JPS601853A - 半導体用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体用リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS601853A JPS601853A JP10957283A JP10957283A JPS601853A JP S601853 A JPS601853 A JP S601853A JP 10957283 A JP10957283 A JP 10957283A JP 10957283 A JP10957283 A JP 10957283A JP S601853 A JPS601853 A JP S601853A
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- JP
- Japan
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- copper
- lead frame
- zinc
- leadframe
- alloy
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置を構成するに必要なリードフレーム
に関する。
に関する。
半導体用リードフレーム拐としては鉄系のコノζ−ル４
２合金、銅系のＳｎ入り鋼、鉄入り銅などの合金が一般
に使用されている。
２合金、銅系のＳｎ入り鋼、鉄入り銅などの合金が一般
に使用されている。
銅系の材料は強度と熱膨張率で鉄系材料に劣るが熱放散
の点で鉄系より優れた特徴を有する。近年、強度および
熱膨張率等の改善された銅系合金が開発されたこともあ
って、コスト低減の点でリードフレーム材料としての銅
合金の使用比率が鳥凍っている。
の点で鉄系より優れた特徴を有する。近年、強度および
熱膨張率等の改善された銅系合金が開発されたこともあ
って、コスト低減の点でリードフレーム材料としての銅
合金の使用比率が鳥凍っている。
リードフレーム材料としては物理的、機械的四質の他に
半導体組立の際のメッキ性能、半田付注あるいはプラス
チック材料との密着性なども重要である。即ち、半導体
装置を組立てる場合、例えば、Ｓｌ 素子をリードフレ
ームにろう接したり、ワイヤゼンデイングするのには３
５０℃を越える温度に加熱を行う必要がある。このため
、銅合金フレームには酸化皮膜が形成し、プラスチック
拐料との密着性が著しく低下してしまう。
半導体組立の際のメッキ性能、半田付注あるいはプラス
チック材料との密着性なども重要である。即ち、半導体
装置を組立てる場合、例えば、Ｓｌ 素子をリードフレ
ームにろう接したり、ワイヤゼンデイングするのには３
５０℃を越える温度に加熱を行う必要がある。このため
、銅合金フレームには酸化皮膜が形成し、プラスチック
拐料との密着性が著しく低下してしまう。
特に銅系リードフレームに対し部分的に銀メッキをする
場合には予め薄い銅メッキを行った後に銀メッキを行っ
てその密着性を改善するのが普通であるが、銅メッキ層
は大気中等の雰囲気中で加熱されると酸化し易く、厚い
酸化皮膜が形成する。
場合には予め薄い銅メッキを行った後に銀メッキを行っ
てその密着性を改善するのが普通であるが、銅メッキ層
は大気中等の雰囲気中で加熱されると酸化し易く、厚い
酸化皮膜が形成する。
そしてこの酸化皮膜が剥離する等して素材との密着性を
低下させそしてそのためにプラスチック封止した後の半
導体装置の耐湿性を大きく低下さ、せる原因をつくるこ
とはよく知られている。
低下させそしてそのためにプラスチック封止した後の半
導体装置の耐湿性を大きく低下さ、せる原因をつくるこ
とはよく知られている。
本発明の目的は銅系合金リードフレームの樹脂封止性を
大幅に改善した新しいリードフレームを提供することで
ある。
大幅に改善した新しいリードフレームを提供することで
ある。
本発明によれば銅系リードフレームの表面に銅と亜鉛を
主体とする合金メッキ層を設けた後に少くとも半導体ベ
レットを取り付ける部分に銀メッキ層を設けることによ
り上記目的を達成する。
主体とする合金メッキ層を設けた後に少くとも半導体ベ
レットを取り付ける部分に銀メッキ層を設けることによ
り上記目的を達成する。
以下好適な実施例にもとづき本発明を詳述する。
第１図は本発明に係る半導体装置の一例の形成に使用さ
れるリードフレーム１の平面図であり、このリードフレ
ームに対し線Ａ−Ａにおける断面を示す第２図および同
様であるが従来例を示す第３図に示すごとくに銅−亜鉛
合金メッキ層２または銅メッキ層４が与えられ、所要部
分にのみ銀メッキ層３が設けられる。第１図中５はＳｉ
素子のろう抜用のタブ部６は金線のワイヤダンディング
用のインナーリード部、７はアウタリード部を夫夫示し
ている。
れるリードフレーム１の平面図であり、このリードフレ
ームに対し線Ａ−Ａにおける断面を示す第２図および同
様であるが従来例を示す第３図に示すごとくに銅−亜鉛
合金メッキ層２または銅メッキ層４が与えられ、所要部
分にのみ銀メッキ層３が設けられる。第１図中５はＳｉ
素子のろう抜用のタブ部６は金線のワイヤダンディング
用のインナーリード部、７はアウタリード部を夫夫示し
ている。
銅合金からなるリードフレーム１０表面を脱脂、酸洗に
よって前処理した後、銅−亜鉛メッキ浴（シアン化亜鉛
、シアン化銅、シアン化すトリウム、ロッシェル塩より
なるメッキ浴）にて０２μｍのメッキ膜２を設ける。更
