JPH08204097A - リードフレームおよびそれを用いて構成された半導体装置 - Google Patents
リードフレームおよびそれを用いて構成された半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップの放熱性を大幅に向上させる。
【構成】 ダイパッド２の平面方向に１個の十字形が構
成される十字状の放熱板４が、プレス加工などによって
形成され、放熱板４の表面はパッケージ６の表面と同一
面程度の位置までプレスなどにより押し上げられ、大気
中に露出した形状となっている。それにより、半導体チ
ップ７からの発熱を熱伝導性が低いパッケージ６を介さ
ずに直接大気中に放熱でき、半導体チップ７の放熱性を
大幅に向上することができる。
成される十字状の放熱板４が、プレス加工などによって
形成され、放熱板４の表面はパッケージ６の表面と同一
面程度の位置までプレスなどにより押し上げられ、大気
中に露出した形状となっている。それにより、半導体チ
ップ７からの発熱を熱伝導性が低いパッケージ６を介さ
ずに直接大気中に放熱でき、半導体チップ７の放熱性を
大幅に向上することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームおよび
それを用いて構成された半導体装置に関し、特に、樹脂
モールド形パッケージの半導体装置における半導体チッ
プの放熱に適用して有効な技術に関するものである。
それを用いて構成された半導体装置に関し、特に、樹脂
モールド形パッケージの半導体装置における半導体チッ
プの放熱に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロニクス分野において
は、電子機器やシステムの軽量小型化、高性能化および
低コスト化する傾向にあり、これに対応するために半導
体装置の高速化、高集積化が図られている。
は、電子機器やシステムの軽量小型化、高性能化および
低コスト化する傾向にあり、これに対応するために半導
体装置の高速化、高集積化が図られている。
【０００３】また、これに伴って半導体装置の微細ピッ
チ化、多ピン化およびパッケージ形状の多様化などが急
進展している。
チ化、多ピン化およびパッケージ形状の多様化などが急
進展している。
【０００４】本発明者が検討したところによれば、前述
した要求に対応するパッケージ技術としては、半導体ウ
エハが搭載されたリードフレームを樹脂によりモールド
成形したＱＦＰ形半導体装置が知られている。
した要求に対応するパッケージ技術としては、半導体ウ
エハが搭載されたリードフレームを樹脂によりモールド
成形したＱＦＰ形半導体装置が知られている。
【０００５】なお、樹脂封止形パッケージの半導体装置
について詳しく記載されている例としては、日経ＢＰ
社、１９９３年５月３１日発行「実践講座 ＶＬＳＩパ
ッケージング技術（下）」香山晋、成瀬邦彦監修があ
り、この文献には、樹脂封止形パッケージの半導体装置
における半導体チップから最終製品までの組立プロセス
が記載されている。
について詳しく記載されている例としては、日経ＢＰ
社、１９９３年５月３１日発行「実践講座 ＶＬＳＩパ
ッケージング技術（下）」香山晋、成瀬邦彦監修があ
り、この文献には、樹脂封止形パッケージの半導体装置
における半導体チップから最終製品までの組立プロセス
が記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な樹脂封止形パッケージの半導体装置では、次のような
問題点があることが本発明者により見い出された。
な樹脂封止形パッケージの半導体装置では、次のような
問題点があることが本発明者により見い出された。
【０００７】すなわち、この種の半導体装置、たとえ
ば、ＱＦＰ形半導体装置に用いられる樹脂は熱伝導率が
低いために、半導体装置が高速化、高集積化および高消
費電力化となった場合に半導体装置それ自体の放熱性が
問題となってしまう。
ば、ＱＦＰ形半導体装置に用いられる樹脂は熱伝導率が
低いために、半導体装置が高速化、高集積化および高消
費電力化となった場合に半導体装置それ自体の放熱性が
問題となってしまう。
【０００８】本発明の目的は、半導体チップにおける放
熱性の良好なリードフレームおよびそれを用いて構成さ
れた半導体装置を提供することにある。
熱性の良好なリードフレームおよびそれを用いて構成さ
れた半導体装置を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１１】すなわち、本発明のリードフレームは、半
導体チップの発熱をパッケージを介さずに直接大気中に
放熱する放熱手段を設けたものである。
