JPH06244342A - 複合リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents
複合リードフレームおよびその製造方法Info
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- JPH06244342A JPH06244342A JP2658893A JP2658893A JPH06244342A JP H06244342 A JPH06244342 A JP H06244342A JP 2658893 A JP2658893 A JP 2658893A JP 2658893 A JP2658893 A JP 2658893A JP H06244342 A JPH06244342 A JP H06244342A
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- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】フレキシブル配線基板のインナーリードと外枠
側のアウターリードとの接合が安定しており、フレキシ
ブル配線基板の絶縁層の樹脂の劣化がない複合リードフ
レームとその製造方法の提供。 【構成】アウターリード１５ａ，１５ｂを銅あるいは銅
合金リードフレームによって構成しインナーリード２７
を絶縁フィルム１９上に導体の微細配線パターンを形成
したフレキシブル配線基板によって構成してなる複合リ
ードフレームにおいて、アウターリードとインナーリー
ド２７との接合層が錫と金と銅の合金３１，３７からな
り、該合金の金含有量が１０〜４０重量％、銅含有量が
１０〜４０重量％であることを特徴とする複合リードフ
レームとその製造方法。
側のアウターリードとの接合が安定しており、フレキシ
ブル配線基板の絶縁層の樹脂の劣化がない複合リードフ
レームとその製造方法の提供。 【構成】アウターリード１５ａ，１５ｂを銅あるいは銅
合金リードフレームによって構成しインナーリード２７
を絶縁フィルム１９上に導体の微細配線パターンを形成
したフレキシブル配線基板によって構成してなる複合リ
ードフレームにおいて、アウターリードとインナーリー
ド２７との接合層が錫と金と銅の合金３１，３７からな
り、該合金の金含有量が１０〜４０重量％、銅含有量が
１０〜４０重量％であることを特徴とする複合リードフ
レームとその製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型の半導体装
置用の複合リードフレームおよびその製造方法に関する
ものである。
置用の複合リードフレームおよびその製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】アウターリードを金属リードフレーム、
例えば銅あるいは銅合金リードフレーム等によって構成
し、インナーリードを絶縁フィルム上に導体の微細配線
パターンを形成したフレキシブル配線基板によって構成
してなる複合リードフレームは各種の構成のものが従来
提案されているが、いずれの構造であってもフレキシブ
ル配線基板のインナーリードと外枠側のアウターリード
とを何らかの方法で電気的に接合する必要がある。フレ
キシブル配線基板からのインナーリードは絶縁層（通常
ポリイミドフィルム）上に積層されているため、接合に
当たって以下の様な問題点が生じる。
例えば銅あるいは銅合金リードフレーム等によって構成
し、インナーリードを絶縁フィルム上に導体の微細配線
パターンを形成したフレキシブル配線基板によって構成
してなる複合リードフレームは各種の構成のものが従来
提案されているが、いずれの構造であってもフレキシブ
ル配線基板のインナーリードと外枠側のアウターリード
とを何らかの方法で電気的に接合する必要がある。フレ
キシブル配線基板からのインナーリードは絶縁層（通常
ポリイミドフィルム）上に積層されているため、接合に
当たって以下の様な問題点が生じる。
【０００３】即ち、アウターリードとインナーリードと
の接合は加圧、加熱下に行われるが加熱ツール温度が３
４０℃以上の高温となると、絶縁層を構成する樹脂（例
えばポリイミド樹脂）あるいは該絶縁層とインナーリー
ドを接着するのに用いられている接着剤（例えば、エポ
キシ樹脂系接着剤）が加熱劣化し、酸化もしくは炭化し
