JPH07161872A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPH07161872A
JPH07161872A JP5304938A JP30493893A JPH07161872A JP H07161872 A JPH07161872 A JP H07161872A JP 5304938 A JP5304938 A JP 5304938A JP 30493893 A JP30493893 A JP 30493893A JP H07161872 A JPH07161872 A JP H07161872A
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metal core
integrated circuit
circuit device
semiconductor integrated
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Takashi Miwa
孝志 三輪
Minoru Kubosono
実 窪薗
Hiroshi Kuroda
宏 黒田
Masayuki Shirai
優之 白井
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 消費電力の大きな半導体集積回路装置におい
ても、小形で、かつ低価格を実現する半導体集積回路装
置を提供する。 【構成】 半導体素子である半導体チップ1の電極を取
り出す配線パターン2と実装用配線基板への電気的接続
用電極であるはんだバンプ3とを備えるべース4と、半
導体チップ1を封止するモールド樹脂5とから構成さ
れ、半導体チップ1の電極とそれに対応するベース4上
のボンディングリードとがボンディングワイヤ7によっ
て接続され、さらに、前記ベース4は中心にCuなどか
らなるメタルコア6が入ったガラスエポキシの積層構造
をなすものであり、前記メタルコア6がベース4からは
み出して設置され、該メタルコア6のベース4からはみ
出した露出部6aが上方に折り曲げられるものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造技術におけ
る半導体集積回路装置に関して、特に高放熱性を必要と
する消費電力の大きな半導体集積回路装置の小形化およ
び低価格化を実現する実装技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】プリント基板をベースとするボール・グ
リッド・アレイ(Ball Grid Array) タイプなどの半導体
集積回路装置において、消費電力が小さな半導体集積回
路装置では、配線パターンを備えた前記プリント基板上
に半導体素子である半導体チップを搭載し、前記半導体
チップ上の電極と前記配線パターンの電極とをワイヤボ
ンディングによって接続し、その後、前記半導体チップ
周辺部をモールド樹脂などによって封止している。
【0003】また、消費電力が大きな半導体集積回路装
置では、セラミックなどからなる半導体集積回路装置の
本体部に熱拡散板が接着され、さらに前記熱拡散板には
放熱性をより高めるために、放熱フィンが取り付けられ
ている。なお、前記放熱フィンは前記熱拡散板にろう付
けされたねじによって固定される場合が多く、また、前
記熱拡散板の周辺部は接着剤によって封止されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術において、消費電力が小さいタイプの構造を備えた半
導体集積回路装置に、消費電力の大きな半導体素子であ
る半導体チップを搭載する場合、前記半導体チップの上
面はモールド樹脂によって覆われることになり、前記モ
ールド樹脂の熱伝導率は約 0.7(W/mK)と低いた
め、該半導体チップの上面からの放熱は期待できない。
【0005】また、該半導体チップの下面はプリント基
板に接着剤を介して固定されるが、プリント基板自体も
熱伝導率が約 0.3(W/mK)と低いため、放熱にはか
なりの制限がある。
【0006】したがって、消費電力が小さなタイプの構
造を備えた半導体集積回路装置は、小形で、かつ低価格
ではあるが、モールド樹脂およびプリント基板ベースの
熱伝導率が低いことから、消費電力の大きな半導体チッ
プを搭載するには構造的に熱抵抗が高すぎるという問題
がある。
【0007】また、消費電力の大きなタイプの構造を備
えた半導体集積回路装置では、放熱に関してはより効果
的であるが、実装上の面からその大きさと、放熱フィン
や熱拡散板あるいはそれらに付随する部品点数の面から
その価格に問題が残されている。
【0008】そこで、本発明の目的は、消費電力の大き
な半導体集積回路装置においても、小形で、かつ、低価
格を実現する半導体集積回路装置を提供することにあ
る。
【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0011】すなわち、半導体素子の電極を取り出す配
