JPH0399459A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、AV機器やOA/FA機器などに利用する樹
脂封止型半導体装置に係わり、特に、そのパッケイジ(
Package)に好適する。
脂封止型半導体装置に係わり、特に、そのパッケイジ(
Package)に好適する。
(従来の技術)
最近のように半導体素子の利用分野の拡大に伴って、い
わゆるプリント基板を利用するモジュール型の半導体装
置の需要が拡大しており、その組立工程には、表面実装
方式が多用されているのが現状である。ところで半導体
素子の組立工程の主流であるリードフレームを利用する
方式では、従来通りマウンタ及びワイヤーボンダを利用
している。
わゆるプリント基板を利用するモジュール型の半導体装
置の需要が拡大しており、その組立工程には、表面実装
方式が多用されているのが現状である。ところで半導体
素子の組立工程の主流であるリードフレームを利用する
方式では、従来通りマウンタ及びワイヤーボンダを利用
している。
モジュール型の半導体装置では、必要とする回路を構成
する抵抗、L成分及び半導体素子をプリント基板に常法
に従ってマウントすることによって、主要な回路素子の
外に周辺回路を一体に形成して経費、スペースなどを削
減可能となり需要が増大している。
する抵抗、L成分及び半導体素子をプリント基板に常法
に従ってマウントすることによって、主要な回路素子の
外に周辺回路を一体に形成して経費、スペースなどを削
減可能となり需要が増大している。
ここで、複数の半導体素子がマウント可能なリードフレ
ームとしては第1図と第2図に示す構造が知られており
、リードフレームに半導体素子がマウントされた上面図
が第1図aと第2図aに、この半導体素子の樹脂封止後
の斜視図が第1図すと第2図すに示されている。
ームとしては第1図と第2図に示す構造が知られており
、リードフレームに半導体素子がマウントされた上面図
が第1図aと第2図aに、この半導体素子の樹脂封止後
の斜視図が第1図すと第2図すに示されている。
リードフレームは種類によって細部の構造が異なるが、
金属製枠体を起点としてリードが形成されるのは同じで
あり、図のDIP型では、リード1の導出方向に交差し
て設置する枠体2にスリット3を形成し、遊端となる各
リードの終端付近に設置したアイランド(以後ベッド部
と記載する)に半導体ベレット4をマウントする。この
ベッド部は第1図aの例では各リード及びベッド部5に
連続した金属接続部6により枠体2に固定している。し
かし、第2図aに示すように枠体2の中央部分には、上
記のようにリード1より幅広でかつ縦横同じ長さに形成
したベッド部5が形成されている。このリードフレーム
に組立てられた半導体ベレット4は、所定の工程を経て
封止樹脂層6からなるパッケイジ(以後外囲器と記載す
る)で被覆し、最終形状が第1図すと第2図すに示され
ている。即ち、封止樹脂層6外に導出する外部リード1
端は所定の角度に折曲げて他の機器との接続に備えるが
、表面実装方式用には、特殊な折曲形状とする例もある
。第2図すの封止樹脂層6における丸い部分は、マーク
としての役割りを果たすものである。
金属製枠体を起点としてリードが形成されるのは同じで
あり、図のDIP型では、リード1の導出方向に交差し
て設置する枠体2にスリット3を形成し、遊端となる各
リードの終端付近に設置したアイランド(以後ベッド部
と記載する)に半導体ベレット4をマウントする。この
ベッド部は第1図aの例では各リード及びベッド部5に
連続した金属接続部6により枠体2に固定している。し
かし、第2図aに示すように枠体2の中央部分には、上
記のようにリード1より幅広でかつ縦横同じ長さに形成
したベッド部5が形成されている。このリードフレーム
に組立てられた半導体ベレット4は、所定の工程を経て
封止樹脂層6からなるパッケイジ(以後外囲器と記載す
る)で被覆し、最終形状が第1図すと第2図すに示され
ている。即ち、封止樹脂層6外に導出する外部リード1
端は所定の角度に折曲げて他の機器との接続に備えるが
、表面実装方式用には、特殊な折曲形状とする例もある
。第2図すの封止樹脂層6における丸い部分は、マーク
としての役割りを果たすものである。
(発明が解決しようとする課題)
リードフレームに形成するリードは、ベッド部にマウン
トする半導体ペレットより径小なために、当然ベッド部
も径大とせざるを得ず、封止樹脂層における金属面積の
実装密度を大幅に向上する基になる。
トする半導体ペレットより径小なために、当然ベッド部
も径大とせざるを得ず、封止樹脂層における金属面積の
実装密度を大幅に向上する基になる。
一方複数の半導体ベレットをマウントして付加価値を高
めた半導体素子を形成するには、ベッド部に工夫をこら
さなければならない。即ち、通常のベッド部にマウント
できる半導体ベレット数はその大きさにより制限される
ので、当然外の場所に形成しなければならない。ところ
でベッド部にマウントした半導体ベレットは、リード間
に金属細線をいわゆるボンディング法により固着して回
路接続を行わなければならないので、複数の半導体ペレ
ットをマウントした場合は、封止樹脂層端付近に対応位
置するリード先端部分にはこの回路接続の密度が大きい
。このため、リードの終端でなく途中にその径より大き
く、通常のベッド部より小型のベッド部を設置する方式