絶縁性を損ったり、強度が低下したりするので好ましく
ない。
の接合は加圧、加熱下に行われるが加熱ツール温度が３
４０℃以上の高温となると、絶縁層を構成する樹脂（例
えばポリイミド樹脂）あるいは該絶縁層とインナーリー
ドを接着するのに用いられている接着剤（例えば、エポ
キシ樹脂系接着剤）が加熱劣化し、酸化もしくは炭化し
絶縁性を損ったり、強度が低下したりするので好ましく
ない。
【０００４】アウターリードとインナーリードの接合の
目的で鉛−錫半田を用いると、その共晶点（融点１８３
℃）が低いので上記の問題は生じないがアウターリード
とインナーリードとを接合した後に２００℃付近で行わ
れるワイヤーボンディング工程、あるいはやはり２００
℃付近で行われる樹脂封止工程が存在するためにアウタ
ーリードとインナーリードとの安定した接合が得られな
い。
目的で鉛−錫半田を用いると、その共晶点（融点１８３
℃）が低いので上記の問題は生じないがアウターリード
とインナーリードとを接合した後に２００℃付近で行わ
れるワイヤーボンディング工程、あるいはやはり２００
℃付近で行われる樹脂封止工程が存在するためにアウタ
ーリードとインナーリードとの安定した接合が得られな
い。
【０００５】さらに、アウターリードとインナーリード
との接合層が金−錫２元素合金の場合には、接合部の接
合強度が低く、また加熱後の接合強度の低下が大きい。
との接合層が金−錫２元素合金の場合には、接合部の接
合強度が低く、また加熱後の接合強度の低下が大きい。
【０００６】一方、一般に用いられる錫含有量２０重量
％の金−錫合金の接合の使用はツール温度が３４０℃を
越え、３８０℃〜５４０℃と高いので、やはり樹脂劣化
の問題が生じる。
％の金−錫合金の接合の使用はツール温度が３４０℃を
越え、３８０℃〜５４０℃と高いので、やはり樹脂劣化
の問題が生じる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】かくして、本発明はワ
イヤボンディング工程、樹脂封止工程に耐えて安定にア
ウターリードとインナーリードとが接合され、かつ絶縁
層の樹脂や接着剤に熱劣化のないリードフレームとその
製造方法の提供を目的としている。
イヤボンディング工程、樹脂封止工程に耐えて安定にア
ウターリードとインナーリードとが接合され、かつ絶縁
層の樹脂や接着剤に熱劣化のないリードフレームとその
製造方法の提供を目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に従えば、アウタ
ーリードを銅あるいは銅合金リードフレームによって構
成し、インナーリードを絶縁フィルム上に導体の微細配
線パターンを形成したフレキシブル配線基板によって構
成してなる複合リードフレームにおいて、アウターリー
ドとインナーリードとの接合層が錫と金と銅の合金から
なり、該合金の金含有量が１０〜４０重量％、銅含有量
が１０〜４０重量％であることを特徴とする複合リード
フレームが提供される。
ーリードを銅あるいは銅合金リードフレームによって構
成し、インナーリードを絶縁フィルム上に導体の微細配
線パターンを形成したフレキシブル配線基板によって構
成してなる複合リードフレームにおいて、アウターリー
ドとインナーリードとの接合層が錫と金と銅の合金から
なり、該合金の金含有量が１０〜４０重量％、銅含有量
が１０〜４０重量％であることを特徴とする複合リード
フレームが提供される。
【０００９】また、本発明によれば、アウターリードを
銅あるいは銅合金を構成し、インナーリードを絶縁フィ
ルム上に導体の微細パターンを形成したフレキシブル配
線基板によって構成した複合リードフレームの製造方法
において、前記アウターリードの接合面に錫めっき、前
記インナーリードの接合面に金めっきを施し、その後前
記両接合面を温度：２００℃〜５００℃、圧力：１００
ｇ／リード〜６００ｇ／リードで０．５秒〜２０秒間加
圧加熱して接合することを特徴とするリードフレームの
製造方法が提供される。
銅あるいは銅合金を構成し、インナーリードを絶縁フィ
ルム上に導体の微細パターンを形成したフレキシブル配
線基板によって構成した複合リードフレームの製造方法
において、前記アウターリードの接合面に錫めっき、前
記インナーリードの接合面に金めっきを施し、その後前
記両接合面を温度：２００℃〜５００℃、圧力：１００
