JP2848373B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2848373B2 JP2848373B2 JP4402997A JP4402997A JP2848373B2 JP 2848373 B2 JP2848373 B2 JP 2848373B2 JP 4402997 A JP4402997 A JP 4402997A JP 4402997 A JP4402997 A JP 4402997A JP 2848373 B2 JP2848373 B2 JP 2848373B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特に金（Ａｕ）バンプ電極に対し、リードを接合する半
導体装置に関する。
特に金（Ａｕ）バンプ電極に対し、リードを接合する半
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の電極にリードを接合
する工程の自動化が進められ、適当な搬送テープに貼付
されたリードの端部と、半導体基板上に形成されたＡｕ
バンプ電極とを接合する方式、いわゆるテープキャリア
（ＴＣＰ）方式が広く採用されている。
する工程の自動化が進められ、適当な搬送テープに貼付
されたリードの端部と、半導体基板上に形成されたＡｕ
バンプ電極とを接合する方式、いわゆるテープキャリア
（ＴＣＰ）方式が広く採用されている。
【０００３】図３は従来の一例を説明するための半導体
装置の断面図である。図３に示すように、従来の半導体
装置は、半導体基板１上に被着したＡｕバンプ２と、銅
（Ｃｕ）材の表面に錫（Ｓｎ）めっき層５を施したＣｕ
リード部４とを備え、このＡｕバンプ２にＣｕリード部
４を接合している。
装置の断面図である。図３に示すように、従来の半導体
装置は、半導体基板１上に被着したＡｕバンプ２と、銅
（Ｃｕ）材の表面に錫（Ｓｎ）めっき層５を施したＣｕ
リード部４とを備え、このＡｕバンプ２にＣｕリード部
４を接合している。
【０００４】かかるＡｕバンプ２とＣｕリード部４を接
合するには、Ｓｎめっきを施したＣｕリード部４をＡｕ
バンプ２に溶着する方法が主に使用されているが、この
ような金属の組合わせでは、リード部４のＳｎメッキ層
５とＡｕバンプ２により、接触部（つまり、接点）Ａｕ
−Ｓｎ合金を形成して接合している。
合するには、Ｓｎめっきを施したＣｕリード部４をＡｕ
バンプ２に溶着する方法が主に使用されているが、この
ような金属の組合わせでは、リード部４のＳｎメッキ層
５とＡｕバンプ２により、接触部（つまり、接点）Ａｕ
−Ｓｎ合金を形成して接合している。
【０００５】しかし、このような金属、Ａｕ−Ｓｎの溶
けが悪く、リード部４の不着の大きな要因となってい
る。
けが悪く、リード部４の不着の大きな要因となってい
る。
【０００６】また、Ａｕバンプ２，Ｓｎメッキリード部
４と、Ａｕ−Ｓｎ合金とは、濡れ性が悪く、これも両者
の不着の不着の要因となっている。
４と、Ａｕ−Ｓｎ合金とは、濡れ性が悪く、これも両者
の不着の不着の要因となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置は、リード部とバンプの熱圧着時のＡｕ−Ｓｎの溶
け不足によリ、リード不着を発生するという欠点があ
る。
装置は、リード部とバンプの熱圧着時のＡｕ−Ｓｎの溶
け不足によリ、リード不着を発生するという欠点があ
る。
【０００８】また、従来の半導体装置は、リードがＳｎ
めっきしているのに対し、バンプはＳｎめっきしていな
いため、Ａｕ−Ｓｎ合金の濡れ不足が生じ、このために
リードそのものの不着率が高くなるという欠点がある。
めっきしているのに対し、バンプはＳｎめっきしていな
いため、Ａｕ−Ｓｎ合金の濡れ不足が生じ、このために
リードそのものの不着率が高くなるという欠点がある。
【０００９】本発明の目的は、かかるバンプとリード部
の不着を低減するとともに、生産性および信頼性を向上
させることのできる半導体装置を提供することにある。
の不着を低減するとともに、生産性および信頼性を向上
させることのできる半導体装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体基板上に被着するとともに、上面にＳｎめっき層
を形成したＡｕバンプと、表面にＳｎめっき層を形成し
たリード部とを有し、前記Ａｕバンプに前記リード部を
熱圧着により接合する際、両者の接触部およびその近傍
にＡｕ−Ｓｎ共晶を形成するように構成される。
半導体基板上に被着するとともに、上面にＳｎめっき層
を形成したＡｕバンプと、表面にＳｎめっき層を形成し
たリード部とを有し、前記Ａｕバンプに前記リード部を
熱圧着により接合する際、両者の接触部およびその近傍
にＡｕ−Ｓｎ共晶を形成するように構成される。
【００１１】また、本発明の半導体装置における前記Ａ
ｕバンプは、露出している表面全体にＳｎめっき層を形
成するように構成される。
ｕバンプは、露出している表面全体にＳｎめっき層を形
成するように構成される。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１３】図１（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の一
実施の形態を説明するための半導体装置のリードとバン
プの接合前後の断面図である。まず、図１（ａ）に示す
ように、本実施の形態の半導体装置は、Ａｕバンプ２と
Ｃｕリード部４とを有し、両者の接合前においては、半
導体基板１上に被着されたＡｕバンプ２が上面にＳｎめ
っき層３を形成しており、一方Ｃｕリード部４が表面に
Ｓｎめっき層５を形成している。ここで、Ｓｎめっき層
３は、Ａｕバンプ２の上面にのみ形成しているが、バン
プ２の側面を絶縁膜などで被覆してめっきを施せばよ
い。
実施の形態を説明するための半導体装置のリードとバン
プの接合前後の断面図である。まず、図１（ａ）に示す
ように、本実施の形態の半導体装置は、Ａｕバンプ２と
Ｃｕリード部４とを有し、両者の接合前においては、半
導体基板１上に被着されたＡｕバンプ２が上面にＳｎめ
っき層３を形成しており、一方Ｃｕリード部４が表面に
Ｓｎめっき層５を形成している。ここで、Ｓｎめっき層
３は、Ａｕバンプ２の上面にのみ形成しているが、バン
プ２の側面を絶縁膜などで被覆してめっきを施せばよ
い。
【００１４】ついで、図１（ｂ）に示すように、Ａｕバ
