JPS59219950A - プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents

プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム

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JPS59219950A
JPS59219950A JP58095932A JP9593283A JPS59219950A JP S59219950 A JPS59219950 A JP S59219950A JP 58095932 A JP58095932 A JP 58095932A JP 9593283 A JP9593283 A JP 9593283A JP S59219950 A JPS59219950 A JP S59219950A
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JP
Japan
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lead frame
epoxy resin
sealing
lead
alloy
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JP58095932A
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Seisaku Yamanaka
山中　正策
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は封止の信頼性を改善したプラスチック封止型
ｆｆ１ｌｃ用リードフレームに関し、詳しくのべると、
プラスチック封止型ＩＣにおけるリードフレームとプラ
スチックとの接合をリードフレームのインナーリード部
両面に形成したエポキシ樹脂層を介して行なわせる高封
止信頼性の機能をもったリードフレームを提供するもの
である。
従来のプラスチック封止型ＩＣは第１図に示すように、
鉄−ニッケル合金あるいは銅合金を素材としたリードフ
レーム１のチップボンディング部２およびワイヤーボン
ディング部乙にＡＵまたはＡｇを部分的にメッキ４し、
チップボンディング部２のメッキ４上にＳｉチップ５を
塔載したのち、ワイヤーボンディング６をし、プラスチ
ック７で封止したＩｃが広く用いられている。しかしな
がら、このよのなプラスチック封止型ＩＣではリードフ
レームの素材であるＦｅ　−Ｎｉ合金やＣＵ金合金封止
材料として用いられる離型剤の入ったシリコン樹脂やエ
ポキシ樹脂などのプラスチックとの接着性が悪く、この
ため両者の接合界面から外界の水分がパッケージ内に侵
入することがあり、そしてこの水分がＳｉチップに達す
ると、Ｎａ　、　Ｋ　。
ＣＩなどのイオンと共にＳｉチップ素子そのものおよび
電極配線をＪ腐蝕して特性を劣化させるという欠点があ
る。またこの欠点を防止しようとしてリードフレーム全
面にＡｇメッキを施こすことも行われたが、Ａｇが貴金
属で高価であるために、リードフレームそのものが高価
になってしまうこと、さらにエレクトロマイグレーショ
ン現象によるリード間の短絡など副次的な問題が生じる
こと、などの欠点も有しているのである。本発明者らは
上記の点に鑑みてリードフレームとプラスチックとの接
合性を改善したプラスチック封止型ＩＣ用リードフレー
ムについて検討した結果、この発明に至ったものである
。以下この発明をその一実施例を示す第２図に基づいて
説明する。即ち、この発明はリードフレーム１１のプラ
スチック１２との封止部分であるインナーリード部１６
の両面にエポキシ樹脂被膜１４の薄層を形成さぜること
により、封止樹脂１２とリードフレーム１１間の接合性
を向上させ、接合界面からパッケージ内部への水分の侵
入を防止し、これによってＩＣの信頼性を向上せしめる
ものである。この発明において、プラスチック封止材料
１２とリードフレーム１１のインナーリード部１６との
接合性改善にエポキシ樹脂層１４を用いるのは、エポキ
シ樹脂が封止用樹脂である離型剤入りエポキシ樹脂や、
リードフレームとして用いられているＦｅ　−Ｎｉ合金
（例４２アロイ）や銅合金との密着性が良好なことのた
めである。またＩＣの組立工程であるチップボンディン
グやワイヤボンディング工程での加熱によるリードフレ
ーム表面の酸化状態のバラツキがなくなり、常にリード
フレームの表面性状を一定とすることができるので、封
止条件とのマツチングが容易であり、特にリークパスが
小さくなる大型Ｓ１チツプを使用するＩＣや小型パッケ
ージではその効果が大きいのである。なお第２図におい
て１６はＳｉチップ１５を塔載するチップボンディング
部、１７はワイヤーボンディング、１８はＡｕまたはＡ
ｇメッキ層である。この発明で得られるプラスチック封
止ＩＣ用リードフレームは今後ますますＳｉチップの大
型化やパッケージ形状の小型化が要求される分野を中心
にして広くその使用が期待される。以下実施例によりこ
の発明の詳細な説明する。
実施例 ０．１２５ｔの４２７０イ　（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）
をプレスで打抜いてリードフレーム状にしたのち、この
リードフレームのチップボンディング部およびワイヤー
ボンディング部にスポット状にＡｇ層を厚さ５μｍにわ
たり電気メツキ方法で形成し、その外周のインナーリー
ド部およびリードフレームの反対面に夫々リング状にエ
ポキシ樹脂をスクリーン印刷を使って形成し、１５０’
Ｃ１０分キュアーを行った。この通常のチップボンディ
ング、ワイヤーボンディングを行ったのちプラスチック
で封止を行いＩＣを作成した。得られたＩＣは、従来ノ
エポキシ樹脂層を有しないリードフレームを用いたＩＣ
に比べると、１２５°Ｃ２ａｔｍの水蒸気中での特性劣
化テストにおける寿命が約２倍の１゜０〜１５０時間を
示し、リードフレームとプラスチックの界面をリークパ
スとする水分の侵入を抑制し、プラスチック封止型ＩＣ
の信頼性を、高価で住産性に劣るが信頼性の高いセラミ
ック封止型ＩＣに近ずけることが可能であることを確認
した。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のプラスチック封止型ＩＣの断面図、第２
図はこの発明にかがるプラスチック封止型ＩＣの断面図
である。 １１・・・・・・リードフレーム １２・・・・−プラスチック封止材料 １６・・・・・インナーリード部 １４−・・・エポキシ樹脂／？？ １５・−・・・Ｓｉチップ １６・・・・・チップボンディング部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１ン　　インナーリード部両面にエポキシ樹脂層をイ
    アすることを特徴とするプラスチック封止型半導体装置
    用リードフレーム
JP58095932A 1983-05-30 1983-05-30 プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム Pending JPS59219950A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58095932A JPS59219950A (ja) 1983-05-30 1983-05-30 プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58095932A JPS59219950A (ja) 1983-05-30 1983-05-30 プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム

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JPS59219950A true JPS59219950A (ja) 1984-12-11

Family

ID=14151042

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58095932A Pending JPS59219950A (ja) 1983-05-30 1983-05-30 プラスチツク封止型半導体装置用リ−ドフレ−ム

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