線パターンと実装用配線基板への電気的接続用電極とを
備えるべースと、前記半導体素子を封止するモールド樹
脂とからなる半導体集積回路装置であって、前記ベース
はメタルコアが設置された樹脂基材からなるものであ
る。
【0012】また、該半導体集積回路装置は、前記メタ
ルコアが前記ベースからはみ出して設置され、該メタル
コアのはみ出した露出部に放熱フィンが取り付けられる
ものである。
【0013】さらに、該半導体集積回路装置は、前記メ
タルコアが前記ベースからはみ出して設置され、該メタ
ルコアのはみ出した露出部が折り曲げられるものであ
る。
【0014】そして、該半導体集積回路装置は、前記メ
タルコアが前記ベースからはみ出して設置され、該メタ
ルコアのはみ出した露出部の折り曲げられた箇所に放熱
フィンが取り付けられるものである。
【0015】また、半導体素子の電極を取り出す配線パ
ターンと実装用配線基板への電気的接続用電極とを備え
るべースと、前記半導体素子を封止するポッティング樹
脂とからなる半導体集積回路装置であって、前記ベース
はメタルコアが設置された樹脂基材であり、前記メタル
コアが前記ベースからはみ出して設置され、該メタルコ
アのはみ出した露出部を折り曲げることによって形成さ
れるキャビティ部に前記ポッティング樹脂が充填される
ものである。
【0016】
【作用】前記した手段によれば、ベースである樹脂基材
にメタルコアが設けられるため、半導体素子である半導
体チップから発生する熱を前記メタルコアを介して速く
横に広げることができる。
【0017】また、前記メタルコアが前記ベースからは
み出して設置され、該メタルコアのはみ出した露出部を
折り曲げることにより、該メタルコアから直接外気に熱
を逃がすことが可能となる。
【0018】その結果、前記メタルコアが放熱機能を備
えることになるため、放熱フィンを外部に取り付けた半
導体集積回路装置よりも小形で、かつ低価格の半導体集
積回路装置を実現することができる。
【0019】さらに、前記メタルコアのはみ出した露出
部に、あるいは前記露出部の折り曲げられた箇所に放熱
フィンが取り付けられることによって、放熱面積が拡大
されるため、より効率的に熱を逃がすことが可能とな
る。
【0020】また、前記露出部が折り曲げられることに
よって形成されるキャビティ部にポッティング樹脂が充
填されることにより、モールドの必要がなくなるため、
モールド金型を使用しなくて済むことになる。さらに、
前記メタルコアが放熱フィンの機能を合わせ持つことに
より、小形で、かつ低価格の半導体集積回路装置を実現
することができる。
【0021】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
【0022】(実施例1)図1は本発明の一実施例であ
る半導体集積回路装置の構造の一例を示す断面図であ
る。
【0023】図1を用いて、本実施例1の半導体集積回
路装置の構成について説明すると、半導体素子である半
導体チップ1の電極を取り出す配線パターン2と実装用
配線基板(図示せず)への電気的接続用電極であるはん
だバンプ3とを備えるべース4と、前記半導体チップ1
を封止するモールド樹脂5とからなるものであり、前記
ベース4は中心にCu(銅)などからなるメタルコア6
が入ったガラスエポキシの積層構造をなすものである。
さらに、前記メタルコア6はベース4からはみ出して設
置されており、該メタルコア6のベース4からはみ出し
た露出部6aが上方に折り曲げられている。
【0024】ここで、前記べース4の上面には半導体チ
ップ1との電気的接続のためのボンディングリード(図
示せず)と配線パターン2とが形成されており、さら
に、ベース4の下面には前記実装用配線基板との電気的
接続用電極であるはんだバンプ3が形成されている。な
お、前記配線パターン2とはんだバンプ3とはベース4
内の図示しないスルーホールを介して接続されている。
【0025】また、前記半導体チップ1はベース4上の
中心部にAg(銀)フィラー入りのエポキシ系ダイボン
ド剤などによって固定されており、該半導体チップ1の
電極とそれに対応するベース4上の前記ボンディングリ
ードとが、Au(金)などからなるボンディングワイヤ
7によって接続され、その後、ベース4の上面と半導体
チップ1とがエポキシ系のモールド樹脂5によってモー
ルド封止される。なお、モールド終了後、前記メタルコ
ア6のベース4からはみ出した露出部6aの上方への折
り曲げ加工が行われる。
【0026】次に、図1を用いて、本実施例1の半導体
集積回路装置の作用について説明すると、ベース4であ
る樹脂基材にメタルコア6が設けられるため、半導体チ
ップ1から発生した熱は、半導体チップ1の裏面やベー
ス4のガラスエポキシ樹脂層を経由してメタルコア6に
伝わり、その後、メタルコア6のはみ出した露出部6a
から外部へ速やかに放熱される。
【0027】つまり、メタルコア6の露出部6aを介し
て直接外気に熱を逃がすことができるため、メタルコア
6が放熱機能を備えることになり、その結果、別部材で
