JP3183283B2 - フレキシブル配線基板上に部材を接合する方法 - Google Patents
フレキシブル配線基板上に部材を接合する方法Info
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- H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フレキシブル配線
基板上に部材を接合する方法に関するものである。
基板上に部材を接合する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置用リードフレームの分野にお
いて、例えば、アウターリードを金属リードフレームに
よって構成し、インナーリードを絶縁フィルム上に導体
の微細配線パターンを形成したフレキシブル配線基板に
よって構成してなる複合リードフレームには、各種の構
成ものが従来提案されているが、いずれの構造であって
もフレキシブル配線基板のインナーリードと外枠側のア
ウターリードとを何らかの方法で電気的に接合する必要
がある。フレキシブル配線基板からのインナーリードは
絶縁層（通常ポリイミドフィルム）上に積層されている
ため接合に当たって以下のような問題点が生じる。
いて、例えば、アウターリードを金属リードフレームに
よって構成し、インナーリードを絶縁フィルム上に導体
の微細配線パターンを形成したフレキシブル配線基板に
よって構成してなる複合リードフレームには、各種の構
成ものが従来提案されているが、いずれの構造であって
もフレキシブル配線基板のインナーリードと外枠側のア
ウターリードとを何らかの方法で電気的に接合する必要
がある。フレキシブル配線基板からのインナーリードは
絶縁層（通常ポリイミドフィルム）上に積層されている
ため接合に当たって以下のような問題点が生じる。
【０００３】即ち、アウターリードとインナーリードと
の接合は加圧、加熱下に行われるが、加熱ツール温度が
３４０℃以上の高温となると絶縁層を構成する樹脂（例
えばポリイミド樹脂）あるいは該絶縁層とインナーリー
ドを接着するのに用いられている接着剤（例えば、エポ
キシ樹脂系接着剤）が加熱劣化し、酸化もしくは炭化し
絶縁性を損ったり、強度が低下したりするので好ましく
ない。
の接合は加圧、加熱下に行われるが、加熱ツール温度が
３４０℃以上の高温となると絶縁層を構成する樹脂（例
えばポリイミド樹脂）あるいは該絶縁層とインナーリー
ドを接着するのに用いられている接着剤（例えば、エポ
キシ樹脂系接着剤）が加熱劣化し、酸化もしくは炭化し
絶縁性を損ったり、強度が低下したりするので好ましく
ない。
【０００４】アウターリードとインナーリードの接合の
目的でＰｂ−Ｓｎ半田を用いると、その共晶点（融点１
８３℃）が低いので上記の問題は生じないがアウターリ
ードとインナーリードとを接合した後に２００℃付近で
行われる樹脂封止工程が存在するためにアウターリード
とインナーリードとの安定した接合が得られない。一
方、一般的に用いられるＳｎ含有量２０重量％のＡｕ−
Ｓｎ合金の接合への使用は、ツール温度が３４０℃を越
え、３８０〜５４０℃と高いのでやはり樹脂劣化の問題
が生じる。
目的でＰｂ−Ｓｎ半田を用いると、その共晶点（融点１
８３℃）が低いので上記の問題は生じないがアウターリ
ードとインナーリードとを接合した後に２００℃付近で
行われる樹脂封止工程が存在するためにアウターリード
とインナーリードとの安定した接合が得られない。一
方、一般的に用いられるＳｎ含有量２０重量％のＡｕ−
Ｓｎ合金の接合への使用は、ツール温度が３４０℃を越
え、３８０〜５４０℃と高いのでやはり樹脂劣化の問題
が生じる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】かくして、本発明は、
フレキシブル配線基板上に部材を接合するにあたり、絶
縁フィルムや接着剤に熱劣化の生じない、フレキシブル
配線基板上に部材を接合する方法の提供を目的としてい
る。
フレキシブル配線基板上に部材を接合するにあたり、絶
縁フィルムや接着剤に熱劣化の生じない、フレキシブル
