JPS6043851A - 被覆金属リ−ドフレ−ム基板 - Google Patents

被覆金属リ−ドフレ−ム基板

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JPS6043851A
JPS6043851A JP59154156A JP15415684A JPS6043851A JP S6043851 A JPS6043851 A JP S6043851A JP 59154156 A JP59154156 A JP 59154156A JP 15415684 A JP15415684 A JP 15415684A JP S6043851 A JPS6043851 A JP S6043851A
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JP
Japan
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substrate
composite structure
nickel
coating
lead frame
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JP59154156A
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English (en)
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シエルドン　エツチ．バツト
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Olin Corp
Original Assignee
Olin Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は広範囲に適用されるものであるが、とシわけ集
積回路アへセングリのリードフレームとして用いるのに
適する。
〈従来技術とその問題点〉 多くの電子装置において、シリコンチップに形成、され
た半導体集積回路を含むパッケージが用いられている。
それらの寿命予測を増長させるべく回路を気密封止する
ことがしばしば所望される。
電子工学産業では現在気密封止が要求される際にはセラ
ミック・デュアル・インライン集積回路パッケージ（０
ＥＲＤ工Ｐ）が用いられている。これらのパッケージは
集積回路チップに取シ付けられたリードフレームの各々
の側に酸化アルミニウムーセラミック基板とカバーを配
置し、−緒にガラスで封止することによ多構成される。
これらの従来の０ＥＲＤ工Ｐパツケージの製造は概して
同じ工程順序に従う。まず適当なガラスがシルクスクリ
ーン法のような何らかの望ましい技術ルミニウム−セラ
ミック基板に付着する均質なガラ２層にする。このガラ
ス付加工程とは別個にもしくはそれと同時に、リードフ
レームが部分的にガラス層内に埋め込まれる。次に、金
−シリコンのろうづけ（ｅｕｔｅｃｔｉｃ　ｂｒａｚｉ
ｎｇ　）、リードベースのはんだづけ、ガラス融着、も
しくは高温接着剤の付加を含む何らかの従来技術によっ
て、半導体チップが基板表面に取し付けられる。次にこ
のチップとリードフレームを連結すべく、アルミニウム
リード線が半導体チップ上に設けられたアルミニウム固
着バンドとリードフレームとに超音波で接着される。最
後に、基板と同様にガラス層の付着された酸化アルミニ
ウムーセラミックカバーが基板とリードフレーム上に取
シ付けられる。最後にガラスを融解させて気密封止を形
成すべくこのアへセンブリ全体が加熱される。これに代
わるＯ　ＥＲＤ工Ｐパッケージではパッドが組み込まれ
ているリードフレームを用いる。チップは例えば、はん
だのような何らかの適当な取シ付は手段を用いてリード
フレームに取り伺けられる。次にチップ上の接着バッド
とリードフレームの間にリード線が連結される。上薬か
けされたセラミック基板と上薬かけされたセラミックカ
バーがリードフレームの各々の側に同時に配置され、ガ
ラスと一絽に溶融させられる。次にチップが基板と、ア
ルミナ基板に先述の０ＥＲＤ工Ｐパツケージに関して記
述した如くに収り付けられたカバーとのｔｕ」の空間に
つるきれる。
この０Ｅ４ｊＤ工Ｐパツケージの基本設計は以下のよう
な幾つかの因子にょ多制御される。基板とカバーを形成
するのに用いられる酸化アルミニウムーセラミック材料
は比較的低い熱膨張率を有する。
実質的により高い熱膨張率を有する金属リードフレーム
がセラミックに接着されると、その結果中じる熱膨張率
の不整合が広範な動作温度領域に接する場合に応力破壊
が生じ得る。この問題は酸化アルミニウムーセラミック
と相対的に近い熱膨張率を有する鉄−ニッケル合金から
成るリードフレームを設計することによ９部分的に回避
される。
この方法はリードフレームとまわシのセラミックとの間
での応力破壊を確かに有効に低減させる。
しかしながらそれは克服すべき幾つかの付加的な問題を
も生じさせる。
チップとリードフレームとの間のリード線が半導体チッ
プ上のアルミニウム金属部分またはバッドとリードフレ
ームの両方に迅速かつ容易に接着されることが好ましい
。プラステソクバソケージでは通例金線がその迅速な接
着速度の故に用いられる。しかしながら、ガラス封止に
要求される約４００℃ないし４５０℃の封止温度では急
速に金−アルミニウムリード線が形成される。温度を２
００℃位まで下げられたとしても、金−アルミニウム　
金属間化合物が形成され、脆い接合においてＣＩ’ＲＤ
　工ｐ破損の高い危険性を生じる。
エレクトロニクス産業ではアルミニウムリード線をチッ
プ上のアルミニウム金属化パッドとリードフレームにボ
ンディングすることによシこの問題を克服してきた。残
念ながら超音波ボンディングは概してアルミニウムリー
ド線をチップとリードフレームに取シ付けるのに長い処
理時間を要する。この時間因子の故にアルミニウム線を
用いる方が金線を用いるよ〕高価なものになっている。
