JPH04313262A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04313262A JPH04313262A JP7075791A JP7075791A JPH04313262A JP H04313262 A JPH04313262 A JP H04313262A JP 7075791 A JP7075791 A JP 7075791A JP 7075791 A JP7075791 A JP 7075791A JP H04313262 A JPH04313262 A JP H04313262A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- pipe
- semiconductor device
- external lead
- shaped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に係り、主
として金属封止型半導体装置の内部リ−ドと外部リ−ド
の接合方法に関するものである。
として金属封止型半導体装置の内部リ−ドと外部リ−ド
の接合方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は金属封止型半導体装置の全体構成
を示す断面図で、Ｃｕのステム５にあらかじめロウ付け
された線状の内部リ−ド１は、半導体チップ６から金線
７により結線されており、さらに、その状態のステム５
とパイプ状の外部リ−ド３を有するキャップ８とを電気
溶接により接合し、内部を封止した構造となっている。 また、図２に示すＡ部分を拡大した図３に示すように、
パイプ状の外部リ−ド３に挿入された線状の内部リ−ド
１を外部から相対する一対の電極９ａ，９ｂによって加
圧し、パイプ状の外部リ−ド３をつぶすとともに、両電
極９ａ，９ｂ間に電流を流すことにより、すなわち電気
かしめ法により内部リ−ド１と外部リ−ド３との電気的
接合を得る。その場合、従来の構造では、図４に示すよ
うに、内部リ−ド１の表面には半導体チップ６が接合し
やすいように表面に金メッキ等により金層２が形成され
ている。
を示す断面図で、Ｃｕのステム５にあらかじめロウ付け
された線状の内部リ−ド１は、半導体チップ６から金線
７により結線されており、さらに、その状態のステム５
とパイプ状の外部リ−ド３を有するキャップ８とを電気
溶接により接合し、内部を封止した構造となっている。 また、図２に示すＡ部分を拡大した図３に示すように、
パイプ状の外部リ−ド３に挿入された線状の内部リ−ド
１を外部から相対する一対の電極９ａ，９ｂによって加
圧し、パイプ状の外部リ−ド３をつぶすとともに、両電
極９ａ，９ｂ間に電流を流すことにより、すなわち電気
かしめ法により内部リ−ド１と外部リ−ド３との電気的
接合を得る。その場合、従来の構造では、図４に示すよ
うに、内部リ−ド１の表面には半導体チップ６が接合し
やすいように表面に金メッキ等により金層２が形成され
ている。
【０００３】このように、内部リ−ド１の表面に施した
金層２は、加圧および印加電流により外部リ−ド３との
間に金ロウ接合を形成する。それにより、内部リ−ド１
と外部リ−ド３の電気的接合を行うことができる。
金層２は、加圧および印加電流により外部リ−ド３との
間に金ロウ接合を形成する。それにより、内部リ−ド１
と外部リ−ド３の電気的接合を行うことができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のような構造となっているので、金ロウ接合させるた
め、１０００℃以上に加熱しなければならず、すなわち
大電流を印加することが必要で、しかも接合面に油等汚
れが付着すると金ロウ接合が形成できず接触不具合が発
生する等の問題点があった。
上のような構造となっているので、金ロウ接合させるた
め、１０００℃以上に加熱しなければならず、すなわち
大電流を印加することが必要で、しかも接合面に油等汚
れが付着すると金ロウ接合が形成できず接触不具合が発
生する等の問題点があった。
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、内部リ−ドと外部リ−ドの接触
が良好に得られる構造の半導体装置を得ることを目的と
する。
ためになされたもので、内部リ−ドと外部リ−ドの接触
が良好に得られる構造の半導体装置を得ることを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、線状の内部リ−ドの表面とパイプ状の外部リ−ドの
内面に互いに良好な接合が得られる表面処理材を形成し
たものである。
は、線状の内部リ−ドの表面とパイプ状の外部リ−ドの
内面に互いに良好な接合が得られる表面処理材を形成し
たものである。
【０００７】
【作用】本発明に係る半導体装置は、内部リ−ドの表面
と、外部リ−ドの表面に形成した表面処理材の半田接合
により大電流を印加することなく、良好な接触を得るこ
とができる。
と、外部リ−ドの表面に形成した表面処理材の半田接合
により大電流を印加することなく、良好な接触を得るこ
とができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図１は本発明による半導体装置の一実施例を示す要
部の拡大図で、内部リ−ドと、外部リ−ドのかしめ部の
拡大断面図である。図１において、１は鉄−ニッケル−
コバルト合金（商標名；コバ−ル），ニッケル等からな
る線状の内部リ−ドで、その表面に表面処理材、例えば
金メッキ等により金層２が１〜１０μｍの厚さに形成さ
れている。３はニッケル，コバ−ル等からなるパイプ状
の外部リ−ドで、その内面に前記内部リ−ド１に形成さ
れた表面処理材と良好な半田接合が得られる表面処理材
、例えば錫層４が１〜５μｍの厚さにメッキまたはクラ
ッド等で形成されている。
る。図１は本発明による半導体装置の一実施例を示す要
部の拡大図で、内部リ−ドと、外部リ−ドのかしめ部の
拡大断面図である。図１において、１は鉄−ニッケル−
コバルト合金（商標名；コバ−ル），ニッケル等からな
る線状の内部リ−ドで、その表面に表面処理材、例えば
金メッキ等により金層２が１〜１０μｍの厚さに形成さ
れている。３はニッケル，コバ−ル等からなるパイプ状
の外部リ−ドで、その内面に前記内部リ−ド１に形成さ
れた表面処理材と良好な半田接合が得られる表面処理材
、例えば錫層４が１〜５μｍの厚さにメッキまたはクラ
ッド等で形成されている。
【０００９】上記のように表面処理材が形成された線状
の内部リ−ド１と、パイプ状の外部リ−ド３は、従来と
同様に図３に示すように一対の電極９ａ，９ｂにより加
圧され、同時に電流を流し、これにより内部リ−ド１の
表面の金層２と、外部リ−ド３の内面の錫層４が溶融し
、金−錫半田接合を得ることができる。金−錫の共晶温
度は約５００℃であるため、従来より低温度で接合を得
ることができるとともに、厚さを厚くできるため、接合
面積を広く得ることができる。
の内部リ−ド１と、パイプ状の外部リ−ド３は、従来と
同様に図３に示すように一対の電極９ａ，９ｂにより加
圧され、同時に電流を流し、これにより内部リ−ド１の
表面の金層２と、外部リ−ド３の内面の錫層４が溶融し
、金−錫半田接合を得ることができる。金−錫の共晶温
度は約５００℃であるため、従来より低温度で接合を得
ることができるとともに、厚さを厚くできるため、接合
面積を広く得ることができる。
【００１０】なお、上記実施例では、内部リ−ド１の表
