JPS59144160A - プラスチツク封止型ic - Google Patents

プラスチツク封止型ic

Info

Publication number
JPS59144160A
JPS59144160A JP58019428A JP1942883A JPS59144160A JP S59144160 A JPS59144160 A JP S59144160A JP 58019428 A JP58019428 A JP 58019428A JP 1942883 A JP1942883 A JP 1942883A JP S59144160 A JPS59144160 A JP S59144160A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
alloy
layer
lead frame
sealing mold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58019428A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuo Ogasa
小笠 伸夫
Akira Otsuka
昭 大塚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP58019428A priority Critical patent/JPS59144160A/ja
Publication of JPS59144160A publication Critical patent/JPS59144160A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H01L23/49582Metallic layers on lead frames
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/83801Soldering or alloying
    • H01L2224/83805Soldering or alloying involving forming a eutectic alloy at the bonding interface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025Semiconducting materials
    • H01L2924/10251Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は熱放散性が良好で、且つアウターリード部へ
の半田付性が良好なプラスチック封止型工Cに関するも
のである。
従来フラスチック封止型工Cにおいて、その熱放散性を
高めるだめには、Cu合金をリードフレームの素材とし
て用い、S1チツプとリードフレームのチップポンディ
ング部との間は熱抵抗の小さいAu−3i共共晶台を行
なう必要があるが、この工程においては400℃以上の
温度に加熱されることからCu合金のアウターリード部
が過酸化状態になシ、通常のフラックス処理による半田
付けが困難になるばかシか、Sn電気メッキに際しても
前処理が難しくなるという欠陥があった。
また低温でSj−チップをリードフレームのチップポン
ディング部に塔載し接合する場合には使用するAgペー
ストが熱抵抗が大きく、真に熱放散を要求される工Cに
おいてはこの方法は使用しにくいという欠点があった。
本発明者らは上記の点に鑑みて、熱放散性がよくて、し
かもアウターリード部への半田付は性が良好なプラヌチ
ック封止型工Cを得るべく検討した結果この発明に至っ
たものである。
次にこの発明を図面を参照しつつ説明する。即ちこの発
明は、図において1のリードフレームとして熱伝導をよ
くするためにSn4るいはFeを含有するCu合金また
はCu−42アロイ−Cu。
Cu−ステンレス−〇 uなどのクラッドテープ2をペ
ースメタルとしてこれをリードフレームの形状に打抜い
たのち、その全面おるいは少くともアウターリード部に
Fe−Ni、合金メッキ層8を形成したものを用い、か
つチップポンディング部5上のSiチップ4で発熱する
熱をリードフレーム1に伝えるだめに、S1チツプ4と
チップポンディング部5との接合をAu−7Sj−共晶
合金層6を介して行ったことを特徴とするものであり、
これによって高熱放散性にすぐれたプラスチック封止型
工Cを得んとするものである。なお10は封止樹脂層で
ある。
ここにおいて、ポンディングワイヤー7としては、Au
線またはAz線を用いることができ、リードフレーム1
のインナーリード部8のワイヤーボンディング部のコー
ティング層9としてはAu。
Ag、Alなどを夫々要求されるコストと信頼性により
適宜選択して用いる。
まだAu−3i共晶合金層6は予めリードフレーム1を
構成するクラッドテープ2表面のFe−N1合金メッキ
層3上にAg、Au、などのメッキを施したのち、Au
−8i箔を用いてもよいし、Auメッキ層に直接Siを
接着させる方法を採用してもよい。またこのAu−5i
共晶合金層に代えてAu−Ge共晶合金層でも同一の効
果が得られる。
この発明において1.リードフレームベースメタpの平
面方向の熱伝導率を0.2co’l/am、 sec 
6以上とするのは、それ以下では熱抵抗減少の効果が少
ないためである。またリードフレームを構成するクラッ
ドテープの全面まだは少くともアウターリード部にFe
−Ni合金メッキ層を施こす場合のFe−N1合金中の
Nj−の重量比は市販のフラックスで容易に除去可能な
Feの選択酸化が生じるN1の組成範囲であって30〜
60%が望ましい。
さらにFe−N1合金メッキ層の厚みを0.5〜5、Q
Pmとするのは、Cuの酸化を防止し、且つ熱抵抗層と
しての効果が無視できる厚さとしたものである。
−以上のような構成からなるこの発明のプラスチック封
止型工Cは、 (1)熱伝導率のよいCu合金あるいはCuを使用した
クラッドテープをベースメタルとして使用したリードフ
レームを用いること、およびSiチップと該リードフレ
ームのチップポンディング部との接合をAu−3i、共
晶合金層を介して行うこと、から良好な熱放散性のプラ
スチック封止型工Cを安価に得ることができ、生産性に
すぐれていること。
(2)  アウターリード部に設けたFe−Ni合金メ
ッキ層はCuの酸化を防止し、酸化物が安定でフラック
スで容易に除去できるFeの酸化物からなる酸化物層を
形成するから容易に半田付けやSnt[気メッキが可能
で工C組立後の工程が容易となる。
などの利点を有するのである。
このようなプラスチック封止型工Cは高出力の工Cとし
て特に今後ますます高速が予想される論理工Cを中心に
その使用が期待されるのである。
以下この発明を実施例により詳細に説明する。
実施例 0.125−tのCDA194、Fe入シcu合金ヲフ
レスで打抜き、リードフレーム状にしたのち、このリー
ドフレームの全面に40%Ni−Fe合金メッキ層を厚
さ2.0μmに形成した。
次いでこのメッキ層を被覆しだリードフレームのワイヤ
ーボンディング部およびチップボンディング部にスポッ
ト状にAuメッキ層を厚さ1μmに形成して複合リード
フレームとした。
この複合リードフレームのチップポンディン、グ部にS
1チツプをAu−3i共晶法により、410℃に加熱し
て接合した。
この後Au細線によるワイヤーボンディングを行ったの
ち、プラスチック封止を実施してこの発明のプラスチッ
ク封止型工Cを製造した。
上記で得た工Cを市販のフラックスを用い、60%5n
−40%pbの溶融半田(230℃)中に5分間浸漬す
る直接半田付けの可否、および発熱限界について、従来
のCu合合金リードフレーム用用、Agペースト接合し
た工C1および従来のCu合金リードフレームを用い、
Au−5j−共晶接合をしだ工Cとの比較テストをした
ところ第1表の結果を得、この発明の工Cが均一良好な
半田付性を有し、発熱量については、2、OWまでのも
のが工Cの特性劣化を生じるととなく連続使用可能なこ
とが認められた。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明にかかるプラスチック封止型工Cの断面
図である。 1・・・リードフレーム   2・9・クラッドメタμ
3・・・pe−Ni合金メッキ層 4・・・S1チツプ   5・・・チップボンディング
部6・・・Au−5r苺晶合金層 7・・−ボンディングワイヤー 8・・・インナーリード部 9・・・コーティング部  10・・・封止樹脂特許出
願人         住友電気工業株式会社代理人 
    弁理士和1)唱

