JP2861322B2 - フィルムキャリァ実装構造体 - Google Patents
フィルムキャリァ実装構造体Info
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- JP2861322B2 JP2861322B2 JP2208598A JP20859890A JP2861322B2 JP 2861322 B2 JP2861322 B2 JP 2861322B2 JP 2208598 A JP2208598 A JP 2208598A JP 20859890 A JP20859890 A JP 20859890A JP 2861322 B2 JP2861322 B2 JP 2861322B2
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- film carrier
- semiconductor chip
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- Wire Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子機器の半導体実装に使用するフィルムキ
ャリア実装構造体に関し、とくに半導体チップの放熱構
造の改良に関する。
ャリア実装構造体に関し、とくに半導体チップの放熱構
造の改良に関する。
従来の技術 近年、フィルムキャリアパッケージは電子機器の小形
化，薄形化の実装技術として広く使用されている。
化，薄形化の実装技術として広く使用されている。
以下に従来のフィルムキャリア実装構造体について説
明する。
明する。
第２図は従来のフィルムキャリアパッケージの基板へ
の実装状態における断面図を示すものである。
の実装状態における断面図を示すものである。
第２図において、30は半導体チップ、31はフィルムキ
ャリア、32はインナーリード、33は導体、34は基板への
接続をするアウターリード、35は半導体チップ30の表面
保護樹脂、36はフィルムキャリアパッケージの保護コー
ト樹脂、37は基板である。
ャリア、32はインナーリード、33は導体、34は基板への
接続をするアウターリード、35は半導体チップ30の表面
保護樹脂、36はフィルムキャリアパッケージの保護コー
ト樹脂、37は基板である。
第３図は第２図のフィルムキャリアパッケージに放熱
フィンを取り付けた実装構造図を示し、38はその放熱フ
ィン、39は熱伝導樹脂である。
フィンを取り付けた実装構造図を示し、38はその放熱フ
ィン、39は熱伝導樹脂である。
以上のように構成されたフィルムキャリア実装構造体
について、以下その放熱動作について説明する。
について、以下その放熱動作について説明する。
半導体チップ30で発生した熱は大別して３通りの熱伝
導によって放熱される。第１は半導体チップ30から保護
コード樹脂36を介して空気中に熱伝導される。第２は半
導体チップ30に接続したインナーリード32,導体33,アウ
ターリード34を介して基板の導体40に熱伝導される。第
３は半導体チップ30から半導体チップ30の表面保護樹脂
35,保護コート樹脂36を介して、実装基板37に熱伝導さ
れる。
導によって放熱される。第１は半導体チップ30から保護
コード樹脂36を介して空気中に熱伝導される。第２は半
導体チップ30に接続したインナーリード32,導体33,アウ
ターリード34を介して基板の導体40に熱伝導される。第
３は半導体チップ30から半導体チップ30の表面保護樹脂
35,保護コート樹脂36を介して、実装基板37に熱伝導さ
れる。
一方、放熱フィンを取り付けた第３図においては、前
記第１の熱伝導経路は半導体チップ30から高熱伝導樹脂
39,放熱フィン38を介して放熱される。第2,第３の放熱
経路は放熱フィン38を設けていないものと同じである。
記第１の熱伝導経路は半導体チップ30から高熱伝導樹脂
39,放熱フィン38を介して放熱される。第2,第３の放熱
経路は放熱フィン38を設けていないものと同じである。
これらの熱伝導はおのおの単独に発生するものではな
く、複合的に発生し、その総合的な熱伝導によって半導
体チップ30の放熱が行なわれる。
く、複合的に発生し、その総合的な熱伝導によって半導
体チップ30の放熱が行なわれる。
一般的に放熱フィン38を使用しない場合は、前記第２
のフィルムキャリア実装構造体リードからの熱伝導と前
記第３の実装基板への熱伝導とによる放熱経路が効果的
であり、放熱フィン38を使用する場合は放熱フィン38を
経由する第１の放熱が効果的である。
のフィルムキャリア実装構造体リードからの熱伝導と前
記第３の実装基板への熱伝導とによる放熱経路が効果的
であり、放熱フィン38を使用する場合は放熱フィン38を
経由する第１の放熱が効果的である。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の従来の構成では、消費電力の大き
い半導体チップ30の場合は十分でなく、その放熱のため
にフィルムキャリア実装構造体上に大きい放熱フィン38
を取り付けねばならず、コストも高くなるばかりか、そ
の構造も複雑になるという欠点を有していた。
い半導体チップ30の場合は十分でなく、その放熱のため
にフィルムキャリア実装構造体上に大きい放熱フィン38
を取り付けねばならず、コストも高くなるばかりか、そ
の構造も複雑になるという欠点を有していた。
本発明は上記従来の欠点を解決するもので、簡単な構
成で容易に放熱効果を高めることができ、放熱フィンを
も不要にすることが可能となる優れたフィルムキャリア
実装構造体を提供することを目的とする。
成で容易に放熱効果を高めることができ、放熱フィンを
も不要にすることが可能となる優れたフィルムキャリア
実装構造体を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明のフィルムキャリア
実装構造体は、内層金属箔と表面に信号配線を持った基
板の表面に、少なくとも半導体チップの占有する面積以
上の面積を持った表面金属箔部を設け、この表面金属箔
部をスルーホールによって前記基板の前記内層金属箔に
