JP3141682B2 - 複合リードフレーム - Google Patents
複合リードフレームInfo
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- joint
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
- H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は複合リードフレームに関
し、特に、リードフレームのリードと絶縁基板上の導体
パターンの接合部のピール強度を高くして、接合部の信
頼性を向上させた複合リードフレームに関する。
し、特に、リードフレームのリードと絶縁基板上の導体
パターンの接合部のピール強度を高くして、接合部の信
頼性を向上させた複合リードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】複合リードフレームは、ポリイミド，或
いはガラスエポキシ樹脂等の絶縁基板上に銅箔等をエッ
チングして導体パターンが形成されていると共にＩＣチ
ップが搭載される、所謂、ＴＡＢテープの接合部リード
に、リードフレームのリードを重ね合わせて接合するこ
とにより構成されている。
いはガラスエポキシ樹脂等の絶縁基板上に銅箔等をエッ
チングして導体パターンが形成されていると共にＩＣチ
ップが搭載される、所謂、ＴＡＢテープの接合部リード
に、リードフレームのリードを重ね合わせて接合するこ
とにより構成されている。
【０００３】上記のような複合リードフレームにおい
て、絶縁基板上の導体パターンとリードフレームのリー
ドの接続は、半田付けによって行われるのが一般的にな
っている。この場合、図８，及び図９に示すように、絶
縁基板１上の導体パターン２とリードフレームのリード
３が、両者の間、及びリード３の先端部と側面部に形成
された半田付けによるフィレット４を介して接合され
る。
て、絶縁基板上の導体パターンとリードフレームのリー
ドの接続は、半田付けによって行われるのが一般的にな
っている。この場合、図８，及び図９に示すように、絶
縁基板１上の導体パターン２とリードフレームのリード
３が、両者の間、及びリード３の先端部と側面部に形成
された半田付けによるフィレット４を介して接合され
る。
【０００４】ところで、このような接合部は、強度を測
定するために、図１０に示すような９０度ピール試験が
一般的に行われる。すなわち、リード３を９０度に曲げ
て絶縁基板１に対して直角方向、つまり、矢印方向に引
っ張って接合部のピール強度を評価している。この評価
試験では、接合部のフィレット４の形成状態がピール強
度を大きく左右する。
定するために、図１０に示すような９０度ピール試験が
一般的に行われる。すなわち、リード３を９０度に曲げ
て絶縁基板１に対して直角方向、つまり、矢印方向に引
っ張って接合部のピール強度を評価している。この評価
試験では、接合部のフィレット４の形成状態がピール強
度を大きく左右する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の複合リ
ードフレームによると、図９に示すように、導体パター
ン２の絶縁基板１の端部上では、リード３の側面と導体
パターン２の間に山状のフィレット４が形成され難く、
フィレットの形成が十分でないため、接合部は十分なピ
ール強度を得られないという不都合がある。
ードフレームによると、図９に示すように、導体パター
ン２の絶縁基板１の端部上では、リード３の側面と導体
パターン２の間に山状のフィレット４が形成され難く、
フィレットの形成が十分でないため、接合部は十分なピ
ール強度を得られないという不都合がある。
【０００６】従って、本発明の目的はリードフレームの
リードと絶縁基盤上の導体パターンの接合部のピール強
度を高めて、接合部の信頼性を向上させることができる
複合リードフレームを提供することである。
リードと絶縁基盤上の導体パターンの接合部のピール強
度を高めて、接合部の信頼性を向上させることができる
複合リードフレームを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点に鑑