面に金層２を形成したものを示したが、銀，銅等の表面
処理材でもよく、また、外部リ−ド３の内面に錫層４を
形成したものを示したが、鉛または鉛−錫等の表面処理
材でも同様の効果を奏する。
面に金層２を形成したものを示したが、銀，銅等の表面
処理材でもよく、また、外部リ−ド３の内面に錫層４を
形成したものを示したが、鉛または鉛−錫等の表面処理
材でも同様の効果を奏する。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パイプ状の外部リ−ドの内面と、このパイプ状の外部リ
−ドに挿入される内部リ−ドの表面とに互いに良好な接
合が得られる表面処理材をそれぞれ形成し、電気かしめ
法による半田接合によって接触を得るようにしたので、
容易に、しかも良好な接触状態のものが得られる。また
、接触面に油等の汚れがあっても従来の構造に比べその
影響が少なく良好な接合が得られる効果がある。
パイプ状の外部リ−ドの内面と、このパイプ状の外部リ
−ドに挿入される内部リ−ドの表面とに互いに良好な接
合が得られる表面処理材をそれぞれ形成し、電気かしめ
法による半田接合によって接触を得るようにしたので、
容易に、しかも良好な接触状態のものが得られる。また
、接触面に油等の汚れがあっても従来の構造に比べその
影響が少なく良好な接合が得られる効果がある。
【図１】図１は本発明の一実施例による半導体装置のか
しめ部分の拡大断面図である。
しめ部分の拡大断面図である。
【図２】本発明の対象となる半導体装置の全体構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】かしめ時の状況を示す部分拡大断面図である。
【図４】従来の半導体装置のかしめ部分の拡大断面図で
ある。
ある。
１ 線状の内部リ−ド
２ 金層
３ パイプ状の外部リ−ド
４ 錫層
５ ステム
６ 半導体チップ
７ 金線
８ キャップ
９ａ 電極
９ｂ 電極
Claims (1)
- 【請求項１】パイプ状の外部リ−ドに線状の内部リ−ド
を挿入した後、外部から相対する一対の電極により加圧
して前記パイプ状の外部リ−ドをつぶすとともに、前記
両電極間に電流を流すことにより、前記内部リ−ドと外
部リ−ドの接触を得る構造のリ−ドを有する半導体装置
において、前記パイプ状の外部リ−ドの内面と、前記線
状の内部リ−ドの表面とに互いに良好な半田接合を得る
ことができる表面処理材を形成したことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7075791A JPH04313262A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7075791A JPH04313262A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04313262A true JPH04313262A (ja) | 1992-11-05 |
Family
ID=13440703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7075791A Pending JPH04313262A (ja) | 1991-04-03 | 1991-04-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04313262A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07105144A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-04-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 回路化高分子誘電体パネルの積層化 |
-
1991
- 1991-04-03 JP JP7075791A patent/JPH04313262A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07105144A (ja) * | 1993-07-27 | 1995-04-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 回路化高分子誘電体パネルの積層化 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02123685A (ja) | 金を含むワイヤを半田に接着する方法 | |
| JP2006520103A (ja) | 被覆ワイヤーで形成された、フリップチップ用被覆金属のスタッドバンプ | |
| TWI489595B (zh) | 彈性無接觸式銲線接合結構及半導體元件製造方法 | |
| JP3356649B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0778932A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04313262A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002280415A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62136835A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02237119A (ja) | バンプ電極形成方法 | |
| JP2848373B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0737935A (ja) | フリップチップの実装方法 | |
| JPH03274755A (ja) | 樹脂封止半導体装置とその製造方法 | |
| JPS5928049B2 (ja) | 半導体装置のリ−ド接続方法 | |
| JPS62136836A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03191527A (ja) | 半導体素子の電極構造 | |
| JPH05326650A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62136838A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002043491A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JP3675374B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10290140A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JPS62136833A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3325804B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH026078A (ja) | つぶしパイプリード付気密ガラス端子の製造方法 | |
| JPS62136842A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0155577B2 (ja) |