JPH01147836A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01147836A JPH01147836A JP30646187A JP30646187A JPH01147836A JP H01147836 A JPH01147836 A JP H01147836A JP 30646187 A JP30646187 A JP 30646187A JP 30646187 A JP30646187 A JP 30646187A JP H01147836 A JPH01147836 A JP H01147836A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関するもので、特にダイパッドの
改良された構造を有する半導体装置に関するものである
。
改良された構造を有する半導体装置に関するものである
。
従来の半導体装置は、第１図に示すようなグイパッド１
、リード２およびサポートパー３を備えたリードフレー
ムが用いられ、そのダイパッド１の上に第２図に示すよ
うにグイボンディング接着層５を介して半導体ペレット
４を固着し、該ペレット上に形成された電極７とリード
２とを接続したボンディングワイヤー６とを共に封止用
樹脂８により一体化した構造を有する。
、リード２およびサポートパー３を備えたリードフレー
ムが用いられ、そのダイパッド１の上に第２図に示すよ
うにグイボンディング接着層５を介して半導体ペレット
４を固着し、該ペレット上に形成された電極７とリード
２とを接続したボンディングワイヤー６とを共に封止用
樹脂８により一体化した構造を有する。
この場合、グイパッド１と、封止用樹脂８の熱膨張係数
に差があるために封止用樹脂８とリードフレームのダイ
パッド１の表面との間の密着性が悪く、この間にリード
２と封止用樹脂８との界面などの外部から侵入した水分
が溜まり易く、半導体装置を回路基板などに実装する際
のはんだ付は工程の加熱処理の際、これがもとで水分が
２激に膨張して内部応力が生じ封止用樹脂にクラックが
発生するなどの問題点を有する。
に差があるために封止用樹脂８とリードフレームのダイ
パッド１の表面との間の密着性が悪く、この間にリード
２と封止用樹脂８との界面などの外部から侵入した水分
が溜まり易く、半導体装置を回路基板などに実装する際
のはんだ付は工程の加熱処理の際、これがもとで水分が
２激に膨張して内部応力が生じ封止用樹脂にクラックが
発生するなどの問題点を有する。
本発明は上記の実情に鑑みてなされたものであり１本発
明の半導体装１は、厚さ方向に貫通孔が設けられている
ダイパッドの上に、金属製フィルムを介して半導体ペレ
ットを固着してなることを特徴とする。そして実際に使
用される金属製フィルムとしては金属膜よりなる支持体
と該支持体をダイパッドに固定するための接着層を有す
るもの、更に該支持体に半導体ペレットを固着するため
の表面処理層を設けたものが用いられる。
明の半導体装１は、厚さ方向に貫通孔が設けられている
ダイパッドの上に、金属製フィルムを介して半導体ペレ
ットを固着してなることを特徴とする。そして実際に使
用される金属製フィルムとしては金属膜よりなる支持体
と該支持体をダイパッドに固定するための接着層を有す
るもの、更に該支持体に半導体ペレットを固着するため
の表面処理層を設けたものが用いられる。
次に本発明を図面により説明する。
本発明の半導体装置の一例は第３図（Ａ）、（Ｂ）に示
す断面図のとおりで、同図（Ａ）はダイパッドとして厚
さ方向に貫通孔１−２を設けたダイパッド１−１を用い
、このダイパッドの上に支持体９の下面に接着層ｌＯを
設けた金属製フィルムを重ねて接合し、更に支持体９の
もう一方の面にグイボンディング接着剤５を介して半導
体ペレット４を固着しである。又、半導体ペレット４上
の電極７とリード２とはボンディングワイヤー６によっ
て接続され、これらは封止用樹脂８により一体化されて
いる。又、同図（Ｂ）は厚さ方向に貫通孔１−２を設け
たダイパッド１−１の上に、下面に接着層１０を付し、
上面にめつき１ｌｌａ、又は樹脂層１１ｂ、又は粗面処
理層１１ｃからなる表面処理層１１を設けた支持体９か
らなる金属製フィルムを重ねて接合し、その上にグイボ
ンディング接着剤５を介して半導体ペレット４が固着さ
れ、これらは封止用樹脂８で一体化されている。
す断面図のとおりで、同図（Ａ）はダイパッドとして厚
