JPS59144159A - プラスチツク封止型ｉｃ - Google Patents

プラスチツク封止型ｉｃ

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JPS59144159A
JPS59144159A JP58019427A JP1942783A JPS59144159A JP S59144159 A JPS59144159 A JP S59144159A JP 58019427 A JP58019427 A JP 58019427A JP 1942783 A JP1942783 A JP 1942783A JP S59144159 A JPS59144159 A JP S59144159A
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JP
Japan
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plastic
lead frame
bonding
layer
leadframe
Prior art date
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Pending
Application number
JP58019427A
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English (en)
Inventor
Nobuo Ogasa
小笠　伸夫
Akira Otsuka
昭 大塚
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は封止の信頼性を改善したプラスチック封止型
■Ｃに関し、詳しくのべると、プラスチック封止型ＩＣ
におけるリードフレームとプラスチックとの接合をリー
ドフレームのインナーリード部両面に形成した酸化アル
ミニウムの薄層を介して行なったことを特徴とするもの
である。
従来のプラスチック封止型工Ｃは第１図に示すように、
鉄−ニッケル合金あるいは銅合金を素材としたリードフ
レームｌのチップボンディング部２およびワイヤーボン
ディング部３にＡｕまたはＡｇを部分的にメッキ４し、
チップボンディング部２のメッキ４上にＳ１チツプ５塔
載したのち、ワイヤーボンディング６をし、プラスチッ
ク７で封止したＩＣが広く用いられている。
しかしながら、このようなプラスチック封止型工Ｃでは
リードフレームの素材であるＦｅ−Ｎｉ合金やＣｕ合金
と封止材料として用いられるシリコン樹脂やエポキシ樹
脂などのプラスチックとの接着性が悪く、このため両者
の接合界面から外界の水分がパッケージ内に浸入するこ
とがあり、そしてこの水分が８１チツプに達すると、Ｎ
ａ、Ｋ。
Ｃｔなどのイオンと共にＳｉチップ素子そのものおよび
電極配線を腐蝕して特性を劣化させるという欠点がある
。
またこの欠点を防止しようとしてリードフレーム全面に
Ａｇメッキを施こす・ことも行われたが、Ａｇが貴金属
で高価であるために、リードフレームそのものが高価に
なってしまうこと、さらにエレクトロマイグレーション
現象によるリード間の短絡など副次的な問題点が生じる
こと、などの欠点も有しているのである。
本発明者らは上記の点に鑑みてリードフレームとプラス
チックとの接合性を改善したプラスチック封止型工Ｃに
ついて検討した結果、この発明に至ったものである。
以下この発明をその一実施例を示す第２図に基づいて説
明する。
即ち、この発明はリードフレーム１１のプラスチック１
２との封止部分であるインナーリード部１３の両面に酸
化アルミニウム被膜１４の薄層を形成させることにより
、封止樹脂１２とリードフレーム１１間の接合性を向上
させ、接合界面からパッケージ内部への水分の浸入を防
止し、これによって工Ｃの信頼性を向上せしめるもので
ある。
この発明において、プラスチック封止材料１２とリード
フレーム１１のインナーリード部１３との接合性改善に
酸化アルミニウム膜１４薄層を用いるのは、酸化アルミ
ニウムと封止用プラスチックとの濡れ性が良いことのた
めである。
また工Ｃの組立工程であるチップポンディングやワイヤ
ポンディング工程での加熱によるリードフレーム表面の
酸化状態のバラツキがなくなり、常にリードフレームの
表面性状を一定とすることができるので、封止条件との
マツチングが容易であり、特にリークパスが小さくなる
大型Ｓ１チツプを使用する工Ｃや小型パッケージではそ
の効果が大きいのである。
なお第２図において１６はＳｉチップ１５を塔載するチ
ップポンディング部、１７はワイヤーポンディング、１
８はＡ　ｕまたはＡｇメッキ層である。
グラスチック封止に用いる材料としては従来から封止用
に使われている樹脂であればいずれでもよく例えばシリ
コン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
この発明で得られるプラスチック封止型工Ｃは今後壕す
ますＳ１チツプの大型化やパッケージ形状の小型化が要
求される分野を中心にして広くその使用が期待される。
以下実施例によりこの発明の詳細な説明する。
実施例 ０．１２５−ｔの４２アロイ（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）
をプレスで打抜いてリードフレーム状にしたのち、との
リードフレームのチップポンディング部およびワイヤー
ポンディング部にスポット状にＡｇ層を厚さ５　Ｐｍに
ゎたシー電気メツキ方法で形成し、その外周のインナー
リード部およびリードフレームの反対面に夫々リング状
にＡ／層を厚さａ　Ｐｍにゎたシ真空蒸着法により形成
した。この後Ａｚ層を化成処理にょシ酸化アルミニウム
とすることにょシ複合被覆り−ドフレームを作成した。
この後通常のチップボンディング、ワイヤーボンディン
グを行ったのちプラスチックで封止を行い工Ｃを作成し
た。
得られた工Ｃは、従来の酸化アルミニウム層を有しない
リードフレームを用いた工Ｃに比べると、１２５℃２ａ
ｔｍの水蒸気中での特性劣化デヌトにおける寿命が約２
倍の１００〜１５０時間を示し、リードフレームとプラ
スチックの界面をリークパスとする水分の侵入を抑制し
、プラスチック封止型ＩＣの信頼性を、高価で生産性に
劣るが信頼性の高いセラミック封止型下Ｃに近ずけると
とが可能であることを確認した。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のプラスチック封止型工Ｃの断面図、第２
図はこの発明にかかるプラスチック封止型工Ｃの断面図
である。 １１・・・リードフレーム １２・・・プラスチック封止材料 １３・・・インナーリード部 １４・・魯酸化アルミニウム層 １５・−３ｉチツプ １６・・・チップボンデインク部 １８・・・Ａ、　ｕまたはＡｇメッキ唇特許出願人　　
　　　　　　住友電気工業株式会社代　　理　　人　　
　　　　　　　弁理士　和　Ｈ」　　昭第１図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 り１）　　デラヌチック封止型工Ｃにおけるリードフレ
    ームとプラスチックとの接合をリードフレームのインナ
    ーリード部両面に形成した酸化アルミニウムの薄層を介
    して行なったことをラム層の厚さが０．２〜１０μｍで
    あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラ
    スチック封止型■Ｃ０ （３）　　酸化アルミニウム層の形成はインナーリー。 ド部両面にアルミニウム薄層被覆したのち、その表面も
    しくは全体を酸化させて行うことを特徴とする特許請求
    の範囲第１項記載のプラスチック封止型■Ｃ０
JP58019427A 1983-02-07 1983-02-07 プラスチツク封止型ｉｃ Pending JPS59144159A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05275598A (ja) * 1992-03-27 1993-10-22 Nippon Steel Corp 半導体装置
US8093713B2 (en) 2007-02-09 2012-01-10 Infineon Technologies Ag Module with silicon-based layer

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