JPH0344040A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH0344040A JPH0344040A JP1178149A JP17814989A JPH0344040A JP H0344040 A JPH0344040 A JP H0344040A JP 1178149 A JP1178149 A JP 1178149A JP 17814989 A JP17814989 A JP 17814989A JP H0344040 A JPH0344040 A JP H0344040A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止のパッケージに関するものである。
従来の半導体装置においては一般に鉄−ニッケル（Ｆｅ
−Ｎｉ）合金からなるリードフレームのタブ上に金（Ａ
ｕ）メツキな形成し、その上からシリコンからなる半導
体ペレットを擦りつけながら押しつけて金−シリコン（
Ａｕ−８ｉ）共晶合金な形成し、タブに半導体ペレット
を固着するいわゆるＡｕ−８ｉ共晶合金ペレット付けが
行わハていた、ところが、最近ではＦｅ−Ｎｉ合金リー
ドフレームに代わり、放熱性が高くかつ安ω１１な銅（
Ｃｕ）リードフレームが多用されるようにたってきてい
る←特開昭ｆｉｏ−１４７１４６号公報参照）。
−Ｎｉ）合金からなるリードフレームのタブ上に金（Ａ
ｕ）メツキな形成し、その上からシリコンからなる半導
体ペレットを擦りつけながら押しつけて金−シリコン（
Ａｕ−８ｉ）共晶合金な形成し、タブに半導体ペレット
を固着するいわゆるＡｕ−８ｉ共晶合金ペレット付けが
行わハていた、ところが、最近ではＦｅ−Ｎｉ合金リー
ドフレームに代わり、放熱性が高くかつ安ω１１な銅（
Ｃｕ）リードフレームが多用されるようにたってきてい
る←特開昭ｆｉｏ−１４７１４６号公報参照）。
ところが、上述のようにＣｕリードフレームは放熱性が
高いという長所があるものの、熱による膨張率が半導体
ベレットを構成するシリコンに比べて極めて高い。その
ため、Ｃｕ’）−ドフレームにＡｕ−８ｉ共晶合金ペレ
ット付は方法により半導体ベレノトナ取付けると、銅と
シリコンの熱膨張差により半導体ペレットにクラックが
生じるという問題があるため、現在一般にＡｇ（銀）ペ
ーストと叶われるＡｇ粉入りの有機接着剤な用いる方法
を用い、熱膨張差を吸収できるようにしている。
高いという長所があるものの、熱による膨張率が半導体
ベレットを構成するシリコンに比べて極めて高い。その
ため、Ｃｕ’）−ドフレームにＡｕ−８ｉ共晶合金ペレ
ット付は方法により半導体ベレノトナ取付けると、銅と
シリコンの熱膨張差により半導体ペレットにクラックが
生じるという問題があるため、現在一般にＡｇ（銀）ペ
ーストと叶われるＡｇ粉入りの有機接着剤な用いる方法
を用い、熱膨張差を吸収できるようにしている。
しかし、加熱を必要とする工程で熱によりペレットが反
る問題の対策として、Ａｇペーストの厚さを増加させ反
りによる応力を吸収させることがｋこなわれるが、以下
のような問題が生じているー（１） 第４図で示すよ
うにＡｇペースト１の塗布量ケ多くすることにより、半
導体ペレット２をＡｇペースト１上に押しつけた際にタ
ブ３から銀ペースト１がはみ出しショート不良の原因と
／Ｌり易い。
る問題の対策として、Ａｇペーストの厚さを増加させ反
りによる応力を吸収させることがｋこなわれるが、以下
のような問題が生じているー（１） 第４図で示すよ
うにＡｇペースト１の塗布量ケ多くすることにより、半
導体ペレット２をＡｇペースト１上に押しつけた際にタ
ブ３から銀ペースト１がはみ出しショート不良の原因と
／Ｌり易い。
（２１Ａｇペース）１の塗布量□多くすると、Ａｇベー
スト−１の厚みが増すため、半導体ペレット２が傾斜し
やすい。そのため、ボンディングワイヤ４の接続工程で
ボンディング荷重が適正に加わらずボンディングバソド
あるいは半導体ペレットにダメージを与えたり、または
接続が不完全だったりする不良が発生し易い。
スト−１の厚みが増すため、半導体ペレット２が傾斜し
やすい。そのため、ボンディングワイヤ４の接続工程で
ボンディング荷重が適正に加わらずボンディングバソド
あるいは半導体ペレットにダメージを与えたり、または
接続が不完全だったりする不良が発生し易い。
（３）第５図で示すようにＡｇペースト１の塗布量な多
くすると、半導体ペレット２をＡｇペースト１上に押し
つげた際にＡｇペースト１が半導体ベレット２表面まで
達してショート不良の原因となってしまう。
くすると、半導体ペレット２をＡｇペースト１上に押し
つげた際にＡｇペースト１が半導体ベレット２表面まで
達してショート不良の原因となってしまう。
本願において開示さ力ろ発明のうち代表的なものの概要
な簡単に説明すハば下記のとおりである、すなわち、半
導体ペレットを固着する部分の下地基板に、硬化時の接
着剤のヤング率より小さい板状体を敷設し、その上から
接着剤を塗布し半導体ペレットナ取付けるものである。
な簡単に説明すハば下記のとおりである、すなわち、半
導体ペレットを固着する部分の下地基板に、硬化時の接
着剤のヤング率より小さい板状体を敷設し、その上から
接着剤を塗布し半導体ペレットナ取付けるものである。
上記した手段によハば、熱による半導体ペレ・ノド自体
の反り、パッケージの収縮の際に生じる反りにより半導
体ペレットに加わる応力な板状体で吸収できると共に、
接着材厚（半導体ペレット裏面と下地基板間短離）のコ
ントロールが容易とたるものである。
