JPS63249341A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS63249341A JPS63249341A JP8302687A JP8302687A JPS63249341A JP S63249341 A JPS63249341 A JP S63249341A JP 8302687 A JP8302687 A JP 8302687A JP 8302687 A JP8302687 A JP 8302687A JP S63249341 A JPS63249341 A JP S63249341A
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-
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関するもので、特にダイパッドの
改良された構造を有する半導体装置に関するものである
。
改良された構造を有する半導体装置に関するものである
。
従来の半導体装置は第１図および第２図に示すようなダ
イパッド１、リード２およびサポートパー３から構成さ
れるリードフレームのダイパッドの上に第２図に示すよ
うにダイボンディング接着層５を介して半導体ペレット
４を載置し、該ベレット上に形成された電極７とリード
とを接続したボンディングワイヤー６と共に封止樹脂８
により一体化した構成を有する。
イパッド１、リード２およびサポートパー３から構成さ
れるリードフレームのダイパッドの上に第２図に示すよ
うにダイボンディング接着層５を介して半導体ペレット
４を載置し、該ベレット上に形成された電極７とリード
とを接続したボンディングワイヤー６と共に封止樹脂８
により一体化した構成を有する。
この場合、ダイパッド１の裏面と、対土用樹脂（モール
ド材）との間の熱膨張係数に差があるために封止用のモ
ールド樹脂とリードフレームのダイパッドの裏面との間
の接着性が悪いという問題点があり、密着性が悪いため
に、リードと封止用樹脂との界面から侵入した外部から
の水分が溜まり易く、半導体装置をサーキット板に面実
装する際のはんだ付は工程の加熱処理の際これかもとで
水分が急激に膨張して内部応力を生じ封止樹脂にクラッ
クが発生するなどの問題を有する。
ド材）との間の熱膨張係数に差があるために封止用のモ
ールド樹脂とリードフレームのダイパッドの裏面との間
の接着性が悪いという問題点があり、密着性が悪いため
に、リードと封止用樹脂との界面から侵入した外部から
の水分が溜まり易く、半導体装置をサーキット板に面実
装する際のはんだ付は工程の加熱処理の際これかもとで
水分が急激に膨張して内部応力を生じ封止樹脂にクラッ
クが発生するなどの問題を有する。
本発明は上記の実情に鑑みてなされたものであり、本発
明の概要は厚さ方向に貫通孔を設けたダイパッドを用い
該ダイパッドの上に耐熱性ダイパッドテープを介して半
導体ペレットを搭載するようにした半導体装置である。
明の概要は厚さ方向に貫通孔を設けたダイパッドを用い
該ダイパッドの上に耐熱性ダイパッドテープを介して半
導体ペレットを搭載するようにした半導体装置である。
そして実際に使用されるダイパッドテープとしては耐熱
性支持体と該支持体をダイパッドに固定するための接着
層を有するもの、更にダイボンディング接着剤側に樹脂
層を設けたもの、又はこの樹脂層に代えて表面処理層を
設けたものが用いられる。
性支持体と該支持体をダイパッドに固定するための接着
層を有するもの、更にダイボンディング接着剤側に樹脂
層を設けたもの、又はこの樹脂層に代えて表面処理層を
設けたものが用いられる。
次に本発明を図面により説明する。
本発明の半導体装置の一例は第３図（イ）、（ロ）に示
す断面図のとおりで、ダイパッドとして上下に貫通孔１
−２を設けたダイパッド１−１を用い、このダイパッド
の上に支持体９の下面に接着層１０を設けたダイパッド
テープを設け、更に支持体のもう一方の面にグイボンイ
ング接着剤５を介して半導体ペレット４を固着しである
。又半導体ペレット４上の電極７とリード２とはボンデ
ィングワイヤー６によって接続され、これらは封止用樹
脂８により一体化されている。又同図（ロ）は厚さ方向