導体チップの発熱をパッケージを介さずに直接大気中に
放熱する放熱手段を設けたものである。
【００１２】また、本発明のリードフレームは、前記放
熱手段が少なくとも半導体チップを搭載するダイパッド
の一部よりなるものである。
熱手段が少なくとも半導体チップを搭載するダイパッド
の一部よりなるものである。
【００１３】さらに、本発明のリードフレームは、前記
放熱手段が、ダイパッドの平面方向に十字形が構成され
る十字状の放熱部を前記ダイパッドの厚さ方向に突出さ
せ、前記半導体装置のパッケージから露出する形状より
なるものである。
放熱手段が、ダイパッドの平面方向に十字形が構成され
る十字状の放熱部を前記ダイパッドの厚さ方向に突出さ
せ、前記半導体装置のパッケージから露出する形状より
なるものである。
【００１４】また、本発明の半導体装置は、前記リード
フレームを用いて構成された半導体装置であって、モー
ルド樹脂により封止された樹脂モールド形パッケージ半
導体装置よりなるものである。
フレームを用いて構成された半導体装置であって、モー
ルド樹脂により封止された樹脂モールド形パッケージ半
導体装置よりなるものである。
【００１５】さらに、本発明の半導体装置は、前記パッ
ケージから露出した放熱手段が、パッケージの外側に設
けられた熱拡散板と接合されているものである。
ケージから露出した放熱手段が、パッケージの外側に設
けられた熱拡散板と接合されているものである。
【００１６】また、本発明の半導体装置は、前記パッケ
ージから露出した前記放熱手段が、半導体装置を実装す
るプリント配線基板それ自体と接合されているものであ
る。
ージから露出した前記放熱手段が、半導体装置を実装す
るプリント配線基板それ自体と接合されているものであ
る。
【００１７】
【作用】上記した本発明のリードフレームによれば、半
導体チップの発熱をパッケージを介さずに直接大気中に
放熱する放熱手段を設けたことにより、半導体チップの
放熱性を大幅に向上することができる。
導体チップの発熱をパッケージを介さずに直接大気中に
放熱する放熱手段を設けたことにより、半導体チップの
放熱性を大幅に向上することができる。
【００１８】また、上記した本発明のリードフレームに
よれば、該放熱手段を半導体チップを搭載するダイパッ
ドとし、そのダイパッドの少なくとも一部またはダイパ
ッドの平面方向に十字形が構成される十字の放熱部を突
出させてパッケージから露出させることにより、半導体
チップの放熱性を大幅に向上する放熱手段を容易に低コ
ストで設けることができる。
よれば、該放熱手段を半導体チップを搭載するダイパッ
ドとし、そのダイパッドの少なくとも一部またはダイパ
ッドの平面方向に十字形が構成される十字の放熱部を突
出させてパッケージから露出させることにより、半導体
チップの放熱性を大幅に向上する放熱手段を容易に低コ
ストで設けることができる。
【００１９】さらに、上記した本発明の半導体装置によ
れば、モールド樹脂により封止された樹脂モールド形パ
ッケージ半導体装置に前記リードフレームを用いること
によって、より一層大幅に半導体チップの放熱性を向上
させることができる。
れば、モールド樹脂により封止された樹脂モールド形パ
ッケージ半導体装置に前記リードフレームを用いること
によって、より一層大幅に半導体チップの放熱性を向上
させることができる。
【００２０】また、上記した本発明の半導体装置によれ
ば、パッケージから露出した放熱手段とパッケージの外
側に設けられた熱拡散板とを接合させることにより放熱
面積を増やすことができ、より大幅に半導体チップの放
熱性を向上させることができる。
ば、パッケージから露出した放熱手段とパッケージの外
側に設けられた熱拡散板とを接合させることにより放熱
面積を増やすことができ、より大幅に半導体チップの放
熱性を向上させることができる。
【００２１】さらに、上記した本発明の半導体装置によ
れば、パッケージから露出した放熱手段と半導体装置を
実装するプリント配線基板それ自体とを接合させること
により放熱面積を増やすことができ、より大幅に半導体
チップの放熱性を向上させることができる。
れば、パッケージから露出した放熱手段と半導体装置を
実装するプリント配線基板それ自体とを接合させること
により放熱面積を増やすことができ、より大幅に半導体
チップの放熱性を向上させることができる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００２３】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に
よるリードフレームの平面図、図２は、本発明の実施例
１によるＱＦＰ形の半導体装置の断面図、図３は、本発
明の実施例１によるＱＦＰ形の半導体装置の一部破断し
