KR19990015823A - 비지에이패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전체 사이즈를 증대시키지 않으면서도 방열 능력을 향상시켜 열적 특성을 안정화시키도록 한 BGA패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.

본 발명의 목적은 방열 능력을 증대하여 열적 특성을 안정화시킬 수 있도록 한 BGA패키지 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 BGA패키지 및 그 제조방법은 반도체칩과 기판 사이에 접착제에 의해 방열부를 접착시켜 반도체칩의 고열을 상기 금속판을 거쳐 대기와 기판으로 방출시키는 것을 특징으로 한다.

따라서, 본 발명은 전체 사이즈를 증대시키지 않으면서 방열 효과를 증대시키고 BGA패키지의 열적 특성을 향상시킨다.

Description

비지에이패키지 및 그 제조방법

본 발명은 BGA(ball grid array) 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전체 사이즈를 증대시키지 않으면서도 방열 능력을 향상시켜 열적 특성을 안정화시키도록 한 BGA패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 널리 알려진 바와 같이, 전자기기 및 정보기기의 메모리용량이 대용량화함에 따라 DRAM과 SRAM과 같은 반도체 메모리칩의 고집적화가 가속화하고 칩사이즈가 증대하고 있다. 또한, 전자기기 및 정보기기의 경량화, 다기능화, 고속화에 맞추어 반도체칩 패키지의 경박단소화 및 다핀화가 진행되고 있다.

이러한 추세에 있는 반도체칩 패키지의 경우, 반도체칩에서 고열이 발생하므로 상기 고열을 효과적으로 방출하여 열적 특성을 안정화시키는 것이 제품의 신뢰성을 향상시키는데 중요하게 인식되었다. 그래서, 최근의 BGA패키지는 패키지 기판을 양호한 열전도도를 갖는 구리 또는 알루미늄 재질로 채택하는 고방열 구조를 갖고 있었다.

그러나, 종래의 반도체칩 패키지는 기존의 BGA패키지와는 다른 형태로 이루어져 있으므로 BGA패키지의 열적 특성의 향상을 위해 전반적인 구조 변경을 실시하거나, 상기 반도체칩 패키지 구조를 변경하지 않고 열적 특성을 향상시키기 위해 다이패드의 하부에 솔더볼을 설치하거나 패키지 본체의 상측에 방열판을 설치하여 왔다. 그렇지만, 이와 같은 구조를 갖는 종래의 BGA패키지는 2-3W 정도의 낮은 방열 능력을 갖고 있으므로 이로 인한 패키지의 열적 특성을 안정화시키는데 한계를 갖고 있었다. 결국, BGA패키지의 제품 신뢰성이 악화되는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명의 목적은 방열 능력을 증대하여 열적 특성을 안정화시킬 수 있도록 한 BGA패키지 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.

도 1은 본 발명에 의한 BGA패키지를 나타낸 단면도.

도 2는 본 발명에 의한 BGA패키지의 변형을 나타낸 단면도.

도 3은 본 발명에 의한 BGA패키지의 다른 변형을 나타낸 단면도.

도 4는 본 발명에 의한 BGA패키지의 제조방법을 나타낸 플로우차트.

도 5는 본 발명에 의한 BGA패키지 제조방법에 적용된 기판 상의 금속패턴 및 본딩패드를 나타낸 평면도.

도 6a는 본 발명에 의한 BGA패키지 제조방법에 적용된 기판과 방열부의 접착상태를 나타낸 평면도.

도 6b는 도 6a의 A-A선을 따라 절단한 단면도.

도 7은 본 발명에 의한 BGA패키지의 제조방법을 나타낸 플로우차트.

도 8a는 본 발명에 의한 BGA패키지 제조방법에 적용된 기판과 방열부의 접착상태를 나타낸 평면도.

도 8b는 도 8a의 A-A선을 따라 절단한 단면도.