ｇ／リード〜６００ｇ／リードで０．５秒〜２０秒間加
圧加熱して接合することを特徴とするリードフレームの
製造方法が提供される。
【００１０】前記アウターリードの接合面に施される錫
めっきの厚さが１．５〜７．５μｍ前記インナーリード
の接合面に施される金めっきの厚さが０．３〜６．０μ
ｍ、前記両接合面の接合厚さが１〜５μｍであるのが好
ましい。
めっきの厚さが１．５〜７．５μｍ前記インナーリード
の接合面に施される金めっきの厚さが０．３〜６．０μ
ｍ、前記両接合面の接合厚さが１〜５μｍであるのが好
ましい。
【００１１】ここで、フレキシブ配線基板とは、絶縁フ
ィルム（テープ状のものを含む）上に導体の微細配線パ
ターンを形成した、いわゆるフレキシブルな配線基板を
言う。ＴＡＢテープと称するものも、絶縁フィルム上に
導体の微細配線パターンを形成したフレキシブルなもの
であり、そういう意味で構造的にはなんら変わりがない
ことから、ここでいうフレキシブル配線基板として用い
られる。
ィルム（テープ状のものを含む）上に導体の微細配線パ
ターンを形成した、いわゆるフレキシブルな配線基板を
言う。ＴＡＢテープと称するものも、絶縁フィルム上に
導体の微細配線パターンを形成したフレキシブルなもの
であり、そういう意味で構造的にはなんら変わりがない
ことから、ここでいうフレキシブル配線基板として用い
られる。
【００１２】本発明の最も重要な特徴はフレキシブル配
線基板のインナーリードと金属リードフレームのアウタ
ーリードとの接合において接合層として金含有量が１０
〜４０重量％、銅含有量が１０〜４０重量％の金−錫−
銅合金を用いることであるが、このような特定合金は、
高い接合強度と優れた耐熱性を示す。
線基板のインナーリードと金属リードフレームのアウタ
ーリードとの接合において接合層として金含有量が１０
〜４０重量％、銅含有量が１０〜４０重量％の金−錫−
銅合金を用いることであるが、このような特定合金は、
高い接合強度と優れた耐熱性を示す。
【００１３】以下、詳細に本発明を説明する。フレキシ
ブル配線基板のインナーリードと金属リードフレームの
アウターリードを接合するに際して、まず、インナーリ
ードの接合面に金めっきを施すが、ニッケルめっきを施
してからその上に金めっきを施すことがより好ましい態
様である。そしてアウターリードの接合面に錫めっきが
施される。
ブル配線基板のインナーリードと金属リードフレームの
アウターリードを接合するに際して、まず、インナーリ
ードの接合面に金めっきを施すが、ニッケルめっきを施
してからその上に金めっきを施すことがより好ましい態
様である。そしてアウターリードの接合面に錫めっきが
施される。
【００１４】接合を行うに際して用いられる加熱手段は
赤外線ビーム加熱、加熱ヒータによる加熱などそれ自体
公知の加熱手段が採用されるが、加熱ヒータを用いて加
熱する方法が好ましい。加熱温度は、加熱ヒータを用い
た場合、加熱ヒータの温度を３００〜５００℃とし、リ
ードに対して１００〜６００ｇの圧をかけつつ０．５〜
２０秒間加熱する。
赤外線ビーム加熱、加熱ヒータによる加熱などそれ自体
公知の加熱手段が採用されるが、加熱ヒータを用いて加
熱する方法が好ましい。加熱温度は、加熱ヒータを用い
た場合、加熱ヒータの温度を３００〜５００℃とし、リ
ードに対して１００〜６００ｇの圧をかけつつ０．５〜
２０秒間加熱する。
【００１５】この様な加熱手段によりアウターリードめ
っきの錫が溶融し、この溶融錫中にインナーリードめっ
きの金とアウターリードの銅が拡散した結果、錫と金と
銅の合金層が生成される。この合金層の金含有量は１０
〜４０重量％、銅含有量は１０〜４０重量％であるが、
この様な組成とするには、前記の金めっき量、錫のめっ
き量および接合厚さを適切に調整することにより達成さ
れる。通常インナーリードへの金めっき量とアウターリ
ードへの錫めっき量の割合が上記の範囲となるようにめ
っきが行われ、さらに、接合厚さも上記の範囲となるよ
うに接合される。
っきの錫が溶融し、この溶融錫中にインナーリードめっ
きの金とアウターリードの銅が拡散した結果、錫と金と
銅の合金層が生成される。この合金層の金含有量は１０
〜４０重量％、銅含有量は１０〜４０重量％であるが、
この様な組成とするには、前記の金めっき量、錫のめっ
き量および接合厚さを適切に調整することにより達成さ
れる。通常インナーリードへの金めっき量とアウターリ