接続し、フィルムキャリアパッケージの前記半導体チッ
プと前記基板の前記基面金属箔部との間を高熱伝導樹脂
によって充満する構成を有している。
実装構造体は、内層金属箔と表面に信号配線を持った基
板の表面に、少なくとも半導体チップの占有する面積以
上の面積を持った表面金属箔部を設け、この表面金属箔
部をスルーホールによって前記基板の前記内層金属箔に
接続し、フィルムキャリアパッケージの前記半導体チッ
プと前記基板の前記基面金属箔部との間を高熱伝導樹脂
によって充満する構成を有している。
作用 この構成によって本発明のフィルムキャリア実装構造
体は、半導体チップで発生した熱が高熱伝導樹脂を介
し、基板表面に設けた表面金属箔部に伝導され、さらに
スルーホールを介して内層金属箔に伝導される。この内
層金属箔は半導体チップに比べ著しく大きい面積を有し
ており、非常に大きい放熱フィンとして機能することと
なる。
体は、半導体チップで発生した熱が高熱伝導樹脂を介
し、基板表面に設けた表面金属箔部に伝導され、さらに
スルーホールを介して内層金属箔に伝導される。この内
層金属箔は半導体チップに比べ著しく大きい面積を有し
ており、非常に大きい放熱フィンとして機能することと
なる。
実 施 例 以下本発明の一実施例のフィルムキャリア実装構造体
について、図面を参照しながら説明する。
について、図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例におけるフィルムキャリア
実装状態の断面図を示すものである。
実装状態の断面図を示すものである。
第１図において、21は基板表面の金属箔、22a,22b,22
c,22dはスルーホール、23,24は内層金属箔である。
c,22dはスルーホール、23,24は内層金属箔である。
以上のように構成されたフィルムキャリア実装構造体
について、以下その動作について説明する。
について、以下その動作について説明する。
半導体チップ10で発生した熱は、半導体チップ10の表
面保護樹脂15,高熱伝導樹脂19を介して基板17の表面導
体21に伝導される。熱はさらにスルーホール22a〜22dを
介して内層金属箔23に伝導され、著しく大きい面積を有
する内層金属箔23により放熱される。
面保護樹脂15,高熱伝導樹脂19を介して基板17の表面導
体21に伝導される。熱はさらにスルーホール22a〜22dを
介して内層金属箔23に伝導され、著しく大きい面積を有
する内層金属箔23により放熱される。
この実施例による放熱経路も従来と同じく大別して３
通りあり、その経路は前述したとおりである。しかしな
がら、本実施例による放熱効果は、第３の経路、すなわ
ち半導体チップ10の表面保護樹脂15,高熱伝導樹脂19,表
面導体21,スルーホール22a〜22d,内層金属箔23の経路に
よる放熱効果が他の経路に比べ著しく大きい。特に半導
体チップ10の表面保護樹脂15,高熱伝導樹脂19を薄くす
ることによってその効果は著しい。
通りあり、その経路は前述したとおりである。しかしな
がら、本実施例による放熱効果は、第３の経路、すなわ
ち半導体チップ10の表面保護樹脂15,高熱伝導樹脂19,表
面導体21,スルーホール22a〜22d,内層金属箔23の経路に
よる放熱効果が他の経路に比べ著しく大きい。特に半導
体チップ10の表面保護樹脂15,高熱伝導樹脂19を薄くす
ることによってその効果は著しい。
以上のように本実施例によれば、内層金属箔23を持っ
た基板17の表面に少なくとも半導体チップ10の占有する
面積以上の面積を持った金属箔部21を設け、この金属箔
部21をスルーホール22a〜22dによって基板17の内層金属
箔23に接続し、フィルムキャリアパッケージの半導体チ
ップ10と基板17の表面金属箔部21との間を半導体チップ
の表面保護樹脂15,高熱伝導樹脂19を充填する構成を設
けることにより、半導体チップ10で発生した熱を半導体
チップ10の表面保護樹脂15,高熱伝導樹脂19,金属箔21,
スルーホール22a〜22dを介して内層金属箔23に伝導し、
半導体チップ10の放熱効果を著しく向上せしめ、消費電
力の大きい半導体チップのフィルムキャリア実装構造体
を可能にするとともに、従来必要としていて放熱フィン
を不要にでき、低コスト化が実現できるものである。
た基板17の表面に少なくとも半導体チップ10の占有する
面積以上の面積を持った金属箔部21を設け、この金属箔
部21をスルーホール22a〜22dによって基板17の内層金属
箔23に接続し、フィルムキャリアパッケージの半導体チ
ップ10と基板17の表面金属箔部21との間を半導体チップ
の表面保護樹脂15,高熱伝導樹脂19を充填する構成を設
けることにより、半導体チップ10で発生した熱を半導体
チップ10の表面保護樹脂15,高熱伝導樹脂19,金属箔21,
スルーホール22a〜22dを介して内層金属箔23に伝導し、
半導体チップ10の放熱効果を著しく向上せしめ、消費電
力の大きい半導体チップのフィルムキャリア実装構造体
を可能にするとともに、従来必要としていて放熱フィン
を不要にでき、低コスト化が実現できるものである。
発明の効果 以上の実施例の説明で明かなように本発明のフィルム
キャリア実装構造体によれば内層金属箔と表面配線金属
箔とを持った基板の表面に少なくとも半導体チップの占
有する面積以上の面積を持った表面金属箔部が設けら
れ、この表面金属箔部が複数個のスルーホールによって
基板の内層金属箔に接続され、前記フィルムキャリアパ
ッケージの前記半導体チップと前記基板の前記表面金属
箔部との間を高熱伝導樹脂によって充填する構成を設け
ることにより前記半導体チップの放熱効果を著しく向上
せしめ、消費電力の大きい半導体チップのフィルムキャ
リア実装構造体を可能にするとともに、従来必要として
いた放熱フィンを不要にでき、低コスト化を実現できる
優れたフィルムキャリア実装構造体を提供するものであ
る。
キャリア実装構造体によれば内層金属箔と表面配線金属
箔とを持った基板の表面に少なくとも半導体チップの占
有する面積以上の面積を持った表面金属箔部が設けら
れ、この表面金属箔部が複数個のスルーホールによって
基板の内層金属箔に接続され、前記フィルムキャリアパ
