JPH08204107A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH08204107A JPH08204107A JP1149595A JP1149595A JPH08204107A JP H08204107 A JPH08204107 A JP H08204107A JP 1149595 A JP1149595 A JP 1149595A JP 1149595 A JP1149595 A JP 1149595A JP H08204107 A JPH08204107 A JP H08204107A
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- Japan
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- resin
- semiconductor device
- semiconductor chip
- sealed semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、パッケージにクラックが生じにく
い樹脂封止型半導体装置を提供するものである。 【構成】 本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チ
ップ１を搭載した金属性のアイランド２と、アイランド
２の周囲に配置された金属性のリード３と、アイランド
２とリード３の一部とを覆う樹脂封止部４を有するして
おり、特にアイランド２の形状をＸ字形状としたことを
大きな特徴としている。上記アイランド２の形状をＸ字
形状とすることにより、アイランド２とモールド樹脂の
接触面は斜線部にに示す領域だけとなり、従来に比して
接触面積を大幅に減少することができる。そのうえ、斜
線部以外では半導体チップとモールド樹脂が接着してい
るので剥離しにくい構造となっている。
い樹脂封止型半導体装置を提供するものである。 【構成】 本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体チ
ップ１を搭載した金属性のアイランド２と、アイランド
２の周囲に配置された金属性のリード３と、アイランド
２とリード３の一部とを覆う樹脂封止部４を有するして
おり、特にアイランド２の形状をＸ字形状としたことを
大きな特徴としている。上記アイランド２の形状をＸ字
形状とすることにより、アイランド２とモールド樹脂の
接触面は斜線部にに示す領域だけとなり、従来に比して
接触面積を大幅に減少することができる。そのうえ、斜
線部以外では半導体チップとモールド樹脂が接着してい
るので剥離しにくい構造となっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置に
関し、特にパッケージにクラックが生じにくい樹脂封止
型半導体装置に関する。
関し、特にパッケージにクラックが生じにくい樹脂封止
型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】トランジスタやＩＣ等の電子部品とし
て、半導体チップをエポキシ樹脂等のモールド樹脂によ
り封止した樹脂封止型半導体装置が知られている。従来
の樹脂封止型半導体装置は、図７に示すように、半導体
チップ１が搭載された半導体チップ１より大きい平面視
四角形状のアイランド２と、アイランド２を取囲むよう
配置された複数のリード３と、アイランド２とリード３
の一部とを覆う樹脂封止部４とから構成されおり、半導
体チップ１の裏側全面は、斜線部に示すようにアイラン
ド２と接している。
て、半導体チップをエポキシ樹脂等のモールド樹脂によ
り封止した樹脂封止型半導体装置が知られている。従来
の樹脂封止型半導体装置は、図７に示すように、半導体
チップ１が搭載された半導体チップ１より大きい平面視
四角形状のアイランド２と、アイランド２を取囲むよう
配置された複数のリード３と、アイランド２とリード３
の一部とを覆う樹脂封止部４とから構成されおり、半導
体チップ１の裏側全面は、斜線部に示すようにアイラン
ド２と接している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の樹脂
封止型半導体装置は、使用される電子機器の小型化によ
るプリント基板への高密度実装化の要求に伴い、小型で
薄型のパッケージ化が進んでいる。一方、半導体チップ
は高機能化・高集積化に伴い、パッケージの小型化とは
逆に大型化するという現象に陥り、その半導体チップを
搭載するためのアイランドの大型化も進んでいる。
封止型半導体装置は、使用される電子機器の小型化によ
るプリント基板への高密度実装化の要求に伴い、小型で
薄型のパッケージ化が進んでいる。一方、半導体チップ