にＳｉ素子がろう接されルヘキタブ部５および全線がワ
イヤダンディングされるインナーリード部６に銀メッキ
３を５μｍの、厚さで設けて半導体用リードフレーム１
を形成した。（第２図）。
よって前処理した後、銅−亜鉛メッキ浴（シアン化亜鉛
、シアン化銅、シアン化すトリウム、ロッシェル塩より
なるメッキ浴）にて０２μｍのメッキ膜２を設ける。更
にＳｉ素子がろう接されルヘキタブ部５および全線がワ
イヤダンディングされるインナーリード部６に銀メッキ
３を５μｍの、厚さで設けて半導体用リードフレーム１
を形成した。（第２図）。
従来例として、第１図の銅合金リードフレーム１の表面
を脱脂、酸洗により前処理を行った後、銅ストライプ浴
（シアン化銅、シアン化ナトリウム、ロッシェル塩から
なるメッキ浴）にて銅メッキ層４を０．２μｍの厚さに
設け、更にタブ部５およびインナーリード部６に銀メッ
キ３を厚さ５μｍとして設けて第３図のリードフレーム
を形成した。
を脱脂、酸洗により前処理を行った後、銅ストライプ浴
（シアン化銅、シアン化ナトリウム、ロッシェル塩から
なるメッキ浴）にて銅メッキ層４を０．２μｍの厚さに
設け、更にタブ部５およびインナーリード部６に銀メッ
キ３を厚さ５μｍとして設けて第３図のリードフレーム
を形成した。
これらリードフレームヲｓｌペレートのろつ接および金
のワイヤダンディングに必要な高温を模して４００℃ま
で大気中で加熱し酸化を行った後に、それらの表面に形
成する酸化皮膜のその表面への密着性を調べた。その結
果を第１表に示す。銅表面に形成する酸化膜の密着性は
セロテープ等の粘着テープを酸化面に張り付け、剥離し
たとき酸化膜がテープ側に付着するか否かを、基漁とし
た。
のワイヤダンディングに必要な高温を模して４００℃ま
で大気中で加熱し酸化を行った後に、それらの表面に形
成する酸化皮膜のその表面への密着性を調べた。その結
果を第１表に示す。銅表面に形成する酸化膜の密着性は
セロテープ等の粘着テープを酸化面に張り付け、剥離し
たとき酸化膜がテープ側に付着するか否かを、基漁とし
た。
第１表
但し、表中の○は酸化皮膜付着がない場合、×はほとん
ど完全な付着を示している。
ど完全な付着を示している。
実施例２
実施例１と同様にして銅合金リードフレームの表面に銅
−亜鉛合金の組成が異るメッキ膜を形成した後、銀メッ
キを部分的に設けた半導体用リードフレームを形成した
。このように形成したリードフレームを実施例１と同様
な方法で酸化皮膜の密着性を調べた。結果を第２表に示
す。
−亜鉛合金の組成が異るメッキ膜を形成した後、銀メッ
キを部分的に設けた半導体用リードフレームを形成した
。このように形成したリードフレームを実施例１と同様
な方法で酸化皮膜の密着性を調べた。結果を第２表に示
す。
第２表
以上述べたように本発明によれば従来の銅ストライプメ
ッキと比較して大気中加熱等で表面に形成する酸化膜の
密着性が良好なリードフレームが得られる。従ってプラ
スチックで半導体を封止した場合のプラスチックとリー
ドフレームの封止性が完全なものとなシ、信頼１クユが
著しく向上する。
ッキと比較して大気中加熱等で表面に形成する酸化膜の
密着性が良好なリードフレームが得られる。従ってプラ
スチックで半導体を封止した場合のプラスチックとリー
ドフレームの封止性が完全なものとなシ、信頼１クユが
著しく向上する。
以上、銅と亜鉛の合金について述べたが、こ１１にＳｎ
、Ｉｎ、 Ｂｉそしてまたはｓｂ等を添加した合金につ
いても同様の効果が得られるものであり、これらの合金
も本発明の範囲内である。
、Ｉｎ、 Ｂｉそしてまたはｓｂ等を添加した合金につ
いても同様の効果が得られるものであり、これらの合金
も本発明の範囲内である。
第１図はリードフレームの一例の平面図、第２図は本発
明を適用した第１図のリードフレームの線Ａ−Ａにおけ
る断面図、第３図は従来のリードフレームの線Ａ−Ａに
おける同様の図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・銅−亜
鉛メッキ層、３・・・・・・銀メッキ層、４・・・・・
銅メッキ層、５・・・・・・タブ部、６・・・・・イン
ナーリード部、７・・・・・・アウタリード部。 晃 １ 閉 第 ２０ 第３ 図 Ａ
明を適用した第１図のリードフレームの線Ａ−Ａにおけ
る断面図、第３図は従来のリードフレームの線Ａ−Ａに
おける同様の図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・銅−亜
鉛メッキ層、３・・・・・・銀メッキ層、４・・・・・
銅メッキ層、５・・・・・・タブ部、６・・・・・イン
ナーリード部、７・・・・・・アウタリード部。 晃 １ 閉 第 ２０ 第３ 図 Ａ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、 銅または銅合金からなる半導体用リードフレーム
材の表面に銅と亜鉛を主体とする合金メッキ層を設けた
ととを特徴とする半導体用リードフレーム。 ２ 前記リードフレームの少くとも半導体ペレットを取
り付ける部分に銀被覆層を設けたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10957283A JPS601853A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10957283A JPS601853A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体用リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS601853A true JPS601853A (ja) | 1985-01-08 |