ある放熱フィン8(図2参照)を設置しなくても必要と
する放熱効果を得ることができる。
【0028】したがって、前記放熱フィン8(図2参
照)などの部品を使用せずに済むことから、消費電力の
大きな半導体集積回路装置においても、低価格化を実現
することができる。
【0029】さらに、前記放熱フィン8を設置せずに済
むことと、メタルコア6の露出部6aが上方に折り曲げ
られることによって、放熱フィン8などを外部に取り付
ける必要のあった消費電力の大きな半導体集積回路装置
においても、その実装の小形化を実現することができ
る。
【0030】また、本実施例1によるメタルコア6入り
のベース4は、前記メタルコア6が設置されていない通
常のプリント基板に比べ、放熱効果を大幅に向上させる
ことができる。
【0031】(実施例2)図2は本発明の他の実施例で
ある半導体集積回路装置の構造の一例を示す断面図であ
る。
【0032】図2を用いて、本実施例2の半導体集積回
路装置の構成について説明すると、半導体素子である半
導体チップ1の電極を取り出す配線パターン2と実装用
配線基板(図示せず)への電気的接続用電極であるはん
だバンプ3とを備えるべース4と、前記半導体チップ1
を封止するモールド樹脂5とからなるものであり、前記
ベース4は中心にCu(銅)などからなるメタルコア6
が入ったガラスエポキシの積層構造をなすものである。
【0033】また、前記メタルコア6はベース4からは
み出して設置されており、該メタルコア6のベース4か
らはみ出した露出部6aが上方に折り曲げられている。
【0034】さらに、本実施例2による半導体集積回路
装置は、メタルコア6の露出部6aの上方に折り曲げら
れた箇所に放熱フィン8が接着剤などによって取り付け
られるものである。
【0035】ここで、前記べース4の上面には半導体チ
ップ1との電気的接続のためのボンディングリード(図
示せず)と配線パターン2とが形成されており、さら
に、ベース4の下面には前記実装用配線基板との電気的
接続用電極であるはんだバンプ3が形成されている。な
お、前記配線パターン2とはんだバンプ3とはベース4
内の図示しないスルーホールを介して接続されている。
【0036】また、前記半導体チップ1はベース4上の
中心部にAg(銀)フィラー入りのエポキシ系ダイボン
ド剤などによって固定されており、該半導体チップ1の
電極とそれに対応するベース4の前記ボンディングリー
ドとがAu(金)などからなるボンディングワイヤ7に
よって接続され、その後、ベース4の上面と半導体チッ
プ1とがエポキシ系のモールド樹脂5によってモールド
封止されている。
【0037】次に、図2を用いて、本実施例2の半導体
集積回路装置の作用について説明すると、ベース4であ
る樹脂基材にメタルコア6が設けられるため、半導体チ
ップ1から発生した熱は、まず、半導体チップ1の裏面
やベース4のガラスエポキシ樹脂層を経由してメタルコ
ア6に伝わる。その後、メタルコア6のはみ出した露出
部6aへ伝わり、さらに、前記露出部6aの折り曲げら
れた箇所に取り付けられた放熱フィン8へ伝わった後、
外部へ速やかに放熱される。
【0038】したがって、放熱フィン8が取り付けられ
たことにより、放熱面積が拡大されるため、放熱効果を
さらに向上させることができる。
【0039】(実施例3)図3は本発明の他の実施例で
ある半導体集積回路装置の構造の一例を示す断面図であ
る。
【0040】図3を用いて、本実施例3の半導体集積回
路装置の構成について説明すると、半導体素子である半
導体チップ1の電極を取り出す配線パターン2と実装用
配線基板(図示せず)への電気的接続用電極であるはん
だバンプ3とを備えるべース4と、前記半導体チップ1
を封止するモールド樹脂5とからなるものであり、前記
ベース4は中心にCu(銅)などからなるメタルコア6
が入ったガラスエポキシの積層構造をなすものである。
また、前記メタルコア6にはベース4からはみ出した露
出部6aが設けられている。
【0041】なお、本実施例3の半導体集積回路装置
は、メタルコア6のベース4からはみ出した露出部6a
を折り曲げないものであり、前記露出部6aに放熱フィ
ン8が接着剤などによって取り付けられている。
【0042】ここで、前記べース4の上面には半導体チ
ップ1との電気的接続のためのボンディングリード(図
示せず)と配線パターン2とが形成されており、さら
に、ベース4の下面には前記実装用配線基板との電気的
接続用電極であるはんだバンプ3が形成されている。な
お、前記配線パターン2とはんだバンプ3とはベース4
内の図示しないスルーホールを介して接続されている。
【0043】また、前記半導体チップ1はベース4上の
中心部にAg(銀)フィラー入りのエポキシ系ダイボン
ド剤などによって固定されており、該半導体チップ1の
電極とそれに対応するベース4の前記ボンディングリー
ドとがAu(金)などからなるボンディングワイヤ7に
よって接続され、その後、ベース4の上面と半導体チッ
プ1とがエポキシ系のモールド樹脂5によってモールド
封止されている。
