JPH07169899A - 多層型リードフレーム - Google Patents
多層型リードフレームInfo
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- JPH07169899A JPH07169899A JP5341956A JP34195693A JPH07169899A JP H07169899 A JPH07169899 A JP H07169899A JP 5341956 A JP5341956 A JP 5341956A JP 34195693 A JP34195693 A JP 34195693A JP H07169899 A JPH07169899 A JP H07169899A
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- Japan
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- leads
- lead frame
- oxidation
- resin
- plating
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、アウターリードの曲げ加工性を低
下させることなく高温貼付けによる酸化を防止すること
を目的とする。 【構成】 本発明の多層型リードフレームは、複数のリ
ード１の樹脂モールドされる部分２の表面に、その酸化
を防止する酸化防止膜２Ａが施され、複数のリード１の
樹脂モールドされない部分４は良好な曲げ特性を有して
いる。
下させることなく高温貼付けによる酸化を防止すること
を目的とする。 【構成】 本発明の多層型リードフレームは、複数のリ
ード１の樹脂モールドされる部分２の表面に、その酸化
を防止する酸化防止膜２Ａが施され、複数のリード１の
樹脂モールドされない部分４は良好な曲げ特性を有して
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は熱可塑性接着剤による熱
圧着を要する多層型リードフレームに関し、特に、アウ
ターリードの曲げ加工性を低下させずに高温貼付けによ
る酸化を防止した多層型リードフレームに関する。
圧着を要する多層型リードフレームに関し、特に、アウ
ターリードの曲げ加工性を低下させずに高温貼付けによ
る酸化を防止した多層型リードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、通常のリードフレーム上に電源
層，グランド層，或いは放熱板を貼合わせた、いわゆる
多層型リードフレームの開発が盛んに行われている。
層，グランド層，或いは放熱板を貼合わせた、いわゆる
多層型リードフレームの開発が盛んに行われている。
【０００３】一般に、多層型リードフレームを製造する
場合、接着剤を両面に塗布した絶縁フィルム（例えば、
ポリイミドフィルム）によって積層することによって行
っている。ここで、接着剤がリードのワイヤーボンディ
ング部の直下にあるため、接着剤としてワイヤーボンデ
ィング温度（２００〜２５０℃）において軟化しないこ
とが要求されており、このような特性と汚染がない熱可
塑性接着剤が良く用いられている。
場合、接着剤を両面に塗布した絶縁フィルム（例えば、
ポリイミドフィルム）によって積層することによって行
っている。ここで、接着剤がリードのワイヤーボンディ
ング部の直下にあるため、接着剤としてワイヤーボンデ
ィング温度（２００〜２５０℃）において軟化しないこ
とが要求されており、このような特性と汚染がない熱可
塑性接着剤が良く用いられている。
【０００４】熱可塑性接着剤は、キュアが不必要で、且
つ、アウトガスが少なく、更に、高硬度である等の利点
を有しているが、貼付温度が通常３００℃以上と高温と
なる（リードオンチップ構造の接着フィルムを貼り付け
る場合も同様）ため、銅系のリードフレームでは表面が
酸化してしまい、製品の品質を低下させる要因となって
いた。
つ、アウトガスが少なく、更に、高硬度である等の利点
を有しているが、貼付温度が通常３００℃以上と高温と
なる（リードオンチップ構造の接着フィルムを貼り付け
る場合も同様）ため、銅系のリードフレームでは表面が
酸化してしまい、製品の品質を低下させる要因となって
いた。
【０００５】そこで、従来、銅系の多層型リードフレー
ムにおいて熱可塑性接着剤を用いる場合には、リードの
全表面にＳｎ−Ｎｉめっき等の酸化防止膜を施して酸化
防止を図っている。Ｓｎ−Ｎｉめっきは耐食性が良好で
あるため、信頼性の高い表面処理方法として広く用いら
れている。
ムにおいて熱可塑性接着剤を用いる場合には、リードの
全表面にＳｎ−Ｎｉめっき等の酸化防止膜を施して酸化
防止を図っている。Ｓｎ−Ｎｉめっきは耐食性が良好で
あるため、信頼性の高い表面処理方法として広く用いら
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の多層型
リードフレームによると、リードの全表面にＳｎ−Ｎｉ
めっき等を施しているため、パッケージング後、つま
