JPS59219949A - プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents

プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム

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JPS59219949A
JPS59219949A JP58095931A JP9593183A JPS59219949A JP S59219949 A JPS59219949 A JP S59219949A JP 58095931 A JP58095931 A JP 58095931A JP 9593183 A JP9593183 A JP 9593183A JP S59219949 A JPS59219949 A JP S59219949A
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JP
Japan
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lead frame
sealing
lead
sio2
alloy
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Seisaku Yamanaka
山中　正策
Nobuo Ogasa
小笠　伸夫
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は封止の信頼性を改善したプラスチック封止型
ＩＣ用リードフレームに関し、詳しくのべると、プラス
チック封止型ＩＣにおけるリードフレームとプラスチッ
クとの接合をリードフレームのインナーリード部両面に
形成したＳ　ｉ０２又はＳｉ３Ｎ４層を介して行なわせ
る高封止信頼性の機能をもったリードフレームを提供す
るものである。
従来のプラスチック封止型ＩＣは第１図に示すように、
鉄−ニッケル合金あるいは銅合金を素材としたリードフ
レーム１のチップボンディング部２およびワイヤーボン
ディング部６にＡｕまたはＡｇを部分的にメッキ４し、
チップボンディング部２のメッキ４上にＳ１チツプ５を
塔載したのち、ワイヤーボンディング６をし、プラスチ
ック７で封止したＩＣが広く用いられている。しかしな
がら、このようなプラスチック封止型ＩＣではリードフ
レームの素材であるＦｅ　−Ｎｉ合金やＣｕ合金と封止
材料として用いられるシリコン樹脂やエポキシ樹脂など
のプラスチックとの接着性が悪く、このため両者の接合
界面から外界の水分がパッケージ内に侵入することがあ
り、そしてこの水分がＳｉチップに達すると、Ｎａ、に
、Ｃ７などのイオンと共に５１チツプ素子そのものおよ
び電極配線を腐蝕して特性を劣化させるという欠点があ
る。またこの欠点を防止しようとしてり−１・゛フレー
ム全面にＡｇメッキを施こすことも行われたが、Ａｇが
貴金属で高価であるために、リードフレームそのものが
高価になってしまうこと、さらにエレクトロマイグレー
ション現象によるリード間の短絡など副次的な問題点が
生じるこ°と、などの欠点も有しているのである。本発
明者らは上記の点に鑑みてす−ドフレームとプラスチッ
クとの接合性を改善したプラスチック封止型ＩＣ用リー
ドフレームについて検討した結果、この発明に至ったも
のである。
以下この発明をその一実施例を示す第２図に基づいて説
明する。即ち、この発明はリードフレーム１１のプラス
チック１２との封止部分であるインナーリード部１６の
両面にＳ　ｉ０２又はＳｉ３Ｎ４被膜１４の薄層を形成
させることにより、封止樹脂１２とリードフレーム１１
間の接合性を向上させ、接合界面からパッケージ内部へ
の水分の侵入を防止し、これによってＩＣの信頼性を向
上せしめるものである。この発明において、プラスチッ
ク封止材料１２とリードフレーム１１のインナーリード
部１６との接合性改善にＳ　ｉ０２又はＳｉ３Ｎ４層１
４を用いるのは、これらシリコン化合物が封止用樹脂で
あるエポキシ樹脂や、リードフレームとして用いられて
いるＦｅ−Ｎｉ合金（例４２アロイ）や銅合金との密着
性が良好なことのためである。またＩＣの組立工程であ
るチップボンディングやワイヤボンディング工程での加
熱によるリードフレーム表面の酸化状態のバラツキがな
くなり、常にリードフレームの表面性状を一定とするこ
とができるので、封止条件とのマ函チングが容易であり
、特にリークパスが小さくなる大型Ｓ１チツプを使用す
るＩＣや小型パッケージではその効果が大きいのである
。なお第２図において１６はＳｉチップ１５を塔載する
チップボンディング部、１７はワイヤーボンディング、
１８はＡｊ＋またはＡｇメッキ層である。この発明で得
られるプラスチック封止ＩＣ用リードフレームは今後ま
すますＳｉチップの大型化やパッケージ形状の小型化が
要求される分野を中心にして広くその使用が期待される
。
以下実施例によりこの発明の詳細な説明する。
実施例 ０．１２５ｔの４２７０イ　（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）
をプレスで打抜いてリードフレーム状にしたのち、この
リードフレームのチップボンディング部およびワイヤー
ボンディング部にスポット状にＡｇ層を厚さ５μｍにわ
たり電気メツキ方法で形成し、その外周のインナーリー
ド部およびリードフレームの反対面に夫々リング状にイ
オンブレーティング法によりＳ　ｉ０２層を厚さ５μｍ
にわたり被覆した。
この後通常のチップボンディング、ワイヤーボンディン
グを行ったのちプラスチックで封止を行いＩＣを作成し
た。得られたＩＣは、従来のシリコン化合物層を有しな
いリードフレームを用いたＩＣに比べると、１２５°Ｃ
２ａｔｍの水蒸気中での特性劣化テストにおける野命が
約２倍の１００〜１５０時間を示し、リードフレームと
プラスチックの界面をリークパスとする水分の侵入を抑
制し、プラスチック封止型ＩＣの信頼性を、高価で生産
性に劣るが信頼性の高いセラミック封止型ＩＣに近ずけ
ることが可能であることを確認した。
なお、シリコン化合物層の被覆方法としては、物理的蒸
着法（ＰＶＤ法）、化学的蒸着法（ＣＶＤ法）のいずれ
でも可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のプラスチック封止型ＩＣの断面図、第２
図はこの発明にかかるプラスチック封止型ＩＣの断面図
である。 １１・・・・・・・リードフレーム １２・・・・・・プラスチック封止材料１３・・・・・
・・インナーリード部 １４・−・−８ｉ０２又は５ｉｓＮ４層１５・・・・・
・・・Ｓｉチップ １６・・・・曲チップボンディング部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）インナーリード部両面にＳ　ｉ０２層又は５ｉ５
    Ｎ４層を有することを特徴とするプラスチック封止型半
    導体装置用リードフレーム
JP58095931A 1983-05-30 1983-05-30 プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム Pending JPS59219949A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5455453A (en) * 1991-07-01 1995-10-03 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Plastic package type semiconductor device having a rolled metal substrate
EP0867935A3 (en) * 1997-03-25 2000-03-15 Mitsui Chemicals, Inc. Plastic package, semiconductor device, and method of manufacturing plastic package

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5455453A (en) * 1991-07-01 1995-10-03 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Plastic package type semiconductor device having a rolled metal substrate
US5643834A (en) * 1991-07-01 1997-07-01 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Process for manufacturing a semiconductor substrate comprising laminated copper, silicon oxide and silicon nitride layers
EP0867935A3 (en) * 1997-03-25 2000-03-15 Mitsui Chemicals, Inc. Plastic package, semiconductor device, and method of manufacturing plastic package

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