は高機能化・高集積化に伴い、パッケージの小型化とは
逆に大型化するという現象に陥り、その半導体チップを
搭載するためのアイランドの大型化も進んでいる。
【０００４】このため、従来の樹脂封止型半導体装置で
は、次のような問題が生じていた。すなわち、樹脂封止
部４に用いられるモールド樹脂は金型との離型性を良く
するために離型剤が添加されているので、モールド樹脂
と金属製のアイランド２の裏面との接着強度が弱くなっ
ている。そのため製造工程での加熱冷却で滑りが生じた
り、モールド樹脂の吸湿作用により侵入した水分が気化
膨張し、モールド樹脂とアイランド２に隙間５が発生す
る場合があった。隙間５が発生した場合、図８に示すよ
うに、隙間５内では、モールド樹脂の吸湿作用により侵
入した水分が、樹脂封止型半導体装置の基板実装時の半
田リフローの急加熱で矢印方向に気化膨張し、樹脂封止
部４にクラック６を生じさせるおそれがあった。
は、次のような問題が生じていた。すなわち、樹脂封止
部４に用いられるモールド樹脂は金型との離型性を良く
するために離型剤が添加されているので、モールド樹脂
と金属製のアイランド２の裏面との接着強度が弱くなっ
ている。そのため製造工程での加熱冷却で滑りが生じた
り、モールド樹脂の吸湿作用により侵入した水分が気化
膨張し、モールド樹脂とアイランド２に隙間５が発生す
る場合があった。隙間５が発生した場合、図８に示すよ
うに、隙間５内では、モールド樹脂の吸湿作用により侵
入した水分が、樹脂封止型半導体装置の基板実装時の半
田リフローの急加熱で矢印方向に気化膨張し、樹脂封止
部４にクラック６を生じさせるおそれがあった。
【０００５】特に、樹脂封止部４の大きさに占めるアイ
ランド２の面積が大きくなった現在では、その隙間５も
大きくなって急加熱で気化膨張するときの水上気圧も大
きくなっており、クラックが生じ易い状況になってい
た。本発明は、上述した問題点に鑑み、パッケージにク
ラックが生じにくい樹脂封止型半導体装置を提供するも
のである。
ランド２の面積が大きくなった現在では、その隙間５も
大きくなって急加熱で気化膨張するときの水上気圧も大
きくなっており、クラックが生じ易い状況になってい
た。本発明は、上述した問題点に鑑み、パッケージにク
ラックが生じにくい樹脂封止型半導体装置を提供するも
のである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために次のような構成をとる。すなわち、請求
項１記載の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップを搭
載したアイランドと、前記アイランドの周囲に配置され
たリードと、前記アイランドとリードの一部とを覆う樹
脂封止部を有する樹脂封止型半導体装置において、前記
アイランドの形状をＸ字形状としたことを特徴とするも
のである。
達成するために次のような構成をとる。すなわち、請求
項１記載の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップを搭
載したアイランドと、前記アイランドの周囲に配置され
たリードと、前記アイランドとリードの一部とを覆う樹
脂封止部を有する樹脂封止型半導体装置において、前記
アイランドの形状をＸ字形状としたことを特徴とするも
のである。
【０００７】
【作用】本発明の樹脂封止型半導体装置では、アイラン
ドの形状をＸ字形状とすることにより、アイランドとモ
ールド樹脂との接触面積を小さくしてる結果、その接触
面に発生する隙間の大きさをできるだけ小さくしてい
る。また、半導体チップとアイランドとの接触部分以外
は、モールド樹脂と半導体チップが接着しているので、
半導体チップとアイランドとは剥離しにくい、すなわち
隙間のできにくい構造となっている。
ドの形状をＸ字形状とすることにより、アイランドとモ
ールド樹脂との接触面積を小さくしてる結果、その接触
面に発生する隙間の大きさをできるだけ小さくしてい
る。また、半導体チップとアイランドとの接触部分以外
は、モールド樹脂と半導体チップが接着しているので、
半導体チップとアイランドとは剥離しにくい、すなわち
隙間のできにくい構造となっている。
【０００８】従って、本発明では、半導体チップとアイ
ランドとの隙間ができにくく、しかもその大きさを極力
抑える構造となっているので、例え急加熱により吸湿さ
れた水分が気化膨張しても、その水上気圧は樹脂封止部
にクラックを生じさせるほど増大しない。
ランドとの隙間ができにくく、しかもその大きさを極力
抑える構造となっているので、例え急加熱により吸湿さ
れた水分が気化膨張しても、その水上気圧は樹脂封止部
にクラックを生じさせるほど増大しない。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図１を参照しつつ
