JPS59219948A - プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS59219948A JPS59219948A JP58095930A JP9593083A JPS59219948A JP S59219948 A JPS59219948 A JP S59219948A JP 58095930 A JP58095930 A JP 58095930A JP 9593083 A JP9593083 A JP 9593083A JP S59219948 A JPS59219948 A JP S59219948A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は封止の信頼性を改善したプラスチック封止型
IC用リードフレームに関し、詳しくのべると、プラス
チック封止型ICにおけるリードフレームとプラスチッ
クとの接合をリードフレームのインナーリード部両面に
形成したポリイミド層を介して行なわせる高封止信頼性
の機能をもったリードフレームを提供するものである。
IC用リードフレームに関し、詳しくのべると、プラス
チック封止型ICにおけるリードフレームとプラスチッ
クとの接合をリードフレームのインナーリード部両面に
形成したポリイミド層を介して行なわせる高封止信頼性
の機能をもったリードフレームを提供するものである。
従来のプラスチック封止型ICは第1図に示すように、
鉄−ニッケル合金あるいは銅合金を素材としたリードフ
レーム1のチップボンディング部2およびワイヤーボン
ディング部6にAuまたはMを部分的にメッキ4し、チ
ップボンディング部2のメッキ4」二にSiチップ5を
塔載したのち、ワイヤーボンディング6をし、プラスチ
ック7で封止したICが広く用いられている。しかしな
がら、このようなプラスチック封止型ICではリードフ
レームの素材であるFe−Ni合金やCu合金と封止材
料として用いられるシリコン樹脂やエポキシ樹脂などの
プラスチックとの接着性が悪く、このため両者の接合界
面から外界の水分がパッケージ内に侵入することがあり
、そしてこの水分がSiチップに達すると、Na 、
K 、 CIなどのイオンと共にSiチップ素子そのも
のおよび電極配線を腐蝕して特性を劣化′させるという
欠点がある。またこの欠点を防止しようとしてリードフ
レーム全面にAgメッキを施こすことも行イっれたが、
Agが貴金属で高価であるために、リードフレームその
ものが高価になってしまうこと、さらにエレクトロマイ
グレーション現象によるリード間の短絡など副次的な問
題が生じること、などの欠点も有しているのである。本
発明者らは]1記の点に鑑みてす−ドフレームとプラス
チックとの接合性を改善したプラスチック封止型IC用
リードフレームについて検討した結果、この発明に至っ
たものである。
鉄−ニッケル合金あるいは銅合金を素材としたリードフ
レーム1のチップボンディング部2およびワイヤーボン
ディング部6にAuまたはMを部分的にメッキ4し、チ
ップボンディング部2のメッキ4」二にSiチップ5を
塔載したのち、ワイヤーボンディング6をし、プラスチ
ック7で封止したICが広く用いられている。しかしな
がら、このようなプラスチック封止型ICではリードフ
レームの素材であるFe−Ni合金やCu合金と封止材
料として用いられるシリコン樹脂やエポキシ樹脂などの
プラスチックとの接着性が悪く、このため両者の接合界
面から外界の水分がパッケージ内に侵入することがあり
、そしてこの水分がSiチップに達すると、Na 、
K 、 CIなどのイオンと共にSiチップ素子そのも
のおよび電極配線を腐蝕して特性を劣化′させるという
欠点がある。またこの欠点を防止しようとしてリードフ
レーム全面にAgメッキを施こすことも行イっれたが、
Agが貴金属で高価であるために、リードフレームその
ものが高価になってしまうこと、さらにエレクトロマイ
グレーション現象によるリード間の短絡など副次的な問
題が生じること、などの欠点も有しているのである。本
発明者らは]1記の点に鑑みてす−ドフレームとプラス
チックとの接合性を改善したプラスチック封止型IC用
リードフレームについて検討した結果、この発明に至っ
たものである。
以下この発明をその一実施例を示す第2図に基づいて説
明する。即ち、この発明はリードフレーム11のプラス
チック12との封止部分であるインナーリード部16の
画商にポリイミド被膜14の薄層を形成させることによ
り、封止樹脂12とリードフレーム11間の接合性を向
上させ、接合界面からパッケージ内部への水分の侵入を
防止し、これによってICの信頼性を向上せしめるもの
である。この発明において、プラスチック封止材料12
とリードフレーム11のインナーリード部13との接合
性改善にポリイミド層14を用いるのは、ポリイミドが
封止用樹脂であるエポキシ樹脂や、リードフレームとし
て用いられているFe−Ni合金(例42アロイ)や銅
合金との密着性が良好なことのためである。またICの
組立工程であるチップボンディングやワイヤボンディン
グ工程での加熱によるリードフレーム表面の酸化状態の
バラツキがなくなり、常にリードフレームの表面性状を
一定とすることができるので、封止条件とのマツチング
が容易であり、特にリークパスが小さくなる大型Siチ
ップを使用するICや小型パッケージではその効果が大
きいのである。なお第2図において16はS1チツプ1
5を塔載するチップボンディング部、17はワイヤーボ
ンディング、18はAuまたはAgメッキ層である。こ
の発明で得られるプラスチック封止IC用リードフレー
ムは今後ますますS1チツプの大型化やパッケージ形状
の小型化が要求される分野を中心にして広くその使用が
期待される。以下実施例によりこの発明の詳細な説明す
る。
明する。即ち、この発明はリードフレーム11のプラス
チック12との封止部分であるインナーリード部16の
画商にポリイミド被膜14の薄層を形成させることによ
り、封止樹脂12とリードフレーム11間の接合性を向
上させ、接合界面からパッケージ内部への水分の侵入を
防止し、これによってICの信頼性を向上せしめるもの
である。この発明において、プラスチック封止材料12
とリードフレーム11のインナーリード部13との接合
性改善にポリイミド層14を用いるのは、ポリイミドが
封止用樹脂であるエポキシ樹脂や、リードフレームとし
て用いられているFe−Ni合金(例42アロイ)や銅
合金との密着性が良好なことのためである。またICの
組立工程であるチップボンディングやワイヤボンディン
グ工程での加熱によるリードフレーム表面の酸化状態の
バラツキがなくなり、常にリードフレームの表面性状を
一定とすることができるので、封止条件とのマツチング
が容易であり、特にリークパスが小さくなる大型Siチ
ップを使用するICや小型パッケージではその効果が大
きいのである。なお第2図において16はS1チツプ1
5を塔載するチップボンディング部、17はワイヤーボ
ンディング、18はAuまたはAgメッキ層である。こ
の発明で得られるプラスチック封止IC用リードフレー
ムは今後ますますS1チツプの大型化やパッケージ形状