配線基板上に部材を接合する方法の提供を目的としてい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に従えば、絶縁フ
ィルム上に接着剤を介して導体の微細配線パターンを形
成したフレキシブル配線基板の前記配線パターン上に部
材を金錫共晶合金法により接合する方法であって、配線
パターンもしくは部材の接合面に厚さ４．０〜８．０μ
ｍの錫めっきを施すと共に、部材もしくは配線パターン
の接合面に厚さ０．５〜１．０μｍの金めっきを施し、
前記両接合面を加圧加熱して金錫共晶合金法により接合
することにより、接合層として、実質的に金と錫の合金
からなり、かつ、該合金中の金含有量が１０〜４０重量
％の金錫合金層を形成することを特徴とするフレキシブ
ル配線基板上に部材を接合する方法が提供される。
ィルム上に接着剤を介して導体の微細配線パターンを形
成したフレキシブル配線基板の前記配線パターン上に部
材を金錫共晶合金法により接合する方法であって、配線
パターンもしくは部材の接合面に厚さ４．０〜８．０μ
ｍの錫めっきを施すと共に、部材もしくは配線パターン
の接合面に厚さ０．５〜１．０μｍの金めっきを施し、
前記両接合面を加圧加熱して金錫共晶合金法により接合
することにより、接合層として、実質的に金と錫の合金
からなり、かつ、該合金中の金含有量が１０〜４０重量
％の金錫合金層を形成することを特徴とするフレキシブ
ル配線基板上に部材を接合する方法が提供される。
【０００７】ここで、フレキシブル配線基板とは、絶縁
フィルム（テープ状のものを含む）上に導体の微細配線
パターンを形成した、いわゆるフレキシブルな配線基板
をいう。ＴＡＢテープと称するものも、絶縁フィルム上
に導体の微細配線パターンを形成したフレキシブルなも
のであり、そういう意味で構造的になんら変わりがない
ことから、ここでいうフレキシブルな配線基板として用
いられる。
フィルム（テープ状のものを含む）上に導体の微細配線
パターンを形成した、いわゆるフレキシブルな配線基板
をいう。ＴＡＢテープと称するものも、絶縁フィルム上
に導体の微細配線パターンを形成したフレキシブルなも
のであり、そういう意味で構造的になんら変わりがない
ことから、ここでいうフレキシブルな配線基板として用
いられる。
【０００８】本発明の最も重要な特徴は、金錫共晶合金
法により接合することにより、接合層として、実質的に
金と錫の合金からなり、かつ、該合金中の金含有量が１
０〜４０重量％の金錫合金層を形成することにあるが、
そのような合金は適切な融点範囲を有し（２１０〜３０
５℃）、しかも脆い金属間化合物であるＡｕＳｎからな
る相が存在しないため、接合にあたって３４０℃以上の
高温に加熱することが不要で、しかも安定な接合が達成
される。
法により接合することにより、接合層として、実質的に
金と錫の合金からなり、かつ、該合金中の金含有量が１
０〜４０重量％の金錫合金層を形成することにあるが、
そのような合金は適切な融点範囲を有し（２１０〜３０
５℃）、しかも脆い金属間化合物であるＡｕＳｎからな
る相が存在しないため、接合にあたって３４０℃以上の
高温に加熱することが不要で、しかも安定な接合が達成
される。
【０００９】以下、複合リードフレームの製造方法を例
にとって、本発明の接合方法を詳細に説明する。
にとって、本発明の接合方法を詳細に説明する。
【００１０】複合リードフレームの製造方法の例では、
フレキシブル配線基板のインナーリードと外枠のアウタ
ーリードを接合するに際して、まず、インナーリードの
接合面に金めっきを施すが、ニッケルめっきを施してか
らその上に金めっきを施すことがより好ましい態様であ
る。そしてアウターリードの接合面に錫めっきが施され
る。
フレキシブル配線基板のインナーリードと外枠のアウタ
ーリードを接合するに際して、まず、インナーリードの
接合面に金めっきを施すが、ニッケルめっきを施してか
らその上に金めっきを施すことがより好ましい態様であ
る。そしてアウターリードの接合面に錫めっきが施され
る。
【００１１】接合を行うに際して用いられる加熱手段は