が知られている。
めた半導体素子を形成するには、ベッド部に工夫をこら
さなければならない。即ち、通常のベッド部にマウント
できる半導体ベレット数はその大きさにより制限される
ので、当然外の場所に形成しなければならない。ところ
でベッド部にマウントした半導体ベレットは、リード間
に金属細線をいわゆるボンディング法により固着して回
路接続を行わなければならないので、複数の半導体ペレ
ットをマウントした場合は、封止樹脂層端付近に対応位
置するリード先端部分にはこの回路接続の密度が大きい
。このため、リードの終端でなく途中にその径より大き
く、通常のベッド部より小型のベッド部を設置する方式
が知られている。
しかし、樹脂封止工程後に実施するカット&ベンド工程
でマウントされた半導体ベレットがばらばらにならない
ようにするために通常リードフレームには、吊りピンが
形成されている。
でマウントされた半導体ベレットがばらばらにならない
ようにするために通常リードフレームには、吊りピンが
形成されている。
このような複数のベッド部に半導体ペレットをマウント
する型のリードフレームでは、吊りピンを設置するスペ
ース(Space)がないので、所定の半導体素子を形
成することができず、高付加価値の半導体装置を実現す
ることができなかった。
する型のリードフレームでは、吊りピンを設置するスペ
ース(Space)がないので、所定の半導体素子を形
成することができず、高付加価値の半導体装置を実現す
ることができなかった。
本発明は、このような事情により成されたもので、特に
、民生用/産業用を問わず、高付加価値の半導体装置を
実現することを目的とする。
、民生用/産業用を問わず、高付加価値の半導体装置を
実現することを目的とする。
(発明の構成)
(課題を解決するための手段)
相対的な大小関係にあり半導体素子をマウントする複数
の金属製ベッド部の中最大のものを囲むように配置する
リードと、このリードの途中に形成し最大の金属製ベッ
ド部より径小金属製ベッド部と、金属製ベッド部にマウ
ントする半導体素子の電極と径小なリード間を結ぶ金属
細線と、各部品を被覆する封止樹脂層と、この封止樹脂
層外に相対向して導出するリード端及び最大の金属製ベ
ッド部の延長部と、リード端に位置しかつ導出方向に沿
って形成する吊りピンに本発明に係わる樹脂封止型半導
体装置の特徴がある。
の金属製ベッド部の中最大のものを囲むように配置する
リードと、このリードの途中に形成し最大の金属製ベッ
ド部より径小金属製ベッド部と、金属製ベッド部にマウ
ントする半導体素子の電極と径小なリード間を結ぶ金属
細線と、各部品を被覆する封止樹脂層と、この封止樹脂
層外に相対向して導出するリード端及び最大の金属製ベ
ッド部の延長部と、リード端に位置しかつ導出方向に沿
って形成する吊りピンに本発明に係わる樹脂封止型半導
体装置の特徴がある。
(作 用)
リードフレームに複数の半導体素子をマウント可能にす
るためには、金属製ベッド部を複数個形成する必要があ
るが、各リードと枠体の中間的な場所にならざるを得ず
、樹脂封止後にリードフレームのリード切断工程におい
て、リードフレームと被封止半導体素子を接続状態とす
る吊りピンを端の部分に形成することによってハイブリ
ッド方式により複数の半導体素子や抵抗などを備えた電
子回路を備えたモジュール製品を形成可能にするもので
ある。
るためには、金属製ベッド部を複数個形成する必要があ
るが、各リードと枠体の中間的な場所にならざるを得ず
、樹脂封止後にリードフレームのリード切断工程におい
て、リードフレームと被封止半導体素子を接続状態とす
る吊りピンを端の部分に形成することによってハイブリ
ッド方式により複数の半導体素子や抵抗などを備えた電
子回路を備えたモジュール製品を形成可能にするもので
ある。
(実施例)
第3図a、b、cにより本発明に係わる一実施例を説明
する。即ち、第3図aに明らかなように、純鉄、鉄合金
(Fe−NL)または鋼や銅合金にプレス工程を施して
DIP型またはSIP型とDIP型用の混合型用のリー
ドフレームを形成する。その構造の概略は、周囲に配置
する枠体(図示していない)から中心に向かって延長し
、樹脂封止工程後アウターリード(Outer Lea
d)として機能しかつこの名称に変更される複数のリー
ド20・・・を形成する。リード20・・・の導出方向
は、図では2方向即ち相対向する方向であるが、枠体を
4方向に形成した場合は、当然リードの導出方向は4方
向になる。
する。即ち、第3図aに明らかなように、純鉄、鉄合金
(Fe−NL)または鋼や銅合金にプレス工程を施して
DIP型またはSIP型とDIP型用の混合型用のリー
ドフレームを形成する。その構造の概略は、周囲に配置
する枠体(図示していない)から中心に向かって延長し
、樹脂封止工程後アウターリード(Outer Lea
d)として機能しかつこの名称に変更される複数のリー
ド20・・・を形成する。リード20・・・の導出方向
は、図では2方向即ち相対向する方向であるが、枠体を
4方向に形成した場合は、当然リードの導出方向は4方
向になる。
図に示すように、各リードの先端を道端とし、それに近
い位置即ち枠体のほぼ中心位置に最大の金属製のベッド
部21を形成する。この図では、幅が広いベルト状の支
持帯22によって支えており、リード20・・・の一部