た要部外観斜視図である。
よるリードフレームの平面図、図２は、本発明の実施例
１によるＱＦＰ形の半導体装置の断面図、図３は、本発
明の実施例１によるＱＦＰ形の半導体装置の一部破断し
た要部外観斜視図である。
【００２４】本実施例１において、後述する半導体チッ
プを搭載するリードフレーム１は、中央部に該半導体チ
ップがボンディングされるダイパッド２が位置してお
り、そのダイパッド２の周辺部近傍には、引き出し電極
である複数のリード３が成形され、それらのパターンが
数個以上連結された金属製のリボン構造よりなるもので
ある。
プを搭載するリードフレーム１は、中央部に該半導体チ
ップがボンディングされるダイパッド２が位置してお
り、そのダイパッド２の周辺部近傍には、引き出し電極
である複数のリード３が成形され、それらのパターンが
数個以上連結された金属製のリボン構造よりなるもので
ある。
【００２５】また、リードフレーム１の中心部に位置す
るダイパッド２は、ダイパッド２のコーナ部に設けられ
たダイパッド吊りリード２ａにより固定されている。
るダイパッド２は、ダイパッド２のコーナ部に設けられ
たダイパッド吊りリード２ａにより固定されている。
【００２６】さらに、このダイパッド２には、ダイパッ
ド２の平面方向に１個の十字形が構成される十字状の放
熱部である放熱板（放熱手段）４（ハッチングにより示
した部分）がダイパッド２の厚さ方向に突出するように
設けられている。なお、図１におけるハッチングは断面
を示すものではない。
ド２の平面方向に１個の十字形が構成される十字状の放
熱部である放熱板（放熱手段）４（ハッチングにより示
した部分）がダイパッド２の厚さ方向に突出するように
設けられている。なお、図１におけるハッチングは断面
を示すものではない。
【００２７】この放熱板４の形成は、たとえば、プレス
加工などによってそれぞれの放熱板４における所定の２
箇所を支点として、その他の部分を切断し、放熱板４の
表面が後述するＱＦＰ形半導体装置のパッケージの表面
と同一面程度の位置まで突出するような状態となるよう
に加工成形されている。
加工などによってそれぞれの放熱板４における所定の２
箇所を支点として、その他の部分を切断し、放熱板４の
表面が後述するＱＦＰ形半導体装置のパッケージの表面
と同一面程度の位置まで突出するような状態となるよう
に加工成形されている。
【００２８】そして、十字状の放熱板４が成形されたリ
ードフレーム１は、図２，３に示すように、樹脂封止さ
れてＱＦＰ形の半導体装置５が成形される。
ードフレーム１は、図２，３に示すように、樹脂封止さ
れてＱＦＰ形の半導体装置５が成形される。
【００２９】この半導体装置５は、ＱＦＰ形であるので
矩形状のパッケージ６が形成され、パッケージ６から突
出した複数のリード３は、略クランク形状に屈曲成形さ
れている。
矩形状のパッケージ６が形成され、パッケージ６から突
出した複数のリード３は、略クランク形状に屈曲成形さ
れている。
【００３０】また、半導体装置５は、半導体チップ７が
ダイパッド２に搭載され、たとえば、シリコーンゴムな
どの接着材（図示せず）により接着固定され、半導体チ
ップ７の電極部（図示せず）と半導体チップ７の周辺部
近傍に位置するリード３の先端部とがボンディングワイ
ヤ８によって電気的に接続されている。
ダイパッド２に搭載され、たとえば、シリコーンゴムな
どの接着材（図示せず）により接着固定され、半導体チ
ップ７の電極部（図示せず）と半導体チップ７の周辺部
近傍に位置するリード３の先端部とがボンディングワイ
ヤ８によって電気的に接続されている。
【００３１】さらに、半導体装置５は、ダイパッド２の
平面方向に１個の十字形が構成される十字状の放熱板４
がダイパッド２の厚さ方向に突出し、パッケージ６の表
面と同じ高さに位置しており、放熱板４の表面が大気中
に露出した状態で樹脂封止されている。
平面方向に１個の十字形が構成される十字状の放熱板４
がダイパッド２の厚さ方向に突出し、パッケージ６の表
面と同じ高さに位置しており、放熱板４の表面が大気中
に露出した状態で樹脂封止されている。
【００３２】そして、大気中に露出した放熱板４はダイ
パッド２の一部であるので半導体チップ７からの発熱を
熱伝導性の低いパッケージ６を介さずに直接大気中に放
熱できるようになる。
パッド２の一部であるので半導体チップ７からの発熱を
熱伝導性の低いパッケージ６を介さずに直接大気中に放
熱できるようになる。
【００３３】それによって、本実施例１によれば、大気
中に露出した放熱板４により半導体チップ７の放熱性を
大幅に向上できる。
中に露出した放熱板４により半導体チップ７の放熱性を
大幅に向上できる。
【００３４】（実施例２）図４および図５は、本発明の