ニッケルー鉄ベース合金の使用におけるもう１つの考慮
すべき問題は、アルミニウムリード線を接着できるアル
ミニウムパッドをこの合金上に配置する必要性である。
エレクトロニクス産業では、アルミニウムリード線がボ
ンディングされるべきニッケルー鉄合金心の少なくとも
１つの表面上に１本のアルミ；ラム・条片を設ける。こ
の条片は蒸着もしくは被覆によシ作成される。アルミニ
ウム条片付きニッケルー鉄合金の１つの重大な欠点は、
ニッケルー鉄合金を焼き戻して軟化させるのに要求され
る温度でアルミニウム条片が溶けることである。また、
ニッケルー鉄のコアが許容し得る冷間加工の量太量はそ
の後にリードフレーム破砕させずに形成もしくは屈曲さ
せる必要性により制限される。この問題は、　０ＥＲＤ
工Ｐリードフレームを最終的には圧延方向に平行な軸に
沿って屈曲させる、という処理の必要性によって事実上
悪化させられる。その結果冷間加工公差としてはニッケ
ルー鉄合金へのアルミニウム固着を最終的な厚さ、即ち
約、２５　ｍｍ’（、’０１０　ｍ　）を幾らか上回る
程度だけ行ない、またアルミニウム送りストックを非常
に薄く即ち、０２５鮨（，００１１ｎ、）以下にするこ
とが要求され、それが処理上の問題を生じる。アルミニ
ウム学片付きニッケル−鉄合金のもう１つの欠点は、ガ
ラス封止温度にさらされたリードフレームのこれら裸の
ニッケル−鉄合金部分に軟ろうを付加する際の困難性で
ある。従って完成した〇　ＦｉＲＤ工Ｐパソケーゾ装置
を印刷配線板に取シ付けるのが困難である。
従来、被覆材料の熱膨張率を調整すべく鉄−ニッケル合
金を銅で被覆すると込う着想が印刷配線板に適用され、
またアルミナ基板のだめのヒートシンク、フレームおよ
び゛カバーとしての利用が提案されてきた。これらの着
想は１９８１年オハイオ州　クリープランドにお゛ける
国際エレクトロニクス・パソケーシング学会（ｔｈｅ工
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｐ
ａｃｋａｇｉｎｇ　５ｏｃｉｅｔｙ　）の第１回年次会
議でＤａｎｃｅとＷａｌｌａｃｅにより発売された「セ
ラミック　チップ担体直接取如付は用被榎金属配線板基
板Ｊ　（”　Ｃ１ａｄ　Ｍｅｔａｌ　Ｃ１ｒｃｕｉｔ　
ＢｏａｒｄＳｕｂｓｔｒａｔｅｓ　ｆｏｒ　Ｄｉｒｅｃ
ｔ　Ｍｏｕｎｔｉｎｇ　ｏｆ　ＣｅＴａｍ１ｃｃｈｉｐ
　Ｃａｒｒｉｅｒｓ　”　）と題する論文に記述されて
いる。またＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｆａｇｇｉｎｇ　ａ
ｎｄ　Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎの１９８１年６月号第１９
ページないし第１０４ページ記載のＬａ５ｓｅｎによる
「リードレステップ担体相互接続用金属コア基板のオリ
用」（“ｕｓｅｏｆ　Ｍｅｔａｌ　Ｃｈｏｒｅ　５ｕｂ
ｓｔｒａｔｅｓ　ｆｏｒ　Ｌｅａｄｌｅｓｓ　（！ｈｉ
ｐＣ！ａｒｒｉｅｒ工ｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ”
）と題する論文は金属コア基板における最新技術を論じ
ている。
リードフレームをリード導体と、鉄または（および）コ
バルトを含む例えばＫｏｖａｒのようなニッケル合金お
よびシん青銅、赤銅、べＩＪ　ＩＪウム銅、銀銅、白銅
を含む銅合金から成る他の電気的構成部分とから形成す
ることが提案されている。
５ｈｉｂａｔａによる米国特許第５．５６８，３０１号
、Ｈａｐｐ等による米国特許第３．６８４，４６４号、
００Ｘジユニア等による米国特許第６．６８９，６８４
号、０１ｙｐｈａｎｔジユニア等による米国特許第３，
８３２，７６９号、Ｍａｒｔｉｎ等による米国特許第３
，９９９，９５５号、Ａｒ１ｔａ等による米国特許第４
，３３７，０８９号、およびＫａｕｆｆｍａｎによるカ
ナダ特許第９１３，８１２号がこれらの電気的構成部分
として用いられている様々な材料を例示している。
〈発明の課題（効果）・構成的特徴〉 本発明の１つの根本的な課題は実質的な熱循環を許容し
得る集積回路ア＼センブリ用リードフレームを提供する
ことである。
本発明の１つの利点は金属リードフレームとセラミック
基板およびカバーの間での熱循環による応力形成を実質
的に低減する電気技術用集積回路アセンブリを提供する
ことである。
本発明のもう１つの利点はより良い熱消散を与える電気
技術用集積回路アセンブリを提供することである。
本発明のさらに１つの利点は比較的安価に製造される電
気技術用集積回路アセンブリを提供することである。
それにより１つの電気技術用集積回路アセンブリが提供
される。本発明によるアセンブリは複合構造から形成さ
れたリードフレームを含む。この複合構造はニッケルー
鉄合金で形成された基板な含む。被覆がこの基板の向が
い合う面に接着される。この被覆は本質的に約１５％な
いし７０％のニッケル＼と、本質的に銅であるバランス
から成る。本発明による集積回路アセンシリの第２の実
施例もまた、複合構造から形成されるリードフレーム罠
関する。この複合構造はニッケルー鉄合金会合で形成さ
れた基板を含む。比較的高い導電率および熱伝導度を持
つリードフレームを提供すべく１つの被覆材料が基板の
向かい合う面に接着される。リードフレームが約１．３
Ｘ１０’關／ｍｒａ／’Ｃ（５０Ｘ　１０”−７ｉｔＬ
／ｉｎ／℃）から約２．５　ｘ　１０−’ｍｍ／朋／℃
（１００ｘ　１０−７＋ｎ、／　ｉｎ、／℃）の間の熱
膨張率を持つように第２の被覆胴材が第１の被覆の向か
い合う面に接着される。アルミニウムリード線に対する
リードフレームの接着能力を高めるために第６のアルミ
ニウム被覆が第２の被覆の向かい合う面に接着される。
〈発明の具体的構成（作用）・実施例〉次に本発明とそ
のさらなる新事実を添付図面に示される好適々実施例に
よって説明する。
第１図を参照すると、熱膨張率が比較的低いことを特徴
とする複合構造１０が例示されている。
この複合はニッケルー鉄合金で形成された基板１２を含