の小型化が要求される分野を中心にして広くその使用が
期待される。以下実施例によりこの発明の詳細な説明す
る。
実施例
0.125tの42アロイ(42%Ni−Fe合金)を
プレスで打抜いてリードフレーム状にしたのち、このリ
ードフレームのチップボンディング部およびワイヤーボ
ンディング部にスポット状にAg層を厚さ7415μm
にわたり電気メツキ方法で形成し、その外周のインナー
リード部およびリードフレームの反対面に夫々リング状
にポリイミド層をスクリーン印刷を使って形成した。こ
の後通常のチップボンディング、ワイヤーボンディング
を行ったのちプラスチックで封止を行いICを作成した
。
プレスで打抜いてリードフレーム状にしたのち、このリ
ードフレームのチップボンディング部およびワイヤーボ
ンディング部にスポット状にAg層を厚さ7415μm
にわたり電気メツキ方法で形成し、その外周のインナー
リード部およびリードフレームの反対面に夫々リング状
にポリイミド層をスクリーン印刷を使って形成した。こ
の後通常のチップボンディング、ワイヤーボンディング
を行ったのちプラスチックで封止を行いICを作成した
。
得られたICは、従来のポリイミド層を有しないリード
フレームを用いたICに比べると、125°C2atm
の水蒸気中での特性劣化テストにおける寿命が約2倍の
100〜150時間を示し、リードフレームとプラスチ
ックの界°面をリークパスとする水分の侵入を抑制し、
プラスチック封止型ICの信頼性を、高価で生産性に劣
るが信頼性の高いセラミック封止型ICに近ずけること
が可能であることを確認した。
フレームを用いたICに比べると、125°C2atm
の水蒸気中での特性劣化テストにおける寿命が約2倍の
100〜150時間を示し、リードフレームとプラスチ
ックの界°面をリークパスとする水分の侵入を抑制し、
プラスチック封止型ICの信頼性を、高価で生産性に劣
るが信頼性の高いセラミック封止型ICに近ずけること
が可能であることを確認した。
第1図は従来のプラスチック封止型ICの断面図、第2
図はこの発明をとかかるプラスチック封止型ICの断面
図である。 11・・・・・・・・・リードフレーム12・・・・・
・・・プラスチック封止材料15・・・・・・・・イン
ナーリード部14・・・・・・・・ポリイ ミ ド層1
5・・・・・・Siチップ
図はこの発明をとかかるプラスチック封止型ICの断面
図である。 11・・・・・・・・・リードフレーム12・・・・・
・・・プラスチック封止材料15・・・・・・・・イン
ナーリード部14・・・・・・・・ポリイ ミ ド層1
5・・・・・・Siチップ
Claims (1)
- (12インナーリード部両面にポリイミド層を有するこ
とを特徴とするプラスチック封止型半導体装置用リード
フレーム
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58095930A JPS59219948A (ja) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58095930A JPS59219948A (ja) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59219948A true JPS59219948A (ja) | 1984-12-11 |
Family
ID=14150986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58095930A Pending JPS59219948A (ja) | 1983-05-30 | 1983-05-30 | プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59219948A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63288052A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止半導体装置 |
JPH0243758A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-14 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体素子 |
WO1992004729A1 (en) * | 1990-09-10 | 1992-03-19 | Olin Corporation | Leadframe for molded plastic electronic packages |
US5371044A (en) * | 1991-05-27 | 1994-12-06 | Hitachi, Ltd. | Method of uniformly encapsulating a semiconductor device in resin |
TWI640101B (zh) * | 2014-02-04 | 2018-11-01 | 日商艾普凌科有限公司 | 光感測器裝置 |
-
1983
- 1983-05-30 JP JP58095930A patent/JPS59219948A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63288052A (ja) * | 1987-05-20 | 1988-11-25 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止半導体装置 |
JPH0243758A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-14 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体素子 |
WO1992004729A1 (en) * | 1990-09-10 | 1992-03-19 | Olin Corporation | Leadframe for molded plastic electronic packages |
US5122858A (en) * | 1990-09-10 | 1992-06-16 | Olin Corporation | Lead frame having polymer coated surface portions |
US5371044A (en) * | 1991-05-27 | 1994-12-06 | Hitachi, Ltd. | Method of uniformly encapsulating a semiconductor device in resin |
TWI640101B (zh) * | 2014-02-04 | 2018-11-01 | 日商艾普凌科有限公司 | 光感測器裝置 |
US10340397B2 (en) | 2014-02-04 | 2019-07-02 | Ablic Inc. | Optical sensor device |
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