JPH08181266A - リードフレームおよびそれを用いて構成された半導体装置 - Google Patents
リードフレームおよびそれを用いて構成された半導体装置Info
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- JPH08181266A JPH08181266A JP31800094A JP31800094A JPH08181266A JP H08181266 A JPH08181266 A JP H08181266A JP 31800094 A JP31800094 A JP 31800094A JP 31800094 A JP31800094 A JP 31800094A JP H08181266 A JPH08181266 A JP H08181266A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップの放熱性を大幅に向上させる。
【構成】 ダイパッド２の外周部以外の周辺部がプレス
機などにより切断され、同時にダイパッド２の外周部か
らダイパッド２の厚さ方向に折り曲げ加工が行われて放
熱部４が形成され、ダイパッド２の厚さ方向に折り曲げ
られた放熱部４が大気中に露出するように樹脂封止さ
れ、パッケージ８が形成されている。ダイパッド２とつ
ながった一部が大気中に露出している放熱部４により、
半導体チップ６の発熱を熱伝導性が低いパッケージ８を
介さずに直接大気中に放熱でき、半導体チップ６の放熱
性を大幅に向上する。
機などにより切断され、同時にダイパッド２の外周部か
らダイパッド２の厚さ方向に折り曲げ加工が行われて放
熱部４が形成され、ダイパッド２の厚さ方向に折り曲げ
られた放熱部４が大気中に露出するように樹脂封止さ
れ、パッケージ８が形成されている。ダイパッド２とつ
ながった一部が大気中に露出している放熱部４により、
半導体チップ６の発熱を熱伝導性が低いパッケージ８を
介さずに直接大気中に放熱でき、半導体チップ６の放熱
性を大幅に向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームおよび
それを用いて構成された半導体装置に関し、特に、半導
体装置における半導体チップの放熱に適用して有効な技
術に関するものである。
それを用いて構成された半導体装置に関し、特に、半導
体装置における半導体チップの放熱に適用して有効な技
術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロニクス分野において
は、電子機器やシステムの軽量小型化、高性能化および
低コスト化する傾向にあり、これに対応するために半導
体装置の高速化、高集積化が図られている。
は、電子機器やシステムの軽量小型化、高性能化および
低コスト化する傾向にあり、これに対応するために半導
体装置の高速化、高集積化が図られている。
【０００３】また、それに伴って半導体装置の微細ピッ
チ化、多ピン化およびパッケージ形状の多様化などが急
進展している。
チ化、多ピン化およびパッケージ形状の多様化などが急
進展している。
【０００４】本発明者が検討したところによれば、前述
した要求に対応するパッケージ技術としては、半導体ウ
エハが搭載されたリードフレームをモールド樹脂により
モールド成形した樹脂封止形パッケージの半導体装置が
知られている。
した要求に対応するパッケージ技術としては、半導体ウ
エハが搭載されたリードフレームをモールド樹脂により
モールド成形した樹脂封止形パッケージの半導体装置が
知られている。
【０００５】なお、樹脂封止形パッケージの半導体装置
について詳しく記載されている例としては、日経ＢＰ
社、１９９３年５月３１日発行「実践講座 ＶＬＳＩパ
ッケージング技術（下）」香山晋、成瀬邦彦監修、Ｐ１
２〜Ｐ５２があり、この文献には、樹脂封止形パッケー
ジの半導体装置における半導体チップから最終製品まで
の組立プロセスが記載されている。
について詳しく記載されている例としては、日経ＢＰ
社、１９９３年５月３１日発行「実践講座 ＶＬＳＩパ
ッケージング技術（下）」香山晋、成瀬邦彦監修、Ｐ１
２〜Ｐ５２があり、この文献には、樹脂封止形パッケー
ジの半導体装置における半導体チップから最終製品まで
の組立プロセスが記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な樹脂封止形パッケージの半導体装置では、次のような
