JPH0274065A - リードフレーム - Google Patents

リードフレーム

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Publication number
JPH0274065A
JPH0274065A JP63226740A JP22674088A JPH0274065A JP H0274065 A JPH0274065 A JP H0274065A JP 63226740 A JP63226740 A JP 63226740A JP 22674088 A JP22674088 A JP 22674088A JP H0274065 A JPH0274065 A JP H0274065A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die pad
resin
point
stress
moisture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63226740A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsunehiro Kanaji
金地　倫弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP63226740A priority Critical patent/JPH0274065A/ja
Publication of JPH0274065A publication Critical patent/JPH0274065A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、プラスチックパッケージ形半導体集積回路に
用いるリードフレームに関する発明である。
従来の技術 プラスチックパッケージ形半導体集積回路用のリードフ
レームでは、グイバットに穴を開ける等によりダイパッ
ドと封止樹脂との密着性を高め、グイバット下に水分を
貯まりに＜＜シて、パッケージのクラックを減少させる
配慮が払われてきた。
発明が解決しようとする課題 しかし、ダイパッドと封止樹脂との密着性の向上には限
界があり、パッケージクラックが依然として発生してい
た。
課題を解決するための手段 本発明は、上記のパッケージクラックの発生を抑えるこ
とを目的としてなされたもので、リードフレームのダイ
パッドの平面形状をＸ字形としだものである。
作　　　用 このリードフレーム形状によると、グイバットと樹脂と
の間に水分が貯まったときに発生する応力が減少する。
実施例 第１図は本発明の実施例を示す図であり、外部導出リー
ド１で包囲されたグイバット２の平面形状が、グイバッ
トの対角線長さの四分の−の幅を持つＸ字形となってい
る。なお、ダイパッドのＸ字状部分の幅を小さくすれば
、グイバット下の最大発生応力は小さくなる。しかしな
がら半導体チップの中央部直下に最大応力発生点が変わ
るため、グイバットのＸ字状部分の幅を小さくしてもパ
ッケージクラックに対する効果が期待できなくなる。
しかも、ダイパッドのＸ字状部分の幅を小さくすると、
ダイパッドと半導体チップとの接着面積が小さくなり、
組立時の半導体チップ割れ、あるいは半導体チップはが
れが発生するばかりでなく、実使用時の熱抵抗増加が生
じる。以上のことを考慮して、ダイパッドのＸ字状部分
の幅を検討したところ、ダイパッド対角線長さの四分の
一程度に設定したとき耐パッケージクラック性を向上さ
せ、かつ組立時のチップ割れ、チップはがれの増加と実
使用時の熱抵抗の増加を極力おさえることができる。
ところで、第２図で示すように、ダイバット２に半導体
子ノブ３が固着され、さらに必要なワイ＼゛ボンド（図
示せず）がなされた組立構体を成形樹脂４で封止して形
成した樹脂封止形半導体装置のダイパット下に、半田実
装によって水分５が貯まっだ場合、この水分が気化膨張
することによって発生する応力σは第１式で示されるこ
とが知られている。
σｍａｘ　＝　ｋ（ａ／ｈ　）　２・ｐ　・・・・・・
・・・・・・（１）ここで、ｋは第３図で示すグイバッ
トの形状により定まる定数、ａはダイパッドの短辺寸法
、ｈはダイパッド下の樹脂厚、ｐは半田実装時のグイバ
ット下水分の蒸気圧である。
この関係式を利用して半田実装時の水分気化膨張により
発生する応力を第１図を参照して説明する。
第１図のリードフレームにおいて、ｂが１．７７Ｕ、リ
ードフレームの厚みが０．１５ｆｆ、ダイパッド下の樹
脂厚を０．９２　ｆｆとし、半導体チップのサイズを６
ｆｆ角とすると、半導体チップ下に位置するところとな
るチップ下最大応力発生点（Ａ点）の応力σｍａｚＡは
、 σｆｎａｘＡ　＝　０．３ｊＸ（”Ｑ）２ｐ＝６．５５
ｐ０．９２＋０．１５ となる。
また、ダイパッド下最大応力発生点（Ｂ点）の応力σｍ
ａｘＢは、 ｍａｘＢ　＝０．５ｘ（””）２ｐ＝１．５８ｐ０．９
２ となる。
すなわち、Ａ点の応力はＢ点の応力よりも大きくなる。
本発明のリードフレームを用いて形成した樹脂封止形半
導体装置では、最大応力発生点となるＡ点部分にはグイ
バットが存在せず、この部分の樹脂厚が大となることに
より、樹脂クラックの発生が防止される。
発明の効果 以上述べたように、本発明のリードフレームは半田実装
時にダイパッド下に貯まった水分が気化膨張する事によ
り発生する応力に起因するパッケージクラッチの発生を
防止できるものであり、樹脂封止形半導体装置の耐パッ
ケージクラック性を向上させ、しかも、組立時のチップ
割れ、チップはがれの増加と実使用時の熱抵抗増加をお
さえることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のリードフレームの要部を示す平面図、
第２図はダイパッド下水分気化膨張モデル図、第３図は
ダイパット縦横化と定数にの関係図である。 １・・・・・・外部導出リード、２・・・・・・ダイパ
ッド、３・・・・・・半導体チップ、４・・・・・・成
形樹脂、６・・・・・・水分。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板取付用のダイパットがＸ字形平面形状とされ
    ていることを特徴とするリードフレーム。
JP63226740A 1988-09-09 1988-09-09 リードフレーム Pending JPH0274065A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63226740A JPH0274065A (ja) 1988-09-09 1988-09-09 リードフレーム

Applications Claiming Priority (1)

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JP63226740A JPH0274065A (ja) 1988-09-09 1988-09-09 リードフレーム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0274065A true JPH0274065A (ja) 1990-03-14

Family

ID=16849861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63226740A Pending JPH0274065A (ja) 1988-09-09 1988-09-09 リードフレーム

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JP (1) JPH0274065A (ja)

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