도면의주요부분에대한부호의설명

10: 기판 11: 금속패턴 13: 본딩패드 20,20a: 방열부 21: 개방부 30: 접착테이프 40: 반도체칩 50: 접착제 60: 본딩와이어 70: 봉지체 80: 솔더볼

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 BGA패키지는

기판;

반도체칩;

상기 기판의 상부면과 상기 반도체칩의 하부면 사이에 소정의 접착제에 의해 접착되어 상기 반도체칩에서 발생된 열을 방출하는 방열부;

상기 반도체칩의 본딩패드들과 상기 기판의 본딩패드들을 각각 대응하여 전기적으로 연결하는 본딩와이어;

상기 반도체칩과 본딩와이어를 보호하도록 상기 방열부 상에 몰딩되는 소정 형상의 봉지체; 그리고

상기 기판의 하부면에 접합되는 외부접속용 솔더볼을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 BGA패키지 제조방법은

기판의 상부면 상에 방열부의 하부면을 소정의 접착제에 의해 접착하는 단계;

상기 방열부의 상부면 상에 반도체칩의 하부면을 다이접착용 접착제에 의해 다이본딩하는 단계;

상기 반도체칩의 본딩패드들과 상기 기판의 본딩패드들을 본딩와이어에 의해 각각 대응하여 전기적으로 연결하는 단계;

상기 반도체칩과 본딩와이어를 보호하도록 상기 방열부 상에 소정 형상의 봉지체를 몰딩하는 단계; 그리고

상기 기판의 하부면에 외부접속용 솔더볼을 접합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

따라서, 본 발명은 반도체칩과 기판 사이에 접착제에 의해 방열부를 접착시켜 반도체칩의 고열을 방열부를 거쳐 대기와 기판으로 방출시킨다. 그러므로, 본 발명은 전체 사이즈를 증대시키지 않으면서 방열 효과를 증대시키고 BGA패키지의 열적 특성을 향상시킨다.

이하, 본 발명에 의한 BGA패키지 및 그 제조방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명에 의한 BGA패키지를 나타낸 단면도이다.

도 1에 도시된 바와 같이, BGA패키지는 기판(10)의 상부면 전체에 방열부(20)의 하부면이 절연성 접착테이프(30)에 의해 접착되고, 방열부(20)의 상부면 중앙부에 반도체칩(40)이 접착제(50)에 의해 접착되고, 반도체칩(40)의 본딩패드들(도시 안됨)이 본딩와이어(60)에 의해 기판(10)의 본딩패드들(도시 안됨)에 전기적으로 연결되고, 봉지체(70)가 반도체칩(40) 및 본딩와이어(60)를 외부 환경으로부터 보호하고, 기판(10)의 하부면에 외부 접속단자인 솔더볼들(80)이 접합되는 구조로 이루어져 있다.

여기서, 방열부(20)는 방열이 양호한 금속판재로 이루어져 있으며 방열부(20)의 개방부(21) 내에 기판(10)의 본딩패드가 위치하고 있다. 방열부(20)가 기판(10)의 상부면 전체를 커버하고 있다. 또한 기판(10)은 경성(rigid) 기판인 인쇄회로기판 또는 연성(flexible) 기판인 TAB 테이프이다. 봉지체(70)가 방열부(20)의 상부면 가장자리부 및 측면을 노출시키고 있다. 이와 같이 구성되는 BGA패키지에서는 반도체칩(40)이 동작하고 있는 동안 반도체칩(40)에서 발생되는 고열이 방열부(20)에 의해 대기와 기판(10)으로 방열된다. 방열 능력의 향상을 위해 방열부(20)의 면적이 기판(10)의 상부면 전체를 커버할 정도로 넓은 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명은 전체 사이즈를 증대시키지 않으면서도 고속화, 다핀화 추세에 있는 BGA패키지의 열적 특성을 향상시킬 수 있다.

이와 같이 구성된 BGA패키지의 제조방법을 도 4, 도 5, 도 6a 및 도 6b를 참조하여 설명하기로 한다. 설명의 편의상 하나의 기판 및 방열판을 기준으로 기술한다.

도 4는 본 발명에 의한 BGA패키지의 제조방법을 나타낸 플로우차트이고, 도 5는 본 발명에 의한 BGA패키지 제조방법에 적용된 기판 상의 금속패턴 및 본딩패드를 나타낸 평면도이고, 도 6a는 본 발명에 의한 BGA패키지 제조방법에 적용된 기판과 방열부의 접착상태를 나타낸 평면도이고, 도 6b는 도 6a의 A-A선을 따라 절단한 단면도이다.