に貫通孔１−２を設けたダイパッド１−１の上に、下面
に接着層１０を付し、上面に樹脂層１１−ａ又は表面処
理層１１−ｂからなる接着性層１１を設けたダイパッド
テープを重ねて眉間を接合し、その上にダイボンディン
グ接着剤５を介して半導体ペレット４が固着され、これ
らは封止用樹脂８で一体化されている。
す断面図のとおりで、ダイパッドとして上下に貫通孔１
−２を設けたダイパッド１−１を用い、このダイパッド
の上に支持体９の下面に接着層１０を設けたダイパッド
テープを設け、更に支持体のもう一方の面にグイボンイ
ング接着剤５を介して半導体ペレット４を固着しである
。又半導体ペレット４上の電極７とリード２とはボンデ
ィングワイヤー６によって接続され、これらは封止用樹
脂８により一体化されている。又同図（ロ）は厚さ方向
に貫通孔１−２を設けたダイパッド１−１の上に、下面
に接着層１０を付し、上面に樹脂層１１−ａ又は表面処
理層１１−ｂからなる接着性層１１を設けたダイパッド
テープを重ねて眉間を接合し、その上にダイボンディン
グ接着剤５を介して半導体ペレット４が固着され、これ
らは封止用樹脂８で一体化されている。
本発明のダイパッドが貫通孔を有することは封止用樹脂
がこの中に入りこみ強固に一体に結合しうるちのであり
、封止性を高めるものである。
がこの中に入りこみ強固に一体に結合しうるちのであり
、封止性を高めるものである。
本発明の実施に当たっては樹脂による封止に限定される
ものではなく、例えばサーディンプタイブあるいはサー
バツクタイプによる封止であってもよい。
ものではなく、例えばサーディンプタイブあるいはサー
バツクタイプによる封止であってもよい。
ダイパッドテープは先に述べたように、上部側に接着層
１１を設けた方がより接着性が完全となり、半導体装置
の組み立て構造を安定化することにより信幀性を高める
ことができる。
１１を設けた方がより接着性が完全となり、半導体装置
の組み立て構造を安定化することにより信幀性を高める
ことができる。
又ダイパッドの厚み方向に穿孔する手段は、例えばタン
グステンカーバイド等の素材のポンチでプレス加工する
ことにより容易に加工することができる。
グステンカーバイド等の素材のポンチでプレス加工する
ことにより容易に加工することができる。
次に本発明で用いられるダイパッドの平面図を示せば第
４図のとおりである。
４図のとおりである。
すなわち（イ）は３ ｍ Ｘ ９ ｖａｎの正方形の大
きさのダイパッドに孔径φ０．３〜０．５鶴の孔、をピ
ッチ０．５〜１ミリメートルで図示のように多数穿孔し
たものである。又（ロ）はこれより大サイズの円孔を９
コ穿孔した場合、（ハ）は正方形の孔を９コ穿孔した場
合、（ニ）は正方形の孔を４コ穿孔した場合、（ホ）は
三角形の孔を４コ穿孔した場合、（へ）は十字状の孔を
穿孔した場合を示す。
きさのダイパッドに孔径φ０．３〜０．５鶴の孔、をピ
ッチ０．５〜１ミリメートルで図示のように多数穿孔し
たものである。又（ロ）はこれより大サイズの円孔を９
コ穿孔した場合、（ハ）は正方形の孔を９コ穿孔した場
合、（ニ）は正方形の孔を４コ穿孔した場合、（ホ）は
三角形の孔を４コ穿孔した場合、（へ）は十字状の孔を
穿孔した場合を示す。
次に本発明において用いられる耐熱性ダイパッドテープ
を構成する材料について述べる。
を構成する材料について述べる。
支持体は例えば厚さ１０〜１５０μｍ、好ましくは２５
〜７５μｍのポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフ
ェニレンサルファイド、ポリエーテル・エーテルケトン
等の耐熱性フィルムなどが本発明において使用される。
〜７５μｍのポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフ
ェニレンサルファイド、ポリエーテル・エーテルケトン
等の耐熱性フィルムなどが本発明において使用される。
本発明を構成するダイボンディング接着剤５は、ダイパ
ッドテープを構成する支持体に十分接着力のあるものを
選択使用することが望ましく、この接着剤を適当に選択
することによりダイパッドテープに樹脂層もしくは表面
処理層を設けることなく目的とする半導体装置を得られ