説明する。尚、従来と同一部分や相当部分には同一の符
号を付している。本発明の樹脂封止型半導体装置は、半
導体チップ１を搭載した金属性のアイランド２と、アイ
ランド２の周囲に配置された金属性のリード３と、アイ
ランド２とリード３の一部とを覆う樹脂封止部４を有す
る点で従来と相違がないが、本発明ではアイランド２の
形状をＸ字形状としたことを大きな特徴としている。上
記アイランド２の形状をＸ字形状とすることにより、ア
イランド２とモールド樹脂の接触面は斜線部にに示す領
域だけとなり、従来に比して接触面積を大幅に減少する
ことができる。そのうえ、斜線部以外では半導体チップ
とモールド樹脂が接着しているので剥離しにくい構造と
なっている。本発明のアイランド２およびリード３は、
従来と同様の鉄ニッケル合金や銅で形成されている。ま
た、アイランド２の形状をＸ字状とする方法も従来と同
様に打抜きや化学処理により方法を利用することで形成
することができる。
説明する。尚、従来と同一部分や相当部分には同一の符
号を付している。本発明の樹脂封止型半導体装置は、半
導体チップ１を搭載した金属性のアイランド２と、アイ
ランド２の周囲に配置された金属性のリード３と、アイ
ランド２とリード３の一部とを覆う樹脂封止部４を有す
る点で従来と相違がないが、本発明ではアイランド２の
形状をＸ字形状としたことを大きな特徴としている。上
記アイランド２の形状をＸ字形状とすることにより、ア
イランド２とモールド樹脂の接触面は斜線部にに示す領
域だけとなり、従来に比して接触面積を大幅に減少する
ことができる。そのうえ、斜線部以外では半導体チップ
とモールド樹脂が接着しているので剥離しにくい構造と
なっている。本発明のアイランド２およびリード３は、
従来と同様の鉄ニッケル合金や銅で形成されている。ま
た、アイランド２の形状をＸ字状とする方法も従来と同
様に打抜きや化学処理により方法を利用することで形成
することができる。
【００１０】次に、本発明の他の実施例を図２〜図６を
参照に説明する。これらの実施例は、半導体チップ１を
搭載した金属性のアイランド２と、アイランド２の周囲
に配置された金属性のリード３と、アイランド２とリー
ド３の一部とを覆う樹脂封止部４を有する樹脂封止型半
導体装置で共通している。また、図中の斜線部は、半導
体チップ１とアイランド２との接触部分を示している。
参照に説明する。これらの実施例は、半導体チップ１を
搭載した金属性のアイランド２と、アイランド２の周囲
に配置された金属性のリード３と、アイランド２とリー
ド３の一部とを覆う樹脂封止部４を有する樹脂封止型半
導体装置で共通している。また、図中の斜線部は、半導
体チップ１とアイランド２との接触部分を示している。
【００１１】図２に示す実施例は、Ｘ字形状のアイラン
ド２を補助バー７で連結した構成となっている。アイラ
ンド２を補助バー７で連結したことにより、樹脂封止す
るときや半導体チップ１をダイボンディングする際のア
イランド２のブレを防止することができる。本実施例で
は、２本の補助バー７でアイランド２を連結する例を示
したが、さらに強度を上げるために４本の補助バー７で
アイランド２間を全て連結しても良い。
ド２を補助バー７で連結した構成となっている。アイラ
ンド２を補助バー７で連結したことにより、樹脂封止す
るときや半導体チップ１をダイボンディングする際のア
イランド２のブレを防止することができる。本実施例で
は、２本の補助バー７でアイランド２を連結する例を示
したが、さらに強度を上げるために４本の補助バー７で
アイランド２間を全て連結しても良い。
【００１２】図３に示す実施例は、Ｘ字形状のアイラン
ド２に平面視四角形状の放熱部８を設けている。放熱部
８を設けることで半導体チップ１から発せられる熱を効
率よく樹脂封止部４を介して外部に放出させることがで
きる。但し、本発明の効果を得るためには、半導体チッ
プ１の一辺の長さをａ，放熱部８の一辺の長さをｂとし
たとき、その長さはａ＞ｂの条件を満たす必要がある。
ド２に平面視四角形状の放熱部８を設けている。放熱部
８を設けることで半導体チップ１から発せられる熱を効
率よく樹脂封止部４を介して外部に放出させることがで
きる。但し、本発明の効果を得るためには、半導体チッ
プ１の一辺の長さをａ，放熱部８の一辺の長さをｂとし
たとき、その長さはａ＞ｂの条件を満たす必要がある。
【００１３】図１〜図３の実施例は、リードが４方向か
ら導出する、いわゆるクワッドタイプの樹脂封止型半導
体装置を示していたが、図４〜図６はリードが２方向か
ら導出するに示す実施例は、いわゆるスモールインライ
ンタイプの樹脂封止型半導体装置を示している。図４に
示す実施例は、アイランド２の形状がＸ字形状であるデ
ュアルインラインタイプの樹脂封止型半導体装置を示し
ている。アイランド２の形状をＸ字状とすることで図１