さ方向に貫通孔１−２を設けたダイパッド１−１を用い
、このダイパッドの上に支持体９の下面に接着層ｌＯを
設けた金属製フィルムを重ねて接合し、更に支持体９の
もう一方の面にグイボンディング接着剤５を介して半導
体ペレット４を固着しである。又、半導体ペレット４上
の電極７とリード２とはボンディングワイヤー６によっ
て接続され、これらは封止用樹脂８により一体化されて
いる。又、同図（Ｂ）は厚さ方向に貫通孔１−２を設け
たダイパッド１−１の上に、下面に接着層１０を付し、
上面にめつき１ｌｌａ、又は樹脂層１１ｂ、又は粗面処
理層１１ｃからなる表面処理層１１を設けた支持体９か
らなる金属製フィルムを重ねて接合し、その上にグイボ
ンディング接着剤５を介して半導体ペレット４が固着さ
れ、これらは封止用樹脂８で一体化されている。
本発明の半導体装置のダイパッド１−１は貫通孔１−２
を有するため封止用樹脂８がこの中に入りこみ強固に一
体に結合しうるちのであり、密着性を高めるものである
。
を有するため封止用樹脂８がこの中に入りこみ強固に一
体に結合しうるちのであり、密着性を高めるものである
。
本発明の実施に当たっては、貫通孔を有するダイパッド
を備えた半導体装置であれば半導体ペレットの固着は樹
脂系接着剤に限定されるものではなく、例えばＡｕ−３
ｔ共晶合金などを用いた固着によるものであってもよい
。
を備えた半導体装置であれば半導体ペレットの固着は樹
脂系接着剤に限定されるものではなく、例えばＡｕ−３
ｔ共晶合金などを用いた固着によるものであってもよい
。
金属製フィルムは先に述べたように、半導体ペレットを
固着する側に表面処理層１１を設けた方がより接着性が
完全となり、半導体装置の信頼性を高めることができる
。
固着する側に表面処理層１１を設けた方がより接着性が
完全となり、半導体装置の信頼性を高めることができる
。
又、ダイパッドの厚さ方向に貫通孔１−２を穿孔する手
段は、例えばタングステンカーバイド等の素材のポンチ
を用いてプレスにより打ち抜き加工することにより容易
に加工することができる。
段は、例えばタングステンカーバイド等の素材のポンチ
を用いてプレスにより打ち抜き加工することにより容易
に加工することができる。
次に本発明で用いられるダイパッドの平面図を示せば第
４図のとおりである。
４図のとおりである。
すなわち（Ａ）はダイパッド１−１に孔径φ０．３〜０
．５ ａｍの貫通孔１−２を多数穿孔したものである。
．５ ａｍの貫通孔１−２を多数穿孔したものである。
又（Ｂ）はこれより大径の貫通孔を穿孔した場合、（Ｃ
）、（Ｄ）は正方形の貫通孔を穿孔した場合、（Ｅ）は
三角形の貫通孔を穿孔した場合、（Ｆ）は十字状の貫通
孔を穿孔した場合を示す。
）、（Ｄ）は正方形の貫通孔を穿孔した場合、（Ｅ）は
三角形の貫通孔を穿孔した場合、（Ｆ）は十字状の貫通
孔を穿孔した場合を示す。
次に本発明において用いられる金属製フィルムを構成す
る材料について述べる。
る材料について述べる。
支持体９は例えば厚さ１０〜１５０μｍ、好ましくは２
５〜７５μｍの無酸素銅、４２合金などの快−ニッケル
合金、鉄−ニックルーコバルト合金、ステンレス等の金
属膜が使用される。
５〜７５μｍの無酸素銅、４２合金などの快−ニッケル
合金、鉄−ニックルーコバルト合金、ステンレス等の金
属膜が使用される。
半導体ペレットを固着するグイボンディング接着剤５は
、金属製フィルムを構成する支持体９に十分接着力のあ
るものを選択使用することが望ましく、この接着剤を適
当に選択することにより金属製フィルムに表面処理層を
設けることなく目的とする半導体装置を得られるが、更
に金属製フィルムの支持体９とダイボンディング接着剤
５との接着性を向上させるには、第３図（Ｂ）に示すよ
うに金属製フィルム表面が改良されていなければならな
い。
、金属製フィルムを構成する支持体９に十分接着力のあ
るものを選択使用することが望ましく、この接着剤を適
当に選択することにより金属製フィルムに表面処理層を
設けることなく目的とする半導体装置を得られるが、更
に金属製フィルムの支持体９とダイボンディング接着剤
５との接着性を向上させるには、第３図（Ｂ）に示すよ
うに金属製フィルム表面が改良されていなければならな
い。
すなわち、この接着性の向上を達成するために、金めつ
き、銀めっき、ニッケルめっきなどのめっき層１１ａが
、１〜１０μｍのめつき厚となるように施される。又、
