JPS59219951A - プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents

プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム

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JPS59219951A
JPS59219951A JP58095933A JP9593383A JPS59219951A JP S59219951 A JPS59219951 A JP S59219951A JP 58095933 A JP58095933 A JP 58095933A JP 9593383 A JP9593383 A JP 9593383A JP S59219951 A JPS59219951 A JP S59219951A
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JP
Japan
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lead frame
lead
sealing
glass
alloy
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JP58095933A
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Seisaku Yamanaka
山中　正策
Masanori Tsujioka
正憲 辻岡
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は封止の信頼性を改善したプラスチック封止型
ＩＣ用リードフレームに関し、詳しくのべると、プラス
チック封止型ＩＣにおけるリードフレームとプラスチッ
クとの接合をリードフレームのインナーリード部両面に
形成したガラス層を介して行なわせる高封止信頼性の機
能をもったリードフレームを提供するものである。
従来のプラスチック封止型ＩＣは第１図に示すように、
鉄−ニッケル合金あるいは銅合金を素材としたリードフ
レーム１のチップボンディング部２およびワイヤーボン
ディング部６にＡＵまたはＡｇを部分的にメッキ４し、
チップボンディング部２のメッキ４上にＳｉチップ５を
塔載したのち、ワイヤーボンディング６をし、プラスチ
人り７で封止したＩＣが広く用いられている。しかしな
がら、このようなプラスチック封止型ＩＣではリードフ
レームの素材であるＦｅ　−Ｎｉ合金やＣＵ金合金封止
材料として用いられるシリコン樹脂やエポキシ樹脂など
のプラスチックとの接着性が悪く、このため両者の接合
界面から外界の水分がパッケージ内に侵入することがあ
り、そしてこの水分が５１チツプに達すると、Ｎａ、に
、ＣＩなどのイオンと共に８１チツプ素子そのものおよ
び電極配線を腐蝕して特性を劣化させるという欠点があ
る。またこの欠点を防止しようとしてリードフレーム全
面にＡｇメッキを施こすことも行われたが、Ａｇが貴金
属で高価であるために、リードフレームそのものが高価
になってしまうこと、さらにエレクトロマイグレーショ
ン現象によるリード間の短絡など副次的な問題点が生じ
ること、などの欠点も有しているのである。本発明者ら
は上記の点に鑑みてリードフレームとプラスチックとの
接合性を改善したプラスチック封止型ＩＣ用リードフレ
ームについて検討した結果、この発明に至ったものであ
る。以下この発明をその一実施例を示す第２図に基づい
て説明する。即ち、この発明はリードフレーム１１のプ
ラスチック１２との封止部分であるインナーリード部１
６の両面にガラス被膜１４の薄層を形成させることによ
り、封止樹脂１２とリドフレーム１１間の接合性を向上
させ、接合界面からパッケージ内部への水分の侵入を防
止し、これによってＩＣの信頼性を向上せしめるもので
ある。この発明において、プラスチック封止材料１２と
リードフレーム１１のインナーリード部１６との接合性
改善にガラス層１４を用いるのは、ガラスが封止用樹脂
であるエポキシ樹脂や、リードフレームとして用いられ
ているＦｅ−Ｎｉ合金（例４２アロイ）や銅合金との密
着性が良好なことのためである。またＩＣの組立工程で
あるチップボンディングやワイヤボンディング工程での
加熱によるリードフレーム表面の酸化状態のバラツキが
なくなり、常にリードフレームの表面性状を一定とする
ことができるので、封止条件とのマツチングが容易であ
り、特にリークパスが小さくなる大型Ｓｉチップを使用
するＩＣや小型パッケージではその効果が大きいのであ
る。なお第２図において１６はＳｉチップ１５を塔載す
るチップボンディング部、１７はワイヤーボンディング
、１８はＡｕ温で可能な低融点、ガラスペーストなどを
用いればよい。この発明で得られるプラスチック封止Ｉ
Ｃ用リードフレームは今後ますますＳｉチップの大型化
やパッケージ形状の小型化が要求される分野を中心にし
て広くその使用が期待される。以下実施例によりこの発
明の詳細な説明する。
実施例 ０．１２５　ｔの４２７０イ　（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金
）をプレスで打抜いてリードフレーム状にしたのち、こ
のリードフレームのチップボンディング部およびワイヤ
ーボンディング部にスポット状にＡｇ層を厚さ５μｍに
わたり電気メツキ方法で形成し、その外周のインナーリ
ード部およびリードフレームの反対面に夫々リング状に
ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３系低融点ガラスペーストをスクリーン
印刷し、大気中で３５０°、Ｃ１３０分キュアーを行な
い、さらに硫酸溶液中で４２＝・イの表面の酸化物を除
去した。この後通常のチップボンディング、ワイヤーボ
ンディングを行ったのちプラスチックで封止を行いＩＣ
を作成した。得られたＩＣは、従来のガラス層を有しな
いリードフレームを用いたＩＣに比べると、１２５°Ｃ
２ａｔｍの水蒸気中での特性劣化テストにおける寿命が
約２倍の１００〜１５０時間を示し、ＩＪ−ドフレーム
とプラスチックの界面をリークパスとする水分の侵入を
抑制し、プラスチック封止型ＩＣの信頼性を、高価で生
産性に劣るが信頼性の高いセラミック封止型ＩＣに近ず
けることが可能であることを確認した。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のプラスチック封止型、ＩＣの断面図、第
２図はこの発明にかかるプラスチック封止型ＩＣの断面
図で）る。 １１・・・・・リードフレーム １２・・・・・・・・プラスチック封止材料１３・・・
・・・・・インナーリード部゛部１４・・・・・・・ガ
ラス層 １５・・・・・・−・Ｓｉチップ １６・・・・・・・・チップボンディング部第」図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１ン　　インナーリード部両面にガラス層を有するこ
    とを特徴とするプラスチック封止型半導体装置用リード
    フレーム
JP58095933A 1983-05-30 1983-05-30 プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム Pending JPS59219951A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58095933A JPS59219951A (ja) 1983-05-30 1983-05-30 プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58095933A JPS59219951A (ja) 1983-05-30 1983-05-30 プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59219951A true JPS59219951A (ja) 1984-12-11

Family

ID=14151070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58095933A Pending JPS59219951A (ja) 1983-05-30 1983-05-30 プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム

Country Status (1)

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JP (1) JPS59219951A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02126696A (ja) * 1988-11-07 1990-05-15 Fujikura Ltd ホウロウ配線基板とその製造法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02126696A (ja) * 1988-11-07 1990-05-15 Fujikura Ltd ホウロウ配線基板とその製造法

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