の反り、パッケージの収縮の際に生じる反りにより半導
体ペレットに加わる応力な板状体で吸収できると共に、
接着材厚（半導体ペレット裏面と下地基板間短離）のコ
ントロールが容易とたるものである。
第１図は本発明の一実施例である半導体装置の断面図、
第２図は第】図の半導体装置な得るためのリードフレー
ム、第３Ａ図〜第３Ｆ図は第１図の半導体装置の製造方
法説明図である。以下、図面に従い詳細に説明する。半
導体装置５は半導体ペレット６を載置する下地基板で、
リードフレーム（例えば鋼材）においては一般にタブ７
と呼称している。
第２図は第】図の半導体装置な得るためのリードフレー
ム、第３Ａ図〜第３Ｆ図は第１図の半導体装置の製造方
法説明図である。以下、図面に従い詳細に説明する。半
導体装置５は半導体ペレット６を載置する下地基板で、
リードフレーム（例えば鋼材）においては一般にタブ７
と呼称している。
この矩形状のタブ７０周辺部には複数本のリード８の先
端部が近接して配置さ力ている。９は、後述する接着剤
、例えばＡｇペースト１０が硬化した際その硬化したＡ
ｇペースト１０のヤング率より小さい板状体、例えば、
ポリイミド製の低弾性テープで、タブ７の主表面上に少
なくともタブ７より小さくかつ平坦に敷設さ力ている。
端部が近接して配置さ力ている。９は、後述する接着剤
、例えばＡｇペースト１０が硬化した際その硬化したＡ
ｇペースト１０のヤング率より小さい板状体、例えば、
ポリイミド製の低弾性テープで、タブ７の主表面上に少
なくともタブ７より小さくかつ平坦に敷設さ力ている。
１０は、本実施例ではエポキシ系、ポリイミド系等の樹
脂中に銀粉を混入させたペースト状の接着剤で、Ａｇペ
ーストである。こハにより、半導体ペレット６は金属製
のタブ７と低弾性テープ９なりッションとしてＡｇペー
ストｌｏで固定されている。１１は、Ａｕ（金）線等の
ボンディングワイヤであり、半導体ペレット６０図示し
ない電極とリード８の先端部８ａとを電気的に接続して
いる。１２は、熱硬化性の樹脂パッケージであり、半導
体ペレット６．タブ７及びリ−ト’８先端部等な一体的
に封止している。次に本実施例の半導体装＃５の製造方
法について説明する。まず、リードフレームＩ３を用意
する。このリードフレーム１３は通常の工程、例えばプ
レスあるいはエツチングにより加工したものであり、Ｄ
ＴＰ （デュアル・インライン・パッケージ）型の半導
体装置に使用されるリードフレームで、その平面図を第
２図に示す。第３Ａ図は第２図のリードフレームの冒−
口線断面図である。このリードフレーム１３のタブ７上
に低弾性テープ９ケ貼布する（第３Ｂ図）、このときの
低弾性テープ９のサイズはペレットサイズ以上であるこ
とが好ましい、、また、厚さについては特に限定しない
が、肉厚を厚くすることにより、タブ７の位置を上げた
と同様な効果が得られ、例えば、タブ上下のレジンバラ
ンスの調整な容易にすることができる。次に、低弾性テ
ープ９上にＡｇペース）１（１−塗布する（第３Ｃ図）
。その上から半導体ペレット６ケ機械的あるいは超音波
により振動を与えて水平に固着する（第３Ｄ図）。次に
、所定の時間リードフレーム】３をドライエアー又は窒
素ガスを吹きつけつつ加熱する。次に、半導体ベレット
６０図示しない電極とリード８の先端部とを良導体金属
のボンディングワイヤ１１で接続する（第３Ｅ図）。そ
して、所定部分な樹脂のパッケージ１２で封止したのち
（第３Ｆ図）、フレーム枠１４．タイバー１５からり一
ド８及びタブリート”１６を切り離して各々の半導体装
置に分離したのち、各リード８な約９０°折り曲げ第１
図にて示した半導体装置な得る、 次に本実施例の作用・効果について説明する、（１）タ
ブ主表面に硬化したＡｇペースト等の接着剤よりもヤン
グ率の小さい板状体を張りつけ、その上部に接着剤を介
して半導体ペレットナ固着することにより、半導体ペレ
ットが熱により湾曲してもその応力はヤング率の小さい
板状体で吸収され、ペレットクラックあるいはその他特
性劣化を防止できるという効果が得られる。
脂中に銀粉を混入させたペースト状の接着剤で、Ａｇペ
ーストである。こハにより、半導体ペレット６は金属製
のタブ７と低弾性テープ９なりッションとしてＡｇペー
ストｌｏで固定されている。１１は、Ａｕ（金）線等の
ボンディングワイヤであり、半導体ペレット６０図示し
ない電極とリード８の先端部８ａとを電気的に接続して
いる。１２は、熱硬化性の樹脂パッケージであり、半導
体ペレット６．タブ７及びリ−ト’８先端部等な一体的
に封止している。次に本実施例の半導体装＃５の製造方
法について説明する。まず、リードフレームＩ３を用意
する。このリードフレーム１３は通常の工程、例えばプ
レスあるいはエツチングにより加工したものであり、Ｄ
ＴＰ （デュアル・インライン・パッケージ）型の半導
体装置に使用されるリードフレームで、その平面図を第
２図に示す。第３Ａ図は第２図のリードフレームの冒−
口線断面図である。このリードフレーム１３のタブ７上
に低弾性テープ９ケ貼布する（第３Ｂ図）、このときの
低弾性テープ９のサイズはペレットサイズ以上であるこ
とが好ましい、、また、厚さについては特に限定しない
が、肉厚を厚くすることにより、タブ７の位置を上げた
と同様な効果が得られ、例えば、タブ上下のレジンバラ
ンスの調整な容易にすることができる。次に、低弾性テ
ープ９上にＡｇペース）１（１−塗布する（第３Ｃ図）
。その上から半導体ペレット６ケ機械的あるいは超音波
により振動を与えて水平に固着する（第３Ｄ図）。次に
、所定の時間リードフレーム】３をドライエアー又は窒