ンプ２にＣｕリード部４を熱圧着により接合する際、両
者の接触部にＡｕ−Ｓｎ共晶６を形成する。またこのＡ
ｕ−Ｓｎ共晶６は、両者の接触部に加えて、その近傍周
囲にまで形成される。このとき、Ｃｕリード部４のＳｎ
めっき層５において、Ａｕ−Ｓｎ共晶６にならない部
分、すなわち上側部分は、熱圧着の際の熱により一時的
に溶融し、その後冷却して固着する。
ンプ２にＣｕリード部４を熱圧着により接合する際、両
者の接触部にＡｕ−Ｓｎ共晶６を形成する。またこのＡ
ｕ−Ｓｎ共晶６は、両者の接触部に加えて、その近傍周
囲にまで形成される。このとき、Ｃｕリード部４のＳｎ
めっき層５において、Ａｕ−Ｓｎ共晶６にならない部
分、すなわち上側部分は、熱圧着の際の熱により一時的
に溶融し、その後冷却して固着する。
【００１５】このように、Ｃｕリード部４とＡｕバンプ
２をＡｕ−Ｓｎ共晶６により融着すると、それぞれの表
面に低融点金属であるＳｎをめっきしているため、融着
しやすくなるとともに、Ａｕ−Ｓｎの流れを良くするこ
とができるので、濡れ性を向上させることができる。
２をＡｕ−Ｓｎ共晶６により融着すると、それぞれの表
面に低融点金属であるＳｎをめっきしているため、融着
しやすくなるとともに、Ａｕ−Ｓｎの流れを良くするこ
とができるので、濡れ性を向上させることができる。
【００１６】図２は本発明の他の実施の形態を説明する
ための半導体装置のバンプ側の断面図である。図２に示
すように、本実施の形態は、半導体装置におけるＡｕバ
ンプ２が、上面だけでなく側面を含む露出している表面
全体にＳｎめっき層３を形成したものである。この場合
は、バンプ２の側面を絶縁膜で被覆せずにＳｎめっきを
施せば良い。
ための半導体装置のバンプ側の断面図である。図２に示
すように、本実施の形態は、半導体装置におけるＡｕバ
ンプ２が、上面だけでなく側面を含む露出している表面
全体にＳｎめっき層３を形成したものである。この場合
は、バンプ２の側面を絶縁膜で被覆せずにＳｎめっきを
施せば良い。
【００１７】これにより、Ａｕバンプ２の側面にもＡｕ
−Ｓｎ共晶が流れ易くなり、リード部の剥し強度がさら
に増大する。
−Ｓｎ共晶が流れ易くなり、リード部の剥し強度がさら
に増大する。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置は、ＡｕバンプおよびＣｕリード部の表面にそれぞれ
Ｓｎめっき層を形成することにより、Ａｕ−Ｓｎの流れ
が良くなるので、ＡｕバンプにＣｕリード部を熱圧着し
たときの半田濡れ性を良くすることができ、両者の不着
を低減することができるという効果がある。
置は、ＡｕバンプおよびＣｕリード部の表面にそれぞれ
Ｓｎめっき層を形成することにより、Ａｕ−Ｓｎの流れ
が良くなるので、ＡｕバンプにＣｕリード部を熱圧着し
たときの半田濡れ性を良くすることができ、両者の不着
を低減することができるという効果がある。
【００１９】また、本発明の半導体装置は、Ａｕ−Ｓｎ
の流れ不足による接続不良が減るため、生産性および信
頼性を向上させることができるという効果がある。
の流れ不足による接続不良が減るため、生産性および信
頼性を向上させることができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施の形態を説明するための半導体
装置のリードとバンプの接合前後の断面図である。
装置のリードとバンプの接合前後の断面図である。
【図２】本発明の他の実施の形態を説明するための半導
体装置のバンプ側の断面図である。
体装置のバンプ側の断面図である。
【図３】従来の一例を説明するためのリード，バンプ接
合前の半導体装置の断面図である。
合前の半導体装置の断面図である。
１ 半導体基板 ２ Ａｕバンプ ３ Ｓｎめっき層 ４ Ｃｕリード部 ５ Ｓｎめっき層 ６ Ａｕ−Ｓｎ共晶
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/603 H01L 21/60 311 H01L 21/92 602
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に被着するとともに、上面
にＳｎめっき層を形成したＡｕバンプと、表面にＳｎめ
っき層を形成したリード部とを有し、前記Ａｕバンプに
前記リード部を熱圧着により接合する際、両者の接触部
およびその近傍にＡｕ−Ｓｎ共晶を形成することを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記Ａｕバンプは、露出している表面全
体にＳｎめっき層を形成した請求項１記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4402997A JP2848373B2 (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4402997A JP2848373B2 (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242220A JPH10242220A (ja) | 1998-09-11 |
| JP2848373B2 true JP2848373B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=12680225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4402997A Expired - Fee Related JP2848373B2 (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2848373B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008078240A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Toyota Motor Corp | 半導体素子の配線接続方法および半導体装置 |
-
1997
- 1997-02-27 JP JP4402997A patent/JP2848373B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10242220A (ja) | 1998-09-11 |
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