このめっき層に代えてポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、
ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂もしくは約３００℃
以上の融点を有する熱可塑性樹脂からなる樹脂層１１ｂ
が、通常１〜１１０７ｚとなるように塗布し、熱硬化さ
れる。
き、銀めっき、ニッケルめっきなどのめっき層１１ａが
、１〜１０μｍのめつき厚となるように施される。又、
このめっき層に代えてポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、
ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂もしくは約３００℃
以上の融点を有する熱可塑性樹脂からなる樹脂層１１ｂ
が、通常１〜１１０７ｚとなるように塗布し、熱硬化さ
れる。
このように金属製フィルム表面にめつきｌｌｌａを形成
したり、樹脂Ｊｌｌｌｂの材質を前記のグイボンディン
グ接着剤５と親和性のあるものを選択することにより極
めて容易にかつ強力に接着し、グイボンディングの信頼
性を高めることができる。
したり、樹脂Ｊｌｌｌｂの材質を前記のグイボンディン
グ接着剤５と親和性のあるものを選択することにより極
めて容易にかつ強力に接着し、グイボンディングの信頼
性を高めることができる。
又、更に、このめっき層１１ａや樹脂層１１ｂに代えて
圧延加工などによるマット加工、化学エツチング、エン
ボス加工、マット艶消し加工等の粗面処理を施すことに
より、微細な凹凸を有する粗面処理層１１Ｃを設けて接
着性を向上させることができる。
圧延加工などによるマット加工、化学エツチング、エン
ボス加工、マット艶消し加工等の粗面処理を施すことに
より、微細な凹凸を有する粗面処理層１１Ｃを設けて接
着性を向上させることができる。
これによればダイパッド１−１の厚さや重量を増大させ
ることなく、強固な接着を実現した半導体装置を提供す
ることができる。
ることなく、強固な接着を実現した半導体装置を提供す
ることができる。
このように支持体９の表面にめっき層１１ａ、又は樹脂
層１１ｂ、又は粗面処理１１１ｃの表面処理層１１を設
けることによりグイボンディングの信頼性を向上させる
ことができる。
層１１ｂ、又は粗面処理１１１ｃの表面処理層１１を設
けることによりグイボンディングの信頼性を向上させる
ことができる。
なお、グイボンディング接着剤５を、金属製フィルムの
半導体ペレット４が固着される側の表面にあらかじめグ
イボンディング用接着層として形成しておくことにより
、該フィルムをグイバッドに接着して半導体ペレットを
搭載する際の工程を簡略化することができる。
半導体ペレット４が固着される側の表面にあらかじめグ
イボンディング用接着層として形成しておくことにより
、該フィルムをグイバッドに接着して半導体ペレットを
搭載する際の工程を簡略化することができる。
ダイパッド１−１上の金属製フィルムの下面の接着層１
０には耐熱性エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を５〜５
０μｍ、好ましくは２０〜３０μｍの塗布厚となるよう
に半硬化の状態で塗布して形成される。この場合、接着
Ｍ１０としては、これらの樹脂に代えて、はんだなどの
ろう材を用いたり、スポット溶接などの方法により、金
属製フィルムを直接グイパッドに接着してもよい、この
ような層構成および材料よりなる金属製フィルムは通常
例えば原反を幅３〜１０ｍｍ、長さ２００〜３００ｍの
フィルム状に加工され、リールに巻回されて供給するこ
とができ、その場合、半導体ペレットの寸法にｂわせて
裁断した上で所定のリードフレームに適用され接着され
る。
０には耐熱性エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を５〜５
０μｍ、好ましくは２０〜３０μｍの塗布厚となるよう
に半硬化の状態で塗布して形成される。この場合、接着
Ｍ１０としては、これらの樹脂に代えて、はんだなどの
ろう材を用いたり、スポット溶接などの方法により、金
属製フィルムを直接グイパッドに接着してもよい、この
ような層構成および材料よりなる金属製フィルムは通常
例えば原反を幅３〜１０ｍｍ、長さ２００〜３００ｍの
フィルム状に加工され、リールに巻回されて供給するこ