と同様の効果を得ている。
ら導出する、いわゆるクワッドタイプの樹脂封止型半導
体装置を示していたが、図４〜図６はリードが２方向か
ら導出するに示す実施例は、いわゆるスモールインライ
ンタイプの樹脂封止型半導体装置を示している。図４に
示す実施例は、アイランド２の形状がＸ字形状であるデ
ュアルインラインタイプの樹脂封止型半導体装置を示し
ている。アイランド２の形状をＸ字状とすることで図１
と同様の効果を得ている。
【００１４】図５に示す実施例では、デュアルインライ
ンタイプの樹脂封止型半導体装置であって、Ｘ字形状の
アイランド２を補助バー７で連結した構成となってい
る。アイランド２を補助バー７で連結したことにより、
図２と同様、樹脂封止するときや半導体チップ１をダイ
ボンディングする際のアイランド２のブレを防止するこ
とができる。本実施例では、２本の補助バー７でアイラ
ンド２を連結する例を示したが、さらに強度を上げるた
めに４本の補助バー７でアイランド２間を全て連結して
も良い。
ンタイプの樹脂封止型半導体装置であって、Ｘ字形状の
アイランド２を補助バー７で連結した構成となってい
る。アイランド２を補助バー７で連結したことにより、
図２と同様、樹脂封止するときや半導体チップ１をダイ
ボンディングする際のアイランド２のブレを防止するこ
とができる。本実施例では、２本の補助バー７でアイラ
ンド２を連結する例を示したが、さらに強度を上げるた
めに４本の補助バー７でアイランド２間を全て連結して
も良い。
【００１５】最後に、図６に示す実施例は、デュアルイ
ンラインタイプの樹脂封止型半導体装置であって、Ｘ字
形状のアイランド２の各先端から他のアイランド２の先
端方向に向けて２本の補助バー９が設けられており、ア
イランド２の形状は、いわゆる矢印の形状となってい
る。そして、補助バー９を設けることにより、半導体チ
ップ１を確実にアイランド２にダイボンディングするこ
とができる。
ンラインタイプの樹脂封止型半導体装置であって、Ｘ字
形状のアイランド２の各先端から他のアイランド２の先
端方向に向けて２本の補助バー９が設けられており、ア
イランド２の形状は、いわゆる矢印の形状となってい
る。そして、補助バー９を設けることにより、半導体チ
ップ１を確実にアイランド２にダイボンディングするこ
とができる。
【００１６】なお、本実施例では、クワッドタイプ及び
デュアルインラインタイプの樹脂封止型半導体装置につ
いて説明したが、アイランドを有する樹脂封止型半導体
装置であれば適用することができる。
デュアルインラインタイプの樹脂封止型半導体装置につ
いて説明したが、アイランドを有する樹脂封止型半導体
装置であれば適用することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の樹脂封止
型半導体装置によれば、アイランドの形状をＸ字形状と
することにより、アイランドとモールド樹脂との接触面
積を小さくしてる。その結果、アイランドとモールド樹
脂との接触面に発生する隙間の大きさをできるだけ小さ
くしている。
型半導体装置によれば、アイランドの形状をＸ字形状と
することにより、アイランドとモールド樹脂との接触面
積を小さくしてる。その結果、アイランドとモールド樹
脂との接触面に発生する隙間の大きさをできるだけ小さ
くしている。
【００１８】また、半導体チップとアイランドとの接触
部分以外は、モールド樹脂と半導体チップが接着してい
るので、半導体チップとアイランドとは剥離しにくい、
すなわち隙間のできにくい構造となっている。従って、
本発明では、半導体チップとアイランドとの隙間をでき
にくく、しかもその大きさを極力抑える構造となってい
るので、例え急加熱により吸湿された水分が気化膨張し
ても、その水上気圧は樹脂封止部にクラックを生じさせ
るほど増大しない。
部分以外は、モールド樹脂と半導体チップが接着してい
るので、半導体チップとアイランドとは剥離しにくい、
すなわち隙間のできにくい構造となっている。従って、
本発明では、半導体チップとアイランドとの隙間をでき
にくく、しかもその大きさを極力抑える構造となってい
るので、例え急加熱により吸湿された水分が気化膨張し
ても、その水上気圧は樹脂封止部にクラックを生じさせ
るほど増大しない。
【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置を示す説明図。
【図２】本発明の他の実施例を示す説明図。
【図３】本発明の他の実施例を示す説明図。
【図４】本発明の他の実施例を示す説明図。
【図５】本発明の他の実施例を示す説明図。
【図６】本発明の他の実施例を示す説明図。
【図７】従来の樹脂封止型半導体装置を示す説明図。
【図８】従来の樹脂封止型半導体装置を示す説明図。
１ 半導体チップ ２ アイランド ３ リード ４ 樹脂封止部 ７，９ 補助バー ８ 放熱部
