JPS62154657A - 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法Info
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- JPS62154657A JPS62154657A JP29438285A JP29438285A JPS62154657A JP S62154657 A JPS62154657 A JP S62154657A JP 29438285 A JP29438285 A JP 29438285A JP 29438285 A JP29438285 A JP 29438285A JP S62154657 A JPS62154657 A JP S62154657A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は集積回路（ＩＣ）などの半導体装置用のリード
フレームの製造方法に関する。
フレームの製造方法に関する。
現在、半導体装置用として使用されているリードフレー
ムは材質から大別すると、フバールを含む鉄−ニッケル
合金系、銅系及び鉄系があるが、半導体チップとの熱膨
張の差が小さい鉄−ニッケル合金系のリードフレームが
高信頼性を要するもの、特に大型チップや高集積チップ
の搭載に使用されている。
ムは材質から大別すると、フバールを含む鉄−ニッケル
合金系、銅系及び鉄系があるが、半導体チップとの熱膨
張の差が小さい鉄−ニッケル合金系のリードフレームが
高信頼性を要するもの、特に大型チップや高集積チップ
の搭載に使用されている。
鉄−ニッケル合金のリードフレームには、半導体チップ
の塔載やワイヤーボンド等のために、必要個所に表面層
としてＡ４．Ａｕ及びＡｇのいずれか単一種の金属被覆
が全面、ストライブ状あるいはスポット状に形成される
。しかし、ダイボンドやワイヤーボンド等に要求される
特性が益々厳しくなり且つコストの低減が望まれるなか
で、上記の如き単一種での金属被覆が必ずしも最適とは
なっていない現状である。
の塔載やワイヤーボンド等のために、必要個所に表面層
としてＡ４．Ａｕ及びＡｇのいずれか単一種の金属被覆
が全面、ストライブ状あるいはスポット状に形成される
。しかし、ダイボンドやワイヤーボンド等に要求される
特性が益々厳しくなり且つコストの低減が望まれるなか
で、上記の如き単一種での金属被覆が必ずしも最適とは
なっていない現状である。
即ち、Ａｇ被覆では基本的にコスト高となると共に、エ
レクトロマイグレーションの発生など信頼性に問題があ
る。加えて、Ａｇ被覆ではボンディングワイヤーとして
Ａｕｍを用いなければならず、最近の多ビン化傾向によ
り一層コス）Ｒとなってしまう。
レクトロマイグレーションの発生など信頼性に問題があ
る。加えて、Ａｇ被覆ではボンディングワイヤーとして
Ａｕｍを用いなければならず、最近の多ビン化傾向によ
り一層コス）Ｒとなってしまう。
Ａｕｒａでは、コスト及びチップとのボンディング信頼
性の点でボンディングワイヤーとしてＡ、ｊ線が使用さ
れているが、インナーリード接続においてＡｕ ／ Ａ
ｌ接合となり、Ａｕ／Ａｌ金属間化合物が形成されてい
わゆるパープルブレーク発生の原因となり、半導体装置
の信頼性が損なわれる。
性の点でボンディングワイヤーとしてＡ、ｊ線が使用さ
れているが、インナーリード接続においてＡｕ ／ Ａ
ｌ接合となり、Ａｕ／Ａｌ金属間化合物が形成されてい
わゆるパープルブレーク発生の原因となり、半導体装置
の信頼性が損なわれる。
一方、７【を被膜においては、低コストであり且つボン
ディングワイヤーとしてｐ、を線３使用できるのでボン
ディングの信頼性は確保できる。しかし、Ａｔ被覆にア
ウターリードを接続することはエレクトロマイグレーシ
ョン及び半田付は性等から不可能であり、ＡＩストライ
ブの熱圧着によるリードフレーム基材の長さ方向中央に
直線的Ａｌ被覆を形成する方法が、チップサイズの大型
化、多ビン化及びパッケージの小型化にもかかわらず、
ビンの２方向取り、いわゆるＤ工Ｐ （Ｄｕ、ａｌｉｎ
Ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）方式では採用できない等
の問題点があった。
ディングワイヤーとしてｐ、を線３使用できるのでボン
ディングの信頼性は確保できる。しかし、Ａｔ被覆にア
ウターリードを接続することはエレクトロマイグレーシ
ョン及び半田付は性等から不可能であり、ＡＩストライ
ブの熱圧着によるリードフレーム基材の長さ方向中央に
直線的Ａｌ被覆を形成する方法が、チップサイズの大型
化、多ビン化及びパッケージの小型化にもかかわらず、
ビンの２方向取り、いわゆるＤ工Ｐ （Ｄｕ、ａｌｉｎ
Ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）方式では採用できない等
の問題点があった。
本発明は低コストであり、単一種の金属被覆では達成で
きなかったダイボンド及びワイヤーボンド両方の安定化
を達成でき、もって半導体装置の信頼性を高めることの
できる、複数種の金属被覆を有するリードフレームの製
造方法を提供することを目的とする。
きなかったダイボンド及びワイヤーボンド両方の安定化
を達成でき、もって半導体装置の信頼性を高めることの
できる、複数種の金属被覆を有するリードフレームの製
造方法を提供することを目的とする。
本発明の半導体装置用リードフレームの製造方法は、鉄
−ニッケル合金のリードフレーム本体のダイパット部及
び／またはアウターリード部以外を弾性体マスクで覆っ
て湿式電気メッキ法によりダイパット部及び／またはア
ウターリード部に直接Ａｕ被覆を形成し、その後リード
フレーム本体のインナーリード部以外をマスクで覆って
物理的蒸着法によりインナーリード部にＡｌ被覆を直接
形成することを特徴とする。
−ニッケル合金のリードフレーム本体のダイパット部及
び／またはアウターリード部以外を弾性体マスクで覆っ
て湿式電気メッキ法によりダイパット部及び／またはア
ウターリード部に直接Ａｕ被覆を形成し、その後リード
フレーム本体のインナーリード部以外をマスクで覆って
物理的蒸着法によりインナーリード部にＡｌ被覆を直接
形成することを特徴とする。
Ａｕ被覆は通常０．５〜３μｍの膜厚を及びＡｌ被覆は
通常１〜１０μｍの膜厚を有する。Ａｕ被覆の形成は湿
式電気メッキ法により行なう。物理的蒸着法などでは炉
壁へのＡｕの付着等により実効歩留が悪く極端なコスト
アップとなる。また、Ａ１．被覆の形成は物理的蒸着法
により行なう。Ａｌテープの圧着法ではテープ自体の厚
さに制限がある他、前記の如（ＤＩＰ法に適用できず、
無電解メッキ法ではＡ！一基板間の密着性が劣るほか製
造コストも高くなる。
通常１〜１０μｍの膜厚を有する。Ａｕ被覆の形成は湿
式電気メッキ法により行なう。物理的蒸着法などでは炉
壁へのＡｕの付着等により実効歩留が悪く極端なコスト
アップとなる。また、Ａ１．被覆の形成は物理的蒸着法
により行なう。Ａｌテープの圧着法ではテープ自体の厚
さに制限がある他、前記の如（ＤＩＰ法に適用できず、
無電解メッキ法ではＡ！一基板間の密着性が劣るほか製
造コストも高くなる。
本発明方法では、予め打抜加工またはエッチンクニヨリ
所定の形状に形成したリードフレームを用意し、まずダ
イパット部及び／またはアウターリード部に湿式電気メ
ッキ法によりＡｕ被覆を、次にインナーリード部に物理
的蒸着法によりＡｌ被覆を形成するもので、Ａｕ被覆よ
り前にＡｔ被覆を実施すると、Ａｕ被覆の前処理で既に
形成したＡｌ被覆が腐食される。
所定の形状に形成したリードフレームを用意し、まずダ
イパット部及び／またはアウターリード部に湿式電気メ
ッキ法によりＡｕ被覆を、次にインナーリード部に物理
的蒸着法によりＡｌ被覆を形成するもので、Ａｕ被覆よ
り前にＡｔ被覆を実施すると、Ａｕ被覆の前処理で既に
形成したＡｌ被覆が腐食される。
以下の実施例により本発明方法を詳細に説明する０
板厚０．１２５間の４２％Ｎ１−Ｗｅ金合金らなるリー
ドフレーム用基材をブレス打抜加工により所定の形状の
リードフレーム本体に形成した。このリードフレーム本
体のダイパット部及びアウターリード部以外をゴムマス
クで覆って、脱脂及び表面エツチング処理した後Ａｕを
連続的にメッキした。脱脂は６０Ｃの１０％ＮａＯＨ水
溶液に１６Ａｌａｍ で通電しながら３０ ｓｅｃ浸
漬保持することにより、また表面エツチング処理は室温
で１８％ＨＯ７に３０ｓｅｃ浸漬することにより実施し
た。Ａｕメッギは、ＫＡｕ（ＯＮ） ２１５ ｇｅ！及
びに２ＨＰ０．９０ ｇ／ｌの浴を使用し、電流密度Ｄ
Ｏ５Ａｌ ｄｍにて浴温度６ｏｃで２０ ｓｅｃ行な
い、ダイパット部及びアウターリード部の片面に膜厚２
μｍのＡｕ被覆を形成した。
ドフレーム用基材をブレス打抜加工により所定の形状の
リードフレーム本体に形成した。このリードフレーム本
体のダイパット部及びアウターリード部以外をゴムマス
クで覆って、脱脂及び表面エツチング処理した後Ａｕを
連続的にメッキした。脱脂は６０Ｃの１０％ＮａＯＨ水
溶液に１６Ａｌａｍ で通電しながら３０ ｓｅｃ浸
漬保持することにより、また表面エツチング処理は室温
で１８％ＨＯ７に３０ｓｅｃ浸漬することにより実施し
た。Ａｕメッギは、ＫＡｕ（ＯＮ） ２１５ ｇｅ！及
びに２ＨＰ０．９０ ｇ／ｌの浴を使用し、電流密度Ｄ
Ｏ５Ａｌ ｄｍにて浴温度６ｏｃで２０ ｓｅｃ行な
い、ダイパット部及びアウターリード部の片面に膜厚２