ードへの錫めっき量の割合が上記の範囲となるようにめ
っきが行われ、さらに、接合厚さも上記の範囲となるよ
うに接合される。
【００１６】また、インナーリードへの金のめっきは通
常厚さ０．３〜６．０μｍ、好ましくは、０．５〜２．
０μｍとなるよう行われ、またニッケルのめっきは通常
０．１〜０．５μｍの厚さとなるよう行われる。アウタ
ーリードへの錫のめっきは通常１．５〜７．５μｍの厚
さとなるように行われる。接合厚さは、１〜５μｍ、好
ましくは１〜２μｍが適当である。
常厚さ０．３〜６．０μｍ、好ましくは、０．５〜２．
０μｍとなるよう行われ、またニッケルのめっきは通常
０．１〜０．５μｍの厚さとなるよう行われる。アウタ
ーリードへの錫のめっきは通常１．５〜７．５μｍの厚
さとなるように行われる。接合厚さは、１〜５μｍ、好
ましくは１〜２μｍが適当である。
【００１７】金、錫またはニッケルのめっき方法はそれ
自体公知の方法、例えば、電気めっき法で行われる。金
めっきについては、中性浴あるいは酸性浴による半光沢
めっきが採用される。また錫めっきについては、硫酸浴
あるいはほうふっ化浴による無光沢めっきが採用され
る。
自体公知の方法、例えば、電気めっき法で行われる。金
めっきについては、中性浴あるいは酸性浴による半光沢
めっきが採用される。また錫めっきについては、硫酸浴
あるいはほうふっ化浴による無光沢めっきが採用され
る。
【００１８】本発明の複合リードフレームの一実施例を
図１および図２を用いて説明する。
図１および図２を用いて説明する。
【００１９】本発明の複合リードフレームに用いられる
金属リードフレームは銅あるいは銅合金からなり、タイ
バー１３を備え、このタイバー１３からアウターリード
１５（１５ａ，１５ｂ）がタイバー１３の中心近傍に向
かって延設されている。
金属リードフレームは銅あるいは銅合金からなり、タイ
バー１３を備え、このタイバー１３からアウターリード
１５（１５ａ，１５ｂ）がタイバー１３の中心近傍に向
かって延設されている。
【００２０】リードフレームのタイバー１３の中心部に
はフレキシブル多層線基板１７（以下に「多層配線基
板」と称する）が配置され、この多層配線基板１７は、
上側に、例えばポリイミドよりなる絶縁フィルム層１９
と、下側に、例えば銅よりなる接地または電源供給用導
体層２１との２層からなっている。上記絶縁フィルム層
１９は片面（すなわち上面）銅箔付ポリイミドフィルム
を用いてもよい。
はフレキシブル多層線基板１７（以下に「多層配線基
板」と称する）が配置され、この多層配線基板１７は、
上側に、例えばポリイミドよりなる絶縁フィルム層１９
と、下側に、例えば銅よりなる接地または電源供給用導
体層２１との２層からなっている。上記絶縁フィルム層
１９は片面（すなわち上面）銅箔付ポリイミドフィルム
を用いてもよい。
【００２１】この銅箔は後にエッチングされてインナー
リード２７となる。絶縁フィルム層１９は、接地または
電源供給用ホール２３とがプレスパンチング等により開
口されている。この絶縁フィルム層１９に導体層２１が
接着剤等により貼着されている。この多層配線基板１７
の絶縁フィルム層１９の上側表面に貼付された銅箔を例
えばエッチングもしくは銅を蒸着して、インナーリード
２７が形成されている。このインナーリード２７の内側
先端には、ワイヤボンディング接続が良好になされるよ
うに、例えば錫−ニッケルの下地の上に金のような良導
体がめっきされている。このように、半導体素子電極と
のワイヤボンディングのためにインナーリード内側先端
にも金めっきが施されるのであれば、上記したように本
発明においてアウターリードとインナーリードとの加圧
加熱接合する際にインナーリード側に金めっきを施すこ
とは、前記各金めっき作業を同時に行うことができるの
でめっき作業上非常に都合がよい。上記多層配線基板１
７のホール２３にも、例えば錫−ニッケルの下地の上に
金のような良導体がめっきされている。
リード２７となる。絶縁フィルム層１９は、接地または
電源供給用ホール２３とがプレスパンチング等により開
口されている。この絶縁フィルム層１９に導体層２１が
接着剤等により貼着されている。この多層配線基板１７
の絶縁フィルム層１９の上側表面に貼付された銅箔を例
えばエッチングもしくは銅を蒸着して、インナーリード
２７が形成されている。このインナーリード２７の内側