도 4에 도시된 바와 같이, 먼저, 단계(S1)에서는 BGA패키지용 사각형상의 기판(10), 예를 들어 경성(rigid)기판인 인쇄회로기판 또는 연성(flexible) 기판인 TAB 테이프를 준비한다. 여기서, 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 상부면에는 각 방면의 가장자리로부터 내측으로 일정 길이의 금속패턴들(11)이 형성되고, 금속패턴들의 내측단부에 본딩패드들(13)이 일체로 형성되어 있다.

또한, 기판(10)의 상부면 전체를 커버할 수 있는 넓은 면적의 금속판재인 방열부(20)를 준비한다. 여기서, 방열부(20)의 상부면을 관통한, 각 방면의 개방부들(21)이 방열부(20)와 기판(10)의 접합시 기판(10)의 본딩패드들(13)을 노출시킬 수 있도록 위치하고 있다. 물론, 방열부(20)가 열전도도가 우수한 금속재질로 이루어져 있다.

한편, 설명의 편의상 하나의 기판(10) 및 방열부(20)를 도시하고 있으나 생산성 향상을 위해 다수개의 기판(10)과 다수개의 방열부(20)를 이용하고 있음은 자명하다.

단계(S2)에서는 접착테이프(30)를 이용하여 상기 기판(10)의 상부면에 상기 방열부(20)를 접착한다. 이때, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 본딩패드들(13)이 방열부(20)의 개방부들(21) 내에 위치하여 노출된다. 또한, 방열부(20)가 기판(10)의 상부면을 커버할 수 있을 정도, 즉 기판(10)의 상부면과 동일한 면적을 갖고 있다.

단계(S3)에서는 반도체칩(40)의 하부면을 접착제(50)에 의해 상기 방열부(20)의 상부면 중앙부에 접착한다. 여기서 접착제(50)는 열전도도가 우수한 것이 바람직하다.

단계(S4)에서는 상기 반도체칩(40)의 본딩패드들(도시 안됨)을 본딩와이어(60)에 의해 기판(10)의 본딩패드들(13)에 각각 대응하여 전기적으로 연결한다.

단계(S5)에서는 상기 반도체칩(40) 및 본딩와이어(60)를 봉지체(70), 예를 들어 성형수지에 의해 몰딩하여 외부 환경으로부터 보호한다. 이때, 봉지체(70)가 방열부(20)의 상부면 가장자리와 측면을 노출시킨다.

단계(S6)에서는 몰딩공정 완료하고 나면, 기판(10)의 하부면에 형성된, 솔더볼용 접속패드들(도시 안됨)에 솔더볼들(80)을 접합시켜 도 1에 도시한 바와 같은 BGA패키지를 완성한다.

따라서, 본 발명은 반도체칩과 기판 사이에 방열부를 기판의 상부면과 동일한 면적으로 설치하여 BGA패키지의 사이즈를 증대시키지 않으면서도 반도체칩에서 발생한 고열을 방열부에 의해 대기와 기판으로 방열하여 방열효과를 증대시키고 이에 따른 BGA패키지의 열적 특성을 향상시킬 수 있다.

이하, 본 발명에 의한 BGA패키지의 변형예를 설명하기로 한다.

도 2는 본 발명에 의한 BGA패키지의 변형을 나타낸 단면도이다.

도 2에 도시된 바와 같이, 방열부(20a)가 기판(10)의 상부면에 접착되면서 기판(10)의 측면까지 연장되도록 포밍된 것을 제외하면 도 1의 구조와 동일한 구조로 이루어져 있다.

이와 같이 구성된 BGA패키지에서는 반도체칩(40)이 동작하고 있는 동안 반도체칩(40)에서 발생되는 고열이 방열부(20a)에 의해 대기와 기판(10)으로 다량 방열된다. 방열 능력의 향상을 위해 방열부(20a)의 면적이 기판(10)의 상부면 전체 및 측면 하단부를 커버할 정도로 넓은 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명은 전체 사이즈를 거의 증대시키지 않으면서도 고속화, 다핀화 추세에 있는 BGA패키지의 열적 특성을 향상시킬 수 있다.