【0044】次に、本実施例3による半導体集積回路装
置の作用は、前記実施例2において説明したものと全く
同様であるため、その説明は省略する。
【0045】(実施例4)図4は本発明の他の実施例で
ある半導体集積回路装置の構造の一例を示す断面図であ
る。
【0046】図4を用いて、本実施例4の半導体集積回
路装置の構成について説明すると、半導体素子である半
導体チップ1の電極を取り出す配線パターン2と実装用
配線基板(図示せず)への電気的接続用電極であるはん
だバンプ3とを備えるべース4と、前記半導体チップ1
を封止するポッティング樹脂9とからなるものであり、
前記ベース4は中心にCu(銅)などからなるメタルコ
ア6が入ったガラスエポキシの積層構造をなすものであ
る。
【0047】また、前記メタルコア6はベース4からは
み出して設置されており、該メタルコア6のベース4か
らはみ出した露出部6aが上方に折り曲げられ、その折
り曲げられた箇所によってキャビティ部10が形成され
ている。
【0048】ここで、前記べース4の上面には半導体チ
ップ1との電気的接続のためのボンディングリード(図
示せず)と配線パターン2とが形成されており、さら
に、ベース4の下面には前記実装用配線基板との電気的
接続用電極であるはんだバンプ3が形成されている。な
お、前記配線パターン2とはんだバンプ3とはベース4
内の図示しないスルーホールを介して接続されている。
【0049】また、前記半導体チップ1はベース4上の
中心部にAg(銀)フィラー入りのエポキシ系ダイボン
ド剤などによって固定されており、該半導体チップ1の
電極とそれに対応するベース4上の前記ボンディングリ
ードとが、Au(金)などからなるボンディングワイヤ
7によって接続され、その後、前記メタルコア6のベー
ス4から4方向にはみ出した露出部6aの上方への折り
曲げ加工が行われ、前記キャビティ部10が形成され
る。
【0050】さらに、前記キャビティ部10内にポッテ
ィング樹脂9が充填され、硬化させることによって、ベ
ース4の上面と半導体チップ1とが前記ポッティング樹
脂9によって封止される。
【0051】次に、図4を用いて、本実施例4の半導体
集積回路装置の作用について説明すると、ベース4であ
る樹脂基材にメタルコア6が設けられ、前記メタルコア
6の露出部6aが折り曲げられることによって形成され
るキャビティ部10にポッティング樹脂9が充填される
ことにより、モールドの必要がなくなるため、モールド
金型を使用しなくて済むことになる。
【0052】その結果、低価格の半導体集積回路装置を
実現することが可能となる。
【0053】なお、本実施例4の半導体集積回路装置に
おけるその他の作用については、前記実施例1で説明し
たものと全く同様であるため、その説明は省略する。
【0054】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【0055】例えば、本実施例1〜4において説明した
メタルコアの材質はCu(銅)であるが、銅以外のアル
ミニウムや、銅またはアルミニウムを含んだ合金などで
あってもよい。
【0056】また、本実施例1〜4において説明した実
装用配線基板への電気的接続用電極は、はんだバンプで
あるが、ピンを用いた電極であってもよい。
【0057】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0058】(1).ベースである樹脂基材にメタルコ
アが設けられ、該メタルコアの前記ベースからはみ出し
た露出部が放熱機能を備えることにより、放熱フィンを
設置しなくても必要とする放熱効果を得ることができ
る。
【0059】その結果、前記放熱フィンなどの部品を使
用せずに済むことから、消費電力の大きな半導体集積回
路装置においても、低価格化を実現することができる。
【0060】(2).放熱フィンを設置せずに済むこと
と、メタルコアの露出部が上方に折り曲げられることに
よって、放熱フィンなどを外部に取り付ける必要のあっ
た消費電力の大きな半導体集積回路装置においても、そ
の実装の小形化を実現することができる。
【0061】(3).ベースである樹脂基材にメタルコ
アが設けられ、該メタルコアが放熱機能を備えることに
より、メタルコア入りの前記ベースは、前記メタルコア
が設置されていない通常のプリント基板に比べ、放熱効
果を大幅に向上させることができる。
【0062】(4).前記メタルコアのベースからはみ
出した露出部に、あるいは前記露出部の折り曲げられた
箇所に放熱フィンが取り付けられることによって、放熱
面積が拡大されるため、放熱効果をさらに向上させるこ
とができる。
【0063】(5).ベースである樹脂基材にメタルコ
アが設けられ、前記メタルコアの露出部が折り曲げられ
ることによって形成されるキャビティ部にポッティング
樹脂が充填されることにより、モールドの必要がなくな
るため、モールド金型を使用しなくて済むことになる。
【0064】その結果、消費電力の大きな半導体集積回
路装置においても、低価格化を実現することが可能とな