み、リードフレームのリードと絶縁基盤上の導体パター
ンの接合部のピール強度を高めて、接合部の信頼性を向
上させるため、リードのＡｕ−Ｓｎ共晶合金層と接合さ
れている接合部分をＡｕ−Ｓｎ共晶合金層と接合されて
いない非接合部分より大なる幅の形状とし、Ａｕ−Ｓｎ
共晶合金層にリードの接合部分の周囲側面を被うフィレ
ットを設け、前記Ｓｎめっき層の厚さが３〜２０μｍで
ある場合に、前記導体パターンは、前記リードの前記接
合部分の全周囲において３０μｍだけ幅が広くなる面積
を有するように構成されている複合リードフレームを提
供するものである。
み、リードフレームのリードと絶縁基盤上の導体パター
ンの接合部のピール強度を高めて、接合部の信頼性を向
上させるため、リードのＡｕ−Ｓｎ共晶合金層と接合さ
れている接合部分をＡｕ−Ｓｎ共晶合金層と接合されて
いない非接合部分より大なる幅の形状とし、Ａｕ−Ｓｎ
共晶合金層にリードの接合部分の周囲側面を被うフィレ
ットを設け、前記Ｓｎめっき層の厚さが３〜２０μｍで
ある場合に、前記導体パターンは、前記リードの前記接
合部分の全周囲において３０μｍだけ幅が広くなる面積
を有するように構成されている複合リードフレームを提
供するものである。
【０００８】上記導電性接着層は、半田めっき層であっ
ても良く、また、リードの接合部分に施されたＡｕ，或
いはＳｎのめっき層，及び導体パターンに施されたＳ
ｎ，或いはＡｕのめっき層を加熱圧着して構成されたＡ
ｕ−Ｓｎ共晶合金層であっても良い。Ａｕ−Ｓｎ共晶合
金層の場合、Ａｕのめっき層の厚さは、０．３〜３μｍ
であり、Ｓｎのめっき層の厚さは、３〜２０μｍである
ことが好ましい。これはＡｕのめっき層の厚さが０．３
μｍ以下では十分な接合強度が得られず、３μｍ以上で
はコスト高となり、また、Ｓｎのめっき層の厚さが３μ
ｍ以下では接合部に十分なフィレットが形成されないた
め強度が低くなり、２０μｍ以上ではブリッヂが発生し
て隣接するリードと短絡する可能性があるからである。
ても良く、また、リードの接合部分に施されたＡｕ，或
いはＳｎのめっき層，及び導体パターンに施されたＳ
ｎ，或いはＡｕのめっき層を加熱圧着して構成されたＡ
ｕ−Ｓｎ共晶合金層であっても良い。Ａｕ−Ｓｎ共晶合
金層の場合、Ａｕのめっき層の厚さは、０．３〜３μｍ
であり、Ｓｎのめっき層の厚さは、３〜２０μｍである
ことが好ましい。これはＡｕのめっき層の厚さが０．３
μｍ以下では十分な接合強度が得られず、３μｍ以上で
はコスト高となり、また、Ｓｎのめっき層の厚さが３μ
ｍ以下では接合部に十分なフィレットが形成されないた
め強度が低くなり、２０μｍ以上ではブリッヂが発生し
て隣接するリードと短絡する可能性があるからである。
【０００９】また、上記導体パターンは、リードの接合
部分の全周囲において３０μｍだけ幅が広くなる面積を
有していることが好ましい。すなわち、幅が３０μｍ以
下であると、フィレットが十分に形成されないため、強
度が低くなり、更に、導体パターンとリードの位置合わ
せが困難になり、位置ずれの発生が多くなるからであ
る。
部分の全周囲において３０μｍだけ幅が広くなる面積を
有していることが好ましい。すなわち、幅が３０μｍ以
下であると、フィレットが十分に形成されないため、強
度が低くなり、更に、導体パターンとリードの位置合わ
せが困難になり、位置ずれの発生が多くなるからであ
る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の複合リードフレームについて
添付図面を参照しながら詳細に説明する。
添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１１】図１，及び図２の(a),(b) には、本発明の
複合リードフレームの接合部の構成が示されている。こ
の複合リードフレームは、リード３の導体パターン２と
接合されている接合面５を導体パターン２と接合されて
いないリード３より大なる幅の形状とし、導体パターン
２の接合面５の周囲に所定の幅を形成して接合面５の周
囲側面、つまり、顎部６にもフィレット４を形成した構
成を有している。
