JPS5998548A - プラスチツクパツケ−ジ半導体装置 - Google Patents

プラスチツクパツケ−ジ半導体装置

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Publication number
JPS5998548A
JPS5998548A JP57206999A JP20699982A JPS5998548A JP S5998548 A JPS5998548 A JP S5998548A JP 57206999 A JP57206999 A JP 57206999A JP 20699982 A JP20699982 A JP 20699982A JP S5998548 A JPS5998548 A JP S5998548A
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JP
Japan
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aluminum
bonding
wire
leadframe
gold
Prior art date
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Pending
Application number
JP57206999A
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Osamu Iwashima
岩島　治
Hiroshi Suga
須賀　寛
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS5998548A publication Critical patent/JPS5998548A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は改良された半導体装置用プラスチックパッケー
ジのリードフレームの材質に関するものである。
種々の半導体装置用パッケージの中でプラスチックパッ
ケージはその量産性の良さや低価格のため広く使用され
ている。
従来のプラスチックパッケージにおけるリードフレーム
は例えば、４２合金、鉄等の全域薄板を写真蝕刻法ある
いはプＶス加工により外枠、半導体素子を固着する素子
塔載部外部リード、タイバー等が一体的に形成されてい
る。
このリードフレームは金や銀メッキが施こされ、半導体
素子のリードフレームへの固着性の向上、低熱抵抗化及
びリードフレーム材の高温時における酸化防止等が計ら
れている。特に金は高価な為実際に金メッキが施こされ
ることは希であるが、銀も高価な材料であシ、最近は、
半導体素子塔載部及び、外部リードのホンディングワイ
ヤーが接着される部分等必要な部分に限定して銀メッキ
が施こされているが、金や銀をメッキしたリードフレー
ムは高価であシ牛導体装置の原価を押上げる要因の一つ
である。また、銀は空気中の硫黄分と反応し易く、硫化
銀とな）、ボンディング性の低下等の問題を有している
。
本発明は、これらの問題を解決する材料としてアルミニ
ウムを使用したリードフレームを提供するものである。
即ち、アルミニウムの融点は６５８．８℃と十分に高く
半導体装置の組立工程の熱処理に充分に耐え、また酸化
し難い材料である。更に熱伝導率は２．３８Ｊ／ｃｍ−
ｓｅｃ　、ｄｅｇ、比抵抗は２．７５　Ｘ　１０−’Ω
ｃｍ　　で、鉄の０．４８Ｊ／ｃｍ−ｓｅｅ、ｄｅｇ、
　　９Ｂ　Ｘ　１０−ｓΩｃｍ尋よシはるかに勝れてお
シ、金や銀のメッキを施こす必要がない。
又、半導体素子と素子塔載部の間には銀ペーストで固定
するか若しくは、金片或は金−シリコン片等をはさむこ
とによってロウ接できる。更に、アルミニウム細線でワ
イヤーホンディングする際は、リードフレーム自体がア
ルミニウムであ如、素子の電極とボンティングワイヤー
間、ボンディングワイヤーとリードフレーム間の結合が
全てアルミニウムとアルミニウムの結合になシ、金とア
ルミニウムの結合に見られるパープルブレイブのような
金属間化合物生成による脆化がなく、安定した信頼性の
高いワイヤーボンディングが得られる。
又、本発明によるリードフレームにアルミニウムを使用
した半導体装置に直接半田付することは不可能であるが
、プラスチック封止した後のアルミニウムのリードフレ
ーム部に、−担、銅メッキ等を施こし更に該銅メツキ上
に半田メッキを施こすことによシ、容易に半田付をする
ことができ、従来の４２合金や鉄材のリードフレームに
半田メッキを施こす費用と大差なく処理できる。
上述のごとく、リードフレームの材料にアルミニウムを
使用することで、よシ安価で量産性のあるプラスチック
パッケージの半導体装置が生産できる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. プラスチック封入された半導体装置パッケージのリード
    フレームの材質がアルミニウムで形成されていることを
    特徴とする半導体装置。
JP57206999A 1982-11-26 1982-11-26 プラスチツクパツケ−ジ半導体装置 Pending JPS5998548A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57206999A JPS5998548A (ja) 1982-11-26 1982-11-26 プラスチツクパツケ−ジ半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57206999A JPS5998548A (ja) 1982-11-26 1982-11-26 プラスチツクパツケ−ジ半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5998548A true JPS5998548A (ja) 1984-06-06

Family

ID=16532510

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57206999A Pending JPS5998548A (ja) 1982-11-26 1982-11-26 プラスチツクパツケ−ジ半導体装置

Country Status (1)

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JP (1) JPS5998548A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61190966A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (1)

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JPS61190966A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法

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