赤外線ビーム加熱、加熱ヒータによる加熱などそれ自体
の加熱手段が採用されるが、加熱ヒータを用いて加熱す
る方法が好ましい。加熱温度は、加熱ヒータを用いた場
合、加熱ヒータの温度を３００〜５００℃とし、リード
に対して３１〜９４ｇの圧をかけつつ０．５〜２０秒間
加熱する。
赤外線ビーム加熱、加熱ヒータによる加熱などそれ自体
の加熱手段が採用されるが、加熱ヒータを用いて加熱す
る方法が好ましい。加熱温度は、加熱ヒータを用いた場
合、加熱ヒータの温度を３００〜５００℃とし、リード
に対して３１〜９４ｇの圧をかけつつ０．５〜２０秒間
加熱する。
【００１２】このような加熱手段により錫が金に拡散し
て、結果として錫と金の合金層が生成する。この合金層
の金含有量は１０〜４０重量％であるが、このような組
成とするには、前記の金めっき量および錫めっき量を適
切に調整することにより達成される。通常インナーリー
ドへの金めっき量とアウターリードへの錫めっき量の割
合が上記の範囲となるようにめっきが行われる。
て、結果として錫と金の合金層が生成する。この合金層
の金含有量は１０〜４０重量％であるが、このような組
成とするには、前記の金めっき量および錫めっき量を適
切に調整することにより達成される。通常インナーリー
ドへの金めっき量とアウターリードへの錫めっき量の割
合が上記の範囲となるようにめっきが行われる。
【００１３】また、インナーリードへの金めっきは通常
厚さは０．３〜６．０μｍ、好ましくは、０．５〜１．
０μｍとなるよう行われ、またニッケルのめっきは通常
０．１〜１．５μｍの厚さとなるよう行われる。アウタ
ーリードへの錫めっきは通常１．５〜７．５μｍの厚さ
となるように行われる。
厚さは０．３〜６．０μｍ、好ましくは、０．５〜１．
０μｍとなるよう行われ、またニッケルのめっきは通常
０．１〜１．５μｍの厚さとなるよう行われる。アウタ
ーリードへの錫めっきは通常１．５〜７．５μｍの厚さ
となるように行われる。
【００１４】金、錫またはニッケルのめっき方法はそれ
自体公知の方法、例えば、電気めっき法で行われる。金
めっきについては、中性浴あるいは酸性浴による半光沢
めっきが採用される。また錫めっきについては、硫酸浴
あるいはほうふっ化浴による無光沢めっきが採用され
る。
自体公知の方法、例えば、電気めっき法で行われる。金
めっきについては、中性浴あるいは酸性浴による半光沢
めっきが採用される。また錫めっきについては、硫酸浴
あるいはほうふっ化浴による無光沢めっきが採用され
る。
【００１５】このようにして製造された複合リードフレ
ームの一例を図１および図２を用いて説明する。
ームの一例を図１および図２を用いて説明する。
【００１６】リードフレームは外枠１３を備え、この外
枠１３からアウターリード１５（１５ａ、１５ｂ）が外
枠１３の中心近傍に向かって延設されている。
枠１３からアウターリード１５（１５ａ、１５ｂ）が外
枠１３の中心近傍に向かって延設されている。
【００１７】リードフレームの外枠１３の中心部にはフ
レキシブル多層配線基板１７（以下単に「多層配線基
板」と称する）が配置され、この多層配線基板１７は、
上側に、例えばポリイミドよりなる絶縁フィルム層１９
と、下側に、例えば銅よりなる接地および電源供給用導
体層２１との２層からなっている。
レキシブル多層配線基板１７（以下単に「多層配線基
板」と称する）が配置され、この多層配線基板１７は、
上側に、例えばポリイミドよりなる絶縁フィルム層１９
と、下側に、例えば銅よりなる接地および電源供給用導
体層２１との２層からなっている。
【００１８】上記絶縁フィルム層１９の方は片面（すな
わち上面）銅箔付ポリイミドフィルムである。
わち上面）銅箔付ポリイミドフィルムである。
【００１９】この銅箔は後にエッチングされてインナー
リードとなる。絶縁フィルム層１９は、接地および電源
供給用ホール２３とがプレスパンチング等により開口さ
れている。この絶縁フィルム層１９に導体層２１が接着
剤等により貼着されている。この多層配線基板１７の絶
縁フィルム層１９の上側表面に貼付された銅箔を例えば