複合リードフレームの接合部の構成が示されている。こ
の複合リードフレームは、リード３の導体パターン２と
接合されている接合面５を導体パターン２と接合されて
いないリード３より大なる幅の形状とし、導体パターン
２の接合面５の周囲に所定の幅を形成して接合面５の周
囲側面、つまり、顎部６にもフィレット４を形成した構
成を有している。
【００１２】上記複合リードフレームは、リード３の接
合面５に顎部６を形成し、この部分にもフィレット４を
形成しているため、この部分のフィレット４がピール試
験時のリード３の剥離の抵抗となり、接合面の幅が他の
リード幅と同じものより接合部のピール強度を高くする
ことができる。また、この部分の応力集中もフィレット
４によって緩和されるため、ヒートサイクル試験，振動
試験等によるクラック発生も少なくでき、信頼性を向上
させることができる。
合面５に顎部６を形成し、この部分にもフィレット４を
形成しているため、この部分のフィレット４がピール試
験時のリード３の剥離の抵抗となり、接合面の幅が他の
リード幅と同じものより接合部のピール強度を高くする
ことができる。また、この部分の応力集中もフィレット
４によって緩和されるため、ヒートサイクル試験，振動
試験等によるクラック発生も少なくでき、信頼性を向上
させることができる。
【００１３】以下、本発明の実施例を更に詳細に説明す
る。まず、ポリイミドより成る厚さ１００μｍの絶縁基
盤１上に厚さ３５μｍのＣｕ箔を接着した２層ＣＣＬ
（Copper clad lamination）に、幅０．３ｍｍ，長さ１
ｍｍの長方形の導体パターン２を形成し、それに厚さ
１．５μｍのＮｉめっきと厚さ０．８μｍのＡｕめっき
を電気めっきによって形成した。
る。まず、ポリイミドより成る厚さ１００μｍの絶縁基
盤１上に厚さ３５μｍのＣｕ箔を接着した２層ＣＣＬ
（Copper clad lamination）に、幅０．３ｍｍ，長さ１
ｍｍの長方形の導体パターン２を形成し、それに厚さ
１．５μｍのＮｉめっきと厚さ０．８μｍのＡｕめっき
を電気めっきによって形成した。
【００１４】次に、厚さ０．１５ｍｍのＣｕ合金板をエ
ッチングして、所定のパターン形状のリードフレームに
成形した。この時、リード３の先端の接合面５を、幅
０．１５ｍｍ，長さ０．８ｍｍの図１のような長方形と
し、リード３の幅を０．１ｍｍとした。そして、この接
合面５に電気めっきによって厚さ１０μｍのＳｎめっき
を形成した。
ッチングして、所定のパターン形状のリードフレームに
成形した。この時、リード３の先端の接合面５を、幅
０．１５ｍｍ，長さ０．８ｍｍの図１のような長方形と
し、リード３の幅を０．１ｍｍとした。そして、この接
合面５に電気めっきによって厚さ１０μｍのＳｎめっき
を形成した。
【００１５】最後に、リード３の接合面５と導体パター
ン２を位置合わせし、３５０℃に加熱したツールを用い
て加圧力１ｋｇ／リード，加圧時間２秒で両者を加圧し
て接合し、複合リードフレームを得た。
ン２を位置合わせし、３５０℃に加熱したツールを用い
て加圧力１ｋｇ／リード，加圧時間２秒で両者を加圧し
て接合し、複合リードフレームを得た。
【００１６】次に、このようにして得られた実施例１の
複合リードフレームの接合部に対して、図１０に示すよ
うな９０度ピール試験を行い、そのピール強度を測定し
た。また、比較例１として接合部分にかけてリード幅が
同一なリードを上記実施例と同じ導体パターンに接合し
た複合リードフレームについても同様に接合部の評価試
験を行った。
複合リードフレームの接合部に対して、図１０に示すよ
うな９０度ピール試験を行い、そのピール強度を測定し
た。また、比較例１として接合部分にかけてリード幅が
同一なリードを上記実施例と同じ導体パターンに接合し
た複合リードフレームについても同様に接合部の評価試
験を行った。
【００１７】
【表１】 表１に、実施例１と比較例１の複合リードフレームの試
験結果を示す。この結果から判るように、接合面５がリ
ード３の幅より大なる幅の実施例１の複合リードフレー
ムの接合部のピール強度は、接合部分にかけてリード幅
が同一な比較例１の接合部のピール強度に比べて約２倍