問題点があることが本発明者により見い出された。
な樹脂封止形パッケージの半導体装置では、次のような
問題点があることが本発明者により見い出された。
【０００７】すなわち、この種の半導体装置、たとえ
ば、ＱＦＰ形半導体装置などに用いられるモールド樹脂
は、熱伝導率が低いために半導体装置が高速化、高集積
化および高消費電力化となった場合に半導体装置それ自
体の放熱性が問題となってしまう。
ば、ＱＦＰ形半導体装置などに用いられるモールド樹脂
は、熱伝導率が低いために半導体装置が高速化、高集積
化および高消費電力化となった場合に半導体装置それ自
体の放熱性が問題となってしまう。
【０００８】本発明の目的は、半導体チップにおける放
熱性の良好なリードフレームおよびそれを用いて構成さ
れた半導体装置を提供することにある。
熱性の良好なリードフレームおよびそれを用いて構成さ
れた半導体装置を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１１】すなわち、本発明のリードフレームは、半
導体チップの発熱を半導体チップを搭載するダイパッド
を介して直接大気中に放熱する放熱手段を設けたもので
ある。
導体チップの発熱を半導体チップを搭載するダイパッド
を介して直接大気中に放熱する放熱手段を設けたもので
ある。
【００１２】また、本発明のリードフレームは、前記放
熱手段がダイパッドと一体に成形された形状よりなるも
のである。
熱手段がダイパッドと一体に成形された形状よりなるも
のである。
【００１３】さらに、本発明のリードフレームは、前記
放熱手段が少なくともダイパッドの周辺部がダイパッド
の厚さ方向に折り曲げられて、半導体装置のパッケージ
から放熱手段の一部が露出する形状よりなるものであ
る。
放熱手段が少なくともダイパッドの周辺部がダイパッド
の厚さ方向に折り曲げられて、半導体装置のパッケージ
から放熱手段の一部が露出する形状よりなるものであ
る。
【００１４】また、本発明の半導体装置は、前記リード
フレームを用いて構成された半導体装置であって、モー
ルド樹脂により封止された樹脂モールド形パッケージ半
導体装置よりなるものである。
フレームを用いて構成された半導体装置であって、モー
ルド樹脂により封止された樹脂モールド形パッケージ半
導体装置よりなるものである。
【００１５】さらに、本発明の半導体装置は、前記パッ
ケージから露出した放熱手段が、パッケージの外側に設
けられた熱拡散板と接合されるものである。
ケージから露出した放熱手段が、パッケージの外側に設
けられた熱拡散板と接合されるものである。
【００１６】また、本発明の半導体装置は、前記パッケ
ージから露出した放熱手段が、半導体装置を実装するプ
リント配線基板の接続部と接合されるものである。
ージから露出した放熱手段が、半導体装置を実装するプ
リント配線基板の接続部と接合されるものである。
【００１７】
【作用】上記した本発明のリードフレームによれば、半
導体チップの発熱を半導体チップを搭載するダイパッド
と一体に成形された形状とし、直接大気中に放熱する放
熱手段をリードフレームに設けることにより半導体チッ
プの放熱性を大幅に向上することができる。
導体チップの発熱を半導体チップを搭載するダイパッド
と一体に成形された形状とし、直接大気中に放熱する放
熱手段をリードフレームに設けることにより半導体チッ
プの放熱性を大幅に向上することができる。
【００１８】また、上記した本発明のリードフレームに
よれば、少なくともダイパッドの周辺部からダイパッド
の厚さ方向に折り曲げられた放熱手段の一部を半導体装
置のパッケージから露出する形状とすることにより、半
導体チップの放熱性を大幅に向上する放熱手段を容易に
低コストで設けることができる。
よれば、少なくともダイパッドの周辺部からダイパッド
の厚さ方向に折り曲げられた放熱手段の一部を半導体装
置のパッケージから露出する形状とすることにより、半
導体チップの放熱性を大幅に向上する放熱手段を容易に
低コストで設けることができる。
【００１９】さらに、上記した本発明の半導体装置によ
れば、モールド樹脂により封止された樹脂モールド形パ
ッケージ半導体装置に前記リードフレームを用いること
により、半導体チップの放熱性をより大幅に向上するこ
とができる。
れば、モールド樹脂により封止された樹脂モールド形パ
ッケージ半導体装置に前記リードフレームを用いること
により、半導体チップの放熱性をより大幅に向上するこ