エッチングもしくは蒸着して、インナーリード２７が形
成されている。このインナーリード２７の内側先端に
は、ワイヤボンディング接続が良好になされるように、
例えばＳｎ−Ｎｉの下地の上に金のような良導体がめっ
きされている。このようにワイヤボンディングのために
インナーリードの内側先端にも金めっきが施されるので
あれば、金錫共晶合金法によってインナーリードとアウ
ターリードの接続を行うにあたりインナーリード側に金
めっきを施すようにしたことは、それぞれの金めっき作
業を同時に行うことができるのでめっき作業上非常に都
合がよい。上記多層配線基板１７のホール２３から露出
した導体層２１上にも、例えばＳｎ−Ｎｉの下地の上に
金のような良導体がめっきされている。
リードとなる。絶縁フィルム層１９は、接地および電源
供給用ホール２３とがプレスパンチング等により開口さ
れている。この絶縁フィルム層１９に導体層２１が接着
剤等により貼着されている。この多層配線基板１７の絶
縁フィルム層１９の上側表面に貼付された銅箔を例えば
エッチングもしくは蒸着して、インナーリード２７が形
成されている。このインナーリード２７の内側先端に
は、ワイヤボンディング接続が良好になされるように、
例えばＳｎ−Ｎｉの下地の上に金のような良導体がめっ
きされている。このようにワイヤボンディングのために
インナーリードの内側先端にも金めっきが施されるので
あれば、金錫共晶合金法によってインナーリードとアウ
ターリードの接続を行うにあたりインナーリード側に金
めっきを施すようにしたことは、それぞれの金めっき作
業を同時に行うことができるのでめっき作業上非常に都
合がよい。上記多層配線基板１７のホール２３から露出
した導体層２１上にも、例えばＳｎ−Ｎｉの下地の上に
金のような良導体がめっきされている。
【００２０】上記リードフレームのアウターリード１５
ｂと、多層配線基板１７のインナーリード２７との電気
的接続は、前記した方法により加熱圧着して達成されて
いる。
ｂと、多層配線基板１７のインナーリード２７との電気
的接続は、前記した方法により加熱圧着して達成されて
いる。
【００２１】ところで、この図において、リードフレー
ムのアウターリードは、外枠１３の例えば四隅近傍から
それぞれ延在するリードを接地および電源供給用アウタ
ーリード１５ａとし、その他を信号用アウターリード１
５ｂとしている。信号用アウターリード１５ｂは、上述
したようにインナーリード２７との接続がなされている
が、接地および電源供給用リード１５ａは、導体層２１
に直接接地される。この接地のため、まず、上記絶縁フ
ィルム層１９の切り欠きから露出する導体層２１の隅部
に金めっきによりバンプを形成し、このバンプに接地お
よび電源供給用リード１５ａの先端をあて、加熱圧着し
て、接合層（Ｓｎ−Ａｕ合金）３１を形成し導体層２１
と接地および電源供給用リード１５ａとを導通接続して
いる。
ムのアウターリードは、外枠１３の例えば四隅近傍から
それぞれ延在するリードを接地および電源供給用アウタ
ーリード１５ａとし、その他を信号用アウターリード１
５ｂとしている。信号用アウターリード１５ｂは、上述
したようにインナーリード２７との接続がなされている
が、接地および電源供給用リード１５ａは、導体層２１
に直接接地される。この接地のため、まず、上記絶縁フ
ィルム層１９の切り欠きから露出する導体層２１の隅部
に金めっきによりバンプを形成し、このバンプに接地お
よび電源供給用リード１５ａの先端をあて、加熱圧着し
て、接合層（Ｓｎ−Ａｕ合金）３１を形成し導体層２１
と接地および電源供給用リード１５ａとを導通接続して
いる。
【００２２】かかる多層リードフレームに、半導体素子
３３を搭載し、半導体素子３３の信号端子とインナーリ
ード２７のめっき端子との間をボンディングワイヤ３５
でボンディング接続するとともに、さらに半導体素子３
３の接地端子と導体層２１の多層配線基板１７の接地お
よび電源供給用ホール２３から露出する部分との間をボ
ンディングワイヤ３５でボンディングして接続する。最
後にインナーリード２７を包むように樹脂封止して半導
体装置を作製することができる。