む。被覆１４と１６は基板１２の向かい合う面１８と２
０に接着される。−この被覆は約１５％ないし７０チの
ニッケルと本質的に銅であるバランスから成る合金であ
る。本複合構造は約６０℃ないし約４５０℃の温度領域
で約１．３×１０’ｍｍ／朋／℃’（５０ｘ　１０−７
仇／仇／℃）から約２．５　Ｘ　１０−’ｍｍ１ｍｒｎ
／℃（１００Ｘ　１０−７ｉａ／ｉｎ、　／　’Ｃ）の
間の熱膨張率を有する。
複合構造１００基板１２はニッケルー鉄合金であって、
電子工学産業におりて０ＥＲＤＩＰパツケージ用リード
フレーム材料として特に役立つことが判っている。この
鉄−ニッケル合金は卓越した機械的特性を呈し、それら
には高い降伏強度と引張り強さ、高い弾性係数および卓
越した伸長特性が含まれる。この合金の配合はニッケル
と本質的に鉄であるバランスが約６５％ないし約４５％
の範囲にあることが好ましい。これらの合金の熱膨張率
は約１．８　Ｘ　１０−’　ｒｒｖａ／ｍｕ／℃（７１
Ｘ　１０−７１ｉｎ、　／　℃）以下である。例えば約
６０℃ないし約４５０℃の温度領域で、一般に工ＩＪＶ
ＡＲと呼ばれる６６ニツケルー６４鉄は約０訴ｍ／韻／
℃（０池／ｓｎ　／　’Ｃ）の熱膨張率を有し、一方４
２ニッケル合金として公知の４２ニツケルー５８鉄は約
１．８×１０−’　ｍｎ／ｍｍ／°Ｇ　（７１ｘ　１０
−’　＝／＝／’Ｃ）の熱膨張率を有する。これよｐ上
の温度では、合金の相転移が生じるので、リードフレー
ム材料として（３ＥＲＤＩＰパツケージ内に組み込むこ
とが不適当となる。ニッケルー鉄合金は本発明において
主要な興味の対象ではあるが、より広い温度領域で自ら
の熱膨張率を保つ鉄−ニツケルーコバルト合金のような
他の合金から基板１２を形成することも本発明の範囲内
である。この種の合金で最もひんばんに用いられるのは
ニッケル２９％、コバルト７０％でバランスが本質的に
鉄であるものでわるう後者の配合は約６０℃ないし約４
５０℃の温度領域で約１．６　Ｘ　１０−’＋＋＋ｍ／
　ｍｒｎ／　℃（５３Ｘ　１０−７＋ｎ、／Ｉｎ、　／
　℃）という熱膨張率を有する。上述の理由によシ、こ
の範囲の熱膨張率を有する合金は高温庭循環にさらされ
るとしばしばＣＥＲＤ工Ｐパッケージの破損原因にガる
。破損の原因は基板金ｊ＾とガラス封止または（および
）アルミナベースおよびカバーの間での熱膨張率の不整
合である。また、上述のように典型的なアルミニウム条
片付きニッケルー鉄リードフレームは最小量の焼き戻し
および冷間加工を耐容し得るのみである。
これらの問題を克服すべく、被覆１４と１６が基板１２
の向かい合う面１８と２０に各々接着される。この被覆
は本質的に約１５チないし約７０係のニッケルと本質的
に銅であるバランスから成る合金である。この合金のよ
シ好ましい範囲は約１５係ないし約４０％のニッケルと
本質的に銅であるバランスである。この合金の最も好ま
しい範囲は約２０％ないし約６０俤のニッケルと本質的
に銅であるバランスである。これらの合金には、ニッケ
ル添加の役割シを妨げずまた他の好ましい特性に不利な
影響を与えないようであれば１つまたはそれ以上の添加
元素が存在してもよい。添加し得る元素には亜鉛、マン
ガン、鉄、すす、クロムやモリブデンが含まれる。これ
らの元素は以下のレベル内で存在し得る。即ち亜鉛は約
２５チまで、マンガンは約６％まで、鉄は約１条まで、
すすは約１％まで、クロムは約６％まで、またモリブデ
ンは約２％までであろうこれらの元素は銅−アルミニウ
ム　金属１￥Ｊ」化合物の形成にきらに抵抗するように
選択することもできる。ここで用いる際記述される百分
率は重量百分率である。
この銅−ニッケルー鉄は銅−アルミニウム　金属間化合
物の成長を遅らせるというその能力の故に本発明に好都
合である。本発明に関して提示される適用においては、
銅−アルミニウム　金属間化合物が実在するとアルミニ
ウムリード線とリードフレームの間に脆い接着を生じ、
ついにはエレクトロニクス・パッケージの破壊を引き起
こす。
本発明によれば、これらの合金の熱膨張車は約６０℃・
ないし４５００Ｇの温度領域で約３．８　ｘ　１０　”
ｍｒｎ／ｍｍ／’Ｃ（１５０Ｘ　Ｉ　Ｄ−７１ｎ、／ｌ
ｒｔ／’Ｃ）ないし４．３　Ｘ　１０−３ｍｍ／ｍａ／
℃（１７０Ｘ　１０　’＝／４ｒＬ／℃）の範囲にある
。結果的な複合構造の熱膨張係数が約６０℃ないし約４
５０℃の温度領域で１．３　Ｘ　１０−’　ｍｍ／　ｍ
ｒｔｔ／　℃（５０Ｘ　１０−７４ｒＬ／ｉｎ、／Ｃ：
）ないし２．５　Ｘ　１０″−４ｍｒｎ／ｍｒｎ／℃（
１０Ｕ　Ｘ　Ｉ　Ｃ１−７Ｉｎ、　／　ＩＩＬ／　℃）
の間になるように被覆が基板上に伺加される。これを成
し遂げるために、被覆１４と１６の各層は複合構造全体
の厚芒の約５％ないし２０％を含み得る。複合金属薄片
材料が集積回路アッセンブリ内でリードフレームのよう
に用いられる際、その材料は約、２５ｍｍ（、０１０１
１１，）の厚さを持つことができる。しかしながら本発
明では複合物に所望されるいかなる厚さでも持たせるこ
とができる。本発明の好ましい実施例では被覆の厚さが
基板のもつ所望の熱膨張係数に依存する。
例えば、基板が工ＮＶＡＦｔで形成されているなら、基
板が４２ニツケルを用いて形成される場合よシ被覆は厚
くなるう各々の被覆層は熱循環中の恒温偏移（ｔｈｅｒ
ｍｏｓｔａｔｉｃ　ｄｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　）　ｆ防ぐ
べく実質的に同じ厚さでなければならない。被覆は何ら
かの従来技術、例えば米国特許第６・６８１・６６４号
に開示されているような接層原理を用いてほどこすこと
ができる。この接層はかなシ厚さがある基板と被＆を用
いて行なうことができ、それに続いて圧延と所望の硬度
を得るだめの熱処理が行な、われる。一般に、焼き戻し
または熱処理の温度は約８５０℃ないし約１０００℃の
同である。ニッケルー銅の溶融温度は約１１７０℃でめ
シまたニッケルー鉄の溶融温度は約１４５０℃なので、
複合構造を焼き戻す際には同ら特別な処理上の問題がな
い。それに反し、この焼き戻しは従来のアルミニウム条