| JPH0519820B2 JPH0519820B2 (ja) | 1993-03-17 |
Family
ID=14513646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10957283A Granted JPS601853A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | 半導体用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS601853A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19640256A1 (de) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Dainippon Printing Co Ltd | Anschlußrahmen, Verfahren zur teilweisen Edelplattierung des Anschlußrahmens und Halbleitereinrichtung mit Anschlußrahmen |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1038081C2 (nl) | 2010-07-04 | 2012-01-09 | Hubertus Johannes Bernardus Schoeren | Samenstel van een vloer, een aantal spuitmonden en een regelsysteem voor het regelen van een hoeveelheid vloeistof die door de spuitmonden spuit. |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58181888A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 銀被覆材料とその製造方法 |
| JPS5976453A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-05-01 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体装置のリ−ド材用Ｃｕ合金クラツド材 |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP10957283A patent/JPS601853A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58181888A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 銀被覆材料とその製造方法 |
| JPS5976453A (ja) * | 1982-10-19 | 1984-05-01 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体装置のリ−ド材用Ｃｕ合金クラツド材 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19640256A1 (de) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Dainippon Printing Co Ltd | Anschlußrahmen, Verfahren zur teilweisen Edelplattierung des Anschlußrahmens und Halbleitereinrichtung mit Anschlußrahmen |
| US6034422A (en) * | 1995-09-29 | 2000-03-07 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame, method for partial noble plating of said lead frame and semiconductor device having said lead frame |
| DE19640256B4 (de) * | 1995-09-29 | 2004-04-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Anschlußrahmen, Verfahren zur Edelmetallplattierung des Anschlußrahmens und Halbleitereinrichtung mit Anschlußrahmen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0519820B2 (ja) | 1993-03-17 |
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