り、樹脂モールドを施した後にアウターリードを曲げ加
工する時、アウターリードに施されたＳｎ−Ｎｉめっき
が硬く、曲げ半径が小さいと表面が割れて下地の銅が露
出してしまい、品質や美観性を低下させるという不都合
がある。
リードフレームによると、リードの全表面にＳｎ−Ｎｉ
めっき等を施しているため、パッケージング後、つま
り、樹脂モールドを施した後にアウターリードを曲げ加
工する時、アウターリードに施されたＳｎ−Ｎｉめっき
が硬く、曲げ半径が小さいと表面が割れて下地の銅が露
出してしまい、品質や美観性を低下させるという不都合
がある。
【０００７】従って、本発明の目的はアウターリードの
曲げ加工性を低下させることなく高温貼付けによる酸化
を防止することができる多層型リードフレームを提供す
ることである。
曲げ加工性を低下させることなく高温貼付けによる酸化
を防止することができる多層型リードフレームを提供す
ることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点に鑑
み、アウターリードの曲げ加工性を低下させることなく
高温貼付けによる酸化を防止するため、複数のリードの
樹脂モールドされる部分の表面にその酸化を防止する酸
化防止膜を施した多層型リードフレームを提供するもの
である。
み、アウターリードの曲げ加工性を低下させることなく
高温貼付けによる酸化を防止するため、複数のリードの
樹脂モールドされる部分の表面にその酸化を防止する酸
化防止膜を施した多層型リードフレームを提供するもの
である。
【０００９】上記酸化防止膜は、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっき
であることが好ましく、更には、その組成比がＳｎ７０
％，Ｎｉ３０％であることが好ましい。また、この他に
Ｓｎが１０〜９９％のものでも酸化防止のためには適用
することができる。また、熱可塑性接着剤付フィルムを
貼り付ける条件において、銅の酸化を防止できるめっき
であれば、要求されるパッケージの特性によっては使用
することができる。例えば、面積が１０ｍｍ2 程度の積
層型パッケージの場合、内部応力の発生が２８ｍｍ2 の
ものに比べて大幅に小さいので、レジンとの密着性の悪
いＮｉめっきでも十分対応することができる。
であることが好ましく、更には、その組成比がＳｎ７０
％，Ｎｉ３０％であることが好ましい。また、この他に
Ｓｎが１０〜９９％のものでも酸化防止のためには適用
することができる。また、熱可塑性接着剤付フィルムを
貼り付ける条件において、銅の酸化を防止できるめっき
であれば、要求されるパッケージの特性によっては使用
することができる。例えば、面積が１０ｍｍ2 程度の積
層型パッケージの場合、内部応力の発生が２８ｍｍ2 の
ものに比べて大幅に小さいので、レジンとの密着性の悪
いＮｉめっきでも十分対応することができる。
【００１０】また、酸化防止膜が施されない部分、つま
り、樹脂モールドされないアウターリードの表面は、当
然、接着剤の貼付け時や、金属板の積層時に酸化する
が、一般にこの部分はパッケージング後（樹脂モールド
された後）にディップもくしは電気めっきにより半田め
っきがなされる。このめっき処理の際、酸洗処理を施す
ので酸化状態によってはこれを強くかけることで、清浄
な銅バルク面を得ることができる。一般的な酸化な深さ
と半田めっき工程の酸洗処理条件を考慮すると、ほとん
どの場合この処理条件は変えなくても対応することがで
きる。
り、樹脂モールドされないアウターリードの表面は、当
然、接着剤の貼付け時や、金属板の積層時に酸化する
が、一般にこの部分はパッケージング後（樹脂モールド
された後）にディップもくしは電気めっきにより半田め
っきがなされる。このめっき処理の際、酸洗処理を施す
ので酸化状態によってはこれを強くかけることで、清浄
な銅バルク面を得ることができる。一般的な酸化な深さ
と半田めっき工程の酸洗処理条件を考慮すると、ほとん
どの場合この処理条件は変えなくても対応することがで
きる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の多層型リードフレームについ
て添付図面を参照しながら詳細に説明する。
て添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１２】図１には、本発明の一実施例の多層型リー
ドフレームの構造が示されている。この多層型リードフ
レームは、銅系材料をケミカルホトエッチング等によっ
て形成されており、複数のリード１を外側から支持する
フレーム本体３と、複数のリード１の間を連結するタイ
バー５と、リード１の中心に形成された素子配置孔６を
有して構成されている。
ドフレームの構造が示されている。この多層型リードフ
レームは、銅系材料をケミカルホトエッチング等によっ
て形成されており、複数のリード１を外側から支持する
フレーム本体３と、複数のリード１の間を連結するタイ
バー５と、リード１の中心に形成された素子配置孔６を
有して構成されている。
【００１３】リード１は、タイバー５を中心にして内側