片付きニッケルー鉄合金に対して行なうことはできない
。なぜならアルミニウムの有する溶融温度は約６００℃
だからである。複合６ｑ造１０は第６図に示される型の
集積回路アッセンブリ２２に組み込む、場合卆会特に有
効である。この回路アセンシリは、複合構造１０によ多
形成され第２図に示されるような何らかの従来形状から
成シ得るリードフレーム２４を含むことができる。
このリードフレームの特定な設計は本発明の倫成要素で
はない。第２図に示されるリードフレーム形状は支持レ
ール２６と２８およびサイドパー３０１！＝３２を含む
。リードフレームが図では０ＥＲＤｉＰパツケージとし
て例示されている集積回路アセンブリ２２内に封止され
た後、このレールとサイドパーは以下に記述するように
して除去さｎる。
集積回路アセンブリ２２は、酸化アルミニウム−セラミ
ック基板３４と酸化アルミニウムーセラミックカバー３
６を含む従来型（！ＥＲＤＩＰパッケージであることが
好ましい。集積回路チップ４０を囲まれた空間４２内に
気密封止するようにガラスまたはセラミック３８が基板
３４をカバー３６に固着するっこのガラスまたはセラミ
ックは低い溶融温度を有しかつ約６０℃ないし約４５０
　’Ｃの温度領域で約１．３　ｘ　１０”−’　ｍｎ／
ｍｒｎ／’Ｃ（５０Ｘ　１０−〒Ｉｎ、／ＩｒＬ／℃）
ないし約２．５　Ｘ　１０−’　ｍｍ／　ｙｎ／　’Ｃ
（１００ｘ　１０−７ｓｎ、／　＋ｆＬ／　℃）の範囲
の熱膨張率を有することが好ましいっよシ詳しくは、こ
、のガラスは約６５０℃ないし約４６０　℃の範囲の溶
融温度を有する低溶融温度酸化鉛ベースのガラスである
。個別の適用に対し必要に応じて熱膨張率を調整するた
めにこのガラスに添加物を含めることもできる。表■に
は本発明に従って用いるべく適合させたガラスの様々な
例が載っている。
〔表■〕
ガラスの種類　熱膨張率　封止温度 ０ｖｒｅｎｓ−１１１ｉｎｏｉｓ　Ｃｏｒｐ、”　７３
　Ｘ　１０−７４５５°ＣＡ　５　Ｇ　−９５ Ｏｗｅｎｓ−工１１ｉｎｏｉｓ　Ｃｏｒｐ、１　７　４
　Ｘ　１　０−７４　３　０　’ＣＡＸＳ１−１１９０ １　オハイオ州　トレド（Ｔｏｉｅｄ　）のＯｗｅｎｓ
−工１ｌｉｎｏｉｓ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎに製造さ
れた特許配合 第６図に例示される型の０ＥＲＤ工Ｐパツケージ２２を
作製する際、第２図に例示される型のリードフレームや
プラスチック２線パツケージで一般に用いられるものに
類似したものが組み込まれる。
第１に、リードフレーム２４が複合構造１０に関する記
述に従う材料から成る複合構造から形成される。チップ
４０は金−シリコン共晶硬ろう付け、鉛ベース軟ろう付
け、ガラス溶着、または高温接着剤添加のような従来の
ボンディング手段を用いてパッド４４に取シ付けられる
。次にチップ４０上の（普通はアルミニウムになってい
る）ボンディング・パッド４６がリード線５０によシ適
当なリード先端４８に接続される。このリード線はアル
ミニウム線であることが好ましく、また超音波ボンディ
ングのような従来゛の技術を用いてパッド４６と最上層
５１に固着することができる。次に上述の型のセラミッ
クまたはガラスの構成部分３８がセラミック基板とセラ
ミックカバー３６の間に配置され、適当に溶解される。
このガラスの溶融温度が相対的に低く、またパッケージ
のさらされる時間が約４００℃において１０分以下であ
シ好ましくは８分以下と比較的短いので、集積回路チッ
プは不利な影響を受けずまたアルミニウムと銅−二ソケ
ルベース被覆の間で形成される金属間化合物は固着作用
を退化させるに十分ではない。
第６図に例示されるパッケージの熱消散特性は第４図に
示される型の従来型０ＥＲＤ工Ｐパツケージに対して幾
らか劣っている。これはそのチップが適度な導電性のあ
るアルミナ基板に取り付けられるよりもむしろ空間中に
係留されているからである。ある特定の装置や適用につ
いては、実質的な熱消散が要求されないので、このパッ
ケージの熱消散特性が全く容認され得る。第６図に示さ
れるような型のパッケージの主要な利点は第４図のもつ
と従来的なＣＥＲＤＩＰパッケージに必要な処理工程数
に比して処理工程が低減されることである。
処理工程が低減されると、製造コストのかなりな低下を
もたらすことになる。
本発明即ち、アルミニウム条縁付きニッケルー鉄合金リ
ードフレームを伴う第６図のパッケージ以前には、まず
リードフレームのチップが接着される区域からアルミニ
ウム被覆を除去する必要があった。この工程はアルミニ
ウムに災際に軟ろう付けまたは硬ろう付けすることがで
きないか故に必要でめった。次にチップを定位置に軟ろ
う付けもしくは硬ろう付けすべくこの区域を銀や金のよ
うな金属で電気めっきする必要があった。なぜならニッ
ケルー鉄の軟ろう付は能力ですら不十分だからである。
これらの処理はどちらも比較的費用がかかシそれらのコ
ストがこのパンケージの広範な利用を一般に抑制してい
る。ニッケルー鉄合金の銅１ニッケル合金被覆は本発明
によシ教示されるように、銅−ニッケル自体が軟ろう付
は可能であるために、チップが固着されるべき区域で被
覆を除去したシあるいはめつきしたシする必要をなくす
。
本発明は工′ツテングおよびめっきのコストを除去し、
かつパッケージ２２の処理工程数も第４図のパッケージ
５２のそれより少なくするので、第６図に示されるパッ
ケージ−２２の最終的なコストは第４図に示す在来的ｉ
　Ｃ！ＥＲＤ工Ｐパッケージ５２のそれよシ低くなる。
従って熱的要求がその使用を許す場合には、本パッケー
ジが在来型の０ＫＲＤＩＰに対し効果的に取って代わる
ものとなる。
より従来的な０ＥＲＤ工Ｐパツケージが第４図に例示さ
れている。第６図に並ぶ素子と実質的に同じ素子の参照
付号は変えないままである。０ＥＲＤ工Ｐパツケージ５
２は酸化アルミニウムーセラミック基板３４とカバー３
６を含む。ガラス複たはセラミック３８がカバーに基板
を封止する。本発明において記述されるように独自の複
合構造によ如形成された従来型リードフレーム５３がリ
