JP2000068396A - ハーメチックシール用カバー - Google Patents
ハーメチックシール用カバーInfo
- Publication number
- JP2000068396A JP2000068396A JP23934098A JP23934098A JP2000068396A JP 2000068396 A JP2000068396 A JP 2000068396A JP 23934098 A JP23934098 A JP 23934098A JP 23934098 A JP23934098 A JP 23934098A JP 2000068396 A JP2000068396 A JP 2000068396A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cover
- hermetic seal
- filler metal
- brazing material
- brazing filler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は高価で難加工性のロウ材を用い
たハーメチックシール用カバーの使用がパッケージング
コストの低下を阻み、需要拡大の妨げとなっていること
に鑑みなされたものであり、より加工しやすく、より安
価なロー材を用いたハーメチツクシール用カバーの提供
を課題とする。 【解決手段】 コバール合金等のハーメチックシール用
カバー材にロウ材として、熱処理後に生成するロウ材組
成がＡｕ／１９〜３７％ＳｎとなるようにＡｕとＳｎ／
１０％Ａｕとを積層させ、あるいはＡｕとＳｎとを積層
させたもの、あるいはこれらの表面に０．０１〜１０．
０μｍの金メッキを施したものを設ける。本発明では、
このように従来品より安価で加工しやすいロー材を用い
るため、カバーの製造コストは従来品より安価なものと
なる。
たハーメチックシール用カバーの使用がパッケージング
コストの低下を阻み、需要拡大の妨げとなっていること
に鑑みなされたものであり、より加工しやすく、より安
価なロー材を用いたハーメチツクシール用カバーの提供
を課題とする。 【解決手段】 コバール合金等のハーメチックシール用
カバー材にロウ材として、熱処理後に生成するロウ材組
成がＡｕ／１９〜３７％ＳｎとなるようにＡｕとＳｎ／
１０％Ａｕとを積層させ、あるいはＡｕとＳｎとを積層
させたもの、あるいはこれらの表面に０．０１〜１０．
０μｍの金メッキを施したものを設ける。本発明では、
このように従来品より安価で加工しやすいロー材を用い
るため、カバーの製造コストは従来品より安価なものと
なる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は特に安価な半導体装
置のハーメチックシール用のシールカバーに関するもの
である。
置のハーメチックシール用のシールカバーに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子のパッケージングの一種にセ
ラミックパッケージがある。このセラミックパッケージ
は、セラミック基板を用いたものであり、該セラミック
基板は、中央部に半導体素子接合用のメタライズ層を有
する下層板と、リードパターンが形成され且つ中央部に
開口を有する中間板と、リードパターンの内側先端が露
出する様なさらに大きい開口を有する上層板の３層が一
体化されて構成されている。そして、長辺側部には上記
リードパターンの外側先端と導通するように複数の金属
リードが接合され、上記上層部の開口周囲こはカバー取
り付け用のメタライズ層が形成されている。メタライズ
層及びリードパターンは通常Ｍｏ−Ｍｎ系の導電ぺ一ス
トで形成され、これらとリードパターンの内側先端部に
は金メッキが施されている。
ラミックパッケージがある。このセラミックパッケージ
は、セラミック基板を用いたものであり、該セラミック
基板は、中央部に半導体素子接合用のメタライズ層を有
する下層板と、リードパターンが形成され且つ中央部に
開口を有する中間板と、リードパターンの内側先端が露
出する様なさらに大きい開口を有する上層板の３層が一
体化されて構成されている。そして、長辺側部には上記
リードパターンの外側先端と導通するように複数の金属
リードが接合され、上記上層部の開口周囲こはカバー取
り付け用のメタライズ層が形成されている。メタライズ
層及びリードパターンは通常Ｍｏ−Ｍｎ系の導電ぺ一ス
トで形成され、これらとリードパターンの内側先端部に
は金メッキが施されている。
【０００３】このようなセラミック基板を用いるパッケ
ージングは、まず半導体素子をセラミック基板の中央部
の窪み接合し、該素子上の電極とリードパターンの内側
先端部とを細いコネクター線で結合した後、メタラィズ
層の上にロウ材つきのシールカバーを載せ、これをロウ
材の融点以上に加熱し、その後冷却してシールカバーを
取り付ける諸工程からなる。
ージングは、まず半導体素子をセラミック基板の中央部
の窪み接合し、該素子上の電極とリードパターンの内側
先端部とを細いコネクター線で結合した後、メタラィズ
層の上にロウ材つきのシールカバーを載せ、これをロウ
材の融点以上に加熱し、その後冷却してシールカバーを
取り付ける諸工程からなる。
【０００４】シールカバーのロウ材には一般的に金錫合
金ロウ、鉛錫合金ロウなどが用いられ、カバーの材質と
しては一般的にコバール、鋼、セラミックが用いられて