とができる。
【００２０】また、上記した本発明の半導体装置によれ
ば、前記パッケージから露出した放熱手段とパッケージ
の外側に設けられた熱拡散板とを接合することにより放
熱面積を増やすことができ、より一層大幅に半導体チッ
プの放熱性を向上することができる。
ば、前記パッケージから露出した放熱手段とパッケージ
の外側に設けられた熱拡散板とを接合することにより放
熱面積を増やすことができ、より一層大幅に半導体チッ
プの放熱性を向上することができる。
【００２１】さらに、上記した本発明の半導体装置によ
れば、パッケージから露出した放熱手段と半導体装置を
実装するプリント配線基板の接続部とを接合することに
よって放熱面積を増やすことができ、より一層大幅に半
導体チップの放熱性を向上することができる。
れば、パッケージから露出した放熱手段と半導体装置を
実装するプリント配線基板の接続部とを接合することに
よって放熱面積を増やすことができ、より一層大幅に半
導体チップの放熱性を向上することができる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００２３】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
よるリードフレームの平面図、図２は、本発明の実施例
１による放熱部が設けられたリードフレームの断面図、
図３は、本発明の実施例１によるリードフレームを用い
た半導体装置の断面図、図４は、本発明の実施例１によ
るプリント配線基板に実装された半導体装置の断面図で
ある。
よるリードフレームの平面図、図２は、本発明の実施例
１による放熱部が設けられたリードフレームの断面図、
図３は、本発明の実施例１によるリードフレームを用い
た半導体装置の断面図、図４は、本発明の実施例１によ
るプリント配線基板に実装された半導体装置の断面図で
ある。
【００２４】本実施例１において、後述する半導体チッ
プを搭載するリードフレーム１は、中央部に半導体チッ
プがボンディングされるダイパッド２が位置しており、
そのダイパッド２の周辺部近傍には、引き出し電極であ
る複数のリード３が形成され、それらのパターンが数個
以上連結された金属製のリボン構造よりなるものであ
る。
プを搭載するリードフレーム１は、中央部に半導体チッ
プがボンディングされるダイパッド２が位置しており、
そのダイパッド２の周辺部近傍には、引き出し電極であ
る複数のリード３が形成され、それらのパターンが数個
以上連結された金属製のリボン構造よりなるものであ
る。
【００２５】また、リードフレーム１の中心部に位置す
るダイパッド２は、ダイパッド２のコーナ部に設けられ
たダイパッド吊りリード２ａにより固定されている。
るダイパッド２は、ダイパッド２のコーナ部に設けられ
たダイパッド吊りリード２ａにより固定されている。
【００２６】さらに、このリードフレーム１は、ダイパ
ッド２における四辺の周辺部およびダイパッド２の周辺
部に位置しているリード３の端部近傍ならびにダイパッ
ド吊りリード２ａの近傍とに囲まれた間のそれぞれの部
位が放熱部（放熱手段）４（ハッチングにより示した部
分）として設けられている。なお、図１におけるハッチ
ングは断面を示すものではない。
ッド２における四辺の周辺部およびダイパッド２の周辺
部に位置しているリード３の端部近傍ならびにダイパッ
ド吊りリード２ａの近傍とに囲まれた間のそれぞれの部
位が放熱部（放熱手段）４（ハッチングにより示した部
分）として設けられている。なお、図１におけるハッチ
ングは断面を示すものではない。
【００２７】また、これら放熱部４は、図２に示すよう
に、ダイパッド２の周辺部に位置しているリード３の端
部近傍およびダイパッド吊りリード２ａの近傍が、たと
えば、プレス機などにより切断され、ダイパッド２の周
辺部はダイパッド２の外周部からダイパッド２の厚さ方
向に、たとえば、ダイパッド２の幅方向に対して垂直程
度の角度に折り曲げ加工が行われる。
に、ダイパッド２の周辺部に位置しているリード３の端
部近傍およびダイパッド吊りリード２ａの近傍が、たと
えば、プレス機などにより切断され、ダイパッド２の周
辺部はダイパッド２の外周部からダイパッド２の厚さ方
向に、たとえば、ダイパッド２の幅方向に対して垂直程
度の角度に折り曲げ加工が行われる。
【００２８】さらに、この時、ダイパッド２の四辺の外
周部からダイパッド２の厚さ方向に折り曲げられること