ード線５０によシチツプ４０に接続される。０ＫＨＤＩ
Ｐパツケージ５２を作製する際、シルクスクリーン法の
ような何らかの従来技術によってガラスまたはセラミッ
ク３８が酸化アルミニウムーセラミック基板３４に付加
される。次に、このガラスが融解されてセラミック基板
に接着可能な均質のガラス層となる。ガラス融解工程と
は別個にもしくは同時に、リードフレーム５３の一部が
このガラス層内に埋め込まれる。次に、金−シリコン共
晶硬ろう付け、鉛ベースはんだ付け、ガラヌ溶庸もしく
は高温接着剤の付加等の何らかの従来的処理技術によっ
て半導体チップ４０が基板表面に取９付けられる。次に
チップとリードフレームを電気的に連結するためにアル
ミニウムリード線がチップ４０上のボンディング・パン
１Ｆ４６とリードフレームの先端４８に超音波で固着さ
れる。基板３４に関して記述したように、その上に溶解
されたガラス層３８を有するカバー３６が次に基板よシ
上に配置され、２つのガラス層を共に融解してチップ４
０をパッケージ５２内に気密封止するために加熱される
う 第５図を参照すると、熱膨張率が比較的低くまた熱伝導
率が相対的に高いことを特徴とする複合構造６０が例示
されている。この複合構造は第１図の複合構造１０に類
似しているので、同一の素子はダッシュ付きの符号で示
されている。この複合構造は先述の複合構造１０に関し
て記述された型のニッケルー鉄合金である基板１２′を
含む。
被覆層６２と６４は基板１２′の向かい合う面１８′と
２０′に固着される。この被覆層は銅または銅合金であ
って約（１１６Ｂ、Ｔ、Ｕ、／　ｆｔ２／ｆｔ／ｈｒ　
／　’Ｆ　）ないし約（２２６ｓ、ｒ、Ｕ、／　ｆｔ２
／ｆｔ／ｈｒ／’Ｆ　）の間の伝導度を有し、またそれ
が約（１７２Ｂ、Ｔ、Ｕ、／ｆｔ２／ｆｔ／ｈｒ１０Ｆ
）ないし約（２２６Ｂ、Ｔ、Ｕ、／　ｆｔ２／　ｆｔ　
／ｈｒ　／’ｌ”　）の範囲にあることが好ましい。
これらの銅または銅合金は例えばＣＤＡ　１９４やＣＤ
Ａ　１５１であって高い伝導度を持つが、複合構造１０
の銅−ニッケル合金被覆よ＃）強さが劣る。
従って被覆層１４′と１６′は被覆層６２と６４の表面
６６と６８に各々固着される。これらの外側被覆１４′
と１６′は複合構造１０の被覆１４と１６に本質的に等
しく、本質的に約２０チないし７０チのニッケルと本質
的に銅である／ぐランスから成る。この被覆の厚さは複
合構造６０が約３０℃ないし約４５０℃の温度領域で１
．３　Ｘ　１０−’ｍｍ／ｍ／’Ｃ（５０Ｘ　１０−７
Ｉｎ、／　１１１．／’Ｃ；　）から約２．５　Ｘ　１
０−’ｍｍ／ｍｍ／’Ｃ（１００Ｘ　１０−７ｉｎ、／
ｉｎ、／℃）の間の熱膨張率を有しまた約（３０Ｂ、Ｔ
、Ｕ、／ｆｔ２／　ｆｔ　／　ｈｒ　／　’［”　）な
いし約（７５Ｂ、Ｔ、Ｕ、／ｆ　ｔ”　／　ｆ　ｔ　／
　ｈｒ　／〒）の間の熱伝導度を持つように定めちれる
。
被覆層６２，６４．１４’と１６′は米国特許第３．３
８１．３６４号の接着原理のような伺らカ・の従来技術
を用いて付加される。銅−ニッケル合金被覆１４′と１
６′の各層は複合構造全体の厚さの約５％ないし約１０
チを成し、また銅または銅合金被覆の各層６２と６４は
複合構造全体の厚さの約２０係ないし約４０条を成す。
これらの層の厚さが高い熱膨張率を持つ複合構造をもた
らすなら、所望の熱膨張率を持つ複合構造を得るために
６６二ノケルー５４鉄のよりなよシ膨張性の低い材料を
基板１２′に用いることができる。１つの特定材料の被
覆層は温度循環中の恒温偏移を防ぐため実質的に等しい
厚さでなければならない。例えば、被覆層６２と６４の
厚さが実質的に等しくまた被覆１４′と１６′の厚さが
実質的に等しくなければならない。
複合構造６０は、第６図と第４図に示される型の集積回
路アセンシリ内にリードフレームとして組み込まれる場
合に特に有効である。薄片複合構造６０はリードフレー
ムとしていかなる所望の形状にも形成可能であシ、第６
図と第４図の各リードフレーム２４や５３の代ゎシに置
くことができる。被覆層６２．！：６４は回路アセング
リ２２や５２の内側から大気もしくは接続されたヒート
シンク（図には示されていない）に向かう熱消散のため
に高熱伝導路を与える。
第６図を参照すると、これも熱膨張率が比較的低いこと
と熱伝導度が相、対的に高いことを特徴とする複合構造
７０が例示されている。複合構造７０は第１図と第５図
の各複合構造１０と６０に類似しているので、類似の構
成部分は２重ダッシュ付き何カで示されでいる。複合構
造７０はニッケルー鉄合金で形成された基板１２″を含
む。被覆層６２“と６４″が基板１２″の面１８″と２
０“に固着される。層６２“と６４″は上によシ詳しく
記述したように約（１１３Ｂ、Ｔ、ｕ、／ｆｔ”／ｉ：
ｔ　／　ｈｒ　／　Ｆ）ないし約（２２６Ｂ、Ｔ、Ｕ、
／　ｆｔ２／ｆｔ／ｈｒ／’Ｆ　）の熱伝導率を持つ銅
または銅合金によ多形成される。第２の被覆層１４″と
１６“は本質的に約２［］％ないし約７０％のニッケル
と本質的に銅であるバランスから成り、第１の被積層６
２″と６４″の向かい合う面６６″と６８“に各々接着
される。これは本Ｍ台構造が約６０℃ない１〜約４５０
℃の温度領域で約１．６ｘ１（Ｊ’／朋／朋／℃（５０
ｘ　１０−７Ｉｎ、／ｈｚ／℃）ないし２．５　ｘ　１
０−’ｍｍ／ｍｎ／℃（１００Ｘ　１０−７ｉｎ、／ｉ
ｎ、／℃）の範囲の熱膨張率ヲ持ちカつ約（３０Ｂ、Ｔ
、Ｕ、／　ｆｔ２／ｆｔ／ｈｒ　／　’Ｆ　）ないし約
（７５Ｂ、Ｔ、Ｕ、／　ｆｔ２／ｆｔ　／ｈｒ　１０Ｆ
　）の熱伝導度を持つことを保証するためである。
次に、第３の被覆層７２と７４が第２の被覆層１４“と
１６“の向かｂ合う面７６と７８に各々接着される。こ
の第６の被覆層はアルミニウムまたはアルミニウム合金
にょ多形成され、以下に記述されるような特定の適用に
おいては、その表面上へのアルミニウム線のワイヤー・
ボンディングを促進し得る。概して被覆７２と７４はア
ルミニウム箔から成るっ 被覆層６２″、６４“、１４“、１６“、７２と７４は
、先述の米国特許第３．３　ａ　１；３６４号によるボ