るが、更にダイパッドテープの支持体とダイボンディン
グ接着剤との接着性を保証するにはダイパッドテープ表
面が改良されていなければならない。
ッドテープを構成する支持体に十分接着力のあるものを
選択使用することが望ましく、この接着剤を適当に選択
することによりダイパッドテープに樹脂層もしくは表面
処理層を設けることなく目的とする半導体装置を得られ
るが、更にダイパッドテープの支持体とダイボンディン
グ接着剤との接着性を保証するにはダイパッドテープ表
面が改良されていなければならない。
すなわち、この接着性向上を達成のためにポリイミド樹
脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂
もしくは約３００℃以上の融点を有する熱可塑性樹脂か
らなる樹脂層１１−１を設けたのが第３図（イ）に示し
たものであり、通常１〜ｌＯμｍとなるように塗布し、
熱硬化される。
脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂
もしくは約３００℃以上の融点を有する熱可塑性樹脂か
らなる樹脂層１１−１を設けたのが第３図（イ）に示し
たものであり、通常１〜ｌＯμｍとなるように塗布し、
熱硬化される。
樹脂の種類は前記のダイボンディング接着剤５と親和性
のあるものを選択することにより極めて容易にかつ強力
に接着し半導体ペレットの信頼性を高めることができる
。又、更に、この樹脂層１１−１に代えて砂目室てによ
るマット加工、化学酸化、ガス炎酸化、コロナ放電処理
、エンボス加工、マット艶消し加工等の表面処理１１−
２により、微細な凹凸、極性の付与、酸化皮膜の破壊脆
化等により接着性を向上することができる。これによれ
ば厚みや重量を増大させることなく、強固な接着を実現
した半導体装置を提供し得るものである。
のあるものを選択することにより極めて容易にかつ強力
に接着し半導体ペレットの信頼性を高めることができる
。又、更に、この樹脂層１１−１に代えて砂目室てによ
るマット加工、化学酸化、ガス炎酸化、コロナ放電処理
、エンボス加工、マット艶消し加工等の表面処理１１−
２により、微細な凹凸、極性の付与、酸化皮膜の破壊脆
化等により接着性を向上することができる。これによれ
ば厚みや重量を増大させることなく、強固な接着を実現
した半導体装置を提供し得るものである。
リードフレームのダイパッドの表面に半導体ペレットを
載置したダイパッドテープの下面の接着層ｌＯには耐熱
性エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を５〜５０μｍ１好
ましくは２０〜３０＃ｍの塗布厚となるように半硬化の
状態で塗布して形成される。 このような層構成および
材料よりなるダイパッドテープは通常例えば原反を幅３
〜１０１１１１％長さ２００〜３００ｍのテープ状に加
工され、リールに巻回されて供給することができ、その
場合半導体ペレットの寸法に合わせて裁断した上で所定
のリードフレームに適用され接着される。
載置したダイパッドテープの下面の接着層ｌＯには耐熱
性エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を５〜５０μｍ１好
ましくは２０〜３０＃ｍの塗布厚となるように半硬化の
状態で塗布して形成される。 このような層構成および
材料よりなるダイパッドテープは通常例えば原反を幅３
〜１０１１１１％長さ２００〜３００ｍのテープ状に加
工され、リールに巻回されて供給することができ、その
場合半導体ペレットの寸法に合わせて裁断した上で所定
のリードフレームに適用され接着される。
このようにして得られたダイパッドテープ／リードフレ
ーム積層体は前記第３図に示した構成に組み込まれ、本
発明の半導体装置を得ることができる。
ーム積層体は前記第３図に示した構成に組み込まれ、本
発明の半導体装置を得ることができる。
実施例１゜
厚さ５０μｍのポリイミド樹脂フィルム（「ユービレフ
クスＳ」宇部興産社製）からなる支持体の片面に接着層
として超耐熱性ポリイミド樹脂（ｒＬＡＲＣ−ＴＰ Ｉ
Ｊ三井東圧化学社製）のＮ。
クスＳ」宇部興産社製）からなる支持体の片面に接着層