によって隣接する相互の放熱部４が干渉してしまう不要
部分（図１の点線部分）、すなわち、ダイパッド吊りリ
ード２ａ近傍におけるダイパッド２の１辺よりも長い部
分も同時に切断除去を行う。
周部からダイパッド２の厚さ方向に折り曲げられること
によって隣接する相互の放熱部４が干渉してしまう不要
部分（図１の点線部分）、すなわち、ダイパッド吊りリ
ード２ａ近傍におけるダイパッド２の１辺よりも長い部
分も同時に切断除去を行う。
【００２９】また、放熱部４の成形は、プレス機以外で
もよく、たとえば、エッチングなどによりリードフレー
ム１の不要な金属部分を除去した後にプレス機などによ
り放熱部４の折り曲げ加工を行うようにしてもよい。
もよく、たとえば、エッチングなどによりリードフレー
ム１の不要な金属部分を除去した後にプレス機などによ
り放熱部４の折り曲げ加工を行うようにしてもよい。
【００３０】そして、それぞれの放熱部４がダイパッド
２の厚さ方向に折り曲げられたリードフレーム１は、図
３に示すように、樹脂封止され半導体装置５が成形され
る。
２の厚さ方向に折り曲げられたリードフレーム１は、図
３に示すように、樹脂封止され半導体装置５が成形され
る。
【００３１】また、この半導体装置５は、リードフレー
ム１の中央部に位置するダイパッド２に半導体チップ６
が、たとえば、Ａｌ、Ａｇ等の金属微粉末を配合したエ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなる熱伝導率の高い
接着材（図示せず）により接着固定され、半導体チップ
６の電極部（図示せず）と半導体チップ６の周辺部近傍
に位置するリード３の先端部とがボンディングワイヤ７
によって電気的に接続されている。
ム１の中央部に位置するダイパッド２に半導体チップ６
が、たとえば、Ａｌ、Ａｇ等の金属微粉末を配合したエ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなる熱伝導率の高い
接着材（図示せず）により接着固定され、半導体チップ
６の電極部（図示せず）と半導体チップ６の周辺部近傍
に位置するリード３の先端部とがボンディングワイヤ７
によって電気的に接続されている。
【００３２】さらに、半導体装置５は、ダイパッド２の
厚さ方向に折り曲げられた放熱部４が大気中に露出する
ように樹脂封止され、パッケージ８が形成されている。
厚さ方向に折り曲げられた放熱部４が大気中に露出する
ように樹脂封止され、パッケージ８が形成されている。
【００３３】そして、この放熱部４はダイパッド２と一
体成形となってつながっており、大気中に露出している
ので半導体チップ６の発熱を熱伝導性が低いパッケージ
８を介さずに直接大気中に放熱できるようになる。
体成形となってつながっており、大気中に露出している
ので半導体チップ６の発熱を熱伝導性が低いパッケージ
８を介さずに直接大気中に放熱できるようになる。
【００３４】次に、この半導体装置５のプリント配線基
板９への実装は、図４に示すように、たとえば、半導体
装置５が実装されるプリント配線基板９の所定の位置に
おいて、放熱部４の先端部が位置する箇所にスルーホー
ルランド（接続部）９ａなどの接続部を設け、このスル
ーホールランド９ａと放熱部４の先端部とを半田Ｈｄな
どによって接続固定することにより、より確実にプリン
ト配線基板９と半導体装置５との接続固定を行うことが
でき、該スルーホールランド９ａにより、より放熱効果
を高めることもできる。
板９への実装は、図４に示すように、たとえば、半導体
装置５が実装されるプリント配線基板９の所定の位置に
おいて、放熱部４の先端部が位置する箇所にスルーホー
ルランド（接続部）９ａなどの接続部を設け、このスル
ーホールランド９ａと放熱部４の先端部とを半田Ｈｄな
どによって接続固定することにより、より確実にプリン
ト配線基板９と半導体装置５との接続固定を行うことが
でき、該スルーホールランド９ａにより、より放熱効果
を高めることもできる。
【００３５】また、このスルーホールランド９ａの代わ
りに、たとえば、放熱部４の先端部が嵌合する穴（図示
せず）をプリント配線基板９に設け、この穴に放熱部４
の先端部を差し込むことによって固定するようにしても
よい。
りに、たとえば、放熱部４の先端部が嵌合する穴（図示
せず）をプリント配線基板９に設け、この穴に放熱部４
の先端部を差し込むことによって固定するようにしても
よい。
【００３６】それにより、本実施例１によれば、大気中