ンディング手順のような任意従来技術を用いることによ
って固層形成することができる。銅−ニッケルー鉄の各
被覆層１４″と１６“は複合構造全体の厚さの約５％な
いし１０％を成すようにできる。銅または銅合金の各被
覆層６２“と６４″は複合構造全体の厚さの約２０％な
いＬ４０％を成すようにできる。さらに、アルミニウム
またはアルミニウム合金の各被覆層７２と７４は複合構
造全体の厚さの約１％ないし約６俤を成すようにできる
っこれらの層の厚さが高い熱膨張率を有する複合構造を
もたらすのであれば、所望の熱膨　。
張車を持つ複合構造を得るために６６二ツケルー５４鉄
のよりなよシ膨張性の低い材料を基板１２“に用いるこ
とができる。各特定材料の被覆層は温度循環中の恒温偏
移を防止するために実質的に同じ厚さでなければならな
い。例えば、被覆層６２″と６４“の厚さが実質的に等
しくまた被覆層１４″と１６“の厚さが実質的に等しく
なければならない。最後に、被覆層１２と１４の厚さも
また実質的に等しくなければならない。
複合構造７０は、第６図や第４図に示される型の集積回
路アセンシリ内に組み込む場合に特に有効である。本複
合構造は第２図に例示される設計のような任意の従来形
状を有するリードフレーム２４や５３として形成するこ
とができる。
複合構造７０によ多形成されたリードフレームと結合さ
れた集積回路は一般に用いられるニッケルー鉄合金の比
較的に劣った軟ろう付は可能性を向上させ、またそれに
伴って熱伝導度と導電率を共に向上させるために特に有
効である。例えば第４図を参照すると、アルミニウムリ
ード線５０は超音波ボンディング６ような技術を用いて
アルミニウム被覆層７２や７４に好都合に固着すること
ができる。それと共に、リードフレームが約６０℃ない
し４５０℃の温度領域で約１．３　Ｘ　１０−４朋／ｍ
ｍ／’Ｃ（５０Ｘ　１０　’油／仇／℃）から約２．５
×１０−’　ｍｍ／ｍｍ７℃（１００Ｘ　１０−’　ｉ
ｎ、／ｍ／°Ｃ）の間の熱膨張率を有し、また、約（３
Ｑ　Ｅ、Ｔ、Ｕ、／ｆｔ２７　ｆｔ　／　ｈｒ　／　’
Ｆ　）ないし約（７５Ｅ、Ｔ、Ｕ、／　ｆｔ”　／ｆｔ
　／ｈｒ　／　’Ｆ　）の間の熱伝導率を有する。この
熱膨張率によってり−ｒフレーム、アルミナカバーとベ
ースそれにガラスまたはセラミックの封止の間での熱膨
張率不整合にもとづく応力破壊が防止される。この熱伝
導度がパッケージ内に生じる熱を消散きせる。リードフ
レームの先端はパッケージの外部にあって一般に例えば
印刷配線板のような何か他の装置に軟ろう付けされる。
外側のアルミニウム被覆は軟ろう付けが容易でないので
、パッケージ外部のアルミニウム被覆は除去すると好都
合である。これは被覆のうち保持することが所望される
１つまたは複数の区域をマスキングし、所望されない部
分からはエツチングによってアルミニウムを除去するこ
とによシ達成できる。何らかの他の所望される技術を用
いてアルミニウム被覆を除去することも本発明の範囲内
であろう本発明によって上述の目的、手段および利点を
満たす電気的適用に向けた複合構造および集積回路アセ
ンブリが提供されることは明らかである。
本発明をその実施例に関連して記述したが、上述の観点
から多くの代替物、修正および震災も自明でおろう。従
って本願の特許請求の範囲における精神およびその広い
技術的範囲に帰するようなこれら全ての代替物、修正、
および変史を包宮すべぐ意図するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は１本発明に従って構成された、二ソケルー銅合
金で被覆されたニッケルー鉄合金基板により形成された
複合構造体を示す構造図、第２図は従来のリードフレー
ムを示す平面図、第６図は、従来型のＣＥＲＤ　工Ｐパ
ンケージにおいて、基板とカバーの間に懸垂されたチッ
プを有するとともに、特に本発明により開示される型の
リードフレームを用いた場合のケーシング・アセンブリ
の実施例を示す断面図、第４図は、第２の型の従来型Ｃ
ＥＲＤＩＰパッケージにおいて、チップが基板によって
支持されるとともに、そのリードフレームとして本発明
に従うものを用いた場合のケーシング・アセンブリの他
の実施例を示す断面図、第５図は、２つの被覆を有する
本発明の複合構造体の第２の実施例を示す構造図、第６
図は基板が６つの被覆を儒する本発明の複合構造体の第
６の実施例を示す構造図である。 符号の説明 １０．６０．７０・・・複合構造体、 １２　、１２’、　１２ＩＴ・・・基板、１４．１６・
・・基板１２の被覆、 ６２．６４・一基板１２′の第１の被懐、１４’、　１
６’・・・基板１２′の第２の被覆、６６“、６８′・
・・基板１２’の第１の被覆、１４“、１６′・・・基
板１２“の第２の被覆、２２“°°タケ−ングアセンブ
リ、 ２４・・・リードフレーム、 ３４・・・アセンブリの基板、 ３６パアセンブリのカバー、 ３８・・・ガラス層、 ４０・・・集積回路、 ５０・・・リード線、 代理人　浅　村　皓

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）熱膨張率が比較的低いことを特徴とする複合構造
    体であって；ニッケルー鉄合金によシ形成された基板（
    １２）と、前記基板（１２）の向かい合う面（１８）、
    （２０）に′接着され約１５％ないし約７０Ｌｌ）のニ
    ッケルと本質的に銅であるバランスから成る被覆（１４
    ）、（１６）とによって約１．３　、Ｘ　１０−’　ｍ
    雇／　ｍｎ／　’Ｃ（５０Ｘ　１０−７ｉｎ／泣／℃）
    から約２．５　Ｘ　１０−４朋／＋＋＋ｍ／’Ｃ（１０
    ０Ｘｌ　０−７ｉｎ、／　ｉｆＬ／　’Ｃ）の間の熱膨
    張率を持ツコとを特徴とする複合構造体（１０）。 （２）　特許請求の範囲第１項記載のものにおいて、さ
    らに前記基板（１２）が約６５係ないし約４５係のニッ
    ケルと本質的に鉄であるバランスから成ることを特徴と
    する複合構造体。 （３）　特許請求の範囲第２項記載のものにおいて、前