として超耐熱性ポリイミド樹脂（ｒＬＡＲＣ−ＴＰ Ｉ
Ｊ三井東圧化学社製）のＮ。
Ｎ−ジメチルアセトアミド２０重量％溶液を半硬化（Ｂ
ステージ）になるように、かつ１５０℃３分間の加熱条
件で乾燥後の塗布厚が２５μｍとなるように塗布し、ダ
イパッドテープを作成した。
ステージ）になるように、かつ１５０℃３分間の加熱条
件で乾燥後の塗布厚が２５μｍとなるように塗布し、ダ
イパッドテープを作成した。
得られたダイパッドテープを所望の大きさに切断して第
４図（イ）に示す形状のダイパッド（リードフレームは
鉄系の金属板例えばコバール板を打ち抜き加工してなる
）に接着層により加熱接着した後、第３図（イ）に示す
ような半導体装置を組立てた。
４図（イ）に示す形状のダイパッド（リードフレームは
鉄系の金属板例えばコバール板を打ち抜き加工してなる
）に接着層により加熱接着した後、第３図（イ）に示す
ような半導体装置を組立てた。
得られた半導体装置について、実装試験による信頬性を
見たところ、接着層の電流のリークは見られず、安定し
た接着性が確認された。又、ワイヤーボンダビリティ−
も良好で樹脂封止したときワイヤー流れもなく信顛性の
ある半導体装置を構成することができ、又８５℃、８５
％ＲＨ（相対湿度）の雰囲気にて２４時間放置後２６０
℃のはんだ浴に３秒間浸漬したのちプレッシャークツカ
ーテスター（ＰＣＴ）にて２５０時間試験したが全く異
常がなかった。
見たところ、接着層の電流のリークは見られず、安定し
た接着性が確認された。又、ワイヤーボンダビリティ−
も良好で樹脂封止したときワイヤー流れもなく信顛性の
ある半導体装置を構成することができ、又８５℃、８５
％ＲＨ（相対湿度）の雰囲気にて２４時間放置後２６０
℃のはんだ浴に３秒間浸漬したのちプレッシャークツカ
ーテスター（ＰＣＴ）にて２５０時間試験したが全く異
常がなかった。
実施例２゜
厚さ５０μｍのポリイミド樹脂フィルム（「カプトン２
００ＶＪ東しデュポン社製）からなる支持体の片面に、
接着層としてポリウレタン系樹脂（「チッソレックス３
７２」チッソ社製）のジメチルホルムアミド／メチルエ
チルケトン−２／１０４３％溶液７０重量部とフェノー
ル・ノボラック・エポキシ樹脂（ｒＥＰＰＮ−２０１Ｊ
、日本化薬社製）のメチルエチルケト７２０％溶液３０
重量部との混合液を半硬化の状態になるよう１２０℃５
分間の加熱条件で乾燥後の塗布厚が４０μｍとなるよう
に塗布し、ダイパッドテープを作成した。
００ＶＪ東しデュポン社製）からなる支持体の片面に、
接着層としてポリウレタン系樹脂（「チッソレックス３
７２」チッソ社製）のジメチルホルムアミド／メチルエ
チルケトン−２／１０４３％溶液７０重量部とフェノー
ル・ノボラック・エポキシ樹脂（ｒＥＰＰＮ−２０１Ｊ
、日本化薬社製）のメチルエチルケト７２０％溶液３０
重量部との混合液を半硬化の状態になるよう１２０℃５
分間の加熱条件で乾燥後の塗布厚が４０μｍとなるよう
に塗布し、ダイパッドテープを作成した。
得られたダイパッドテープを所望の大きさに切断後第４
図（ロ）に示すリードフレームのダイパッドに接着層に
より加熱接着した後、第３図（イ）に示す半導体装置を
組立てた。
図（ロ）に示すリードフレームのダイパッドに接着層に
より加熱接着した後、第３図（イ）に示す半導体装置を
組立てた。
得られた半導体装置について、実装試験による信頼性を
見たところ、接着層の電流のリークは見られず、安定し
た接着性が確認された。又、ワイヤー、ボンダビリティ
−も良好で信頼性のある半導体装置を構成することがで
きた。又８５℃、８５％ＲＨの雰囲気にて２４時間放置
後２６０℃のはんだ浴に３秒間浸漬したのちＰＣＴにて
２５０時間試験したが全く異常がなかった。
見たところ、接着層の電流のリークは見られず、安定し
た接着性が確認された。又、ワイヤー、ボンダビリティ
−も良好で信頼性のある半導体装置を構成することがで
きた。又８５℃、８５％ＲＨの雰囲気にて２４時間放置
後２６０℃のはんだ浴に３秒間浸漬したのちＰＣＴにて
２５０時間試験したが全く異常がなかった。
実施例３
実施例２における接着層としてポリアミドとエポキシ樹
脂との混合組成物（ｒＯＸ−０３５Ｊ東レハイソ一ル社