に露出した放熱部４により半導体チップ６の放熱性を大
幅に向上できる。
に露出した放熱部４により半導体チップ６の放熱性を大
幅に向上できる。
【００３７】（実施例２）図５は、本発明の実施例２に
よる放熱部に熱拡散板が設けられた半導体装置の断面
図、図６は、本発明の実施例２による半導体装置に設け
られる熱拡散板の底面図である。
よる放熱部に熱拡散板が設けられた半導体装置の断面
図、図６は、本発明の実施例２による半導体装置に設け
られる熱拡散板の底面図である。
【００３８】本実施例２においては、半導体装置５に設
けられた大気中に露出した放熱部４に、たとえば、アル
ミニウムなどからなる表面が櫛歯状の放熱板（熱拡散
板）１０が取り付けられている。
けられた大気中に露出した放熱部４に、たとえば、アル
ミニウムなどからなる表面が櫛歯状の放熱板（熱拡散
板）１０が取り付けられている。
【００３９】また、本実施例２においても、放熱部４
を、前記実施例１と同様に、プレス機などにより成形
し、モールド樹脂によりパッケージ８の樹脂封止を行
い、半導体装置５を成形する。
を、前記実施例１と同様に、プレス機などにより成形
し、モールド樹脂によりパッケージ８の樹脂封止を行
い、半導体装置５を成形する。
【００４０】さらに、半導体装置５は、前記実施例１と
同様に、リードフレーム１の中央部に位置するダイパッ
ド２に半導体チップ６が、Ａｌ、Ａｇ等の金属微粉末を
配合したエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなる熱伝
導率の高い接着材（図示せず）により接着固定され、半
導体チップ６の電極部（図示せず）と半導体チップ６の
周辺部近傍に位置するリード３の先端部とがボンディン
グワイヤ７によって電気的に接続されており、ダイパッ
ド２の厚さ方向に折り曲げられた放熱部４が大気中に露
出するようにパッケージ８が形成されている。
同様に、リードフレーム１の中央部に位置するダイパッ
ド２に半導体チップ６が、Ａｌ、Ａｇ等の金属微粉末を
配合したエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなる熱伝
導率の高い接着材（図示せず）により接着固定され、半
導体チップ６の電極部（図示せず）と半導体チップ６の
周辺部近傍に位置するリード３の先端部とがボンディン
グワイヤ７によって電気的に接続されており、ダイパッ
ド２の厚さ方向に折り曲げられた放熱部４が大気中に露
出するようにパッケージ８が形成されている。
【００４１】また、放熱板１０には、図６に示すよう
に、大気中に露出している放熱部４の先端部に嵌合する
孔１０ａが設けられており、その孔１０ａと放熱部４
（図５に示す）の先端部とを嵌合させることによって位
置決めを行うと同時に、確実に放熱部４と放熱板１０と
を接続させて放熱を行えるようにする。
に、大気中に露出している放熱部４の先端部に嵌合する
孔１０ａが設けられており、その孔１０ａと放熱部４
（図５に示す）の先端部とを嵌合させることによって位
置決めを行うと同時に、確実に放熱部４と放熱板１０と
を接続させて放熱を行えるようにする。
【００４２】さらに、放熱板１０は半導体装置５の上面
全体に、たとえば、シリコーンなどの熱伝導性の高い接
着材（図示せず）を塗布し、半導体装置５の上面と放熱
板１０の接着面とを接着固定する。
全体に、たとえば、シリコーンなどの熱伝導性の高い接
着材（図示せず）を塗布し、半導体装置５の上面と放熱
板１０の接着面とを接着固定する。
【００４３】また、放熱板１０における孔１０ａに、同
じく、Ａｌ、Ａｇ等の金属微粉末を配合したエポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂等からなる熱伝導性の高い接着材を
塗布して、放熱部４と孔１０ａを嵌合せさることによっ
て接着固定するようにしてもよい。
じく、Ａｌ、Ａｇ等の金属微粉末を配合したエポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂等からなる熱伝導性の高い接着材を
塗布して、放熱部４と孔１０ａを嵌合せさることによっ
て接着固定するようにしてもよい。
【００４４】よって、半導体チップ６からの発熱は、ダ
イパッド２を介して大気中に露出した放熱部４および放
熱板１０によって放熱されることになる。
イパッド２を介して大気中に露出した放熱部４および放
熱板１０によって放熱されることになる。