る。
【0065】さらに、放熱フィンを設置せずに済むこと
から、前記半導体集積回路装置の実装の小形化を実現す
ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
構造の一例を示す断面図である。
【図2】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の構造の一例を示す断面図である。
【図3】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の構造の一例を示す断面図である。
【図4】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の構造の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ(半導体素子) 2 配線パターン 3 はんだバンプ(電気的接続用電極) 4 ベース 5 モールド樹脂 6 メタルコア 6a 露出部 7 ボンディングワイヤ 8 放熱フィン 9 ポッティング樹脂 10 キャビティ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白井 優之 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子の電極を取り出す配線パター
    ンと実装用配線基板への電気的接続用電極とを備えるべ
    ースと、前記半導体素子を封止するモールド樹脂とから
    なる半導体集積回路装置であって、前記ベースはメタル
    コアが設置された樹脂基材であることを特徴とする半導
    体集積回路装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の構造からなる半導体集積
    回路装置であって、前記メタルコアが前記ベースからは
    み出して設置されていることを特徴とする半導体集積回
    路装置。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の構造からなる半導体集積
    回路装置であって、前記メタルコアが前記ベースからは
    み出して設置され、該メタルコアのはみ出した露出部に
    放熱フィンが取り付けられていることを特徴とする半導
    体集積回路装置。
  4. 【請求項4】 請求項1記載の構造からなる半導体集積
    回路装置であって、前記メタルコアが前記ベースからは
    み出して設置され、該メタルコアのはみ出した露出部が
    折り曲げられていることを特徴とする半導体集積回路装
    置。
  5. 【請求項5】 請求項1記載の構造からなる半導体集積
    回路装置であって、前記メタルコアが前記ベースからは
    み出して設置され、該メタルコアのはみ出した露出部の
    折り曲げられた箇所に放熱フィンが取り付けられている
    ことを特徴とする半導体集積回路装置。
  6. 【請求項6】 半導体素子の電極を取り出す配線パター
    ンと実装用配線基板への電気的接続用電極とを備えるべ
    ースと、前記半導体素子を封止するポッティング樹脂と
    からなる半導体集積回路装置であって、前記ベースはメ
    タルコアが設置された樹脂基材であり、前記メタルコア
    が前記ベースからはみ出して設置され、該メタルコアの
    はみ出した露出部を折り曲げることによって形成される
    キャビティ部に前記ポッティング樹脂が充填されている
    ことを特徴とする半導体集積回路装置。
JP5304938A 1993-12-06 1993-12-06 半導体集積回路装置 Pending JPH07161872A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1035164A (ja) * 1996-04-25 1998-02-10 Samsung Aerospace Ind Ltd Icカード及びその製造方法
KR100474193B1 (ko) * 1997-08-11 2005-07-21 삼성전자주식회사 비지에이패키지및그제조방법
JP2017056717A (ja) * 2015-09-17 2017-03-23 韓国機械研究院Korea Institute Of Machinery & Materials 微細パターンを有する製版製作方法及びこれを具現するための製版製造装置

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JP2017056717A (ja) * 2015-09-17 2017-03-23 韓国機械研究院Korea Institute Of Machinery & Materials 微細パターンを有する製版製作方法及びこれを具現するための製版製造装置

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