이와 같이 구성된 BGA패키지의 제조방법을 도 7a 및 도 7b, 도 8을 참조하여 설명하기로 한다. 설명의 편의상 하나의 기판 및 방열판을 기준으로 기술한다.

도 7은 본 발명에 의한 BGA패키지의 제조방법을 나타낸 플로우차트이고, 도 8a는 본 발명에 의한 BGA패키지 제조방법에 적용된 기판과 방열부의 접착상태를 나타낸 평면도이고, 도 8b는 도 8a의 A-A선을 따라 절단한 단면도이다.

도 7에 도시된 바와 같이, 먼저, 단계(S11)에서는 도 4의 단계(S1)에서와 동일하게 BGA패키지용 사각형상의 기판(10), 예를 들어 경성(rigid)기판인 인쇄회로기판 또는 연성(flexible) 기판인 TAB 테이프를 준비한다.

또한, 기판(10)의 상부면 전체와 측면을 커버할 수 있는 넓은 면적의 금속판재인 방열부(20a)를 준비한다. 여기서, 방열부(20a)의 상부면을 관통한, 각 방면의 개방부들(21)이 방열부(20a)와 기판(10)의 접합시 기판(10)의 본딩패드들(13)을 노출시킬 수 있도록 위치하고 있다. 물론, 방열부(20a)가 열전도도가 우수한 금속재질로 이루어져 있다.

한편, 설명의 편의상 하나의 기판(10) 및 방열부(20a)를 도시하고 있으나 생산성 향상을 위해 다수개의 기판(10)과 다수개의 방열부(20a)를 이용하고 있음은 자명하다.

단계(S12)에서는 접착테이프(30)를 이용하여 상기 기판(10)의 상부면에 상기 방열부(20a)를 접착한다. 이때, 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 본딩패드들(13)이 방열부(20a)의 개방부들(21) 내에 위치하여 노출된다. 또한, 방열부(20a)가 기판(10)의 상부면과 측면을 커버할 수 있을 정도로 상부면보다 넓은 면적을 갖고 있으며 각 모서리가 방열부(20a)의 포밍공정의 용이함을 위해 절취되어 있다.

단계(S13)에서는 반도체칩(40)의 하부면을 접착제(50)에 의해 상기 방열부(20)의 상부면 중앙부에 접착한다. 여기서 접착제(50)는 열전도도가 우수한 것이 바람직하다.

단계(S14)에서는 상기 반도체칩(40)의 본딩패드들(도시 안됨)을 본딩와이어(60)에 의해 기판(10)의 본딩패드들(13)에 각각 대응하여 전기적으로 연결한다.

단계(S15)에서는 상기 반도체칩(40) 및 본딩와이어(60)를 봉지체(70), 예를 들어 성형수지에 의해 몰딩하여 외부 환경으로부터 보호한다.

단계(S16)에서는 방열부(20a)의 각 방면 가장자리부를 90도 포밍하여 기판(10)의 측면에 접촉시킨다. 따라서, BGA패키지의 면적을 별로 증대시키지 않으면서 방열부(20a)의 면적을 확대할 수 있다.

단계(S17)에서는 몰딩공정 완료하고 나면, 기판(10)의 하부면에 형성된, 솔더볼용 접속패드들(도시 안됨)에 솔더볼들(80)을 접합시켜 도 2에 도시한 바와 같은 BGA패키지를 완성한다.

따라서, 본 발명은 반도체칩과 기판 사이에 방열부를 설치하되 기판의 측면까지 확대하여 전체 사이즈를 거의 증대시키지 않으면서도 반도체칩에서 발생한 고열을 방열부에 의해 대기와 기판으로 방열하여 방열효과를 증대시키고 이에 따른 BGA패키지의 열적 특성을 향상시킬 수 있다.

이하, 본 발명에 의한 BGA패키지의 다른 변형예를 설명하기로 한다.

