 |
Family
ID=17712917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28708992A Expired - Lifetime JP2673642B2 (ja) | 1992-10-02 | 1992-10-02 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2673642B2 (ja) |
-
1992
- 1992-10-02 JP JP28708992A patent/JP2673642B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06120394A (ja) | 1994-04-28 |
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