先端には、ワイヤボンディング接続が良好になされるよ
うに、例えば錫−ニッケルの下地の上に金のような良導
体がめっきされている。このように、半導体素子電極と
のワイヤボンディングのためにインナーリード内側先端
にも金めっきが施されるのであれば、上記したように本
発明においてアウターリードとインナーリードとの加圧
加熱接合する際にインナーリード側に金めっきを施すこ
とは、前記各金めっき作業を同時に行うことができるの
でめっき作業上非常に都合がよい。上記多層配線基板１
７のホール２３にも、例えば錫−ニッケルの下地の上に
金のような良導体がめっきされている。
【００２２】上記金属リードフレームのアウターリード
１５ｂと、多層配線基板１７のインナーリード２７との
電気的接続は、前記した方法により加熱圧着して達成さ
れている。
１５ｂと、多層配線基板１７のインナーリード２７との
電気的接続は、前記した方法により加熱圧着して達成さ
れている。
【００２３】ところで、この図において、金属リードフ
レームのアウターリード１５は、タイバー１３の例えば
四隅近傍からそれぞれ延在するリードを接地または電源
供給用アウターリード１５ａとし、その他を信号用アウ
ターリード１５ｂとしている。信号用アウターリード１
５ｂは、上述したようにインナーリード２７との接続が
なされているが、接地または電源供給用リード１５ａ
は、導体層２１に直接接地される。この接地のため、ま
ず、上記絶縁フィルム層１９の切り欠きから露出する導
体層２１の隅部にも金めっきされ、アウターリード１５
ｂと同じように先端に錫めっきされた接地または電源供
給用リード１５ａの先端をあて、加熱圧着して、接合層
（金−錫−銅合金）３１を形成し導体層２１と接地また
は電源供給用リード１５ａとを導通接続している。な
お、図３はインナーリード２７上部に金がめっきされ、
アウターリード１５の下部に錫がめっきされた接合前の
横断面図であり、一方、図４は加圧接合後の横断面図で
あり、参照符号３７は錫と金と銅の合金からなる接合層
であり、３８は加圧加熱結合で吐き出だされたフィレッ
トである。
レームのアウターリード１５は、タイバー１３の例えば
四隅近傍からそれぞれ延在するリードを接地または電源
供給用アウターリード１５ａとし、その他を信号用アウ
ターリード１５ｂとしている。信号用アウターリード１
５ｂは、上述したようにインナーリード２７との接続が
なされているが、接地または電源供給用リード１５ａ
は、導体層２１に直接接地される。この接地のため、ま
ず、上記絶縁フィルム層１９の切り欠きから露出する導
体層２１の隅部にも金めっきされ、アウターリード１５
ｂと同じように先端に錫めっきされた接地または電源供
給用リード１５ａの先端をあて、加熱圧着して、接合層
（金−錫−銅合金）３１を形成し導体層２１と接地また
は電源供給用リード１５ａとを導通接続している。な
お、図３はインナーリード２７上部に金がめっきされ、
アウターリード１５の下部に錫がめっきされた接合前の
横断面図であり、一方、図４は加圧接合後の横断面図で
あり、参照符号３７は錫と金と銅の合金からなる接合層
であり、３８は加圧加熱結合で吐き出だされたフィレッ
トである。
【００２４】かかる多層リードフレームに、半導体素子
３３を搭載し、半導体素子３３の信号端子とインナーリ
ード２７のめっき端子との間をボンディングワイヤ３５
でボンディング接続するとともに、さらに半導体素子３
３の接地端子と導体層２１の多層配線基板１７の接地ま
たは電源供給用ホール２３から露出する部分との間をボ
ンディングワイヤ３５でボンディングして接続する。最
後にインナーリード２７を包むように樹脂封止して半導
体装置を作製することができる。
３３を搭載し、半導体素子３３の信号端子とインナーリ
ード２７のめっき端子との間をボンディングワイヤ３５
でボンディング接続するとともに、さらに半導体素子３
３の接地端子と導体層２１の多層配線基板１７の接地ま
たは電源供給用ホール２３から露出する部分との間をボ
ンディングワイヤ３５でボンディングして接続する。最
後にインナーリード２７を包むように樹脂封止して半導
体装置を作製することができる。
【００２５】本発明の複合リードフレームの構造は、前
記したもの以外にフレキシブル配線基板が単層のもの即
ち図１の導体層２１が無いものであっても良く、また導
体層２１に絶縁層を介して更に導体層を積層し接地用導