にインナーリード２を、また、外側にアウターリード４
をそれぞれ有し、インナーリード２の表面にその酸化を
防止する酸化防止膜２Ａが施された構成を有している。
にインナーリード２を、また、外側にアウターリード４
をそれぞれ有し、インナーリード２の表面にその酸化を
防止する酸化防止膜２Ａが施された構成を有している。
【００１４】酸化防止膜２Ａは、Ｓｎ−Ｎｉめっきで構
成されており、その組成比としてはＳｎ７０％，Ｎｉ３
０％になっていることが好ましい。また、これに限定す
るものではなく、Ｓｎが１０〜９９％のものでも良く、
更には、Ｎｉめっきであっても良い。
成されており、その組成比としてはＳｎ７０％，Ｎｉ３
０％になっていることが好ましい。また、これに限定す
るものではなく、Ｓｎが１０〜９９％のものでも良く、
更には、Ｎｉめっきであっても良い。
【００１５】図２には、上記多層型リードフレームを用
いて半導体パッケージの断面構造が示されている。この
半導体パッケージは、両面に熱可塑性接着剤７を有する
金属板８をインナーリード２の一面に接着し、金属板８
に半導体素子１０を搭載すると共にインナーリード２の
先端と半導体素子１０がボンディングワイヤ１１を介し
て接続し、更に、全体をモールドレジン１２で封止して
構成されている。
いて半導体パッケージの断面構造が示されている。この
半導体パッケージは、両面に熱可塑性接着剤７を有する
金属板８をインナーリード２の一面に接着し、金属板８
に半導体素子１０を搭載すると共にインナーリード２の
先端と半導体素子１０がボンディングワイヤ１１を介し
て接続し、更に、全体をモールドレジン１２で封止して
構成されている。
【００１６】この図において、モールドレジン１２で封
止される部分、つまり、インナーリード２の表面に、前
述した酸化防止膜２Ａが施され、表面にめっき層を有さ
ないアウターリード４は曲げ部４Ａで曲げ加工が施され
ている。尚、酸化防止膜２Ａは、モールドレジン１２の
内部だけで良いが、図示しているように、曲げ部４Ａに
至らない程度までモールドレジン１２の外部まで施され
ても良い。
止される部分、つまり、インナーリード２の表面に、前
述した酸化防止膜２Ａが施され、表面にめっき層を有さ
ないアウターリード４は曲げ部４Ａで曲げ加工が施され
ている。尚、酸化防止膜２Ａは、モールドレジン１２の
内部だけで良いが、図示しているように、曲げ部４Ａに
至らない程度までモールドレジン１２の外部まで施され
ても良い。
【００１７】以上の構成において、図３に示すように、
両面に熱可塑性接着剤（一面のみ図示）７を有する金属
板８をリードフレームに熱圧着する。すなわち、リード
フレームを予め熱可塑性接着剤７の接着温度（３００℃
以上）まで加熱しておき、インナーリード２上の接着領
域９に接着剤付金属板８を押し付けて接着する。
両面に熱可塑性接着剤（一面のみ図示）７を有する金属
板８をリードフレームに熱圧着する。すなわち、リード
フレームを予め熱可塑性接着剤７の接着温度（３００℃
以上）まで加熱しておき、インナーリード２上の接着領
域９に接着剤付金属板８を押し付けて接着する。
【００１８】この接着において、インナーリード２の表
面に酸化防止膜２Ａが施されているため、このような高
温接着においても表面が酸化することがない。一方、ア
ウターリード４については加熱による酸化が生じる。し
かし、アウターリード４の酸化については、次工程のパ
ッケージング（樹脂モールド）後に、ディップもしくは
電気めっきにより半田めっきがなされ、その時の酸洗処
理によって清浄な銅バルク面を得ることができるので無
視することができる。
面に酸化防止膜２Ａが施されているため、このような高
温接着においても表面が酸化することがない。一方、ア
ウターリード４については加熱による酸化が生じる。し
かし、アウターリード４の酸化については、次工程のパ
ッケージング（樹脂モールド）後に、ディップもしくは
電気めっきにより半田めっきがなされ、その時の酸洗処
理によって清浄な銅バルク面を得ることができるので無
視することができる。
【００１９】以上説明したように、本発明の多層型リー
ドフレームは、パッケージング後に一般的に行われるア
ウターリードの酸洗処理に着目して、酸化防止膜をイン
ナーリード、つまり、樹脂モールドされる部分にのみ施
すようにしているため、内部の貼付面の酸化を防止しな
がら、アウターリードの曲げ加工性を向上させることが
できる。
ドフレームは、パッケージング後に一般的に行われるア
ウターリードの酸洗処理に着目して、酸化防止膜をイン
ナーリード、つまり、樹脂モールドされる部分にのみ施
すようにしているため、内部の貼付面の酸化を防止しな
がら、アウターリードの曲げ加工性を向上させることが
できる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の多層型リー
ドフレームによると、複数のリードの樹脂モールドされ
る部分の表面にその酸化を防止する酸化防止膜を施した
ため、アウターリードの曲げ加工性を低下させずに高温
貼付けによる酸化を防止することができる。その結果、
内部の電気的信頼性の向上と外部の美観性の向上を同時