実施例２による熱拡散板が設けられたＱＦＰ形の半導体
装置の断面図である。
実施例２による熱拡散板が設けられたＱＦＰ形の半導体
装置の断面図である。
【００３５】本実施例２においては、ＱＦＰ形の半導体
装置５に設けられた大気中に露出した放熱板（放熱手
段）４に、図４に示すように、たとえば、アルミニウム
や銅などからなる板状の熱拡散板９または同様にアルミ
ニウムや銅などからなる、図５に示すような表面が櫛歯
状に成形された熱拡散板１０が取り付けられている。
装置５に設けられた大気中に露出した放熱板（放熱手
段）４に、図４に示すように、たとえば、アルミニウム
や銅などからなる板状の熱拡散板９または同様にアルミ
ニウムや銅などからなる、図５に示すような表面が櫛歯
状に成形された熱拡散板１０が取り付けられている。
【００３６】また、本実施例２においても、放熱板４
は、前記実施例１と同様に、ダイパッド２の平面方向に
１個の十字形が構成される十字状の放熱板４がダイパッ
ド２の厚さ方向に突出し、パッケージ６の表面と同じ高
さ程度に位置して、放熱板４の表面が大気中に露出した
状態にプレス加工などにより成形され、モールド樹脂に
よりパッケージ６が樹脂封止されている。
は、前記実施例１と同様に、ダイパッド２の平面方向に
１個の十字形が構成される十字状の放熱板４がダイパッ
ド２の厚さ方向に突出し、パッケージ６の表面と同じ高
さ程度に位置して、放熱板４の表面が大気中に露出した
状態にプレス加工などにより成形され、モールド樹脂に
よりパッケージ６が樹脂封止されている。
【００３７】そして、放熱板４の露出した面または半導
体装置５におけるパッケージ６の上面と熱拡散板９また
は熱拡散板１０の接合面とにシリコーンゴムなどの熱伝
導性が良好な接着材（図示せず）を塗布して密着させる
ことにより、良好な放熱を行うことができる。
体装置５におけるパッケージ６の上面と熱拡散板９また
は熱拡散板１０の接合面とにシリコーンゴムなどの熱伝
導性が良好な接着材（図示せず）を塗布して密着させる
ことにより、良好な放熱を行うことができる。
【００３８】それにより、本実施例２では、放熱板４と
熱拡散板９または熱拡散板１０とを密着させることによ
り、放熱面積を増やすことができ、より大幅に半導体チ
ップ７の放熱性を向上できる。
熱拡散板９または熱拡散板１０とを密着させることによ
り、放熱面積を増やすことができ、より大幅に半導体チ
ップ７の放熱性を向上できる。
【００３９】（実施例３）図６は、本発明の実施例３に
よるプリント配線板に実装されたＱＦＰ形の半導体装置
の断面図である。
よるプリント配線板に実装されたＱＦＰ形の半導体装置
の断面図である。
【００４０】本実施例３においては、ＱＦＰ形の半導体
装置５に設けられた大気中に露出した放熱板（放熱手
段）４を、図６に示すように、半導体装置５などを実装
するプリント配線基板１１の実装面と半導体装置５に設
けられている放熱板４の表面とをシリコーンゴムなどの
接着材（図示せず）により密着するように接着させる。
装置５に設けられた大気中に露出した放熱板（放熱手
段）４を、図６に示すように、半導体装置５などを実装
するプリント配線基板１１の実装面と半導体装置５に設
けられている放熱板４の表面とをシリコーンゴムなどの
接着材（図示せず）により密着するように接着させる。
【００４１】また、本実施例３においても、放熱板４
は、前記実施例１，２と同様に、ダイパッド２の平面方
向に１個の十字形が構成される十字状の放熱板４がダイ
パッド２の厚さ方向に突出し、パッケージ６の表面と同
じ高さ程度に位置して、放熱板４の表面が大気中に露出
した状態にプレス加工などにより成形され、モールド樹
脂によりパッケージ６が樹脂封止されている。
は、前記実施例１，２と同様に、ダイパッド２の平面方
向に１個の十字形が構成される十字状の放熱板４がダイ
パッド２の厚さ方向に突出し、パッケージ６の表面と同
じ高さ程度に位置して、放熱板４の表面が大気中に露出
した状態にプレス加工などにより成形され、モールド樹
脂によりパッケージ６が樹脂封止されている。
【００４２】そして、放熱板４の露出した面およびその
近傍とプリント配線基板１１の実装面とにシリコーンゴ
ムなどの熱伝導性が良好な接着材（図示せず）を塗布し
て密着させることにより、半導体チップ７からの発熱が
放熱板４を介してプリント配線基板１１からも放熱を行
うことができ、より良好な放熱を行うことができる。
近傍とプリント配線基板１１の実装面とにシリコーンゴ
ムなどの熱伝導性が良好な接着材（図示せず）を塗布し
て密着させることにより、半導体チップ７からの発熱が
放熱板４を介してプリント配線基板１１からも放熱を行
うことができ、より良好な放熱を行うことができる。