の中間にも他の金属製のベッド部23・・・を形成する
。しかし、この各リード20・・・を導出する方向に沿
って吊りピン24.24を形成しているが、場所として
は、当然端の部分になる。
い位置即ち枠体のほぼ中心位置に最大の金属製のベッド
部21を形成する。この図では、幅が広いベルト状の支
持帯22によって支えており、リード20・・・の一部
の中間にも他の金属製のベッド部23・・・を形成する
。しかし、この各リード20・・・を導出する方向に沿
って吊りピン24.24を形成しているが、場所として
は、当然端の部分になる。
ところで、金属製のベッド部21及び23・・・には、
夫々所定の特性をもった半導体ペレット25・・・をマ
ウントしてAV機器などに必要なインターフj−−スを
含めた電子回路を構成する。従って、各半導体ペレット
25・・・と各リード間に金属細線2B・・・を熱圧着
法または超音波熱圧着法によりポールボンディング(B
al I BondIng) L、完成図が第3図aに
示されている。この図では、単純な金属細線26・・・
接続図が明らかにされているが、複雑な回路にあっては
、−旦接続した金属細線の上方に更に他の金属細線を異
なったループ(Loop)により形成して違った回路端
子を接続するいわゆるT−0@B(Turn 0ver
Bondlng)なども成されることもある。
夫々所定の特性をもった半導体ペレット25・・・をマ
ウントしてAV機器などに必要なインターフj−−スを
含めた電子回路を構成する。従って、各半導体ペレット
25・・・と各リード間に金属細線2B・・・を熱圧着
法または超音波熱圧着法によりポールボンディング(B
al I BondIng) L、完成図が第3図aに
示されている。この図では、単純な金属細線26・・・
接続図が明らかにされているが、複雑な回路にあっては
、−旦接続した金属細線の上方に更に他の金属細線を異
なったループ(Loop)により形成して違った回路端
子を接続するいわゆるT−0@B(Turn 0ver
Bondlng)なども成されることもある。
また、後続の樹脂封止工程では、金型に形成されたカル
及びランナーを経て溶融樹脂層がゲートからキャビティ
内に流入するので、溶融樹脂層の流路に交差する方向に
金属細線2B・・・の長手方向を位置させるのは好まし
くない。
及びランナーを経て溶融樹脂層がゲートからキャビティ
内に流入するので、溶融樹脂層の流路に交差する方向に
金属細線2B・・・の長手方向を位置させるのは好まし
くない。
第3図aに示されていないが、各リードに交差する方向
には、機械的強度を増すためにいわゆる金属細条を設置
しであるが、枠体共々機械的手段即ちプレス工程により
切断・除去する。しかし、吊りピン24.24の存在に
より各リードや大小の金属製ベッド部21.23・・・
がばらばらにならず、しかも各種の半導体ペレット25
・・・をマウントしたリードフレームが得られ、樹脂封
止工程に移行して多角形状の封止樹脂層27を形成する
。
には、機械的強度を増すためにいわゆる金属細条を設置
しであるが、枠体共々機械的手段即ちプレス工程により
切断・除去する。しかし、吊りピン24.24の存在に
より各リードや大小の金属製ベッド部21.23・・・
がばらばらにならず、しかも各種の半導体ペレット25
・・・をマウントしたリードフレームが得られ、樹脂封
止工程に移行して多角形状の封止樹脂層27を形成する
。
第3図すには、リードフレームを利用して半導体ペレッ
トをマウントしたモジュール製品の斜視図を示したが、
吊りピン24.24は、アウターリード20の成型時に
切断除去し、多角形状の封止樹脂層27の厚さ方向を構
成する導出面28には、アウターリードや金属製ベッド
部の支持帯22が成型されて導出されている。
トをマウントしたモジュール製品の斜視図を示したが、
吊りピン24.24は、アウターリード20の成型時に
切断除去し、多角形状の封止樹脂層27の厚さ方向を構
成する導出面28には、アウターリードや金属製ベッド
部の支持帯22が成型されて導出されている。
(1)このように本発明に係わる樹脂封止型半導体装置
は、実装密度が高く、高付加価値に形成でき、しかも軽
薄短小、高信頼性の電子機器を低コスト(Cost)で
、その上従来の製造ラインを同等変更せずに製造するこ
とができる。
は、実装密度が高く、高付加価値に形成でき、しかも軽
薄短小、高信頼性の電子機器を低コスト(Cost)で
、その上従来の製造ラインを同等変更せずに製造するこ
とができる。
(2)特定のパターン即ち複数個のベッド部を形成した
リードフレームに、複数個の半導体素子をマウントして
、システム(Systes+)規模の樹脂封止型半導体
装置を製造する方が、回路基板を利用するよりも低コス
トで形成でき、しかも吊りピンの取出しを、実装密度を
損なうことなく実現できる本発明は、明らかに従来のも
のより有利となる。
リードフレームに、複数個の半導体素子をマウントして
、システム(Systes+)規模の樹脂封止型半導体
装置を製造する方が、回路基板を利用するよりも低コス
トで形成でき、しかも吊りピンの取出しを、実装密度を
損なうことなく実現できる本発明は、明らかに従来のも
のより有利となる。
第1図a及び第2図aは、従来の樹脂封止型半導体装置
のマウント状況を示す上面図、第1図す及び第2図すは
、第1図a及び第2図aのマウント後樹脂封止して完成
した樹脂封止型半導体装置の斜視図、第3図aは、本発