製）のトリクレン／メタノール−１／２の３０重量％溶
液を使用した以外は実施例２と同様にして本発明の半導
体装置を組立てた。
脂との混合組成物（ｒＯＸ−０３５Ｊ東レハイソ一ル社
製）のトリクレン／メタノール−１／２の３０重量％溶
液を使用した以外は実施例２と同様にして本発明の半導
体装置を組立てた。
得られた半導体装置について実装試験による信頼性を見
たところ、接着層の電流リークは見られず、安定した接
着が確認された。又、ワイヤーボンダビリティ−も良好
で信頼性のある半導体装置を構成することができた。又
８５℃、８５％ＲＨの雰囲気にて２４時間放置後２６０
℃のはんだ浴に３秒間浸漬したのちＰＣＴにて２５０時
間試験したが、全（異常がなかった。
たところ、接着層の電流リークは見られず、安定した接
着が確認された。又、ワイヤーボンダビリティ−も良好
で信頼性のある半導体装置を構成することができた。又
８５℃、８５％ＲＨの雰囲気にて２４時間放置後２６０
℃のはんだ浴に３秒間浸漬したのちＰＣＴにて２５０時
間試験したが、全（異常がなかった。
実施例４゜
厚さ５０μｍポリイミド樹脂フィルム（「ユーピレフク
スＳ」宇部興産社製）からなる支持体の片面に下記配合
の熱硬化性樹脂層を設けた。
スＳ」宇部興産社製）からなる支持体の片面に下記配合
の熱硬化性樹脂層を設けた。
エポキシ樹脂（「エビコー）１００１Ｊ油化シエルエポ
キシ社製） ８０％メチルエチルケトン溶液 １００重量部友応性ア
クリルニトリル共重合体 （ｒＮＩＰＯＬ １０７２Ｊ日本ゼオン社製）２０％
メチルエチルケトン溶液 ４０重量部硬化剤ＤＩＣＹ／
２−エチル４−メ チルイミダゾール（５／１） １２重量部溶剤
（メチルエチルケトン） ８０重量部この際塗布
厚は３μｍで、１５０℃３分間の乾燥の後２５０℃、５
分間の条件で完全硬化した。
キシ社製） ８０％メチルエチルケトン溶液 １００重量部友応性ア
クリルニトリル共重合体 （ｒＮＩＰＯＬ １０７２Ｊ日本ゼオン社製）２０％
メチルエチルケトン溶液 ４０重量部硬化剤ＤＩＣＹ／
２−エチル４−メ チルイミダゾール（５／１） １２重量部溶剤
（メチルエチルケトン） ８０重量部この際塗布
厚は３μｍで、１５０℃３分間の乾燥の後２５０℃、５
分間の条件で完全硬化した。
次に前記樹脂層の反対側の支持体面に接着剤として超耐
熱ポリイミド樹脂（ｒＬＡＲＣ−ＴＰＩＪ、三井東圧化
学社製）のＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド２０重量％溶
液を半硬化（Ｂステージ）になるよう、かつ１５０℃、
３分間の加熱条件で乾燥後の塗布厚が２５μｍとなるよ
うに塗布し本発明のダイパッドテープを作成した。得ら
れたダイパッドテープを第４図（ハ）に示したり一部フ
レームのダイパッドに接着層により加熱接着した後、第
３図（ロ）に示す半導体装置を組立てた。 得られた半
導体装置について、実装試験による信頼性を見たところ
、接着層の電流のリークは見られず、安定した接着が確
認された。又、ワイヤーボンダビリティ−も良好で信頼
性のある半導体装置を構成することができた。
熱ポリイミド樹脂（ｒＬＡＲＣ−ＴＰＩＪ、三井東圧化
学社製）のＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド２０重量％溶
液を半硬化（Ｂステージ）になるよう、かつ１５０℃、
３分間の加熱条件で乾燥後の塗布厚が２５μｍとなるよ
うに塗布し本発明のダイパッドテープを作成した。得ら
れたダイパッドテープを第４図（ハ）に示したり一部フ
レームのダイパッドに接着層により加熱接着した後、第
３図（ロ）に示す半導体装置を組立てた。 得られた半
導体装置について、実装試験による信頼性を見たところ
、接着層の電流のリークは見られず、安定した接着が確
認された。又、ワイヤーボンダビリティ−も良好で信頼
性のある半導体装置を構成することができた。
実施例５
実施例４の支持体の片面に下記配合の熱硬化性樹脂層を
設けた。この際の塗布厚は５μｍで、１５０℃、２分間
の乾燥後、２５０℃、５分間の条件で完全に硬化した。
設けた。この際の塗布厚は５μｍで、１５０℃、２分間
の乾燥後、２５０℃、５分間の条件で完全に硬化した。