【００４３】それにより、本実施例３においても、放熱
板４とプリント配線基板１１の実装面とを密着させるこ
とにより、放熱面積を増やすことができ、より大幅に半
導体チップ７の放熱性を向上できる。
板４とプリント配線基板１１の実装面とを密着させるこ
とにより、放熱面積を増やすことができ、より大幅に半
導体チップ７の放熱性を向上できる。
【００４４】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４５】たとえば、放熱手段は、前記実施例１〜３
における放熱板４の形状以外でもよく、図７（ａ),
（ｂ）に示すように、半導体チップ７を囲うように半導
体チップ７の周辺部近傍に形成された放熱板（放熱手
段）４ａ、図８（ａ),（ｂ）に示すように、半導体チッ
プ７の各々の辺部近傍からへ字状に形成された放熱板
（放熱手段）４ｂおよび図９（ａ),（ｂ）に示すよう
に、それぞれの支点が所定の１箇所だけからなるダイパ
ッド２の平面方向に１個の十字形がダイパッド２の厚さ
方向に突出して構成される十字状の放熱板（放熱手段）
４ｃなどダイパッド２の少なくとも一部がパッケージ６
から露出するように形成されていればよい。
における放熱板４の形状以外でもよく、図７（ａ),
（ｂ）に示すように、半導体チップ７を囲うように半導
体チップ７の周辺部近傍に形成された放熱板（放熱手
段）４ａ、図８（ａ),（ｂ）に示すように、半導体チッ
プ７の各々の辺部近傍からへ字状に形成された放熱板
（放熱手段）４ｂおよび図９（ａ),（ｂ）に示すよう
に、それぞれの支点が所定の１箇所だけからなるダイパ
ッド２の平面方向に１個の十字形がダイパッド２の厚さ
方向に突出して構成される十字状の放熱板（放熱手段）
４ｃなどダイパッド２の少なくとも一部がパッケージ６
から露出するように形成されていればよい。
【００４６】また、これら放熱板４ａ，４ｂおよび放熱
板４ｃの形成も、前記実施例１〜３と同様にプレス加工
などによって行う。
板４ｃの形成も、前記実施例１〜３と同様にプレス加工
などによって行う。
【００４７】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００４８】（１）本発明によれば、放熱手段が半導体
装置のパッケージから露出して、直接大気中に放熱する
ことができるので、半導体チップの放熱性を大幅に向上
できる。
装置のパッケージから露出して、直接大気中に放熱する
ことができるので、半導体チップの放熱性を大幅に向上
できる。
【００４９】（２）また、本発明では、パッケージから
露出した放熱手段を熱拡散板などに接合させることによ
り、一層大幅に半導体チップの放熱性を向上できる。
露出した放熱手段を熱拡散板などに接合させることによ
り、一層大幅に半導体チップの放熱性を向上できる。
【００５０】（３）さらに、本発明においては、上記
（１),（２）により、半導体装置の信頼性を向上するこ
とができ、パーソナルコンピュータやワークステーショ
ンなどの高放熱タイプの半導体装置を必要とする製品の
信頼性も向上することができる。
（１),（２）により、半導体装置の信頼性を向上するこ
とができ、パーソナルコンピュータやワークステーショ
ンなどの高放熱タイプの半導体装置を必要とする製品の
信頼性も向上することができる。
【００５１】（４）また、本発明によれば、放熱手段が
ダイパッドそれ自体であるので、放熱手段を容易に低コ
ストで半導体装置に設けることができる。
ダイパッドそれ自体であるので、放熱手段を容易に低コ
ストで半導体装置に設けることができる。
【図１】本発明の実施例１によるリードフレームの平面
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例１による半導体装置の断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の実施例１によるＱＦＰ形の半導体装置
の一部破断した要部外観斜視図である。
の一部破断した要部外観斜視図である。
【図４】図４は、本発明の実施例２による熱拡散板が設
けられたＱＦＰ形の半導体装置の断面図である。
けられたＱＦＰ形の半導体装置の断面図である。
【図５】図４は、本発明の実施例２による熱拡散板が設
けられたＱＦＰ形の半導体装置の断面図である。
けられたＱＦＰ形の半導体装置の断面図である。
【図６】本発明の実施例３によるプリント配線板に実装
されたＱＦＰ形の半導体装置の断面図である。
されたＱＦＰ形の半導体装置の断面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の他の実施例によるＱＦＰ形
の半導体装置におけるダイパッドの平面図、（ｂ）は、
その側面図である。