도 3은 본 발명에 의한 BGA패키지의 다른 변형을 나타낸 단면도이다.

도 3에 도시된 바와 같이, 방열부(20b)가 기판(10)의 상부면에 접착되면서 기판(10)의 하부면 가장자리까지 연장되도록 포밍된 것을 제외하면 도 2의 구조와 동일한 구조로 이루어져 있다. 여기서, 방열부(20b)가 가능한 한 최외측의 솔더볼(80)에 접촉하지 않는 범위 내에서 하부면 가장자리까지 연장된다.

이와 같이 구성된 BGA패키지의 작용 및 그 제조방법이 도 2의 BGA패키지와 거의 유사하므로 이에 대한 상세한 기술을 생략하기로 한다.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 BGA패키지 및 그 제조방법은 기판과 반도체칩 사이에 금속판재의 방열부를 접착시켜 반도체칩에서 발생한 고열을 방열부에 의해 대기와 기판으로 방열한다. 따라서, 본 발명은 BGA패키지의 사이즈를 증대시키지 않으면서도 방열효과를 증가시키고 이에 따른 제품의 신뢰성 향상을 이룩할 수 있다.

한편, 본 발명은 도시된 도면과 상세한 설명에 기술된 내용에 한정하지 않으며 본 발명의 사상과 관점을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 변형도 가능함은 이 분야에 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 사실이다.

Claims (28)

1. 기판;

   반도체칩;

   상기 기판의 상부면과 상기 반도체칩의 하부면 사이에 소정의 접착제에 의해 접착되어 상기 반도체칩에서 발생된 열을 방출하는 방열부;

   상기 반도체칩의 본딩패드들과 상기 기판의 본딩패드들을 각각 대응하여 전기적으로 연결하는 본딩와이어;

   상기 반도체칩과 본딩와이어를 보호하도록 상기 방열부 상에 몰딩되는 소정 형상의 봉지체; 그리고

   상기 기판의 하부면에 접합되는 외부접속용 솔더볼을 포함하는 BGA패키지.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 방열부가 열전도도가 양호한 금속판재인 것을 특징으로 하는 BGA패키지.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 방열부와 상기 기판이 열전도도가 양호한 접착테이프에 의해 접착된 것을 특징으로 하는 BGA패키지.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 방열부가 상기 기판의 상부면의 소정 영역과 접착하는 것을 특징으로 하는 BGA패키지.
5. 제 4 항에 있어서, 상기 방열부가 상기 기판의 상부면 전체와 접착하는 접착하는 것을 특징으로 하는 BGA패키지.
6. 제 1 항에 있어서, 상기 본딩와이어가 상기 방열부의 개방부들을 통하여 상기 반도체칩의 본딩패드들과 상기 기판의 본딩패드들을 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 BGA패키지.
7. 제 1 항에 있어서, 상기 봉지체가 상기 방열부의 상부면 가장자리를 노출시키는 것을 특징으로 하는 BGA패키지.
8. 제 1 항에 있어서, 상기 기판이 경성(rigid) 기판인 것을 특징으로 하는 BGA패키지.
9. 제 8 항에 있어서, 상기 기판이 인쇄회로기판인 것을 특징으로 하는 BGA패키지.
10. 제 1 항에 있어서, 상기 기판이 연성(flexible) 기판인 것을 특징으로 하는 BGA패키지.
11. 제 10 항에 있어서, 상기 기판이 TAB 테이프인 것을 특징으로 하는 BGA패키지.
12. 기판;

    반도체칩;

    상기 기판의 상부면과 상기 반도체칩의 하부면 사이에 소정의 접착제에 의해 접착되어, 상기 기판의 상부면 전체와 접착함과 아울러 상기 기판의 측면에 접촉하여 상기 반도체칩에서 발생된 열을 방출하는 방열부;

    상기 반도체칩의 본딩패드들과 상기 기판의 본딩패드들을 각각 대응하여 전기적으로 연결하는 본딩와이어;