しかる後反対側面に実施例４に使用した接着層を設けて
本発明のダイパッドテープを作成した。
本発明のダイパッドテープを作成した。
ポリエステル樹脂（「バイロン２００」東洋紡社製）２
０％ メチルエチルケ トン溶液 １００重量部イソシ
アネート（「コロネー）ＬＪ 日日本ポリウラタフ社製 ２重量部溶剤
トルエン ２６重量部得られたダ
イパッドテープを第４図（ニ）に示したリードフレーム
のダイパッドに接着層により加熱接着した後第３図（ロ
）に示す半導体装置を組立てた。
０％ メチルエチルケ トン溶液 １００重量部イソシ
アネート（「コロネー）ＬＪ 日日本ポリウラタフ社製 ２重量部溶剤
トルエン ２６重量部得られたダ
イパッドテープを第４図（ニ）に示したリードフレーム
のダイパッドに接着層により加熱接着した後第３図（ロ
）に示す半導体装置を組立てた。
得られた半導体装置について、実装試験による信頼性を
見たところ、接着層の電流のリークは見当らず、安定し
た接着が確認された。又、ワイヤボンダビリティ−も良
好で信頼性のある半導体装置を構成することができた。
見たところ、接着層の電流のリークは見当らず、安定し
た接着が確認された。又、ワイヤボンダビリティ−も良
好で信頼性のある半導体装置を構成することができた。
実施例６゜
実施例４の支持体に表面粗さＲａが０．２〜０．３μｍ
ｓＲ…ａｘが１〜２μｍとなるようにマット処理を施し
、表面処理層を設けてダイパッドテープを作成し、得ら
れたダイパッドテープを第４図（ホ）に示したリードフ
レームのダイパッドに接着層により加熱接着した後、第
３図（ロ）に示す半導体装置を組立てた。
ｓＲ…ａｘが１〜２μｍとなるようにマット処理を施し
、表面処理層を設けてダイパッドテープを作成し、得ら
れたダイパッドテープを第４図（ホ）に示したリードフ
レームのダイパッドに接着層により加熱接着した後、第
３図（ロ）に示す半導体装置を組立てた。
得られた半導体装置について実装試験による信頼性を見
たところ、接着層の電流のリークは見られず、安定した
接着が確認された。又ワイヤーボンダビリティーも良好
で信頼性のある半導体装置を構成することができた。
たところ、接着層の電流のリークは見られず、安定した
接着が確認された。又ワイヤーボンダビリティーも良好
で信頼性のある半導体装置を構成することができた。
実施例７
実施例１の支持体の表面にコロナ放電処理機（「ピラー
コロナトリーター１２」、東洋ピラー社製）を用いて電
圧３ ’ｌ ＱＶｏｌｔ、速度５０ｓ／ｗｉｎの条件に
てコロナ放電加工を施し表面処理層を設けてダイパッド
テープを作成した。
コロナトリーター１２」、東洋ピラー社製）を用いて電
圧３ ’ｌ ＱＶｏｌｔ、速度５０ｓ／ｗｉｎの条件に
てコロナ放電加工を施し表面処理層を設けてダイパッド
テープを作成した。
得られたグイパットテープを第４図（へ）に示したリー
ドフレームのダイパッドに接着層により加熱接着した後
、第３図（ロ）に示す半導体装置を組立てた。
ドフレームのダイパッドに接着層により加熱接着した後
、第３図（ロ）に示す半導体装置を組立てた。
得られた半導体装置について、実装試験による信頼性を
見たところ、接着層の電流のリークは見当たらず、安定
した接着が確認された。又、ワイヤーボンダビリティ−
も良好で信頼性のある半導体装置を構成することができ
た。
見たところ、接着層の電流のリークは見当たらず、安定
した接着が確認された。又、ワイヤーボンダビリティ−
も良好で信頼性のある半導体装置を構成することができ
た。
本発明は上記の構成よりなるのでリードフレームを構成
するダイパッドと封止樹脂との接着性、すなわち封止性
が向上し、リードフレームとダイパッドとの熱膨張係数
の差に伴う弊害を防止することができる。
するダイパッドと封止樹脂との接着性、すなわち封止性
が向上し、リードフレームとダイパッドとの熱膨張係数
の差に伴う弊害を防止することができる。
特に本発明においては厚さ方向に貫通孔を有するダイパ
ッドの上にダイパッドテープを介在させたのでペースト
状ダイボンディング接着剤を用いて半導体ペレットをグ
イバンドに搭載する際、該ダイボンディング接着剤が貫
通孔を通してダイパッドの裏面に垂れることを防止する