体層と電源供給用導体層とを有する構造のものであって
も良い。
記したもの以外にフレキシブル配線基板が単層のもの即
ち図１の導体層２１が無いものであっても良く、また導
体層２１に絶縁層を介して更に導体層を積層し接地用導
体層と電源供給用導体層とを有する構造のものであって
も良い。
【００２６】
【実施例】（実施例）まず、厚さ０．１５ｍｍの銅合金
を用いて、図１および図２に示すような、タイバー１３
およびアウターリード１５を作製する。ここで、アウタ
ーリード１５の先端におけるピッチは０．３７ｍｍであ
る。次に厚さ０．０５ｍｍの、ポリイミド絶縁フィルム
層１９に接地または電源供給用ホール２３を穿設し、こ
のポリイミド絶縁フィルム層１９の片面に厚さ０．１０
ｍｍの銅合金箔を接着した２層の多層配線基板１７を作
製する。この多層配線基板１７に厚さ０．０１８ｍｍの
銅箔を貼付しエッチングして０．１２ｍｍピッチのイン
ナーリード２７を形成し、インナーリード２７の外側端
部に金／ニッケルめっきを施し、（金：２．０μｍ、ニ
ッケル：０．５μｍ）、アウターリード１５ｂの外側端
部に錫めっきが施された（錫：７．５μｍ）アウターリ
ード１５の信号用リード１５ｂをツール（加熱ヒータ）
により加圧加熱接合する。ここで金と錫のめっき量の割
合は金が２６重量％であり、錫が７４重量％である。
を用いて、図１および図２に示すような、タイバー１３
およびアウターリード１５を作製する。ここで、アウタ
ーリード１５の先端におけるピッチは０．３７ｍｍであ
る。次に厚さ０．０５ｍｍの、ポリイミド絶縁フィルム
層１９に接地または電源供給用ホール２３を穿設し、こ
のポリイミド絶縁フィルム層１９の片面に厚さ０．１０
ｍｍの銅合金箔を接着した２層の多層配線基板１７を作
製する。この多層配線基板１７に厚さ０．０１８ｍｍの
銅箔を貼付しエッチングして０．１２ｍｍピッチのイン
ナーリード２７を形成し、インナーリード２７の外側端
部に金／ニッケルめっきを施し、（金：２．０μｍ、ニ
ッケル：０．５μｍ）、アウターリード１５ｂの外側端
部に錫めっきが施された（錫：７．５μｍ）アウターリ
ード１５の信号用リード１５ｂをツール（加熱ヒータ）
により加圧加熱接合する。ここで金と錫のめっき量の割
合は金が２６重量％であり、錫が７４重量％である。
【００２７】接合における各条件は以下の如くとした。 温度： ３２０℃ 圧力： ４００ｇ／リード 時間： １０秒 生成した接合層３７の合金組成はＡｕの含有量２５重量
％、銅の含有量３５重量％であった。
％、銅の含有量３５重量％であった。
【００２８】この一方で、多層配線基板１７に、金／ニ
ッケルめっきを施し、錫めっきが施された接地または電
源供給用アウターリード１５ａを加圧加熱接合して接続
し本発明の複合リードフレームを作製した。
ッケルめっきを施し、錫めっきが施された接地または電
源供給用アウターリード１５ａを加圧加熱接合して接続
し本発明の複合リードフレームを作製した。
【００２９】このようにして得られた複合リードフレー
ムのインナーリード２７とアウターリード１５（１５
ａ，１５ｂ）の接合部付近のポリイミド樹脂や接着剤が
炭化した様子あるいは酸化した様子は認められなかっ
た。
ムのインナーリード２７とアウターリード１５（１５
ａ，１５ｂ）の接合部付近のポリイミド樹脂や接着剤が
炭化した様子あるいは酸化した様子は認められなかっ
た。
【００３０】インナーリード２７とアウターリード１５
（１５ａ，１５ｂ）との接合強度が安定していることを
確認する目的で接合部のピール強度を測定した処、１５
０℃に１０００時間放置した後でも約９０ｇｆ／本で初
期値とほとんど変化がなかった。
（１５ａ，１５ｂ）との接合強度が安定していることを
確認する目的で接合部のピール強度を測定した処、１５
０℃に１０００時間放置した後でも約９０ｇｆ／本で初
期値とほとんど変化がなかった。
【００３１】本発明のより一層の理解のために一連の実
験結果を説明する。
験結果を説明する。
【００３２】図５は、接合部の銅組成とピ−ル強度の関
係を示したものである。接合部の錫と金の重量％比は６
５／３５である。銅を含まない場合ピ−ル強度は低く、
銅１０〜４０重量％の場合にピール強度は増加し、４０
重量％超のときには、脆化してピール強度は低下する。
係を示したものである。接合部の錫と金の重量％比は６
５／３５である。銅を含まない場合ピ−ル強度は低く、
