CN1118873C - 带有x形管芯支托的半导体器件 - Google Patents

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Abstract

一种半导体器件(10)包括一个带有连结杆(16)的引线框(12)。在本发明的一种形式中,连结杆用来支托半导体管芯(20)以减轻应力引起的管壳破裂问题并提供一种适用于各种不同管芯尺寸的通用引线框。在另一实施例中,半导体器件(45)包括一个带有微型片板(42)的引线框(40)以实现同样的目的。

Description

带有X形管芯支托的半导体器件
本发明涉及半导体器件,更确切地说,涉及在封装中使用X形管芯支托的半导体器件及其制造方法。
在塑封半导体器件中,管壳破裂是一个常见的问题。此问题的起因很多。其中之一是塑封材料与引线框片板之间的内部剥离。片板是常规引线框的一个片状元件,用它来支托管芯。与引线框其余部分一样,片板通常用铜、铜合金或铁镍合金制成,因而其热膨胀系数多半都不同于周围注塑物(即塑料)的热膨胀系统。当半导体器件经受温度变化时,由于热膨胀系数的失配,就在塑料和片板的交界面处产生应力。此应力达到某一最大阈值时,就通过塑料和片板交界面的分离而释放。管壳破裂的另一原因是潮气的吸收。在塑料和片板交界面剥离而分层之后,环境中的潮气通过注塑物扩散到分层区域。一旦潮气在管壳中积累,温度的迅速升高将引起潮气蒸发并膨胀,从而在分层区产生内压气阱。为释放这一压力和相关的应力,周围的塑料就会破裂。当用户采用回流钎焊将塑封半导体器件装到基板上时,最易发生管壳破裂。根据器件的潮气含量,温度的迅速升高及回流焊引起的高温通常足以引起塑料破裂。
已有很多现成的方法来应付管壳破裂问题。干法封装是其中一种,此法采用充分烘烤塑封半导体器件以降低潮气含量并将器件封装在防潮盒中的办法。用户应在器件因暴露于大气而使管壳中吸入足以引起破裂的湿气量之前,安装好器件。此法是有效的,但因此也大大提高了半导体器件的成本。而且用户还须时刻留意器件已暴露于大气多久以确保吸入的潮气不足以引起破裂问题。
还试用过其它已知的措施,借助于改善片板和塑料之间的粘附力,来降低内部剥裂的可能性。例如,有些厂家为改善粘附力而打毛片板的金属表面。有些厂家则在片板中制作小孔或凹坑以提供粘连机能。改善粘附力的另一方法是采用窗框式片板。这或多或少是一种支托管心的中空的框架而不是实心的片板。
上述方法借助于对塑封材料提供更好的粘附力在某种程度上确实能降低剥裂的可能性。本发明使用先前未曾用过的方法,同样有降低剥裂的优点。而且本发明还提到了上述各种方法没有提及的另一个制造问题,即半导体厂家对其每一种产品需要使用不同的或特制的引线框结构。如果对不同的管芯尺寸和管脚引出都使用不同的引线框,则需要大量库存零件,而且在推出每一个产品之前都要化费额外的时间和人力去设计新的引线框。除了库存与设计成本外,由于需求达不到将成本降低到最小的数量,引线框本身的成本也被迫提高了。几个分别需单独加工的引线框的合同加起来,比引线框总数量相同的单个合同的费用要高。因此,使用可适用于几种不同管芯尺寸的同一引线框设计,可大大降低半导体制造成本。本发明采用可适用于各种管芯尺寸的一种引线框,同时改善引线框和封装材料之间的粘附力以减轻管壳破裂问题,从而达到了降低成本的目的。
在本发明的一种形式中,半导体器件具有许多引线,由这些引线确定出一个放置管芯的区域,还具有一个横穿管芯放置区的连结杆。半导体管芯就安装在这一管芯放置区中的连结杆上并由连结杆支持。管芯与许多引线进行电连接并封装在管壳体中。在本发明的另一形式中,连结杆与一微型片板构成一个整体,二者一起支持管芯。本发明的范围还包括这些半导体器件的制造方法。
结合附图进行下述详细描述后,将更清楚地了解本发明的这些和其它的特点。值得指出的是:附图无须按比例绘制,而且本发明还有其它的未作特别图示的一些实施例。
图1是本发明一种未封装、无片板的半导体器件的部分俯视平面图。