とができ、その場合、半導体ペレットの寸法にｂわせて
裁断した上で所定のリードフレームに適用され接着され
る。
このようにして得られた金属製フィルム／リードフレー
ム猜層体は前記第３図に示した構成に組み込まれ、本発
明の半導体装置を得ることができる。
ム猜層体は前記第３図に示した構成に組み込まれ、本発
明の半導体装置を得ることができる。
実施例１゜
厚さ７６μｍの無酸素銅フィルム（Ｃ１０２古河電工社
製）からなる支持体９の片面に接着層１０としてアクリ
ル樹脂（巴用製紙所製）を半硬化（Ｂステージ）になる
ように、かつ１５０℃、３分間加熱条件で乾燥後の塗布
厚が２５μｍとなるように塗布し、金属製フィルムを作
成した。
製）からなる支持体９の片面に接着層１０としてアクリ
ル樹脂（巴用製紙所製）を半硬化（Ｂステージ）になる
ように、かつ１５０℃、３分間加熱条件で乾燥後の塗布
厚が２５μｍとなるように塗布し、金属製フィルムを作
成した。
得られた金属製フィルムを所望の大きさに切断して第４
図（Ａ）に示す形状のダイパッド１−１（リードフレー
ムは鉄系、銅系等の金属板例えば、鉄−ニッケル合金板
を打ち抜き加工してなる）に接着層ｌＯにより加熱接着
した後、第３図（Ａ）に示すような半導体装置を組立て
た。
図（Ａ）に示す形状のダイパッド１−１（リードフレー
ムは鉄系、銅系等の金属板例えば、鉄−ニッケル合金板
を打ち抜き加工してなる）に接着層ｌＯにより加熱接着
した後、第３図（Ａ）に示すような半導体装置を組立て
た。
得られた半導体装置について、実装試験による信頼性を
見たところ、安定した接着性が確認された。又、ワイヤ
ーボンダビリティ−も良好で樹脂封止したときワイヤー
流れもなく信頼性のある半導体装置を構成することがで
き、又８５℃、８５％ＲＨ（相対湿度）の雰囲気にて２
４時間放置後２６０℃のはんだ浴に３秒間浸漬したのち
プレッシャークツカーテスター（ＰＣＴ）にて２５０時
間試験したが全く異常がなかった。
見たところ、安定した接着性が確認された。又、ワイヤ
ーボンダビリティ−も良好で樹脂封止したときワイヤー
流れもなく信頼性のある半導体装置を構成することがで
き、又８５℃、８５％ＲＨ（相対湿度）の雰囲気にて２
４時間放置後２６０℃のはんだ浴に３秒間浸漬したのち
プレッシャークツカーテスター（ＰＣＴ）にて２５０時
間試験したが全く異常がなかった。
実施例２゜
実施例１における支持体９としてステンレスフィルム（
三菱金属社製）を使用した以外は実施例１と同様にして
本発明の半導体装置を組立てた。
三菱金属社製）を使用した以外は実施例１と同様にして
本発明の半導体装置を組立てた。
得られた半導体装置について実装試験による信頼性を見
たところ、安定した接着が確認された。
たところ、安定した接着が確認された。
又、ワイヤーボンダビリティ−も良好で信頼性のある半
導体装置を構成することができた。又８５°Ｃ１８５％
Ｒ）Ｉの雰囲気にて２４時間放置後、２６０℃のはんだ
浴に３秒間浸漬したのちＰＣＴにて２５０時間試験した
が、全く異常がなかった。
導体装置を構成することができた。又８５°Ｃ１８５％
Ｒ）Ｉの雰囲気にて２４時間放置後、２６０℃のはんだ
浴に３秒間浸漬したのちＰＣＴにて２５０時間試験した
が、全く異常がなかった。
実施例３゜
厚さ７６μｍの無酸素鋼フィルム（Ｃ１０２古河電工社
製）からなる支持体９の片面にめっき層１１ａとして銀
めっき皮膜を設けた。
製）からなる支持体９の片面にめっき層１１ａとして銀
めっき皮膜を設けた。
この際めっき厚は３μｍで、ＩＯＡ／ｄｒＡ２の陰極電
流′／ｖ度、浴温７５℃の条件にてめっきを行った。
流′／ｖ度、浴温７５℃の条件にてめっきを行った。
次に前記めっき層１１ａの反対側の支持体面に接着層１
０としてアクリル樹脂（巴用製紙所製）を半硬化（Ｂス
テージ）になるよう、かつ１５０℃、３分間の加熱条件
で乾燥後の塗布厚が２５μｍとなるように塗布し本発明
の金属製フィルムを作成した。
０としてアクリル樹脂（巴用製紙所製）を半硬化（Ｂス
テージ）になるよう、かつ１５０℃、３分間の加熱条件
で乾燥後の塗布厚が２５μｍとなるように塗布し本発明
の金属製フィルムを作成した。
得られた金属製フィルムを第４図（Ｂ）に示したリード
フレームのダイパッドに接着層１０により加熱接着した
後、第３図（Ｂ）に示す半導体装置を組立てた。 得ら
れた半導体装置について、実装試験による信頼性を見た
ところ、安定した接着が確１２された。又、ワイヤーボ