    상기 반도체칩과 본딩와이어를 보호하도록 상기 방열부 상에 몰딩되는 소정 형상의 봉지체; 그리고

    상기 기판의 하부면에 접합되는 외부접속용 솔더볼을 포함하는 BGA패키지.
13. 제 12 항에 있어서, 상기 방열부가 상기 기판의 상부면 전체와 접착함과 아울러 상기 기판의 측면 및 하부면에 접촉하는 것을 특징으로 하는 BGA패키지.
14. 기판의 상부면 상에 방열부의 하부면을 소정의 접착제에 의해 접착하는 단계;

    상기 방열부의 상부면 상에 반도체칩의 하부면을 다이접착용 접착제에 의해 다이본딩하는 단계;

    상기 반도체칩의 본딩패드들과 상기 기판의 본딩패드들을 본딩와이어에 의해 각각 대응하여 전기적으로 연결하는 단계;

    상기 반도체칩과 본딩와이어를 보호하도록 상기 방열부 상에 소정 형상의 봉지체를 몰딩하는 단계; 그리고

    상기 기판의 하부면에 외부접속용 솔더볼을 접합하는 단계를 포함하는 BGA패키지 제조방법.
15. 제 14 항에 있어서, 상기 방열부로서 열전도도가 양호한 금속판재를 사용하는 것을 특징으로 하는 BGA패키지.
16. 제 14 항에 있어서, 상기 소정의 접착제로서 열전도도가 양호한 접착테이프를 사용하는 것을 특징으로 하는 BGA패키지 제조방법.
17. 제 14 항에 있어서, 상기 방열부를 상기 기판의 상부면의 소정 영역에 접착하는 것을 특징으로 하는 BGA패키지 제조방법.
18. 제 17 항에 있어서, 상기 방열부를 상기 기판의 상부면 전체와 접착시키는 것을 특징으로 하는 BGA패키지 제조방법.
19. 제 18 항에 있어서, 상기 방열부의 사이즈를 상기 기판의 상부면 사이즈와 동일하게 형성한 것을 특징으로 하는 BGA패키지 제조방법.
20. 제 14 항에 있어서, 상기 본딩와이어를 상기 방열부의 개방부들을 통하여 상기 반도체칩의 본딩패드들과 상기 기판의 본딩패드들을 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 BGA패키지 제조방법.
21. 제 14 항에 있어서, 상기 봉지체를 상기 방열부의 상부면 가장자리를 노출시키도록 몰딩하는 것을 특징으로 하는 BGA패키지 제조방법.
22. 제 14 항에 있어서, 상기 기판으로서 경성(rigid) 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 BGA패키지 제조방법.
23. 제 22 항에 있어서, 상기 기판으로서 인쇄회로기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 BGA패키지 제조방법.
24. 제 14 항에 있어서, 상기 기판으로서 연성(flexible) 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 BGA패키지 제조방법.
25. 제 24 항에 있어서, 상기 기판으로서 TAB 테이프를 사용하는 것을 특징으로 하는 BGA패키지 제조방법.
26. 기판의 상부면 상에 상기 기판의 사이즈보다 큰 방열부의 하부면을 소정의 접착제에 의해 접착하는 단계;

    상기 방열부의 상부면 상에 반도체칩의 하부면을 다이접착용 접착제에 의해 다이본딩하는 단계;

    상기 반도체칩의 본딩패드들과 상기 기판의 본딩패드들을 본딩와이어에 의해 각각 대응하여 전기적으로 연결하는 단계;

    상기 반도체칩과 본딩와이어를 보호하도록 상기 방열부 상에 소정 형상의 봉지체를 몰딩하는 단계;

    상기 방열부의 가장자리를 포밍하여 상기 기판의 측면에 접촉시키는 단계; 그리고

    상기 기판의 하부면에 외부접속용 솔더볼을 접합하는 단계를 포함하는 BGA패키지 제조방법.
27. 제 26 항에 있어서, 상기 방열부를 포밍하여 상기 기판의 측면과 하부면에 접촉시키는 것을 특징으로 하는 BGA패키지 제조방법.
28. 제 26 항에 있어서, 상기 방열부의 각 모서리를 절취한 것을 특징으로 하는 BGA패키지 제조방법.