图2是图1所示半导体器件封装在塑料中、沿2-2线的剖面图。
图3是适用本发明另一引线框结构的部分俯视平面图。
图4是采用微型片板的本发明一个实施例中的又一引线框结构的部分俯视平面图。
图5是采用图4引线框的、经封装的本发明半导体器件的剖面图。
图6是带有同样适用本发明的微型片板的另一引线框结构的部分俯视图。
图7是带有适用本发明的微型片板的又一引线框设计的部分俯视图。
本发明综合了适用于不同管芯尺寸的通用引线框的特点和降低引线框与封装材料间分离的优点。本发明因而可减轻管壳破裂问题。本发明一个实施例的俯视平面图(图1)示出了这些优点。半导体器件10有引线框12,引线框包括多根引线14和四个连结杆16。图1的引线框只示出了一部分。作为本领域的普通技术人员应当了解:和常规条形引线框一样,引线14和连结杆16都向相对着的两根横杆(未绘出)延伸。图中没有将引线框12的全部引线示出。为了解本发明也没有必要示出其余的部分。各引线14都有其内部引线部分,它们合起来在器件中确定一个管芯放置区域18。图1所示特定的引线框是用于QFP(方形扁平组件)半导体管壳的;但应理解本发明并不只限于这一种封装形式,这点从以下的描述中将更清楚。在QFP结构中,各连结杆16从器件10的角上开始延伸到管芯放置区18,直至与其它连结杆交汇,它们组成一个X形。在另一实施例中,连结杆可从管芯放置区的相对的侧面延,从而形成“十”字形,这点可从图1的透视图看出。
半导体管芯20安装在连结杆16上。图2中器件10的剖面图所示的一种常规管芯粘合剂21被用来将管芯20安装在连结杆16上。管芯20一般是一种集成电路,如微处理器、存储器、模拟器件或类似器件,它们是制作在硅或其它半导体衬底上的。管芯20含有多个导电性焊点22用以通过管芯中各导电层(未绘出)将集成电路的各个部分电连接起来。电路的外部连接是通过常规引线24及引线14来实现。引线24将各焊点22与各自的引线24电连接起来。如图2所示,此线14延伸到管壳体28的外面以向器件的终端用户提供外部连接。
根据本发明的一个实施例,每一连结杆都有两个宽度互不相同的部分。第一宽度部分15从横杆(未绘出)伸入到管芯放置区18。第二宽度部分17则实际支托管芯20。第二部分17的宽度大于第一部分15的宽度。在本发明的一个实施例中,各第一部分15的宽度为0.2-0.3mm(8-12密耳)数量级而各第二部分的宽度为1.0-1.5mm(40-60密耳)数量级。这两个宽度不同的理由并非是较窄的连结杆支持不住管芯20。如从图3可见,确保合适的管芯支持强度和稳定性的,不是宽度而是连结杆的结构。采用两个不同宽度的理由是为了形成肩区19。肩区19为使管芯在连结杆上对准提供了参考点。管芯视控安装设备可容易地找到肩区19,从而使管芯20准确地置于连结杆上。如图所示,每一肩区19近似地平行于管芯20的边。如图3可见,肩区19以外的其它图形也可用来帮助管芯的安装。但应指出,这种管芯对准图形的使用并不是本发明的主要特征。
图1显示了器件10的通用特征。由于引线框12中连结杆的结构,使得几种不同的半导体管芯尺寸和形状都可使用。常规器件一般地使用带有片板的引线框,管芯安装在片板上。片板稍大于管芯以提供一个大的管芯固定区,从而尽量增大管芯与片板间的粘附力。采用这种片板时,半导体制造厂家在器件中所能使用的管芯种类就受到限制。因而,对于不同的管芯形状和尺寸,厂家必须设计新的引线框。如前所述,新的设计工作将延误产品的推出并增加制造成本。
与传统方法相比,本发明的器件消除了很多新引线框的设计。如图1所示,器件10不使用片板,而是将管芯20安置在连结杆16上。由于连结杆16的结构,几乎任何尺寸和形状的管芯都可以支托。对管芯20尺寸和形状的限制来自确定管芯放置区18的引线14的管内部分。对使用引线框12的管芯尺寸的另一限制可能是引线的长度。当管芯尺寸变小时,为将管芯电连接到引线14所需的引线24的长度增大。于是,厂家对引线长度的上限就设定了管芯尺寸的下限。