ことができる。
ッドの上にダイパッドテープを介在させたのでペースト
状ダイボンディング接着剤を用いて半導体ペレットをグ
イバンドに搭載する際、該ダイボンディング接着剤が貫
通孔を通してダイパッドの裏面に垂れることを防止する
ことができる。
又、ダイパッドテープを構成する支持体の表面側に熱硬
化性樹脂等の樹脂層又は表面処理層を設けたものはダイ
ボンディング接着剤に特殊なものを用いな（ても充分強
固な接着を達成することができるし、層厚が薄くて済む
ので半導体素子の軽量小型化に有効である。
化性樹脂等の樹脂層又は表面処理層を設けたものはダイ
ボンディング接着剤に特殊なものを用いな（ても充分強
固な接着を達成することができるし、層厚が薄くて済む
ので半導体素子の軽量小型化に有効である。
第１図は従来の技術によるリードフレームの斜視図、第
２図は従来の半導体装置の断面図、第３図は本発明の半
導体装置の断面図、第４図（イ）、（ロ）、（ハ）、（
ニ）、（ホ）、および（へ）、は本発明を構成するダイ
パッドの平面図である。 １：ダイパッド、１−１：ダイパッド、１−２貫通孔、
２：リード、４：半導体ペレット、５：ダイボンディン
グ接着剤、６：ボンディングワイヤー、７：電極、８：
封止用樹脂、９・・・支持体、１０：接着層、１１−１
：樹脂層、１１−２：表面処理層。
２図は従来の半導体装置の断面図、第３図は本発明の半
導体装置の断面図、第４図（イ）、（ロ）、（ハ）、（
ニ）、（ホ）、および（へ）、は本発明を構成するダイ
パッドの平面図である。 １：ダイパッド、１−１：ダイパッド、１−２貫通孔、
２：リード、４：半導体ペレット、５：ダイボンディン
グ接着剤、６：ボンディングワイヤー、７：電極、８：
封止用樹脂、９・・・支持体、１０：接着層、１１−１
：樹脂層、１１−２：表面処理層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）厚さ方向に貫通孔が設けられているダイパッドを有
するリードフレームの、該ダイパッドの上に、耐熱性ダ
イパッドテープを介して半導体ペレットを搭載してなる
ことを特徴とする半導体装置。 ２）ダイパッドテープが耐熱性支持体と、該支持体をダ
イパッドに固定するための接着層とからなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ３）ダイパッドテープが耐熱性支持体と、該支持体をダ
イパッドに固定するための接着層とダイボンディング接
着剤側の樹脂層とからなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体装置。 ４）ダイパッドテープが耐熱性支持体と、該支持体をダ
イパッドに固定するための接着層とダイボンディング接
着剤側の表面処理層とからなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62083026A JPH07105405B2 (ja) | 1987-04-06 | 1987-04-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62083026A JPH07105405B2 (ja) | 1987-04-06 | 1987-04-06 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63249341A true JPS63249341A (ja) | 1988-10-17 |
| JPH07105405B2 JPH07105405B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=13790724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62083026A Expired - Lifetime JPH07105405B2 (ja) | 1987-04-06 | 1987-04-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105405B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02142308A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-31 | Nissin Electric Co Ltd | ガス絶縁式電気設備 |