３３を搭載し、半導体素子３３の信号端子とインナーリ
ード２７のめっき端子との間をボンディングワイヤ３５
でボンディング接続するとともに、さらに半導体素子３
３の接地端子と導体層２１の多層配線基板１７の接地お
よび電源供給用ホール２３から露出する部分との間をボ
ンディングワイヤ３５でボンディングして接続する。最
後にインナーリード２７を包むように樹脂封止して半導
体装置を作製することができる。
【００２３】上記した複合リードフレームの構造は、前
記したもの以外にフレキシブル配線基板が単層のもの即
ち図２の導体層２１が無いものであっても良く、また導
体層２１に絶縁層を介して更に導体層を積層し接地用導
体層と電源供給用導体層とを有する構造のものであって
も良い。
記したもの以外にフレキシブル配線基板が単層のもの即
ち図２の導体層２１が無いものであっても良く、また導
体層２１に絶縁層を介して更に導体層を積層し接地用導
体層と電源供給用導体層とを有する構造のものであって
も良い。
【００２４】
【発明の実施の形態】（実施例）（実験例） まず、厚さ０．１５mmのＦｅ−４２％Ｎｉ合金を用い
て、図２および図３に示すような、外枠１３およびアウ
ターリード１５を作製する。ここで、アウターリード１
５の先端におけるピッチは０．３７mmである。次に厚さ
０．０５mmの、ポリイミド絶縁フィルム層に接地および
電源供給用ホール２３を穿設し、このポリイミド絶縁フ
ィルム層の片面に厚さ０．１０mmの４２合金（Ｆｅ−４
２％Ｎｉ合金）箔を接着した２層の多層配線基板１７を
作製する。この多層配線基板１７に厚さ０．０１８mmの
銅箔を貼付し、エッチングして０．１２mmピッチのイン
ナーリード２７を形成し、インナーリード２７の外側端
部にＡｕ／Ｎｉめっきを施し（Ａｕ：２．０μｍ、Ｎ
ｉ：０．５μｍ）、このインナーリード２７の外側端部
に、Ｓｎめっきが施された（Ｓｎ：７．５μｍ）アウタ
ーリード１５の信号用リード１５ｂをツール（加熱ヒー
タ）により加熱加圧接合する。ここでＡｕとＳｎめっき
量の割合はＡｕが２６重量％であり、Ｓｎが７４重量％
である。なお、符号３７はＡｕ／Ｓｎ接合層である。
て、図２および図３に示すような、外枠１３およびアウ
ターリード１５を作製する。ここで、アウターリード１
５の先端におけるピッチは０．３７mmである。次に厚さ
０．０５mmの、ポリイミド絶縁フィルム層に接地および
電源供給用ホール２３を穿設し、このポリイミド絶縁フ
ィルム層の片面に厚さ０．１０mmの４２合金（Ｆｅ−４
２％Ｎｉ合金）箔を接着した２層の多層配線基板１７を
作製する。この多層配線基板１７に厚さ０．０１８mmの
銅箔を貼付し、エッチングして０．１２mmピッチのイン
ナーリード２７を形成し、インナーリード２７の外側端
部にＡｕ／Ｎｉめっきを施し（Ａｕ：２．０μｍ、Ｎ
ｉ：０．５μｍ）、このインナーリード２７の外側端部
に、Ｓｎめっきが施された（Ｓｎ：７．５μｍ）アウタ
ーリード１５の信号用リード１５ｂをツール（加熱ヒー
タ）により加熱加圧接合する。ここでＡｕとＳｎめっき
量の割合はＡｕが２６重量％であり、Ｓｎが７４重量％
である。なお、符号３７はＡｕ／Ｓｎ接合層である。
【００２５】接合に於ける各条件は以下の如くした。
【００２６】 温 度 ： ３２０℃ 圧 力 ： ４０ｇ／リード 時 間 ： １０秒 生成した接合層３７の合金組成はＡｕの含有量１５％で
あった。
あった。
【００２７】この一方で、多層配線基板１７のホールか
ら露出した導体層２１上に、Ａｕ／Ｎｉめっきを施し、
Ｓｎめっきが施された接地および電源供給用アウターリ
ード１５ａを加熱加圧接合して接続し本複合リードフレ
ームを作製した。
ら露出した導体層２１上に、Ａｕ／Ｎｉめっきを施し、
Ｓｎめっきが施された接地および電源供給用アウターリ
ード１５ａを加熱加圧接合して接続し本複合リードフレ
ームを作製した。
【００２８】このようにして得られた複合リードフレー
ムのインナーリードとアウターリードの接合部付近のポ
リイミド樹脂や接着剤が炭化した様子あるいは酸化した
様子は認められなかった。
ムのインナーリードとアウターリードの接合部付近のポ