对管芯尺寸的其它限制可能来自连结杆的结构。例如,若采用肩区19或其它对准特征,当将一个覆盖了对准特征的管芯安装到连结杆上时,其原来的对准目的就无法实现。但肩区或其它对准特征的采用并不妨碍使用各种管芯尺寸。尽管对准特征到管心的距离可能随管芯尺寸而变化,一些不同的管芯尺寸仍然可用于同一个引线框结构。例如,比管芯20小的管芯尺寸仍能安装在连结杆16上。另一个限制管芯尺寸的连结杆特征可以是如图1所示的下弯区26。连结杆的15部分同引线14大约处于同一平面,而下弯区26使17部分处于一较低的平面。沿图中2-2线的封装器件10的剖面图示于图2,其中也示出了这一下弯特点。下弯连结杆是用来降低管芯相对于引线的位置以便利焊线工作的。若连结杆16中设计有下弯区,则管芯20的尺寸被进一步限制在下弯区之内以避免将管芯安装在非共平面的连结杆上。
图2的剖面图有助于理解为什么比起采用常规引线框及片板的器件来,器件10更能抗管壳剥裂。图2所示器件10封装在塑料树脂管壳体28中。管壳体28是用传统的塑封方法形成在器件周围的。但与传统的塑料管壳不一样,由于器件20是由连结杆16支托所以管壳体不易于破裂。在图2中;由于剖面处正好位于各连结杆相会合的地方,故看起来只有一个连结杆支托着管芯。管壳体28之所以不易破裂的原因是塑封材料同管心支托(此处即连结杆16)之间的界面总面积比之常规器件界面面积要小得多。为讨论起见,将管芯支托件与塑料之间的界面称之为塑料-金属界面而不是塑料-片板界面,这是因为并非本发明的全部实施例都带有片板。在采用片板的常规器件,在管芯安置区内的塑料-金属界面与片板的面积相等,稍大于管芯的面积。另一方面,器件10的塑料-金属界面却小得多,等于连结杆的表面积。
器件10及本发明其它实施例中管壳破裂性能的改善可归因于改进了的粘附特性。如前所述,剥裂一般发生在片板和塑封材料之间,其原因是引线框金属与常规塑封材料之间的高应力和固有的粘附不良。本发明采用尽量减小塑料-金属交界面面积从而将潜在的剥裂面积减到最小的方法,改善了剥裂问题。引线框与塑料界面面积的减小导致塑封材料与半导体管芯背面之间界面(此处称之为塑料-管芯界面)的增加。由于塑料封装材料与硅(最常用的半导体管芯材料)之间的粘附力比塑料与大多数引线框金属之间的粘附力强,故塑料-管芯界面的增加是有利的。因而,塑料-管芯界面处比之塑料-金属界面更不易发生剥裂。
根据本发明的最佳实施例,为增大塑料-管芯界面面积,将连结杆或管芯支托件的总面积减到最小。为减小连结杆或管芯支托的总面积,各连结杆的宽度被减到最小。在常规管壳中,用来支托片板的连结杆的宽度范围约为0.20-0.65mm(8-16密耳),通常为0.4-0.5mm(15-20密耳)。这种连结杆宽度很适用于本发明。然而,如前面参照图1所作出解释,微加宽一些连结杆可能更为有利。如图1所示,加宽连接杆以产生管芯对准用的肩区。从上面列举的标准连结杆宽度加宽连结杆的另一个原因涉及到管芯安装工艺。
大多数半导体管芯是用管芯粘附环氧树脂(例如掺银环氧树脂)安装到常规器件的片板上的。传统上,环氧树脂是按预定的点或线图形分配到片板上的,这一图形要设计得使管芯适当地粘附到片板上,不留空隙并在管芯边缘形成合适的镶边(fillet)。在本发明中,选取适当的连结杆宽度去适应厂家现有的管芯安装工艺和设备可能是有利的。例如,具体的配料系统根据用来分配材料所用的喷射器的尺寸,对其所能够分配的树脂量可能有一个下限。作为例子,一个系统所能分配的最小树脂点的直径可能约为0.4-0.5mm(15-20密耳)。当使管芯压向其支托件时,树脂分散开来。因此,为防止管芯粘结材料溢出到连结杆边缘上,使用本发明时可选取足以容纳溢出粘料的连结杆宽度。