素ガスを吹きつけつつ加熱する。次に、半導体ベレット
６０図示しない電極とリード８の先端部とを良導体金属
のボンディングワイヤ１１で接続する（第３Ｅ図）。そ
して、所定部分な樹脂のパッケージ１２で封止したのち
（第３Ｆ図）、フレーム枠１４．タイバー１５からり一
ド８及びタブリート”１６を切り離して各々の半導体装
置に分離したのち、各リード８な約９０°折り曲げ第１
図にて示した半導体装置な得る、 次に本実施例の作用・効果について説明する、（１）タ
ブ主表面に硬化したＡｇペースト等の接着剤よりもヤン
グ率の小さい板状体を張りつけ、その上部に接着剤を介
して半導体ペレットナ固着することにより、半導体ペレ
ットが熱により湾曲してもその応力はヤング率の小さい
板状体で吸収され、ペレットクラックあるいはその他特
性劣化を防止できるという効果が得られる。
（２） タブ主表面に、硬化したＡｇペースト等の接
着剤よりもヤング率の小さい板状体を張りつげることに
より、接着剤の量を増加せずに半導体ペレット等への応
力を吸収させることができるので、タブから接着剤が落
下したり、半導体ペレット表面に接着剤が盛り上がって
ボンダビリティの低減あるいはショート不良が発生する
問題な低減できるという効果が得られる。
着剤よりもヤング率の小さい板状体を張りつげることに
より、接着剤の量を増加せずに半導体ペレット等への応
力を吸収させることができるので、タブから接着剤が落
下したり、半導体ペレット表面に接着剤が盛り上がって
ボンダビリティの低減あるいはショート不良が発生する
問題な低減できるという効果が得られる。
ｆ３） （１）、ｆ２＋の効果に加えて、タブ上に板
状体が平坦に張り付けらねているので、半導体ペレット
の平坦度をコントロールし易いという効果を有する。
状体が平坦に張り付けらねているので、半導体ペレット
の平坦度をコントロールし易いという効果を有する。
（４）半導体ペレットを平坦にコントロールし易いので
、ワイヤボンディングの際に、ボンディング荷重を適正
に加えることが可能となり、半導体ペレットにダメージ
を与えたり、ボンディングワイヤの接合が不充分となる
などの問題な解決できるものである。
、ワイヤボンディングの際に、ボンディング荷重を適正
に加えることが可能となり、半導体ペレットにダメージ
を与えたり、ボンディングワイヤの接合が不充分となる
などの問題な解決できるものである。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとつき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、本実施例で
はリードフレームを用いた半導体装置に適用した場合に
ついて説明したが、プリント基板、セラミック基板、そ
の他回路基板等に接着剤（Ａｇペースト、半田、低融点
ガラス等）な介して半導体ベレｙト％−固着する場合に
適用することができる。
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、本実施例で
はリードフレームを用いた半導体装置に適用した場合に
ついて説明したが、プリント基板、セラミック基板、そ
の他回路基板等に接着剤（Ａｇペースト、半田、低融点
ガラス等）な介して半導体ベレｙト％−固着する場合に
適用することができる。
熱が加えられることにより発生した半導体ペレットの反
り、タブの反りさらにはパッケージの収縮によるペレッ
トへの応力等を吸収できると同時に半導体ペレットの平
坦度のコントロールをも極めて容易に達成しえるもので
ある。
り、タブの反りさらにはパッケージの収縮によるペレッ
トへの応力等を吸収できると同時に半導体ペレットの平
坦度のコントロールをも極めて容易に達成しえるもので
ある。
第１図は、本発明の一実施例である半導体装置の断面図
、 第２図は、第１図の半導体装置に用いるリードフレーム
の平面図、 第３Ａ−〜第３Ｆ図は、第１図の半導体装置の明するた
めの説明図である。 ５・・・半導体装置、６・・・半導体ペレット、７・・
・タブ、８・・・リード、９・・・低弾性テープ、１０
・・・Ａｇペースト、１１・・・ボンディングワイヤ、
１２・・・パ８ 第 図 第 Ｂ 図 第 図 第 Ｄ 図 第 図 第 図 ？
、 第２図は、第１図の半導体装置に用いるリードフレーム
の平面図、 第３Ａ−〜第３Ｆ図は、第１図の半導体装置の明するた
めの説明図である。 ５・・・半導体装置、６・・・半導体ペレット、７・・
・タブ、８・・・リード、９・・・低弾性テープ、１０
・・・Ａｇペースト、１１・・・ボンディングワイヤ、
１２・・・パ８ 第 図 第 Ｂ 図 第 図 第 Ｄ 図 第 図 第 図 ？
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、矩形状のタブと、前記タブの周辺にその先端部を近
接させた複数本のリードと、上記タブ主面に敷設した少
なくともタブ面積より小で、かつ、半導体チップを固定
するためのペースト状の接着剤の硬化時よりもヤング率
の小さい板状体と、上記接着剤で固定された半導体ペレ
ットと、上記半導体ペレット上の電極とそれに対応する
リードとを電気的に接続するボンディングワイヤと、こ
れらを一体的に封止する樹脂製のパッケージからなるこ
とを特徴とする半導体装置。 ２、上記板状体は、ポリイミドテープであることを特徴
とする請求項１記載の半導体装置。 ３、リードフレームのタブ上に、半導体ペレットを固定
する接着剤よりもヤング率の小さい板状体を敷設する工
程と、上記板状体上に上記接着剤を塗布する工程と、塗