【００４５】それにより、本実施例２では、放熱部４に
よって半導体チップ６からの発熱を熱伝導性が低いパッ
ケージ８を介さずに直接大気中に放熱でき、放熱部４と
直接接合されている放熱板１０により放熱面積を大きく
できるので、半導体チップ６の放熱性を一層大幅に向上
できる。
よって半導体チップ６からの発熱を熱伝導性が低いパッ
ケージ８を介さずに直接大気中に放熱でき、放熱部４と
直接接合されている放熱板１０により放熱面積を大きく
できるので、半導体チップ６の放熱性を一層大幅に向上
できる。
【００４６】（実施例３）図７は、本発明の実施例３に
よる放熱部に熱拡散板が設けられた半導体装置の断面図
である。
よる放熱部に熱拡散板が設けられた半導体装置の断面図
である。
【００４７】本実施例３においては、前記実施例２と同
様に、放熱部４に、たとえば、アルミニウムなどからな
る放熱板（熱拡散板）１１が取り付けられている。
様に、放熱部４に、たとえば、アルミニウムなどからな
る放熱板（熱拡散板）１１が取り付けられている。
【００４８】また、本実施例３においても、放熱部４は
プレス機などにより切断され、同時にダイパッド２の外
周部からダイパッド２の厚さ方向に折り曲げ加工が行わ
れ、樹脂封止され半導体装置５が成形される。
プレス機などにより切断され、同時にダイパッド２の外
周部からダイパッド２の厚さ方向に折り曲げ加工が行わ
れ、樹脂封止され半導体装置５が成形される。
【００４９】さらに、ダイパッド２の各々の周辺部に形
成された放熱部４は、パッケージ８が形成された後、治
具などにより、それぞれの放熱部４がパッケージ８の周
辺部に最も近いパッケージ８の幅方向に、パッケージ８
と放熱部４とが密着するように折り曲げられている。
成された放熱部４は、パッケージ８が形成された後、治
具などにより、それぞれの放熱部４がパッケージ８の周
辺部に最も近いパッケージ８の幅方向に、パッケージ８
と放熱部４とが密着するように折り曲げられている。
【００５０】そして、パッケージ８の幅方向に折り曲げ
られた放熱部４の表面にＡｌ、Ａｇ等の金属微粉末を配
合したエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなる熱伝導
率の高い接着材（図示せず）を塗布し、放熱板１１の接
着面とを接着固定する。
られた放熱部４の表面にＡｌ、Ａｇ等の金属微粉末を配
合したエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなる熱伝導
率の高い接着材（図示せず）を塗布し、放熱板１１の接
着面とを接着固定する。
【００５１】また、放熱部４と放熱板１１とは、たとえ
ば、放熱部４と放熱板１１とをビスなどによって固定す
るようにしてもよい。
ば、放熱部４と放熱板１１とをビスなどによって固定す
るようにしてもよい。
【００５２】よって、半導体チップ６からの発熱は、ダ
イパッド２を介して大気中に露出した放熱部４および放
熱板１１によって放熱されることになる。
イパッド２を介して大気中に露出した放熱部４および放
熱板１１によって放熱されることになる。
【００５３】それにより、本実施例３においては、放熱
部４によって半導体チップ６からの発熱を熱伝導性が低
いパッケージ８を介さずに直接大気中に放熱でき、放熱
面積を大きくできる放熱板１１と放熱部４との接着面積
をより大きくできるので、より一層半導体チップ６の放
熱性を向上できる。
部４によって半導体チップ６からの発熱を熱伝導性が低
いパッケージ８を介さずに直接大気中に放熱でき、放熱
面積を大きくできる放熱板１１と放熱部４との接着面積
をより大きくできるので、より一層半導体チップ６の放
熱性を向上できる。
【００５４】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５５】たとえば、前記実施例２，３における放熱
板１０，１１は、半導体チップ６の発熱量や半導体装置
５の外部雰囲気温度などに応じて放熱板１０，１１の大
きさや形状を変えるようにしても良好な放熱を行うこと
ができる。
板１０，１１は、半導体チップ６の発熱量や半導体装置
５の外部雰囲気温度などに応じて放熱板１０，１１の大
きさや形状を変えるようにしても良好な放熱を行うこと
ができる。
【００５６】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００５７】（１）本発明によれば、半導体装置のパッ