在最佳实施例中,管芯粘结材料分配为X形点状图形,每一连结杆上成一单行点。在很多市售管芯粘结材料分配系统中,配料喷管之直径在0.4-0.5mm(15-20密耳)数量级。粘度、固紧压力、温度及其它工艺参数会影响管芯粘结过程中管芯粘结材料的分布程度。但使用X形单行点状态分布图形,用最常见的市售分配系统,可容易地将粘料容纳在1.5mm(60密耳)宽的连结杆内。就制造工艺、材料及分配系统的发展趋势而言,相信宽度小得多的连接杆能用于这些分配系统。而且,不受这种分配限制的其它管芯安装方法可以用于宽度更窄的连结杆。例如,管芯可用胶带安装在连结杆上。这样,使用宽度为标准值0.2mm(0.8密耳)到更宽的1.5mm(60密耳)的连结杆都可以实施本发明,此时由于金属-塑料界面总面积比现有技术的小得多,仍可保持抗管壳破裂的能力。为尽可能减小金属-塑料界面面积,上述宽度范围应能代表器件连结杆的最宽部位。于是,本发明最佳实施例的最大连结杆宽度应为小于约1.6mm(63密耳)。
值得指出的是:当管芯尺寸减小时,管芯与塑料之间的粘附面积也减小,以致即使连结杆做成尽可能窄,管芯和塑料间的粘附力仍可能不足以阻止管壳破裂。虽然管芯尺寸减小时管壳中的总应力也减小了。这说明,本发明在防管壳破裂方面,对较大的管芯更为有效(虽然各种尺寸的管芯都可使用本发明并从中获益)。例如,本发明很适于面积为3.8毫米(150密耳)见方或更大的管芯,而最佳的管芯面积为6.5毫米(250密耳)见方或更大。以这一管芯面积和上述连结杆宽度,管芯和塑料管壳的界面面积大于或等于金属连结杆和塑料管壳的界面面积。因此,与确立连结杆宽度为实施本发明的一个重要尺度相比,将管芯-塑料界面总面积和金属-塑料界面面积进行一下比较也很重要。一般说来,管芯-塑料界面面积应大于金属-塑料界面面积(不包括引线和塑料的界面)。在最佳实施例中,管芯-塑料界面面积大于金属-塑料界面面积的二倍。
图3示出了部分引线框30的俯视图。引线框30具有可用于本发明半导体器件的各种特征。同样,引线框30有很多与图1中引线框12相同的特征。因此,两图中相似的数字代表相同或相似的元件。引线框30的四个连接杆32伸过管芯安置区18以形成X形管芯托(图3中未示出半导体管芯)。与图1中的连接杆16不同,每一连结杆32的宽度在整个管芯安置区18都大体相同,而且32的宽度小于连接杆16的宽度。采用比连接杆16更窄的连结杆32的优点在于:用连接杆32时,塑料-金属界面面积更小,从而减小剥裂和管壳破裂的机会。另一方面,连结杆32没有肩区来帮助管芯对准。但可给连接杆32引入其它特征来帮助管芯的安装。图3示出了一些适当的可用的特征,如对准特征34、35、36和37。每一连结杆32上含有一种代表各种可用特征的对准特征。但应指出:有多少数目的连结杆就可带有多少数目和类型的对准特征。图3还显示出引线框30的通用属性,表明同一个引线框可用于二种不同的管芯尺寸(剖视图中由线38和39表示)。
可注意到图3中管芯各角与连结杆重合。由于管芯各个尖锐的角不完全暴露而是被连结杆从下面保护着,这种定位方法应能降低在封装器件各管芯角处的应力集中。
可在连结杆上引入一种微型片板来作为本发明半导体器件的附加管芯支托和管芯粘附区域。图4以俯视图示出了带有这种微型片板42的引线框40的部分。微型片板42的面积保持小于半导体管芯(如线框44所示)的面积以保持微型片板和塑封材料(未绘出)之间的界面总面积小于常规器件中的界面面积。引线框40的连接杆尺寸与前述相同。微型片板的尺寸可加以优化以符合具体厂家的工艺和可靠性要求。然而,作为一个一般准则,微型片板42的面积应小于安装于其上的半导体管芯面积的一半。但微型片板与标准化了的管芯的面积相对比值可能满足某些半导体管芯而不能满足其它的管芯。在确定微型片板42究竟做多大的过程中,应记住:随着微型片板尺寸的增加,塑料-金属界面面积也增加从而增大剥裂和管壳破裂的可能性。图5是将引线框40封入本发明半导体器件45中后的剖面图。器件45中的其它元件与前述实施例讨论的其它元件相似或相同,因此用相同的参考号加以标注。