ンダビリティ−も良好で信頼性のある半導体装ｉｌｉ！
ご構成することができた。
フレームのダイパッドに接着層１０により加熱接着した
後、第３図（Ｂ）に示す半導体装置を組立てた。 得ら
れた半導体装置について、実装試験による信頼性を見た
ところ、安定した接着が確１２された。又、ワイヤーボ
ンダビリティ−も良好で信頼性のある半導体装ｉｌｉ！
ご構成することができた。
実施例４゜
実施例１の支持体９の片面に樹脂層１１ｂとしてポリエ
ステル樹脂からなる熱硬化性樹脂層を設けた。この際の
塗布厚は５μｍで、１５０℃、２分間の乾燥後、２５０
℃、５分間の条件で完全に硬化した。しかる後、反対側
面に実施例１に使用した接着層ＩＯを設けて本発明の金
属製フィルムを作成しした。
ステル樹脂からなる熱硬化性樹脂層を設けた。この際の
塗布厚は５μｍで、１５０℃、２分間の乾燥後、２５０
℃、５分間の条件で完全に硬化した。しかる後、反対側
面に実施例１に使用した接着層ＩＯを設けて本発明の金
属製フィルムを作成しした。
得られた金属製フィルムを第４図（Ｃ）に示したリード
フレームのダイパッドに接着層１０により加熱接着した
後第３図（Ｂ）に示す半導体装置を組立てた。
フレームのダイパッドに接着層１０により加熱接着した
後第３図（Ｂ）に示す半導体装置を組立てた。
得られた半導体装置について、実装試験による信頼性を
見たところ、安定した接着が確ｚ２された。
見たところ、安定した接着が確ｚ２された。
又、ワイヤーボンダビリティ−も良好で信頼性のある半
導体装置を構成することができた。
導体装置を構成することができた。
実施例５゜
実施例１の支持体９に表面■さＲａが０．２〜０．３μ
ｍ、Ｒｍａｘが１〜２μｍとなるように圧延加工による
マット処理を施し、粗面処理層１１ｃを設けた金属製フ
ィルムを作成し、得られた金属製フィルムを第４図（Ｄ
）に示したリードフレームのダイパッドに接着層１０に
より加熱接着した後、第３図（Ｂ）に示す半導体装置を
組立てな。
ｍ、Ｒｍａｘが１〜２μｍとなるように圧延加工による
マット処理を施し、粗面処理層１１ｃを設けた金属製フ
ィルムを作成し、得られた金属製フィルムを第４図（Ｄ
）に示したリードフレームのダイパッドに接着層１０に
より加熱接着した後、第３図（Ｂ）に示す半導体装置を
組立てな。
得られた半導体装置について実装試験による信頼性を見
たところ、安定した接着が確認された。
たところ、安定した接着が確認された。
又ワイヤーボンダビリティ−も良好で信頼性のある半導
体装置を構成することができた。
体装置を構成することができた。
実施例６゜
実施例１の支持体９の片面に銀粉末とポリイミド樹脂と
を混合した導電性の樹脂からなる樹脂層５を設けた。こ
の際の塗布厚は５μｍで、１５０℃、２分間の乾燥後、
２５０℃、５分間の条件で完全に硬化した。しかる後、
反対側面に実施例１に使用した接着層１０を設けて本発
明の金属製フィルムを作成した。
を混合した導電性の樹脂からなる樹脂層５を設けた。こ
の際の塗布厚は５μｍで、１５０℃、２分間の乾燥後、
２５０℃、５分間の条件で完全に硬化した。しかる後、
反対側面に実施例１に使用した接着層１０を設けて本発
明の金属製フィルムを作成した。
得られた金属製フィルムを第４図（Ｅ）に示したリード
フレームのダイパッドに接着層１０により加熱接着した
後、第３図（Ａ）に示す半導体装置を組立てた。
フレームのダイパッドに接着層１０により加熱接着した
後、第３図（Ａ）に示す半導体装置を組立てた。
得られた半導体装置について、実装試験による信頼性を
見たところ、安定した接着が確認された。
見たところ、安定した接着が確認された。
又、ワイヤーボンダビリティ−も良好で信頼性のある半
導体装置を構成することができた。
導体装置を構成することができた。
本発明は上記の構成よりなるのでダイパッドと封止用樹
脂との密着性、すなわち封止性が向上し、ダイパッドと
封止用樹脂との熱膨張係数の差に伴う封止用樹脂のクラ
ックの発生等を防止することができる。
脂との密着性、すなわち封止性が向上し、ダイパッドと
封止用樹脂との熱膨張係数の差に伴う封止用樹脂のクラ
ックの発生等を防止することができる。
特に本発明においては厚さ方向に貫通孔を有するダイパ
ッドの上に金属製フィルムを介在させたのでペースト状
ダイボンディング接着剤を用いて半導体ペレットをダイ
パッドに搭載する際、該ダイボンディング接着剤が貫通
孔を通してダイパッドの裏面に垂れることを防止するこ
とができる。