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)  ’!J−ドフレームのベースメタルとして良
    熱伝導体を表層に有するクラッドテープを用い、該クラ
    ッドテープよシなるリードフレームの少なくともアウタ
    ーリード部に0.5〜5.0μm厚さのFe−N:L合
    金メッキ層を設けるとともに、チップポンディング部上
    へのSj−チップの塔載をAu−8j−あるいはAu−
    Geの共晶接合にて行ったことを特徴とするプラスチッ
    ク封止型工C0 (2)  良熱伝導体を表層に有するクラッドテープが
    SnあるいはF19を含有するCu合金よυなることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載のプラスチック封
    止型工C0 (8)  良熱伝導体を表層に有するクラッドテープが
    Cu−4270イーCuあるいはCu−:y。 テンレス−Cuよシなることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載のプラスチック封止型工C3 (4)  ベースメタμの平面方向の熱伝導率が0.2
    ed/a、 SeO”Q以上であることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載のプラヌチック封止型工C0 (5)  F e −N i合金層におけるN1の重量
    比が30〜60%であることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載のプラスチック封止型工C0
JP58019428A 1983-02-07 1983-02-07 プラスチツク封止型ic Pending JPS59144160A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58019428A JPS59144160A (ja) 1983-02-07 1983-02-07 プラスチツク封止型ic

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58019428A JPS59144160A (ja) 1983-02-07 1983-02-07 プラスチツク封止型ic

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59144160A true JPS59144160A (ja) 1984-08-18

Family

ID=11999001

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58019428A Pending JPS59144160A (ja) 1983-02-07 1983-02-07 プラスチツク封止型ic

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59144160A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6186948U (ja) * 1984-11-14 1986-06-07
KR20210057816A (ko) 2018-10-04 2021-05-21 가부시키가이샤 자판엔진코포레숀 스프링 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6186948U (ja) * 1984-11-14 1986-06-07
KR20210057816A (ko) 2018-10-04 2021-05-21 가부시키가이샤 자판엔진코포레숀 스프링 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04115558A (ja) 半導体装置用リードフレーム
JPS5948546B2 (ja) リ−ドフレ−ム用金属ストリップ及びその製造方法
US4767049A (en) Special surfaces for wire bonding
JP2989406B2 (ja) 半導体装置用プリプレーテッドフレーム及びその製造方法
US5338704A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPS584955A (ja) 金めつきされた電子部品パツケ−ジ
JPS59144160A (ja) プラスチツク封止型ic
JPH01257356A (ja) 半導体用リードフレーム
JPS61140160A (ja) 半導体用リ−ドフレ−ム
JPH05109947A (ja) 熱伝導材料とその製造方法
JP2000068396A (ja) ハーメチックシール用カバー
JPS6218744A (ja) リ−ドフレ−ム
JPS6256597A (ja) 電子部品のメツキ方法
JPS58509B2 (ja) メツキホウホウ
JPH03284869A (ja) リードフレーム用クラッド材料
JPH04137552A (ja) リードフレーム
JPS58175852A (ja) 半導体装置
JPS6369241A (ja) 半導体装置
JPH0216761A (ja) リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法
JPS60144943A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS60225450A (ja) 半導体装置の製造法
JPS601853A (ja) 半導体用リ−ドフレ−ム
JPS617637A (ja) 半導体
JPS5998548A (ja) プラスチツクパツケ−ジ半導体装置
JPS6148953A (ja) 樹脂封止形半導体装置の製造方法