リイミド樹脂や接着剤が炭化した様子あるいは酸化した
様子は認められなかった。
【００２９】インナーリードとアウターリードとの接合
強度が安定していることを確認する目的で接合部のピー
ル強度を測定した処、１５０℃に１０００時間放置した
後でも約５gf／mmと初期値とほとんど変化がなかった。
強度が安定していることを確認する目的で接合部のピー
ル強度を測定した処、１５０℃に１０００時間放置した
後でも約５gf／mmと初期値とほとんど変化がなかった。
【００３０】本発明のより一層の理解のために一連の実
験結果を説明する。
験結果を説明する。
【００３１】図３は、インナーリード２７上部に金がめ
っきされ、アウターリード１５の下部に錫がめっきされ
た接合前の横断面図であり、一方図４は加圧接合後の横
断面図であり、３７は錫と金の合金からなる接合層であ
る。
っきされ、アウターリード１５の下部に錫がめっきされ
た接合前の横断面図であり、一方図４は加圧接合後の横
断面図であり、３７は錫と金の合金からなる接合層であ
る。
【００３２】金と錫の合計めっき厚さを一定（７．５μ
ｍ）とした場合図５に示されるようにＡｕ／Ｓｎ接合断
面の厚さは、Ａｕめっき厚さが大きくなると厚くなる傾
向が観察された。これは、加圧接合時の温度が低いため
金の厚さが大きいと反応しないＡｕ層がそのまま残るた
めである。このようにＡｕ層の存在は、単に接合層の厚
さが増して構造上不利となるだけでなく、無駄な金を消
費するという意味で経済的にも作業性の上からも好まし
くないものである。
ｍ）とした場合図５に示されるようにＡｕ／Ｓｎ接合断
面の厚さは、Ａｕめっき厚さが大きくなると厚くなる傾
向が観察された。これは、加圧接合時の温度が低いため
金の厚さが大きいと反応しないＡｕ層がそのまま残るた
めである。このようにＡｕ層の存在は、単に接合層の厚
さが増して構造上不利となるだけでなく、無駄な金を消
費するという意味で経済的にも作業性の上からも好まし
くないものである。
【００３３】一方、金めっき厚さが１．０μｍと一定の
場合には、図６で示されるように錫のめっき厚さに関係
なく接合断面の厚さはほぼ一定（４．０μｍ）か、むし
ろ錫めっき厚さが厚くなるほど逆に薄くなる傾向であっ
た。
場合には、図６で示されるように錫のめっき厚さに関係
なく接合断面の厚さはほぼ一定（４．０μｍ）か、むし
ろ錫めっき厚さが厚くなるほど逆に薄くなる傾向であっ
た。
【００３４】次に接合部の引張強さに着目すると図７で
示されるように、Ａｕめっき厚さが０．５〜２．０μ
ｍ、好ましくは０．５〜１．０μｍ未満の処に引張強さ
の最も大きい領域が存在した。また、Ａｕめっきの厚さ
を０．１μｍと一定とした場合には、錫めっき厚さが
４．０〜８．０μｍ厚の処に引張強さの大きい領域が存
在した（図８参照）。
示されるように、Ａｕめっき厚さが０．５〜２．０μ
ｍ、好ましくは０．５〜１．０μｍ未満の処に引張強さ
の最も大きい領域が存在した。また、Ａｕめっきの厚さ
を０．１μｍと一定とした場合には、錫めっき厚さが
４．０〜８．０μｍ厚の処に引張強さの大きい領域が存
在した（図８参照）。
【００３５】接合部の定量分析を行い、めっき厚さとの
関係をプロットしたのが図９であるが、図７と関係させ
ると引張強さの大きい領域は、金含有量が１０〜４０重
量％の合金組成の処となっていることが理解される。
関係をプロットしたのが図９であるが、図７と関係させ
ると引張強さの大きい領域は、金含有量が１０〜４０重
量％の合金組成の処となっていることが理解される。
【００３６】金含有量が２０重量％の合金からなるＡｕ
−Ｓｎ接合部につきＸ線回析による分析を行った処、図
１０の如き回折パターンが得られＡｕＳｎで示される脆
い金属間化合物は生成していなかった。金１０重量％の
合金、金４０重量％の合金にもＡｕＳｎは生成していな
かった。
−Ｓｎ接合部につきＸ線回析による分析を行った処、図
１０の如き回折パターンが得られＡｕＳｎで示される脆
い金属間化合物は生成していなかった。金１０重量％の
合金、金４０重量％の合金にもＡｕＳｎは生成していな
かった。