ケージから露出した放熱手段によって半導体チップの発
熱を直接大気中に放熱することができるので、半導体チ
ップの放熱性を大幅に向上できる。
ケージから露出した放熱手段によって半導体チップの発
熱を直接大気中に放熱することができるので、半導体チ
ップの放熱性を大幅に向上できる。
【００５８】（２）また、本発明では、パッケージから
露出した放熱手段を熱拡散板やプリント配線基板の接続
部などに接合させることによって、一層大幅に半導体チ
ップの放熱性を向上できる。
露出した放熱手段を熱拡散板やプリント配線基板の接続
部などに接合させることによって、一層大幅に半導体チ
ップの放熱性を向上できる。
【００５９】（３）さらに、本発明においては、上記
（１),（２）により、半導体装置の信頼性を向上するこ
とができる。
（１),（２）により、半導体装置の信頼性を向上するこ
とができる。
【００６０】（４）また、本発明によれば、放熱手段が
ダイパッドと一体に形され、リードフレームの不要部分
を使用するので、放熱手段を容易に低コストで半導体装
置に設けることができる。
ダイパッドと一体に形され、リードフレームの不要部分
を使用するので、放熱手段を容易に低コストで半導体装
置に設けることができる。
【図１】本発明の実施例１によるリードフレームの平面
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例１による放熱部が設けられたリ
ードフレームの断面図である。
ードフレームの断面図である。
【図３】本発明の実施例１によるリードフレームを用い
た半導体装置の断面図である。
た半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の実施例１によるプリント配線基板に実
装された半導体装置の断面図である。
装された半導体装置の断面図である。
【図５】本発明の実施例２による放熱部に熱拡散板が設
けられた半導体装置の断面図である。
けられた半導体装置の断面図である。
【図６】本発明の実施例２による半導体装置に設けられ
る熱拡散板の底面図である。
る熱拡散板の底面図である。
【図７】本発明の実施例３による放熱部に熱拡散板が設
けられた半導体装置の断面図である。
けられた半導体装置の断面図である。
１ リードフレーム ２ ダイパッド ２ａ ダイパッド吊りリード ３ リード ４ 放熱部（放熱手段） ５ 半導体装置 ６ 半導体チップ ７ ボンディングワイヤ ８ パッケージ ９ プリント配線基板 ９ａ スルーホールランド（接続部） １０ 放熱板（熱拡散板） １０ａ 孔 １１ 放熱板（熱拡散板） Ｈｄ 半田
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本多 厚 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体チップからの発熱を前記半導体チ
ップを搭載するダイパッドを介して直接大気中に放熱す
る放熱手段を設けたことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１記載のリードフレームにおい
て、前記放熱手段が、前記ダイパッドと一体成形された
形状よりなることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項３】 請求項２記載のリードフレームにおい
て、前記放熱手段が、少なくとも前記ダイパッドの周辺
部が前記ダイパッドの厚さ方向に折り曲げられて、前記
半導体装置のパッケージから前記放熱手段の一部が露出
する形状よりなることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項４】 請求項１，２または３記載のリードフレ
ームを用いて構成された半導体装置であって、モールド
樹脂により封止された樹脂モールド形パッケージ半導体
装置であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体装置において、前
記パッケージから露出した前記放熱手段が、前記パッケ
ージの外側に設けられた熱拡散板と接合されていること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】 請求項４記載の半導体装置において、前
記パッケージから露出した前記放熱手段が、前記半導体
装置を実装するプリント配線基板の接続部と接合されて
いることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31800094A JPH08181266A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | リードフレームおよびそれを用いて構成された半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31800094A JPH08181266A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | リードフレームおよびそれを用いて構成された半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181266A true JPH08181266A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18094372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31800094A Pending JPH08181266A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | リードフレームおよびそれを用いて構成された半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08181266A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6242797B1 (en) | 1997-05-19 | 2001-06-05 | Nec Corporation | Semiconductor device having pellet mounted on radiating plate thereof |
| JP2005217032A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Denso Corp | 半導体装置 |
| CN103531551A (zh) * | 2013-09-26 | 2014-01-22 | 杰群电子科技（东莞）有限公司 | 一种半导体封装结构及其成型方法 |
| JP2017117825A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体パッケージ及び半導体アセンブリ |
-
1994
- 1994-12-21 JP JP31800094A patent/JPH08181266A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6242797B1 (en) | 1997-05-19 | 2001-06-05 | Nec Corporation | Semiconductor device having pellet mounted on radiating plate thereof |
| JP2005217032A (ja) * | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Denso Corp | 半導体装置 |
| CN103531551A (zh) * | 2013-09-26 | 2014-01-22 | 杰群电子科技（东莞）有限公司 | 一种半导体封装结构及其成型方法 |
| WO2015043499A1 (zh) * | 2013-09-26 | 2015-04-02 | 杰群电子科技（东莞）有限公司 | 一种半导体封装结构及其成型方法 |
| US9673138B2 (en) | 2013-09-26 | 2017-06-06 | Great Team Backend Foundry (Dongguan), Ltd. | Semiconductor package structure having a heat sink frame connected to a lead frame |
| JP2017117825A (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体パッケージ及び半導体アセンブリ |
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