の半導体装置におけるダイパッドの平面図、（ｂ）は、
その側面図である。
【図８】（ａ）は、本発明のその他の実施例によるＱＦ
Ｐ形の半導体装置におけるダイパッドの平面図、（ｂ）
は、その側面図である。
Ｐ形の半導体装置におけるダイパッドの平面図、（ｂ）
は、その側面図である。
【図９】（ａ）は、本発明の他の実施例によるＱＦＰ形
の半導体装置におけるダイパッドの平面図、（ｂ）は、
その側面図である。
の半導体装置におけるダイパッドの平面図、（ｂ）は、
その側面図である。
１ リードフレーム ２ ダイパッド ２ａ ダイパッド吊りリード ３ リード ４〜４ｃ 放熱板（放熱手段） ５ 半導体装置 ６ パッケージ ７ 半導体チップ ８ ボンディングワイヤ ９ 熱拡散板 １０ 熱拡散板 １１ プリント配線基板
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体チップの発熱をパッケージを介さ
ずに直接大気中に放熱する放熱手段を設けたことを特徴
とするリードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１記載のリードフレームにおい
て、前記放熱手段が、前記半導体チップを搭載するダイ
パッドの少なくとも一部であることを特徴とするリード
フレーム。 - 【請求項３】 請求項２記載のリードフレームにおい
て、前記放熱手段が、前記ダイパッドの平面方向に十字
形が構成される十字状の放熱部を前記ダイパッドの厚さ
方向に突出させ、半導体装置のパッケージから露出する
形状よりなることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項４】 請求項１，２または３記載のリードフレ
ームを用いて構成された半導体装置であって、モールド
樹脂により封止された樹脂モールド形パッケージ半導体
装置であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体装置において、前
記パッケージから露出した前記放熱手段が、前記パッケ
ージの外側に設けられた熱拡散板と接合されていること
を特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】 請求項４記載の半導体装置において、前
記パッケージから露出した前記放熱手段が、前記半導体
装置を実装するプリント配線基板それ自体と接合されて
いることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7009414A JPH08204097A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | リードフレームおよびそれを用いて構成された半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7009414A JPH08204097A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | リードフレームおよびそれを用いて構成された半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08204097A true JPH08204097A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11719737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7009414A Pending JPH08204097A (ja) | 1995-01-25 | 1995-01-25 | リードフレームおよびそれを用いて構成された半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08204097A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031750A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレームとそれを用いた半導体装置 |
-
1995
- 1995-01-25 JP JP7009414A patent/JPH08204097A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031750A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレームとそれを用いた半導体装置 |
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