由于同一种引线框可用于大量不同管芯尺寸,故采用微型片板后仍能保持本发明半导体器件的通用属性。根据本发明使用微型片板的半导体器件排除了先前对片板尺寸和形状的约束。例如,如图6所示,引线框50(只部分示出)可包括一种圆形微型片板52用以支托一个大的管芯(图中如线框54所示)。
微型片板还可用于连结杆少于四个的半导体器件中,如图7所示。引线框60(只部分示出)有多根引线62,其内部定出了一个管芯安置区63。两个连结杆64穿超管芯安置区63。含有从管芯安置区对边延伸的二个连结杆的引线框最常用于PDIP(塑料双列直插)器件中。如在前述引线框图示中一样,没有示出引线框60的全部。例如,本领域的普通技术人员应理解连结杆和引线延伸到了条形引线框的横杆上,不过并未示出整个条形和横杆。与连结杆64结合在一起微型片板66,其面积要小于装于其上的半导体管芯(图中线框68所示)的面积。采用微型片板可使几种不同尺寸的管芯能够安装到微型片板66上而不必重新设计整个引线框,从而可节约制造成本。因同本发明的其它实施例一样,减小微型片板66的面积可使引线框塑封后的塑料-金属界面比常规器件更小。因而更不易出现剥裂和管壳破裂问题。
在实施本发明时,可能有必要修正现有的半导体器件组装工艺。一个可能的修改是需要改变用来向引线框管芯支托施加粘结材料(如图2和5中的粘附剂21)的印刷图形。在使用片板大于半导体的传统引线框时,粘附剂通常由分配头以一预定图形加到片板上。在实施本发明时,如在图1的器件10中,要把管芯粘料图形限定在管芯之下的连结杆部分17。因而可能需要修改粘附剂分配头。由于管芯支托面积较小,所分配的管芯粘料也减少了。由于某些原因,还可能需要更严格的工艺控制。由于管芯伸出在管芯支托(连结杆或微型片板)之外,在安装半导体管芯时使管芯粘料不分散到管芯支托之外以防止粘料沾污工作台是重要的。控制管芯粘结剂量的另一理由是为了提供合适的镶边。在常规半导体器件中,在半导体管芯的周围形成管芯粘料的镶边。在本发明中,环绕着管芯支托的周围。图2和5示出了本发明的一种合适的管芯粘料镶边。
另一工艺修改可能在引线焊接时是有用的。由于半导体管芯的周边未被完全地支持,在进行引线焊接时在管芯周边支持可能是有利的。焊点通常(但不总是)位于管芯的周边附近。这样,为了将引线固定在每一个焊点上,每次焊接时,焊线工具必然对管芯周围施加压力。如果焊线压力够高或管芯挠性不够,则存在着施加的力引起管芯未被支持的部分发生破裂的危险。因此,可能需要在焊线台中引入一个支持装置。例如,焊线台可设计为包括一个与连结杆(及微型片板,若有的话)的图形和厚度相匹配的保险装置,使平台和连接杆(及微型片板,若有的话)形成一个大体上平的连续表面。结果,在焊线操作中,整个管芯就被连结杆和平台共同支持。用平的连续表面支持管芯的进一步优点是在焊线操作过程中,管芯可以得到均匀的加热。应当指出,在实施本发明时,也可能不必对现有焊线操作进行修改。要不要修改取决于很多因素,举例来说包括压焊力、管芯厚度、管芯尺寸和焊点位置等。
此处包含的前述情况与图示显示了与本发明有关的很多优点。特别是已表明通过尽量减小塑料-金属内部界面,能够消除半导体器件中的剥裂和管壳破裂。这是根据本发明以完全不用常规片板而用连结杆来支持半导体管芯的方法,或以采用面积小于管芯的微型片板的方法而实现的。用降低管壳破裂可能性的办法,半导体厂家可免却昂贵的干法填充工艺。而且,本发明有助于解决与专用管芯引线框结构相关的制造问题。用于本发明器件的管芯支托件可支持各种尺寸的管芯,因而不必为每一种管芯设计新的引线框。因此降低了包括设计和库存量费用在内的制造成本。