いる。またロウ材とシールカバーの接合には熱圧着法、
溶融法、圧接法、スポット溶接法が用いられている。こ
のシールカバー用のロウ材は信頼性の面でＳｎを２０％
含むＡｕ合金（以下、「Ａｕ／２０％Ｓｎ」のように表
記する。）ロウ材が使用される場合が多い。しかし、こ
のロウ材は難加工性のため非常に高価なものとなってい
る。
金ロウ、鉛錫合金ロウなどが用いられ、カバーの材質と
しては一般的にコバール、鋼、セラミックが用いられて
いる。またロウ材とシールカバーの接合には熱圧着法、
溶融法、圧接法、スポット溶接法が用いられている。こ
のシールカバー用のロウ材は信頼性の面でＳｎを２０％
含むＡｕ合金（以下、「Ａｕ／２０％Ｓｎ」のように表
記する。）ロウ材が使用される場合が多い。しかし、こ
のロウ材は難加工性のため非常に高価なものとなってい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記したよう
に高価で難加工性のロウ材を用いたハーメチックシール
用カバーの使用がパッケージングコストの低下を阻み、
需要拡大の妨げとなっていることに鑑みなされたもので
あり、その課題とするところは、より加工しやすく、よ
り安価なロー材を用いたハーメチツクシール用カバーの
提供にある。
に高価で難加工性のロウ材を用いたハーメチックシール
用カバーの使用がパッケージングコストの低下を阻み、
需要拡大の妨げとなっていることに鑑みなされたもので
あり、その課題とするところは、より加工しやすく、よ
り安価なロー材を用いたハーメチツクシール用カバーの
提供にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明は、ロウ材として、熱処理後に生成するロウ材組成が
Ａｕ／１９〜３７％ＳｎとなるようにＡｕとＳｎ／１０
％Ａｕとを積層させ、あるいはＡｕとＳｎとを積層させ
たもの、あるいはこれらの表面に０．０１〜１０．０μ
ｍの金メッキを施したものを設けたハーメチックシール
用カバーである。
明は、ロウ材として、熱処理後に生成するロウ材組成が
Ａｕ／１９〜３７％ＳｎとなるようにＡｕとＳｎ／１０
％Ａｕとを積層させ、あるいはＡｕとＳｎとを積層させ
たもの、あるいはこれらの表面に０．０１〜１０．０μ
ｍの金メッキを施したものを設けたハーメチックシール
用カバーである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明では高価で難加工性の金錫
合金を用いる代わりに安価で加工しやすいＡｕとＳｎ／
１０％Ａｕとを、あるいはＡｕとＳｎとをカバー材の周
囲に積層し、好ましくはこれらの積層物表面に０．０１
〜１０．０μｍの金メッキを施し、これをハーメチック
シール用カバーとして用いるものである。
合金を用いる代わりに安価で加工しやすいＡｕとＳｎ／
１０％Ａｕとを、あるいはＡｕとＳｎとをカバー材の周
囲に積層し、好ましくはこれらの積層物表面に０．０１
〜１０．０μｍの金メッキを施し、これをハーメチック
シール用カバーとして用いるものである。
【０００８】積層後のＡｕとＳｎとの割合は、Ｓｎの割
合が多い方が低コスト化が可能であり、濡れ性も良い
が、Ａｕ／１９〜３７％ＳｎとなるようにＡｕとＳｎと
を積層すると生成するロウ材の固相線温度が２８０℃と
なり良好な結果が得られる。
合が多い方が低コスト化が可能であり、濡れ性も良い
が、Ａｕ／１９〜３７％ＳｎとなるようにＡｕとＳｎと
を積層すると生成するロウ材の固相線温度が２８０℃と
なり良好な結果が得られる。
【０００９】
【実施例】次に実施例を用いて本発明をさらに説明す
る。
る。
【００１０】（実施例１）１０μｍのＮｉがクラッドさ
れた厚さ０．７ｍｍのコバールコイル材片面にＡｕとＳ
ｎ／１０％Ａｕをクラッディングして得たフォイルをク
ラッディングし、１０ｍｍ角板にプレスで打ち抜いてハ
ーメチックシール用カバーを作成した。
れた厚さ０．７ｍｍのコバールコイル材片面にＡｕとＳ
ｎ／１０％Ａｕをクラッディングして得たフォイルをク
ラッディングし、１０ｍｍ角板にプレスで打ち抜いてハ
ーメチックシール用カバーを作成した。
【００１１】このハーメチックシール用カバーをセラミ
ックパッケージ用基板の開口部の上に、ロー材同士が接
合するように載せ、連続炉を用い窒素雰囲気中にて最高
温度３２０℃で加熱してパッケージに封止した。
ックパッケージ用基板の開口部の上に、ロー材同士が接
合するように載せ、連続炉を用い窒素雰囲気中にて最高
温度３２０℃で加熱してパッケージに封止した。
【００１２】得られたパッケージ３０個をヘリウムリー
ク試験に供したところリーク不良は検出されなかった。
この時のロウ材組成はＡｕ／２５％Ｓｎとなっていた。
ク試験に供したところリーク不良は検出されなかった。
この時のロウ材組成はＡｕ／２５％Ｓｎとなっていた。
【００１３】（実施例２）１０μｍのＮｉがクラッドさ
れた厚さＯ．７ｍｍのコバールコイル材片面にＡｕと
Ｏ．０１，０．１０，１．０，５．０，１０．Ｏμｍの
厚さのＡｕメッキを施したそれぞれのＳｎ／１０％Ａｕ
とをクラッディングして得たフォイルをクラッディング
した後、１０ｍｍ角板にプレスで打ち抜いてハーメチッ
クシール用カバーを作成した。
れた厚さＯ．７ｍｍのコバールコイル材片面にＡｕと
Ｏ．０１，０．１０，１．０，５．０，１０．Ｏμｍの
厚さのＡｕメッキを施したそれぞれのＳｎ／１０％Ａｕ
とをクラッディングして得たフォイルをクラッディング
した後、１０ｍｍ角板にプレスで打ち抜いてハーメチッ