明の樹脂封止型半導体装置のマウント状況を示す上面図
、第3図すはその完成図である。 1.20・・・リード、 2・・・枠体、3・
・・スリット、 4.25・・・半導体ペレット、 5.21.23・・・ベッド部、 22・・・支持帯、 26・・・金属細線、 6・・・金属接続部、 24・・・吊りビン、 27・・・封止樹脂層。
のマウント状況を示す上面図、第1図す及び第2図すは
、第1図a及び第2図aのマウント後樹脂封止して完成
した樹脂封止型半導体装置の斜視図、第3図aは、本発
明の樹脂封止型半導体装置のマウント状況を示す上面図
、第3図すはその完成図である。 1.20・・・リード、 2・・・枠体、3・
・・スリット、 4.25・・・半導体ペレット、 5.21.23・・・ベッド部、 22・・・支持帯、 26・・・金属細線、 6・・・金属接続部、 24・・・吊りビン、 27・・・封止樹脂層。
Claims (1)
- 相対的な大小関係にあり半導体素子をマウントする複数
の金属製ベッド部の中最大のものを囲むように配置する
リードと、このリードの途中に形成し最大の金属製ベッ
ド部より径小な金属製ベッド部と、金属製べッド部にマ
ウントする半導体素子の電極と径小なリード間を結ぶ金
属細線と,各部品を被覆する封止樹脂層と、この封止樹
脂層外に相対向して導出するリード端及び最大の金属製
べッド部の延長部と、リード端に位置しかつ導出方向に
沿って形成する吊りピンを具備することを特徴とする樹
脂封止型半導体装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1236406A JP2519806B2 (ja) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
EP19900913544 EP0443044A4 (en) | 1989-09-12 | 1990-09-12 | Lead frame for semiconductor device and semiconductor device using the lead frame |
PCT/JP1990/001167 WO1991004575A1 (en) | 1989-09-12 | 1990-09-12 | Lead frame for semiconductor device and semiconductor device using the lead frame |
US07/678,336 US5200806A (en) | 1989-09-12 | 1990-09-12 | Lead frame having a plurality of island regions and a suspension pin |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1236406A JP2519806B2 (ja) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0399459A true JPH0399459A (ja) | 1991-04-24 |
JP2519806B2 JP2519806B2 (ja) | 1996-07-31 |
Family
ID=17000283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1236406A Expired - Lifetime JP2519806B2 (ja) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5200806A (ja) |
EP (1) | EP0443044A4 (ja) |
JP (1) | JP2519806B2 (ja) |
WO (1) | WO1991004575A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
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---|---|---|---|---|
JP2519806B2 (ja) * | 1989-09-12 | 1996-07-31 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置 |
JP2816244B2 (ja) * | 1990-07-11 | 1998-10-27 | 株式会社日立製作所 | 積層型マルチチップ半導体装置およびこれに用いる半導体装置 |
JPH05206365A (ja) * | 1992-01-30 | 1993-08-13 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置およびその組立用リードフレーム |
WO1993017455A2 (en) * | 1992-02-20 | 1993-09-02 | Vlsi Technology, Inc. | Integrated-circuit package configuration for packaging an integrated-circuit die and method of packaging an integrated-circuit die |