ッドの上に金属製フィルムを介在させたのでペースト状
ダイボンディング接着剤を用いて半導体ペレットをダイ
パッドに搭載する際、該ダイボンディング接着剤が貫通
孔を通してダイパッドの裏面に垂れることを防止するこ
とができる。
さらに、金属製フィルムは、熱伝導性が優れているため
、半導体ペレットより発生する熱の放散性を向上させる
ことができる。
、半導体ペレットより発生する熱の放散性を向上させる
ことができる。
又、金属製フィルムの表面にあらかじめダイボンディン
グ接着剤を形成しておくことにより、金属製フィルムを
ダイパッドに接着して半導体ペレットを搭載する際の工
程を簡略化することも可能である。
グ接着剤を形成しておくことにより、金属製フィルムを
ダイパッドに接着して半導体ペレットを搭載する際の工
程を簡略化することも可能である。
又、金属製フィルムを構成する支持体の表面側にめっき
層、樹脂層又は粗面処理層といった表面外８！層を設け
たものは、十分強固なグイボンディング強度を得ること
ができるし、層厚が薄くて済むので半導体装置の軽量小
型化に有効である。
層、樹脂層又は粗面処理層といった表面外８！層を設け
たものは、十分強固なグイボンディング強度を得ること
ができるし、層厚が薄くて済むので半導体装置の軽量小
型化に有効である。
又、導電性のグイボンディング接着剤を用いることによ
り支持体が金属膜よりなることから、サポートバーある
いはリードのうちのグランドリードより金属製フィルム
の支持体、めっき層または粗面処理層へワイヤーボンデ
ィングすることにより半導体ペレット裏面からグランド
をとることが可能となる。
り支持体が金属膜よりなることから、サポートバーある
いはリードのうちのグランドリードより金属製フィルム
の支持体、めっき層または粗面処理層へワイヤーボンデ
ィングすることにより半導体ペレット裏面からグランド
をとることが可能となる。
第１図はリードフレームの平面図、第２図は従来の半導
体装置の断面図、第３図（Ａ＞、（Ｂ）は本発明の半導
体装置の断面図、第４図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ
）、（Ｅ）、および（Ｆ）は本発明を構成するダイパッ
ドの平面図である。 １．１−１・・・ダイパッド、１−２・・・貫通孔、２
・・・リード、３・・・サポートバー、４・・・半導体
ペレット、５・・・グイボンディング接着剤、６・・・
ボンディングワイヤー、７・・・電極、８・・・封止用
樹脂、９・・・支持体、１０・・・接着層、１１・・・
表面処理層。 図面 第１図 ｖＡ 頂 第２図 図 面 第３図 （人） （Ｂ） 第４ （Ｃ） （Ｅ） （Ｂ） ＣＤ） （Ｉ′）
体装置の断面図、第３図（Ａ＞、（Ｂ）は本発明の半導
体装置の断面図、第４図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ
）、（Ｅ）、および（Ｆ）は本発明を構成するダイパッ
ドの平面図である。 １．１−１・・・ダイパッド、１−２・・・貫通孔、２
・・・リード、３・・・サポートバー、４・・・半導体
ペレット、５・・・グイボンディング接着剤、６・・・
ボンディングワイヤー、７・・・電極、８・・・封止用
樹脂、９・・・支持体、１０・・・接着層、１１・・・
表面処理層。 図面 第１図 ｖＡ 頂 第２図 図 面 第３図 （人） （Ｂ） 第４ （Ｃ） （Ｅ） （Ｂ） ＣＤ） （Ｉ′）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）厚さ方向に貫通孔が設けられているダイパッドの上
に、金属製フィルムを介して半導体ペレットを固着して
なることを特徴とする半導体装置。 ２）金属製フィルムが金属膜よりなる支持体と、該支持
体をダイパッドに固定するための接着層とからなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３）金属製フィルムが金属膜よりなる支持体と、該支持
体をダイパッドに固定するための接着層と、該支持体に
半導体ペレットを固着するための表面処理層とからなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30646187A JP2531963B2 (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30646187A JP2531963B2 (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01147836A true JPH01147836A (ja) | 1989-06-09 |