クシール用カバーを作成した。
【００１４】このハーメチックシール用カバーをセラミ
ックパッケージ用基板の開口部の上に、ロー材同士が接
合するように載せ、連続炉を用い窒素雰囲気中にて最高
温度３２０℃で加熱してパッケージに封止した。
ックパッケージ用基板の開口部の上に、ロー材同士が接
合するように載せ、連続炉を用い窒素雰囲気中にて最高
温度３２０℃で加熱してパッケージに封止した。
【００１５】得られたそれぞれのパッケージ３０個をヘ
リウムリーク試験に供したところリーク不良は検出され
なかった。この時のロウ材組成は概ねＡｕ／２８％Ｓｎ
となっていた。
リウムリーク試験に供したところリーク不良は検出され
なかった。この時のロウ材組成は概ねＡｕ／２８％Ｓｎ
となっていた。
【００１６】（実施例３）１０μｍのＮｉがクラッドさ
れた厚さ０．７ｍｍのコバールコイル材片面にＡｕとＳ
ｎとをクラッディングして得たフォイルをクラッディン
グし、１０ｍｍ角板にプレスで打ち抜いてハーメチック
シール用カバーを作成した。
れた厚さ０．７ｍｍのコバールコイル材片面にＡｕとＳ
ｎとをクラッディングして得たフォイルをクラッディン
グし、１０ｍｍ角板にプレスで打ち抜いてハーメチック
シール用カバーを作成した。
【００１７】このハーメチックシール用カバーをセラミ
ックパッケージ用基板の開口部の上に、ロー材同士が接
合するように載せ、連続炉を用い窒素雰囲気中にて最高
温度３２０℃で加熱してパッケージに封止した。
ックパッケージ用基板の開口部の上に、ロー材同士が接
合するように載せ、連続炉を用い窒素雰囲気中にて最高
温度３２０℃で加熱してパッケージに封止した。
【００１８】得られたパッケージ３０個をヘリウムリー
ク試験に供したところリーク不良は検出されなかった。
この時のロウ材組成はＡｕ／２０％Ｓｎとなっていた。
ク試験に供したところリーク不良は検出されなかった。
この時のロウ材組成はＡｕ／２０％Ｓｎとなっていた。
【００１９】（実施例４）１０μｍのＮｉがクラッドさ
れた厚さＯ．７ｍｍのコバールコイル材片面にＡｕと
Ｏ．０１，０．１０，１．０，５．０，１０．Ｏμｍの
厚さのＡｕメッキを施したそれぞれのＳｎとをクラッデ
ィングして得たフォイルをクラッディングした後、１０
ｍｍ角板にプレスで打ち抜いてハーメチックシール用カ
バーを作成した。
れた厚さＯ．７ｍｍのコバールコイル材片面にＡｕと
Ｏ．０１，０．１０，１．０，５．０，１０．Ｏμｍの
厚さのＡｕメッキを施したそれぞれのＳｎとをクラッデ
ィングして得たフォイルをクラッディングした後、１０
ｍｍ角板にプレスで打ち抜いてハーメチックシール用カ
バーを作成した。
【００２０】このハーメチックシール用カバーをセラミ
ックパッケージ用基板の開口部の上に、ロー材同士が接
合するように載せ、連続炉を用い窒素雰囲気中にて最高
温度３２０℃で加熱してパッケージに封止した。
ックパッケージ用基板の開口部の上に、ロー材同士が接
合するように載せ、連続炉を用い窒素雰囲気中にて最高
温度３２０℃で加熱してパッケージに封止した。
【００２１】得られたそれぞれのパッケージ３０個をヘ
リウムリーク試験に供したところリーク不良は検出され
なかった。この時のロウ材組成は概ねＡｕ／２８〜３６
％Ｓｎの範囲内となっていた。
リウムリーク試験に供したところリーク不良は検出され
なかった。この時のロウ材組成は概ねＡｕ／２８〜３６
％Ｓｎの範囲内となっていた。
【００２２】
【発明の効果】本発明に従えば、高価で難加工性のロウ
材とカバー材とを貼り合わせる必要がないため、ハーメ
チックシール用カバーを安価に製造できる。さらに、Ｓ
ｎ／１０％Ａｕを用いれば、ロウ材の加熱時に溶体の混
合は良くなり、さらにＳｎ／１０％ＡｕにＡｕメッキを
施すことで表面酸化膜層が減少し封止時のリークの原因
となるボイドが減少する。
材とカバー材とを貼り合わせる必要がないため、ハーメ
チックシール用カバーを安価に製造できる。さらに、Ｓ
ｎ／１０％Ａｕを用いれば、ロウ材の加熱時に溶体の混
合は良くなり、さらにＳｎ／１０％ＡｕにＡｕメッキを
施すことで表面酸化膜層が減少し封止時のリークの原因
となるボイドが減少する。
Claims (3)
- 【請求項１】 ロウ材として、熱処理後に生成するロ
ウ材組成がＡｕ／１９〜３７％ＳｎとなるようにＡｕと
Ｓｎ／１０％Ａｕとを積層させた層を設けたことを特徴
とするハーメチックシール用カバー。 - 【請求項２】 ロウ材として、熱処理後に生成するロ
ウ材組成がＡｕ／１９〜３７％ＳｎとなるようにＡｕと
Ｓｎとを積層させた層を設けたことを特徴とするハーメ
チックシール用カバー。 - 【請求項３】 その表面に０．０１〜１０．０μｍの
厚さの金メッキ層を設けたＳｎ／１０％Ａｕ、Ｓｎの何
れか一つとＡｕとを積層させた層を設けたことを特徴と
するハーメチックシール用カバー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23934098A JP2000068396A (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | ハーメチックシール用カバー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23934098A JP2000068396A (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | ハーメチックシール用カバー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000068396A true JP2000068396A (ja) | 2000-03-03 |