銅１０〜４０重量％の場合にピール強度は増加し、４０
重量％超のときには、脆化してピール強度は低下する。
【００３３】図６は接合部の組成が、錫：４０重量％、
金：２５重量％、銅：３５重量％のものと、錫：６２重
量％、金３８％重量で銅を含まないものを１７５℃で１
０００時間まで加熱した場合のピール強度の変化を示し
たものである。銅を含まないものは、加熱によるピール
強度の低下が大であるが、銅を含むものは、加熱後のピ
ール強度の低下は殆どみられない。
金：２５重量％、銅：３５重量％のものと、錫：６２重
量％、金３８％重量で銅を含まないものを１７５℃で１
０００時間まで加熱した場合のピール強度の変化を示し
たものである。銅を含まないものは、加熱によるピール
強度の低下が大であるが、銅を含むものは、加熱後のピ
ール強度の低下は殆どみられない。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、ワイヤボンディング工
程、樹脂封止工程に付しても安定にインナーリードとア
ウターリードとが接合しており、しかも両者の接合温度
が低いので絶縁層に用いられる樹脂や接着剤の熱劣化の
無い複合リードフレームが得られる。
程、樹脂封止工程に付しても安定にインナーリードとア
ウターリードとが接合しており、しかも両者の接合温度
が低いので絶縁層に用いられる樹脂や接着剤の熱劣化の
無い複合リードフレームが得られる。
【００３５】また、本発明によれば、アウターリードを
銅あるいは銅合金で構成したので、アウターリードに錫
めっき、インナーリードに金めっきを施し、所定圧力お
よび温度で加圧加熱接合するだけで、容易に安定した接
着強度および信頼性の高い接合が得られる。
銅あるいは銅合金で構成したので、アウターリードに錫
めっき、インナーリードに金めっきを施し、所定圧力お
よび温度で加圧加熱接合するだけで、容易に安定した接
着強度および信頼性の高い接合が得られる。
【図１】本発明の複合リードフレームの一例を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
【図２】本発明の複合リードフレームの一例を説明する
ための平面図である。
ための平面図である。
【図３】インナーリードとアウターリードを接合する前
の状態を示す横断面図である。
の状態を示す横断面図である。
【図４】インナーリードとアウターリードが接合した後
の状態を示す横断面図である。
の状態を示す横断面図である。
【図５】複合リードフレームの接合部の銅含有量とピー
ル強度の関係を示すグラフである。
ル強度の関係を示すグラフである。
【図６】銅を含む接合部と含まない接合部の加熱後のピ
ール強度の変化を示すグラフである。
ール強度の変化を示すグラフである。
１１ リードフレーム １３ タイバー １５ａ 接地または電源供給用アウターリード １５ｂ 信号用アウターリード １７ フレキシブル多層配線基板 １９ 絶縁フィルム層 ２１ 接地または電源供給用導体層 ２３ 接地または電源供給用ホール ２７ インナーリード ３１ 金−錫−銅合金層 ３３ 半導体素子 ３５ ボンディングワイヤ ３７ 金−錫−銅合金層 ３８ 加圧接合で吐き出されたフィレット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高 城 正 治 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内 (72)発明者 村 上 富 男 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内
Claims (3)
- 【請求項１】アウターリードを銅あるいは銅合金リード
フレームによって構成し、インナーリードを絶縁フィル
ム上に導体の微細配線パターンを形成したフレキシブル
配線基板によって構成してなる複合リードフレームにお
いて、アウターリードとインナーリードとの接合層が錫
と金と銅の合金からなり、該合金の金含有量が１０〜４
０重量％、銅含有量が１０〜４０重量％であることを特
徴とする複合リードフレーム。 - 【請求項２】アウターリードを銅あるいは銅合金リード
フレームによって構成し、インナーリードを絶縁フィル
ム上に導体の微細配線パターンを形成したフレキシブル
配線基板によって構成してなる複合リードフレームの製