布された接着剤で半導体ペレットを固定する工程と、上
記半導体ペレット上の電極とリードフレームのリードと
をボンディングワイヤで接続する工程と、半導体ペレッ
トを固定したタブ、リード先端部及びボンディングワイ
ヤとを一体的に樹脂で封止する工程とを有する半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1178149A JPH0344040A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1178149A JPH0344040A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344040A true JPH0344040A (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=16043495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1178149A Pending JPH0344040A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0344040A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536970A (en) * | 1992-09-29 | 1996-07-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin-encapsulated semiconductor device |
| JP2002353378A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2010248349A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-04 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 熱伝導性接着剤 |
| WO2011087119A1 (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-21 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2012049575A (ja) * | 2011-12-08 | 2012-03-08 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2014013848A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-07-12 JP JP1178149A patent/JPH0344040A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536970A (en) * | 1992-09-29 | 1996-07-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin-encapsulated semiconductor device |
| JP2002353378A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-06 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
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| WO2011087119A1 (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-21 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| CN102714164A (zh) * | 2010-01-18 | 2012-10-03 | 罗姆股份有限公司 | 半导体装置和其制造方法 |
| US8779569B2 (en) | 2010-01-18 | 2014-07-15 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9142494B2 (en) | 2010-01-18 | 2015-09-22 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9406591B2 (en) | 2010-01-18 | 2016-08-02 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9859194B2 (en) | 2010-01-18 | 2018-01-02 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2012049575A (ja) * | 2011-12-08 | 2012-03-08 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2014013848A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
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