に満足することができる。
ドフレームによると、複数のリードの樹脂モールドされ
る部分の表面にその酸化を防止する酸化防止膜を施した
ため、アウターリードの曲げ加工性を低下させずに高温
貼付けによる酸化を防止することができる。その結果、
内部の電気的信頼性の向上と外部の美観性の向上を同時
に満足することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す説明図。
【図２】一実施例の多層型リードフレームを用いた半導
体パッケージを示す断面図。
体パッケージを示す断面図。
【図３】一実施例に係る接着状態を示す説明図。
１ リード ２ イン
ナーリード ２Ａ 酸化防止膜 ３ フレーム本体 ４ アウ
ターリード ４Ａ 曲げ部 ５ タイバー ６ 素子
配置孔 ７ 熱可塑性接着剤 ８ 金属板 ９ 接着
領域 １０ 半導体素子 １１ ボン
ディングワイヤ １２ モールドレジン
ナーリード ２Ａ 酸化防止膜 ３ フレーム本体 ４ アウ
ターリード ４Ａ 曲げ部 ５ タイバー ６ 素子
配置孔 ７ 熱可塑性接着剤 ８ 金属板 ９ 接着
領域 １０ 半導体素子 １１ ボン
ディングワイヤ １２ モールドレジン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高萩 茂治 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 秋野 久則 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内 (72)発明者 萩谷 重男 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電線 株式会社システムマテリアル研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 銅系材料から成る複数のリードとチップ
搭載部を有し、両者を熱可塑性接着剤によって熱圧着す
る多層型リードフレームにおいて、 前記複数のリードの樹脂モールドされる部分の表面に、
その酸化を防止する酸化防止膜が施され、前記複数のリ
ードの樹脂モールドされない部分は良好な曲げ特性を有
していることを特徴とする多層型リードフレーム。 - 【請求項２】 前記酸化防止膜は、Ｓｎ−Ｎｉ合金めっ
きである構成の請求項１の多層型リードフレーム。 - 【請求項３】 前記酸化防止膜は、Ｎｉめっきである構
成の請求項１の多層型リードフレーム。 - 【請求項４】 前記複数のリードの樹脂モールドされな
い部分の表面は、モールド成形後の酸洗処理によって清
浄な銅バルク面を得る構成の請求項１の多層型リードフ
レーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5341956A JPH07169899A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 多層型リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5341956A JPH07169899A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 多層型リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169899A true JPH07169899A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18350073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5341956A Pending JPH07169899A (ja) | 1993-12-13 | 1993-12-13 | 多層型リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07169899A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6207298B1 (en) * | 1997-12-25 | 2001-03-27 | Japan Solderless Terminal Mfg. Co., Ltd. | Connector surface-treated with a Sn-Ni alloy |
-
1993
- 1993-12-13 JP JP5341956A patent/JPH07169899A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6207298B1 (en) * | 1997-12-25 | 2001-03-27 | Japan Solderless Terminal Mfg. Co., Ltd. | Connector surface-treated with a Sn-Ni alloy |
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