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体チップを搭載したアイランドと、
前記アイランドの周囲に配置されたリードと、前記アイ
ランドとリードの一部とを覆う樹脂封止部を有する樹脂
封止型半導体装置において、前記アイランドの形状をＸ
字形状としたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 前記Ｘ字形状のアイランド間を連結する
少なくとも２本の補助バーを有することを特徴とする請
求項１記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 前記Ｘ字形状のアイランドに前記半導体
チップの大きさより小さい放熱部を有することを特徴と
する請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1149595A JPH08204107A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1149595A JPH08204107A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08204107A true JPH08204107A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11779622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1149595A Pending JPH08204107A (ja) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08204107A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998029903A1 (en) * | 1996-12-26 | 1998-07-09 | Hitachi, Ltd. | Resin-encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US6340837B1 (en) | 1998-08-31 | 2002-01-22 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US6692989B2 (en) | 1999-10-20 | 2004-02-17 | Renesas Technology Corporation | Plastic molded type semiconductor device and fabrication process thereof |
| US6960823B2 (en) * | 2001-04-04 | 2005-11-01 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2010238979A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63249341A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-17 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH0274065A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-14 | Matsushita Electron Corp | リードフレーム |
| JPH06216303A (ja) * | 1992-03-27 | 1994-08-05 | Hitachi Ltd | リードフレーム、その製造方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
| JPH06268146A (ja) * | 1993-03-15 | 1994-09-22 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1995
- 1995-01-27 JP JP1149595A patent/JPH08204107A/ja active Pending
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| US6441400B1 (en) | 1998-08-31 | 2002-08-27 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
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