显然,本发明已提供了一种带有通用的低应力管芯支托的半导体器件及其制造方法,完全符合前述的需要与优点。虽然根据具体实施例已描述和图示了本发明,但这并不意味本发明只限于这些解释过的实施例。本领域普通技术人员应认识到:可做出各种修正和改变而不超越本发明的构思。例如,用来支持半导体管芯的连结杆不必是X形。可预料任何可合适地支持管芯的结构都是适宜的。此外,本发明不局限于任何特定数的管芯支持用连结杆。就具体器件含有连结杆数目而言,其术语中存在一些混淆。例如在图7中,人们可以说引线框60有一个连结杆。为避免混淆,前面描述中所引用的连结杆数目表示连结杆与引线框横杆连接处的数目。这与连结杆从引线框被切下而与管壳体的一边齐平的切点的数目相同。这样,不管是否有微型片板66,因为连结杆同横杆(未绘出)在两个地方相连。不管在何种情况下,所用连结杆的数目都不如连结杆结构的属性那样重要。例如,在一个最佳实施例中,连结杆构成一个连续跨越整个管芯安置区的管芯支托件。在根据本发明采用微型片板时,可用任何已知的方法来修改微型片板以改善管壳破裂性能。例如,微型片板可以是窗框式的。还应指出的是,本发明也适用于管芯朝下结构的半导体器件。换言之,管芯安装在连结杆(或微型片板)上使管芯的有源表面贴近于管芯支托。这些修改都是在本发明的范围之内。此外,本发明不受管壳结构(如QGP、PDIP等)的外部引线结构(如J形、鸥翅l形或通孔形)的限制。本发明也不受封装材料、引线框材料或半导体器件与引线间电连接方法的类型之限制。从而意味着本发明包含所有这些落入所附权利要求范围的改变和修正。

Claims (8)

1.一种半导体器件(10),其特征为:
其引线框包含:
多根具有内部引线部分和外部引线部分的引线(14),其中的内部引线部分确定一个有中心区域的空白区;以及
多根横穿空白区并在其中心区附近相连接的连结杆(16);
一片安装在连结杆上并由其支托的半导体管芯(20);
将半导体管芯与引线内部部分进行电连接的装置(24);以及
一种包封半导体管芯和多根引线的内部引线部分的塑料管壳体(28);
其中,连接杆是支持半导体管芯的唯一引线框部分,塑料管壳体和管芯支托件之间的界面面积等于金属-塑料界面面积,半导体管芯背侧的表面面积减去金属-塑料界面面积等于管芯-塑料界面面积,金属-塑料界面面积小于管芯-塑料界面面积,每一连结杆包括具有宽度的第一部分(15)和具有最大宽度大于第一部分宽度的第二部分(17),半导体管芯安装于连结杆的第二部分上,半导体管芯有多个侧边,其中各连结杆具有将第一部分和第二部分分开的肩区,各肩区近似地平行于半导体管芯的侧边。
2.权利要求1的半导体器件,其中的多根连结杆包含横穿空白区并相交形成X形管芯支托件的多根连结杆。
3.一种半导体器件(10),其特征为:
各有一内部引线部分和一外部引线部分的多根引线(14),各内部引线部分合起来确定一空白区;
一种位于空白区内其形状大体为X形的金属管芯支托件,管芯支托件包含四个连结杆(16)并有一表面积,每一连接杆有一最大宽度;
一片安装于X形管芯支托件上的半导体管芯(20),该管芯有一表面面积;
将半导体管芯同许多引线进行电连接的装置(24);以及
一种包封半导体管芯、管芯支托件及多根引线内引线部分的塑料管壳体(28);
其中塑料管壳体和管芯支托件之间的界面面积等于金属-塑料界面面积,半导体管芯背侧的表面面积减去金属-塑料界面面积等于管芯-塑料界面面积,金属-塑料界面面积小于管芯-塑料界面面积,其中每一连结杆包括具有宽度的第一部分(15)和具有最大宽度大于第一部分宽度的第二部分(17),其中半导体管芯安装于连结杆的第二部分上,半导体管芯有多个侧边,其中各连结件具有将第一部分和第二部分分开的肩区,各肩区近似地平行于半导体管芯的侧边。
4.权利要求3的半导体器件,其中每个连结杆的最大宽度小于大约1.6毫米。
5.权利要求3的半导体器件,其中的管芯-塑料界面面积至少二倍于金属-塑料界面面积。
6.权利要求5的半导体器件,其中每一连结杆的最大宽度小于大约1.6毫米。
7.权利要求1或3的半导体器件,还包含一个位于空白区中央各连结杆交会处的微型片板,其中的微型片板的表面积小于管芯的表面积。