    記被覆がそれぞれ、その複合構造体（１０）の厚さの約
    ５チないし約２０チの間であって、かつ、温度変化する
    間の恒温偏移を防止するように各々が実質的に同じ厚さ
    を有する２つの層（，１４）。 （１６）を含んで成ることを特徴とする複合構造体。 （４）比較的低い膨張率と比較的高い導電率および熱伝
    導度特性を有するものであって、ニッケルー鉄合金によ
    シ形成された基板（１２’　）と、前記比較的高い導電
    率および熱伝導度を備えるため前記基板（１２’　）の
    向かい合う面に固着された第１の被覆（６２）’、（’
    ６．４）と、約１．３　×１０　’ｍｍ／韻／’Ｃ（５
    ０ｘ１０−７ｉｎ、／池／℃）ないし約２．５　Ｘ　１
    ０−’ｍ１Ｌ／ｍｒｎ／’Ｃ（１００Ｘ　１０−’　Ｉ
    ｔＬ／＋ｎ、／℃）の間の熱膨張率を備えるように前記
    第１の被覆（６２）、（６４）の向かい合う面（６６）
    。 （６８）に固着された第２の被覆（１４’）　、　（１
    ６’）とを特徴とする複合構造体（６０）。 （５）特許請求の範囲第４項記載のものにおいて、前記
    第２の被覆（１４’）　、　（’１６’）が約（１１６
    Ｅ、Ｔ、Ｕ、／　ｆｔ２／　ｆｔ／　ｈｒ　／　’Ｆ　
    ）ないし約（２２６Ｂ、Ｔ、Ｕ、　／　ｆｔ２／　ｆｔ
    　／　ｈｒ　／　’Ｆ　）の間の熱伝導度を有する銅ま
    たは銅合金を含むことを特徴とする複合構造体（６０）
    。 （６）　特許請求の範囲第５項記載のものにおいて、約
    （３Ｑ　Ｂ、Ｔ、Ｕ、　／　ｆｔ２／　ｆｔ　／　ｈｒ
    　／　’Ｆ）ないし約（７５Ｂ、Ｔ、Ｕ、　／　ｆｔ２
    ／　ｆｔ　／　ｈｒ　／　’Ｆ）の間の熱伝導度を有す
    ることを特徴とする複合構造体（６０）。 （７）特許請求の範囲第６項記載のものにおいて、前記
    第２の被樺（１４’　）と＜　１６’　）が約１５％な
    いし約７０係のニッケルと本質的に銅であるバランスか
    ら成ることを特徴とする複合構造体（６０）。 （８）特許請求の範囲第７項記載のものにおいて、前記
    基板（１２’）が約６５チないし約４５ｃｉｂのニッケ
    ルと本質的に鉄であるバランスから成ることを特徴とす
    る複合構造体。 （９）　比較的低い熱膨張率と比較的高い導電率および
    熱伝導度を含む特性を有するものであって、ニッケルー
    鉄合金にょ多形成された基板（１２“）と、比較的高い
    導電率および熱伝導本−を備えるため前記基板（１２“
    ）の向かい合う面（１８〃）、（２０“）に固着された
    第１の被覆（６２“）、（６４〃）と、約１．３ｘ　１
    ０　’ｍｍ／ｍｒｎ／°Ｃ（５０Ｘ　１０　’ｉｎ、／
    Ｉｎ、／℃）ないし約２．５　Ｘ　１０−’ｉｎ／ｉＩ
    ＋＋／’Ｃ（１００Ｘｌ　０　’　ｉｔＬ／＋ｎ、／℃
    ）の間の熱膨張率を有するように前記第１の被覆の向か
    い合う面（６６〃）。 （６８“）に固着された第２の被覆（Ｌ４”）・（１６
    つとアルミ−ニウムまたはアルミニウム合金で形成され
    前記第２の被覆（１４〃）、（１６“）の同かい合う面
    （７６）、（７８）に固着された第６の被覆（７２）、
    （７４）とを特徴とする複合構造体（７０）。 ＱＱ　特許請求の範囲第９項記載のものにおいて、前記
    熱伝導率が約（６０Ｂ、Ｔ、Ｕ、　／　ｆｔ２／　ｆｔ
    　／ｈｒ／’Ｆ　）ないし約（７５Ｂ４Ｔ、Ｕ、　／　
    ｆｔ”　／　ｆｔ　／　ｈｒ／’Ｆ　）でおることを特
    徴とする複合構造体（７０）。 ０υ　特許請求の範囲第１０項記載のものにおいて、前
    記へ第２の被覆（１４“）、（１６“）が約（１１３Ｂ
    、Ｔ、Ｕ、　／　ｆｔ２／　ｆｔ　／　ｈｒ　／　°Ｆ
    　）ないし約（２２６Ｅ、Ｔ、Ｕ、／　ｆｔ２／　、ｆ
    ｔ　／　ｈｒ　／６Ｆ　）の間の熱伝導度を有する銅ま
    たは銅合金を含むことを特徴とする複合構造体（７０）
    。 Ｏリ　特許請求の範囲第１１項記載において、前記第２
    の被覆（１４“）、（１６”　）が約１５％ないし約７
    ０％のニッケルと本質的に銅であるバランスから成るこ
    とを特徴とする複合構造体。 α葎　特許請求の範囲第１２項記載のものにおいて、前
    記基板（１２“）が本質的に約６５％ないし約４５俤の
    ニッケルと本質的に鉄であるバランスから成ることを特
    徴とする複合構造体（７０）っαａ　集積回路装置（４
    ０）に適用されるケーシングアセンゾＩＪ　（２２）で
    あって；セラミック基板（３４）、該集積回路装置（４
    ０）を含む前記ケーシング（２２）を形成すべく前記基
    板（３４）上に配性されたセラミックカバー（３６）、
    前記カバー（３６）と基板（３４）、との間に配置され
    たリードフレーム（２４）、前記リードフレーム（２４
    ）と前記回路装置（４０）の同で接続されたリード線（
    ５０）を備え、また前記回路装置（４０）を前記ケーシ
    ング（２２）内に気密封止するため前記カバー（３６）
    、リードフレーム（２４）および基板を一体化させる低
    溶融温度のガラス層（３８）を有し、さらに、前記リー
    ドフレームが複合構造体から形成され、前記複合構造体
    がニッケルー鉄合金により形成された基板（１２）と、
    前記基板の向かい合う面（１８）、（２０）に固着され
    約１５％ないし約７０％のニッケルと本質的に銅である
    バランスから成る被覆（１４）。 （１６）とを備えて成ることを特徴とする前記ケーシン
    グアセングリ（２２）。 αυ　特許請求の範囲第１４項記載のものにおいて、前
    記基板（１２）が約６５裂ないし約４５％のニッケルと
    本質的に鉄であるバランスから成ることを特徴とするケ
    ーシングアセングリ。５ＱＱ　集積回路装置（４０）の