μｍのＡｕ被覆を形成した。
次に、リードフレーム本体を３ピース毎にカットし、板
厚０゜２５１ｔ１ｍの４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金マスクでイ
ンナーリード部以外を覆い、真空容器内において真空度
１０−’Ｔｏｒｒ及びブレヒー）１８０ｔ：”にて蒸着
を行ない、膜厚３．５μｍのＡｌ被覆を形成した。
厚０゜２５１ｔ１ｍの４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金マスクでイ
ンナーリード部以外を覆い、真空容器内において真空度
１０−’Ｔｏｒｒ及びブレヒー）１８０ｔ：”にて蒸着
を行ない、膜厚３．５μｍのＡｌ被覆を形成した。
得られたリードフレームは第１図及び第２図に示すよう
に、リードフレーム本体１のダイパット部にＡｕ被覆２
ａ、アウターリード部にＡｕ被覆２″０及びインナーリ
ード部にＡｌ被覆３が各々直接付着した構造を有してい
た。
に、リードフレーム本体１のダイパット部にＡｕ被覆２
ａ、アウターリード部にＡｕ被覆２″０及びインナーリ
ード部にＡｌ被覆３が各々直接付着した構造を有してい
た。
本発明によれば、従来の単一種の金属被覆を有するリー
ドフレームでは達成できなかったグイボンド及びワイヤ
ーボンド両方の安定化を達成でき、もって半導体装置の
信頼性を高めることのできる複数種の金属被覆を備えた
リードフレームを低コストにて提供することができる。
ドフレームでは達成できなかったグイボンド及びワイヤ
ーボンド両方の安定化を達成でき、もって半導体装置の
信頼性を高めることのできる複数種の金属被覆を備えた
リードフレームを低コストにて提供することができる。
第１図は本発明のリードフレーム（１ピース）の平面図
であり、第２図は第１図のＡ−Ａ線に沿った断面図であ
る。 １・・リードフレーム本体 ２・・Ａｕ Ｖ覆３・・Ａ
／被被 覆１図 第２図
であり、第２図は第１図のＡ−Ａ線に沿った断面図であ
る。 １・・リードフレーム本体 ２・・Ａｕ Ｖ覆３・・Ａ
／被被 覆１図 第２図
Claims (1)
- （１）鉄−ニッケル合金のリードフレーム本体のダイパ
ット部及び／またはアウターリード部以外を弾性体マス
クで覆つて湿式電気メッキ法によりダイパット部及び／
またはアウターリード部に直接Ａｕ被覆を形成し、その
後リードフレーム本体のインナーリード部以外をマスク
で覆つて物理的蒸着法によりインナーリード部にＡｌ被
膜を直接形成することを特徴とする半導体装置用リード
フレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29438285A JPS62154657A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29438285A JPS62154657A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62154657A true JPS62154657A (ja) | 1987-07-09 |
Family
ID=17806999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29438285A Pending JPS62154657A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62154657A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0874400A1 (en) * | 1997-04-21 | 1998-10-28 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1985
- 1985-12-26 JP JP29438285A patent/JPS62154657A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0874400A1 (en) * | 1997-04-21 | 1998-10-28 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US6084300A (en) * | 1997-04-21 | 2000-07-04 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Compact resin-sealed semiconductor device |
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