ッケージの前記半導体チップと前記基板の前記表面金属
箔部との間を高熱伝導樹脂によって充填する構成を設け
ることにより前記半導体チップの放熱効果を著しく向上
せしめ、消費電力の大きい半導体チップのフィルムキャ
リア実装構造体を可能にするとともに、従来必要として
いた放熱フィンを不要にでき、低コスト化を実現できる
優れたフィルムキャリア実装構造体を提供するものであ
る。
第１図は本発明の一実施例におけるフィルムキャリア実
装構造体の構成を示す断面図、第２図，第３図は従来の
フィルムキャリア実装構造体の構成を示す断面図であ
る。 10……半導体チップ、17……基板、19……高熱伝導樹
脂、21……表面金属箔部、22a〜22d……スルーホール、
23……内層金属箔。
装構造体の構成を示す断面図、第２図，第３図は従来の
フィルムキャリア実装構造体の構成を示す断面図であ
る。 10……半導体チップ、17……基板、19……高熱伝導樹
脂、21……表面金属箔部、22a〜22d……スルーホール、
23……内層金属箔。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体チップを取り付けたフィルムキャリ
アパッケージを基板上に載置して接続するフィルムキャ
リア実装構造体において、前記基板の表面に少なくとも
前記半導体チップの占有する面積以上の面積を持った表
面金属箔部を設け、この表面金属箔部が複数個のスルー
ホールによって前記基板の内層金属箔に接続され、前記
フィルムキャリアパッケージの前記半導体チップと前記
基板の前記表面金属箔部との間を高熱伝導樹脂によって
充填してなるフィルムキャリア実装構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2208598A JP2861322B2 (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | フィルムキャリァ実装構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2208598A JP2861322B2 (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | フィルムキャリァ実装構造体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499051A JPH0499051A (ja) | 1992-03-31 |
| JP2861322B2 true JP2861322B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=16558858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2208598A Expired - Fee Related JP2861322B2 (ja) | 1990-08-06 | 1990-08-06 | フィルムキャリァ実装構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2861322B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5930117A (en) * | 1996-05-07 | 1999-07-27 | Sheldahl, Inc. | Heat sink structure comprising a microarray of thermal metal heat channels or vias in a polymeric or film layer |
| US5844310A (en) * | 1996-08-09 | 1998-12-01 | Hitachi Metals, Ltd. | Heat spreader semiconductor device with heat spreader and method for producing same |
| KR100474193B1 (ko) * | 1997-08-11 | 2005-07-21 | 삼성전자주식회사 | 비지에이패키지및그제조방법 |
| EP1006574A1 (en) * | 1998-05-12 | 2000-06-07 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Semiconductor plastic package and method for producing printed wiring board |
| JP3147087B2 (ja) | 1998-06-17 | 2001-03-19 | 日本電気株式会社 | 積層型半導体装置放熱構造 |
| KR100391093B1 (ko) * | 2001-01-04 | 2003-07-12 | 삼성전자주식회사 | 히트 싱크가 부착된 볼 그리드 어레이 패키지 |
| US6898084B2 (en) * | 2003-07-17 | 2005-05-24 | The Bergquist Company | Thermal diffusion apparatus |
| US7760507B2 (en) | 2007-12-26 | 2010-07-20 | The Bergquist Company | Thermally and electrically conductive interconnect structures |
| CN106647114A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-05-10 | 北京小米移动软件有限公司 | 摄像模组 |
-
1990
- 1990-08-06 JP JP2208598A patent/JP2861322B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0499051A (ja) | 1992-03-31 |
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