高くなっており、しかもバラツキも少なくなっている。
験結果を示す。この結果から判るように、接合面５がリ
ード３の幅より大なる幅の実施例１の複合リードフレー
ムの接合部のピール強度は、接合部分にかけてリード幅
が同一な比較例１の接合部のピール強度に比べて約２倍
高くなっており、しかもバラツキも少なくなっている。
【００１８】また、実施例１と比較例１の複合リードフ
レームを樹脂モールドし、−５５℃／１５０℃×各３０
分保持のヒートサイクル試験を１０００サイクル行っ
た。終了後、接合部の剥がれについて調査したところ、
実施例１では接合部の剥がれが無かったが、比較例では
接合部の剥がれが１．５％検出された。
レームを樹脂モールドし、−５５℃／１５０℃×各３０
分保持のヒートサイクル試験を１０００サイクル行っ
た。終了後、接合部の剥がれについて調査したところ、
実施例１では接合部の剥がれが無かったが、比較例では
接合部の剥がれが１．５％検出された。
【００１９】次に、実施例１において、導体パターン側
に半田ペーストを厚さ１５μｍ塗布し、この導体パター
ンにめっき処理されていないリードフレームのリードを
加熱温度２５０℃，加圧力１ｋｇ／リード，加圧時間２
秒の条件で接合して実施例２の複合リードフレームを得
た。一方、比較例１と同じ導体パターンとリードフレー
ムを使用し、実施例２と同様に導体パターン側に半田ペ
ーストを厚さ１５μｍ塗布し、これにめっき処理されて
いないリードフレームのリードを接合して比較例２の複
合リードフレームを得た。そして、得られた実施例２と
比較例２の複合リードフレームの接合部に対して９０度
ピール試験を行った。
に半田ペーストを厚さ１５μｍ塗布し、この導体パター
ンにめっき処理されていないリードフレームのリードを
加熱温度２５０℃，加圧力１ｋｇ／リード，加圧時間２
秒の条件で接合して実施例２の複合リードフレームを得
た。一方、比較例１と同じ導体パターンとリードフレー
ムを使用し、実施例２と同様に導体パターン側に半田ペ
ーストを厚さ１５μｍ塗布し、これにめっき処理されて
いないリードフレームのリードを接合して比較例２の複
合リードフレームを得た。そして、得られた実施例２と
比較例２の複合リードフレームの接合部に対して９０度
ピール試験を行った。
【００２０】
【表２】 表２に、実施例２と比較例２の複合リードフレームの試
験結果を示す。この結果から判るように、リードと導体
パターンを半田ペーストで接合しても、接合面の幅が非
接合部分の幅より大きいリードで導体パターンと接合さ
れた実施例２の接合部のピール強度が比較例２のピール
強度に対して大幅に向上している。
験結果を示す。この結果から判るように、リードと導体
パターンを半田ペーストで接合しても、接合面の幅が非
接合部分の幅より大きいリードで導体パターンと接合さ
れた実施例２の接合部のピール強度が比較例２のピール
強度に対して大幅に向上している。
【００２１】次に、表３において、実施例１の複合リー
ドフレームの導体パターンのＡｕめっきの厚さと、リー
ドフレームのＳｎめっきの厚さをそれぞれ異ならせて、
実施例３から９の複合リードフレームと、比較例３から
６の複合リードフレームをそれぞれ得た。これらの複合
リードフレームの接合部のピール強度を測定したとこ
ろ、Ｓｎめっきの厚さが３〜２０μｍの実施例３から５
と、Ａｕめっきの厚さが０．３〜３μｍの実施例６から
９の複合リードフレームは、何れも高いピール強度を有
していることが判る。一方、Ｓｎのめっき層の厚さが３
μｍ以下の比較例３はピール強度が低く、２０μｍ以上
の比較例４はピール強度は高いがブリッヂが発生する。
また、Ａｕのめっき層の厚さが０．３μｍ以下の比較例
５はピール強度が低く、３μｍ以上の比較例６はピール
強度は高いがコスト高となる。
ドフレームの導体パターンのＡｕめっきの厚さと、リー
ドフレームのＳｎめっきの厚さをそれぞれ異ならせて、
実施例３から９の複合リードフレームと、比較例３から
６の複合リードフレームをそれぞれ得た。これらの複合
リードフレームの接合部のピール強度を測定したとこ
ろ、Ｓｎめっきの厚さが３〜２０μｍの実施例３から５
と、Ａｕめっきの厚さが０．３〜３μｍの実施例６から
９の複合リードフレームは、何れも高いピール強度を有