造方法において、前記アウターリードの接合面に錫めっ
き、前記インナーリードの接合面に金めっきを施し、そ
の後前記両接合面を温度：２００℃〜５００℃、圧力：
１００ｇ／リード〜６００ｇ／リードで０．５秒〜２０
秒間加圧加熱して、接合することを特徴とする複合リー
ドフレームの製造方法。 - 【請求項３】前記アウターリードの接合面に施される錫
めっきの厚さが１．５〜７．５μｍ前記インナーリード
の接合面に施される金めっきの厚さが０．３〜６．０μ
ｍ、前記両接合面の接合厚さが１〜５μｍである請求項
２に記載の複合リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2658893A JP2979880B2 (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 複合リードフレームおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2658893A JP2979880B2 (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 複合リードフレームおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244342A true JPH06244342A (ja) | 1994-09-02 |
| JP2979880B2 JP2979880B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=12197709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2658893A Expired - Fee Related JP2979880B2 (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | 複合リードフレームおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2979880B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998041354A1 (en) * | 1997-03-17 | 1998-09-24 | Hitachi, Ltd. | Method of solid-phase welding members |
| KR100275611B1 (ko) * | 1996-11-28 | 2000-12-15 | 가네꼬 히사시 | 테이핑 리드 프레임 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| SG152056A1 (en) * | 2002-05-17 | 2009-05-29 | Idemitsu Kousan Co Ltd | Wiring material and wiring board using the same |
-
1993
- 1993-02-16 JP JP2658893A patent/JP2979880B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100275611B1 (ko) * | 1996-11-28 | 2000-12-15 | 가네꼬 히사시 | 테이핑 리드 프레임 구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| WO1998041354A1 (en) * | 1997-03-17 | 1998-09-24 | Hitachi, Ltd. | Method of solid-phase welding members |
| SG152056A1 (en) * | 2002-05-17 | 2009-05-29 | Idemitsu Kousan Co Ltd | Wiring material and wiring board using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2979880B2 (ja) | 1999-11-15 |
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