Family
ID=17043287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23934098A Pending JP2000068396A (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | ハーメチックシール用カバー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000068396A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6607843B2 (en) | 2000-02-02 | 2003-08-19 | Quallion Llc | Brazed ceramic seal for batteries with titanium-titanium-6A1-4V cases |
| US7041413B2 (en) | 2000-02-02 | 2006-05-09 | Quallion Llc | Bipolar electronics package |
| US7166388B2 (en) | 2000-02-02 | 2007-01-23 | Quallion Llc | Brazed ceramic seal for batteries |
| JP2007142054A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | シールカバーおよびその製造方法 |
| US7285355B2 (en) | 2000-04-26 | 2007-10-23 | Quallion Llc | Battery |
| DE112008000483T5 (de) | 2007-02-26 | 2010-01-28 | Neomax Materials Co., Ltd., Suita | Luftdichte Abdichtkappe, elektronische-komponenten-Lagerungspackung und Verfahren zum Herstellen einer elektronische-komponenten-Lagerungspackung |
-
1998
- 1998-08-26 JP JP23934098A patent/JP2000068396A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6607843B2 (en) | 2000-02-02 | 2003-08-19 | Quallion Llc | Brazed ceramic seal for batteries with titanium-titanium-6A1-4V cases |
| US7041413B2 (en) | 2000-02-02 | 2006-05-09 | Quallion Llc | Bipolar electronics package |
| US7166388B2 (en) | 2000-02-02 | 2007-01-23 | Quallion Llc | Brazed ceramic seal for batteries |
| US7175938B2 (en) | 2000-02-02 | 2007-02-13 | Quallion Llc | Battery case employing ring sandwich |
| US7410512B2 (en) | 2000-02-02 | 2008-08-12 | Quallion Llc | Bipolar electronics package |
| US7285355B2 (en) | 2000-04-26 | 2007-10-23 | Quallion Llc | Battery |
| JP2007142054A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | シールカバーおよびその製造方法 |
| DE112008000483T5 (de) | 2007-02-26 | 2010-01-28 | Neomax Materials Co., Ltd., Suita | Luftdichte Abdichtkappe, elektronische-komponenten-Lagerungspackung und Verfahren zum Herstellen einer elektronische-komponenten-Lagerungspackung |
| US8551623B2 (en) | 2007-02-26 | 2013-10-08 | Neomax Materials Co., Ltd. | Airtightly sealing cap, electronic component storing package and method for manufacturing electronic component storing package |
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