していることが判る。一方、Ｓｎのめっき層の厚さが３
μｍ以下の比較例３はピール強度が低く、２０μｍ以上
の比較例４はピール強度は高いがブリッヂが発生する。
また、Ａｕのめっき層の厚さが０．３μｍ以下の比較例
５はピール強度が低く、３μｍ以上の比較例６はピール
強度は高いがコスト高となる。
【表３】
【００２２】次に、表４において、実施例１の複合リー
ドフレームの導体パターン２の幅を異ならせて実施例１
０，１１と比較例７，８の複合リードフレームを得た。
これらの複合リードフレームの接合部のピール強度を測
定したところ、導体パターンの幅と接合面の幅の片側で
の差が３０μｍ以上の実施例１０，１１は、表４に示す
ように、何れも高いピール強度を有している。これに対
し、導体パターンの幅と接合面の幅の片側での差が１０
μｍと２０μｍの比較例７，８は、何れもピール強度が
低くなっている。つまり、これは導体パターンの幅と接
合面の幅の片側での差が３０μｍ以上ないとリードが導
体パターンからはみ出る場合が多くなり、フィレット４
が形成され難くなるからである。
ドフレームの導体パターン２の幅を異ならせて実施例１
０，１１と比較例７，８の複合リードフレームを得た。
これらの複合リードフレームの接合部のピール強度を測
定したところ、導体パターンの幅と接合面の幅の片側で
の差が３０μｍ以上の実施例１０，１１は、表４に示す
ように、何れも高いピール強度を有している。これに対
し、導体パターンの幅と接合面の幅の片側での差が１０
μｍと２０μｍの比較例７，８は、何れもピール強度が
低くなっている。つまり、これは導体パターンの幅と接
合面の幅の片側での差が３０μｍ以上ないとリードが導
体パターンからはみ出る場合が多くなり、フィレット４
が形成され難くなるからである。
【表４】
【００２３】なお、以上の実施例では、リードフレーム
の接合面５の形状を、図１のような長方形状としたが、
導体パターン２と接合されている接合部分が導体パター
ン２と接合されていない非接合部分より大なる幅の形状
を有していれば、特に限定するものではなく、例えば、
図３から図７に示すような形状であっても良い。
の接合面５の形状を、図１のような長方形状としたが、
導体パターン２と接合されている接合部分が導体パター
ン２と接合されていない非接合部分より大なる幅の形状
を有していれば、特に限定するものではなく、例えば、
図３から図７に示すような形状であっても良い。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の複合リー
ドフレームによると、リードのＡｕ−Ｓｎ共晶合金層と
接合されている接合部分をＡｕ−Ｓｎ共晶合金層と接合
されていない非接合部分より大なる幅の形状とし、Ａｕ
−Ｓｎ共晶合金層にリードの接合部分の周囲側面を被う
フィレットを設け、前記Ｓｎめっき層の厚さが３〜２０
μｍである場合に、前記導体パターンは、前記リードの
前記接合部分の全周囲において３０μｍだけ幅が広くな
る面積を有するようにしたため、リードフレームのリー
ドと絶縁基盤上の導体パターンの接合部のピール強度を
高めて、接合部の信頼性を向上させることができる。
ドフレームによると、リードのＡｕ−Ｓｎ共晶合金層と
接合されている接合部分をＡｕ−Ｓｎ共晶合金層と接合
されていない非接合部分より大なる幅の形状とし、Ａｕ
−Ｓｎ共晶合金層にリードの接合部分の周囲側面を被う
フィレットを設け、前記Ｓｎめっき層の厚さが３〜２０
μｍである場合に、前記導体パターンは、前記リードの
前記接合部分の全周囲において３０μｍだけ幅が広くな
る面積を有するようにしたため、リードフレームのリー
ドと絶縁基盤上の導体パターンの接合部のピール強度を
高めて、接合部の信頼性を向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す平面図。
【図２】図１のＢ−Ｂ線，及びＣ−Ｃ線断面図。
【図３】本発明の第１２の実施例を示す平面図。
【図４】本発明の第１３の実施例を示す平面図。
【図５】本発明の第１４の実施例を示す平面図。
【図６】本発明の第１５の実施例を示す平面図。
【図７】本発明の第１６の実施例を示す平面図。