    だめのケーシングアセンブリ（２２）であって、セラミ
    ック基板（３４人該集積回路装置（４０）を含む前記ケ
    ーシング（２２）を形成すべく前記基板（３４）上に配
    置されたセラミックカバー（３６）、前記カバー（３６
    ）と基板（３４）の間に配置されたリードフレーム、前
    記リードフレームと前記回路装置（４０）の間に接続さ
    れたリード線（５ｏ）を備え、前記回路装置（４０）を
    前記ケーシング内に気密封止すべく前記カバー（３６）
    、リードフレームおよび基板（３４）を一体化する低溶
    融温度のガラス層（３８）を備え、さらに、前記リード
    フレームが複合構造体（６ｏ）にょシ形成され、前記複
    合構造体が、ニッケルー鉄合金で形成された基板（１２
    ’　）、前記複合構造体（６ｏ）に比較的高い導電性お
    よび熱伝導度を与えるため前記基板（１２’）の向かい
    合う面（１８’）、　（２０’）に固着された第１の被
    ａ（６２）、（６４）、前記複合構造（６０）が前記ガ
    ラス層（３８）の膨張率に対応する約１．６　Ｘ　１０
    −４朋／關／’Ｃ（５０Ｘ’Ｉ　Ｏ’　ｊｎ、／ｉｎ、
    ／’Ｃ）　’ｆｘイＬ、約２゜５　Ｘ　１０　’ｕｒｎ
    ／ｍｍ／’Ｃ（１００Ｘ　１０−７ｉｎ／ｉｎ、／　’
    Ｃ）の間の熱膨張率を有するように前記第１の被覆（６
    ２）・（６４）の向かい合う而（６６）、（６Ｂ）に固
    着された第２の被覆（１４’）、　（１６’）を有する
    ことを特徴とするケーシングアセンブリ（２２）。 俣η　特許請求の範囲第１６項記載のものにおいて、前
    記第２の被覆（１４’）、　（１６’）が約（１１３Ｂ
    、Ｔ、Ｕ、／　ｆｔ２／　ｆｔ　／　ｈｒ　／　Ｆ　）
    ないし約（２２６Ｂ、Ｔ、Ｕ、／　ｆｔ２／　ｆｔ　／
    ’ｈｒ　／　°ｌ”　）の間の熱伝導度を有する銅また
    は銅合金を含むことを特徴とするケーシングアセンブリ
    （２２）。 θ＆　特許請求の範囲第１７項記載のものにおいて、前
    記複合構造（６０）が約（３０Ｂ、Ｔ、Ｕ、／　ｆｔ”
    　／ｆｔ　／　ｈｒ　／　’ｐ　）ないし約（７５Ｂ’
    、Ｔ、ｌＪ、／　ｉｙｔ”　／ｆｔ　／　ｈｒ　／　’
    Ｆ　）の熱伝導度を有することを特徴とするケーシング
    アセンブリ（２２）。 （１９）特許請求の範囲第１８項記載のものにおいて、
    前記第２の被覆が約１５％ないし約７０％のニッケルと
    本質的に銅であるバランスから成ることを特徴とするケ
    ーシングアセンブリ（２２）。 （７）集積回路装置（４０）に適用されるケーシングア
    セングリ（２２）であって、セラミック基板（３４）、
    前記集積回路装置（４０）ｋ含む前記ケーシング（２２
    ）を形成すべく前記基板（３４）上に配置されたセラミ
    ックカバー（３６）、前記カバー（３６）と基板（３４
    ）の間に配置されたリードフレーム、前記リードフレー
    ムと前記回路装置（４０）の間に接続されたリード線（
    ５ｏ）を特徴とし、前記回路装置（４０）’を前記ケー
    シング（２２）内に気密封止すべく前記カバー（３６）
    、リードフレームおよび基板（３４）を一体化する低溶
    融温度のガラス層（３８）を著しい特徴とし、前記リー
    ドフレームが複合構造体（γ０）にょシ形成され前記複
    合構造体がニッケルー鉄合金にょシ形成された基板（１
    ２“）、前記複合構造ｉ＋（７０）に比較的商い導電性
    および熱伝導性を与えるべく前記基板（１２”　）の向
    かい合う薗（１８”）、（２０“）に固着きれた第１の
    被覆（６２”）、（６４“）、前記複合構造体（７０）
    が前記ガラス層（３８）の熱膨張率に対応する約１．３
    　ｘ　１０−’　ｍＴＬ／　ｍｍ／　’Ｃ（５０ｘ　１
    ０”−７ｉｎ、／　＝／　℃）ないし約２．５　ｘ　１
    ０−’ｍｍ／ｙｔｒｙｎ／　℃（１００Ｘ　１’０−７
    ｉｎ、／ｉａ／’Ｃ）の間の熱膨張率を有するように前
    記第１の被覆（６２“）。 （６４“）の向がい合う面（６６“）、（６８“）に同
    着された第２の被覆（１４“）、（１６“）、および前
    記第２の被覆（１４“）、（１６〃）の向かい合う面（
    ７６）、（７８）に固着されたアルミニウムまたはアル
    ミテウｂ合金から成る第６の被ｆｆ１（７２）　。 （７４）を有することを特徴とするケーシングアセンブ
    リ（２２）っ ０℃　特許請求の範囲第２０項記載のものにおいて、前
    記複合構造（７０）の前記熱伝導度が約（６０Ｅ、Ｔ、
    Ｕ、／　ｒｔ２／　ｒｔ　／　ｈｒ　／　０Ｆ　）ない
    し約（７５Ｂ、Ｔ、Ｕ、／　ｆ　ｔ２／　ｆｔ　／　ｈ
    ｒ　／　°Ｆ）の間にあることを特徴とするケーシング
    アセンブリ（２２〕。 （イ）特許請求の範囲第２１項記載のものにおいて、前
    記第２の被覆（１４“）、（１６“）が約（１１６Ｅ、
    Ｔ、Ｕ、／　ｆｔ２／　ｆｔ　／　ｈｒ　／　’Ｆ）な
    いし約（２２６Ｂ、Ｔ、Ｕ、／　ｆｔ２／　ｆｔ　／　
    ｈｒ　／　°Ｆ　）の間の熱伝導率を有する銅または銅
    合金を含むことを特徴とするケーシングアセンブリ（２
    ２）。 脅　特許請求の範囲第２２項記載のものにおいて、前記
    第２の被覆（１４“）、（１６“）が約１５チないし約
    ７０％のニッケルと本質的に銅であるバランスからなる
    ことを特徴とするケーシングアセンシリ（２２）っ （ハ）特許請求の範囲第２６項記載のもあにおいて、前
    記基板（１２“）が本質的に約３５チないし約４５係の
    ニッケルと本質的に鉄であるバランスから成ることを特
    徴とするケーシングアセンシリ（２２）。
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