US6066890A (en) * | 1995-11-13 | 2000-05-23 | Siliconix Incorporated | Separate circuit devices in an intra-package configuration and assembly techniques |
JP2959521B2 (ja) * | 1997-05-21 | 1999-10-06 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法、リードフレーム |
KR102190382B1 (ko) | 2012-12-20 | 2020-12-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5623898Y2 (ja) * | 1974-06-20 | 1981-06-04 | ||
JPS5167065A (ja) * | 1974-12-09 | 1976-06-10 | Hitachi Ltd | Handotaisoshikumitateyofureemu |
JPS53108368A (en) * | 1977-03-04 | 1978-09-21 | Hitachi Ltd | Manufacture for resin seal type semiconductor device and its lead frame for its manufacture |
DE3106376A1 (de) * | 1981-02-20 | 1982-09-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiteranordnung mit aus blech ausgeschnittenen anschlussleitern |
JPS5827332A (ja) * | 1981-08-11 | 1983-02-18 | Toshiba Corp | リードフレームを用いた半導体装置の製造方法 |
JPS58220479A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光表示装置用リ−ドフレ−ム |
JPS61150356A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-09 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置の平面実装形態 |
US4794431A (en) * | 1986-04-21 | 1988-12-27 | International Rectifier Corporation | Package for photoactivated semiconductor device |
JPH0740790B2 (ja) * | 1987-02-23 | 1995-05-01 | 株式会社東芝 | 大電力パワ−モジユ−ル |
JPS63265455A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Matsushita Electronics Corp | リ−ドフレ−ム |
JP2754236B2 (ja) * | 1989-04-26 | 1998-05-20 | 株式会社日立製作所 | リードフレームおよびそれを使用する半導体装置の製造方法 |
JP2519806B2 (ja) * | 1989-09-12 | 1996-07-31 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH03152965A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-06-28 | Nec Corp | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-09-12 JP JP1236406A patent/JP2519806B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-09-12 WO PCT/JP1990/001167 patent/WO1991004575A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1990-09-12 US US07/678,336 patent/US5200806A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-12 EP EP19900913544 patent/EP0443044A4/en not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0443044A1 (en) | 1991-08-28 |
WO1991004575A1 (en) | 1991-04-04 |
US5200806A (en) | 1993-04-06 |
EP0443044A4 (en) | 1993-04-14 |
JP2519806B2 (ja) | 1996-07-31 |
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