【００３７】一方、金と錫の合金からなる接合部の信頼
試験の目的で、１５０℃の高温放置試験を実施した処接
合部の組成がＳｎ−１０ｗｔ％Ａｕ〜Ｓｎ−４０ｗｔ％
Ａｕの範囲のものは１０００時間後もピール強度の低下
は認められなかった。その一例を図１１に示した。ま
た、温度サイクル試験（−３０℃×３０分保持⇔１５０
℃×３０分保持）を１０００サイクル実施したがハガレ
も無く、ピール強度の低下もほとんどなかった。
試験の目的で、１５０℃の高温放置試験を実施した処接
合部の組成がＳｎ−１０ｗｔ％Ａｕ〜Ｓｎ−４０ｗｔ％
Ａｕの範囲のものは１０００時間後もピール強度の低下
は認められなかった。その一例を図１１に示した。ま
た、温度サイクル試験（−３０℃×３０分保持⇔１５０
℃×３０分保持）を１０００サイクル実施したがハガレ
も無く、ピール強度の低下もほとんどなかった。
【００３８】
【発明の効果】本発明の方法によれば、フレキシブル配
線基板上に部材を直接接合しても、絶縁フィルムや接着
剤に熱劣化を生じさせることがなく、健全な接合部を形
成することができる、という効果を奏する。
線基板上に部材を直接接合しても、絶縁フィルムや接着
剤に熱劣化を生じさせることがなく、健全な接合部を形
成することができる、という効果を奏する。
【図１】本発明の一実施例に係る複合リードフレームの
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係る複合リードフレームの
平面図である。
平面図である。
【図３】インナーリードとアウターリードを接合する前
の状態を示す横断面図である。
の状態を示す横断面図である。
【図４】インナーリードとアウターリードを接合した後
の状態を示す横断面図である。
の状態を示す横断面図である。
【図５】Ａｕめっき厚とＳｎめっき厚を変えたときの接
合断面の厚さの変化を示すグラフである。
合断面の厚さの変化を示すグラフである。
【図６】Ａｕめっき厚を一定とし、Ｓｎめっき厚を変化
したときの接合断面の厚さの変化を示すグラフである。
したときの接合断面の厚さの変化を示すグラフである。
【図７】Ａｕめっき厚およびＳｎめっき厚を変えたとき
の接合層の強度を示すグラフである。
の接合層の強度を示すグラフである。
【図８】Ａｕめっき厚を一定とし、Ｓｎめっき厚を変え
たときの接合層の強度を示すグラフである。
たときの接合層の強度を示すグラフである。
【図９】Ａｕ／Ｓｎ接合層の組成を示すグラフである。
【図１０】接合層のＸ線回折パターンを示す図である。
【図１１】Ａｕ／Ｓｎ接合部の強度の耐熱性を示すグラ
フである。
フである。
１１ リードフレーム １３ 外枠 １５ａ 接地および電源供給用アウターリード １５ｂ 信号用アウターリード １７ フレキシブル多層配線基板 １９ 絶縁フィルム層 ２１ 接地および電源供給用導体 ２３ 接地および電源供給用ホール ２７ インナーリード ３１ バンプ ３３ 半導体素子 ３５ ボンディングワイヤ ３７ Ｓｎ−Ａｕ合金層 ３８ 加圧接合で吐き出されたヒレット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 健司 茨城県土浦市木田余町3550番地 日立電 線株式会社システムマテリアル研究所内 審査官 守安 太郎 (56)参考文献 特開 平４−286148（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−21690（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−114687（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−22850（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−43668（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−84990（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−123067（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 21/60