8.权利要求7的半导体器件,其中微型片板的表面积小于管芯表面积的一半。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW374952B (en) * 1997-03-24 1999-11-21 Seiko Epson Corp Semiconductor device substrate, lead frame, semiconductor device and the manufacturing method, circuit substrate and the electronic machine
JP2001074904A (ja) 1999-09-02 2001-03-23 Canon Inc 二波長反射防止膜
KR100355794B1 (ko) * 1999-10-15 2002-10-19 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지
JP2005079181A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd リードフレーム、それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
US7875965B2 (en) 2008-03-18 2011-01-25 Mediatek Inc. Semiconductor chip package
US8018037B2 (en) * 2009-04-16 2011-09-13 Mediatek Inc. Semiconductor chip package
JP5569097B2 (ja) 2010-03-29 2014-08-13 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びリードフレーム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6381966A (ja) * 1986-09-26 1988-04-12 Hitachi Ltd 電子装置
JPS63204753A (ja) * 1987-02-20 1988-08-24 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JPH0274065A (ja) * 1988-09-09 1990-03-14 Matsushita Electron Corp リードフレーム

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5866346A (ja) * 1981-10-16 1983-04-20 Nec Kyushu Ltd 半導体装置
JPS6072236A (ja) * 1983-09-28 1985-04-24 Toshiba Corp 半導体装置
JPS61110454A (ja) * 1984-11-02 1986-05-28 Nec Corp 混成集積回路装置
JPH04363056A (ja) * 1990-11-20 1992-12-15 Seiko Epson Corp 集積回路用リードフレーム及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6381966A (ja) * 1986-09-26 1988-04-12 Hitachi Ltd 電子装置
JPS63204753A (ja) * 1987-02-20 1988-08-24 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JPH0274065A (ja) * 1988-09-09 1990-03-14 Matsushita Electron Corp リードフレーム

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