【図８】従来の複合リードフレームを示す平面図。
【図９】図８のＡ−Ａ線断面図。
【図１０】９０度ピール試験方法を示す説明図。
１ 絶縁基板 ２ 導体パターン ３ リード ４ フィレット ５ 接合面 ６ 顎部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塙 秀雄 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日 立電線株式会社電線工場内 (72)発明者 鈴木 勝美 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日 立電線株式会社電線工場内 (56)参考文献 特開 昭49−116964（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−299562（ＪＰ，Ａ) 実開 昭54−163763（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50
Claims (1)
- 【請求項１】リードフレームのリードの上にＳｎめっき
層を有し、絶縁基板上の導体パターンの上にＡｕめっき
層を有し、前記リードフレームのリードが、Ａｕ−Ｓｎ
共晶合金層を介して絶縁基板上の導体パターンと接合さ
れた複合リードフレームにおいて、 前記リードは前記Ａｕ−Ｓｎ共晶合金層と接合されてい
る接合部分が前記Ａｕ−Ｓｎ共晶合金層と接合されてい
ない非接合部分より大なる幅の形状を有し、 前記Ａｕ−Ｓｎ共晶合金層は前記リードの前記接合部分
の周囲側面を被うフィレットを有し、 前記Ｓｎめっき層の厚さが３〜２０μｍであり、前記導
体パターンが、前記リードの前記接合部分の全周囲にお
いて３０μｍだけ幅が広くなる面積を有するように構成
されていることを特徴とする複合リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06112160A JP3141682B2 (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 複合リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06112160A JP3141682B2 (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 複合リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297343A JPH07297343A (ja) | 1995-11-10 |
| JP3141682B2 true JP3141682B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=14579746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06112160A Expired - Fee Related JP3141682B2 (ja) | 1994-04-27 | 1994-04-27 | 複合リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3141682B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012089745A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-05-10 | Kyocera Corp | リード端子およびそれを備えたリード端子付き絶縁基体ならびに素子収納用パッケージ |
-
1994
- 1994-04-27 JP JP06112160A patent/JP3141682B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07297343A (ja) | 1995-11-10 |
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