| JP2531963B2 JP2531963B2 (ja) | 1996-09-04 |
Family
ID=17957289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30646187A Expired - Lifetime JP2531963B2 (ja) | 1987-12-03 | 1987-12-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2531963B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05136320A (ja) * | 1991-11-08 | 1993-06-01 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
| US5536970A (en) * | 1992-09-29 | 1996-07-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin-encapsulated semiconductor device |
| US5753535A (en) * | 1991-09-18 | 1998-05-19 | Fujitsu Limited | Leadframe and resin-sealed semiconductor device |
| US6265770B1 (en) * | 1998-03-24 | 2001-07-24 | Seiko Epson Corporation | Mounting structure of semiconductor chip, liquid crystal device, and electronic equipment |
| JP2014072829A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Nikon Corp | 中空パッケージ用容器及びその製造方法 |
| JP2015106609A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-12-03 JP JP30646187A patent/JP2531963B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5753535A (en) * | 1991-09-18 | 1998-05-19 | Fujitsu Limited | Leadframe and resin-sealed semiconductor device |
| JPH05136320A (ja) * | 1991-11-08 | 1993-06-01 | Mitsui High Tec Inc | リードフレームの製造方法 |
| US5536970A (en) * | 1992-09-29 | 1996-07-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin-encapsulated semiconductor device |
| US6265770B1 (en) * | 1998-03-24 | 2001-07-24 | Seiko Epson Corporation | Mounting structure of semiconductor chip, liquid crystal device, and electronic equipment |
| JP2014072829A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Nikon Corp | 中空パッケージ用容器及びその製造方法 |
| JP2015106609A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2531963B2 (ja) | 1996-09-04 |
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