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁フィルム上に接着剤を介して導体の微
細配線パターンを形成したフレキシブル配線基板の前記
配線パターン上に部材を金錫共晶合金法により接合する
方法であって、配線パターンもしくは部材の接合面に厚
さ４．０〜８．０μｍの錫めっきを施すと共に、部材も
しくは配線パターンの接合面に厚さ０．５〜１．０μｍ
の金めっきを施し、前記両接合面を加圧加熱して金錫共
晶合金法により接合することにより、接合層として、実
質的に金と錫の合金からなり、かつ、該合金中の金含有
量が１０〜４０重量％の金錫合金層を形成することを特
徴とするフレキシブル配線基板上に部材を接合する方
法。 - 【請求項２】請求項１において、絶縁フィルムがポリイ
ミドフィルムで、接着剤がエポキシ樹脂系接着剤である
ことを特徴とするレキシブル配線基板上に部材を接合す
る方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10873599A JP3183283B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | フレキシブル配線基板上に部材を接合する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10873599A JP3183283B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | フレキシブル配線基板上に部材を接合する方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP272897A Division JP2970568B2 (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | 複合リードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330145A JPH11330145A (ja) | 1999-11-30 |
| JP3183283B2 true JP3183283B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=14492206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10873599A Expired - Lifetime JP3183283B2 (ja) | 1999-04-16 | 1999-04-16 | フレキシブル配線基板上に部材を接合する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3183283B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014022778A (ja) * | 2012-07-12 | 2014-02-03 | Buffalo Inc | 通信システム、外部記憶装置、データ処理方法及びデータ処理プログラム |
-
1999
- 1999-04-16 JP JP10873599A patent/JP3183283B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014022778A (ja) * | 2012-07-12 | 2014-02-03 | Buffalo Inc | 通信システム、外部記憶装置、データ処理方法及びデータ処理プログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11330145A (ja) | 1999-11-30 |
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