| JPH08204107A (ja) * | 1995-01-27 | 1996-08-09 | Rohm Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| DE19618976C2 (de) * | 1995-10-30 | 2002-06-27 | Mitsubishi Electric Corp | Mit Harz abgedichtete Halbleitervorrichtung |
| JP2015106609A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
| CN105870082A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-08-17 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 具有散热垫的ic模块及增大其与pcb主板焊接面积的方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57102137U (ja) * | 1980-12-12 | 1982-06-23 | ||
| JPS59146963U (ja) * | 1983-03-22 | 1984-10-01 | 凸版印刷株式会社 | リ−ドフレ−ム |
| JPS6184841A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の外囲器 |
-
1987
- 1987-04-06 JP JP62083026A patent/JPH07105405B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57102137U (ja) * | 1980-12-12 | 1982-06-23 | ||
| JPS59146963U (ja) * | 1983-03-22 | 1984-10-01 | 凸版印刷株式会社 | リ−ドフレ−ム |
| JPS6184841A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の外囲器 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02142308A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-31 | Nissin Electric Co Ltd | ガス絶縁式電気設備 |
| JPH08204107A (ja) * | 1995-01-27 | 1996-08-09 | Rohm Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| DE19618976C2 (de) * | 1995-10-30 | 2002-06-27 | Mitsubishi Electric Corp | Mit Harz abgedichtete Halbleitervorrichtung |
| JP2015106609A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
| CN105870082A (zh) * | 2016-04-28 | 2016-08-17 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 具有散热垫的ic模块及增大其与pcb主板焊接面积的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07105405B2 (ja) | 1995-11-13 |
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