JPS61150356A - 樹脂封止型半導体装置の平面実装形態 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の平面実装形態Info
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- JPS61150356A JPS61150356A JP27841384A JP27841384A JPS61150356A JP S61150356 A JPS61150356 A JP S61150356A JP 27841384 A JP27841384 A JP 27841384A JP 27841384 A JP27841384 A JP 27841384A JP S61150356 A JPS61150356 A JP S61150356A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野）
本発明は樹脂封止型半導体装置の平面実装形態に関し、
特に薄型パッケージの樹脂封止型半導体装置に適用して
放熱性の向上に効果的な平面実装形態に係る。
特に薄型パッケージの樹脂封止型半導体装置に適用して
放熱性の向上に効果的な平面実装形態に係る。
樹脂パッケージはセラミックパッケージに比較して廉価
であることから広く用いられており、特に第２図（Ａ）
又は（Ｂ）に示すようなパッケージ形状を有するものは
、機器の小型化に対する要求から近年大きな需要の高ま
りをみせている。
であることから広く用いられており、特に第２図（Ａ）
又は（Ｂ）に示すようなパッケージ形状を有するものは
、機器の小型化に対する要求から近年大きな需要の高ま
りをみせている。
同図（Ａ＞（Ｂ）において、１は樹脂モールド層からな
る外囲器、２・・・及び２′・・・はリードビンである
。第２図（Ａ）の場合には樹脂外囲器１の側壁から延出
したリードビン２・・・が外囲器の底面レベルにまで折
曲げられた後、更にその先端部分が外囲器底面に略平行
に折り返されているのに対し、同図（Ｂ）のものは外囲
器１の側壁がら延出されて外囲器底面レベルにまで折曲
げられたり−ドビン２′・・・がそのまま終端されてい
る。両者はこの点でのみ相違し、その他の構造は全て同
じである。何れの場合にも、外囲器１の内部には図示し
ない半導体チップが封止されており、リードビン２・・
・、２′・・・はこの半導体チップの内部端子にボンデ
ィングされている。
る外囲器、２・・・及び２′・・・はリードビンである
。第２図（Ａ）の場合には樹脂外囲器１の側壁から延出
したリードビン２・・・が外囲器の底面レベルにまで折
曲げられた後、更にその先端部分が外囲器底面に略平行
に折り返されているのに対し、同図（Ｂ）のものは外囲
器１の側壁がら延出されて外囲器底面レベルにまで折曲
げられたり−ドビン２′・・・がそのまま終端されてい
る。両者はこの点でのみ相違し、その他の構造は全て同
じである。何れの場合にも、外囲器１の内部には図示し
ない半導体チップが封止されており、リードビン２・・
・、２′・・・はこの半導体チップの内部端子にボンデ
ィングされている。
上記第２図（Ａ）（Ｂ）の樹脂封止型半導体装置では、
その樹脂外囲器１の厚さが通常のＤＩＰ型パッケージに
比較して極めて薄く、このため一般にフラットパッケー
ジタイプと呼ばれていが、フラットパッケージの明確な
定義はない。そこで、この明細書中では樹脂外囲器の厚
さがリードビンの厚さの１５倍以下で、且つ平面実装す
るようにリードフーミングされた樹脂封止パッケージを
フラットパッケージと呼ぶことにする。
その樹脂外囲器１の厚さが通常のＤＩＰ型パッケージに
比較して極めて薄く、このため一般にフラットパッケー
ジタイプと呼ばれていが、フラットパッケージの明確な
定義はない。そこで、この明細書中では樹脂外囲器の厚
さがリードビンの厚さの１５倍以下で、且つ平面実装す
るようにリードフーミングされた樹脂封止パッケージを
フラットパッケージと呼ぶことにする。
上記フラットパッケージは、既述のように樹脂封止型半
導体装置を小型化できる利点を有している反面、放熱性
の点で次のような問題を有している。
導体装置を小型化できる利点を有している反面、放熱性
の点で次のような問題を有している。
即ち、樹脂外囲器はもともと放熱性が低い上、樹脂封止
パッケージの放熱効果は基本的に外囲器の大きさに依存
する。このため、例えばＤＩＲパッケージ等のように比
較的大きな外囲器であれば、外囲器が非常に大きくなっ
て小型化の要求には反することにはなるが、それでも成
る程度の消費電力（例えば１００ビン程度のもの）まで
は賄える放熱効果を得ることができる。ところが、フラ
ットパッケージの薄型外囲器では樹脂モールド層による
放熱量の絶対量が少ないため、消費電力の小さいものに
適用の範囲が限定されざるを得ないという問題がある。
パッケージの放熱効果は基本的に外囲器の大きさに依存
する。このため、例えばＤＩＲパッケージ等のように比
較的大きな外囲器であれば、外囲器が非常に大きくなっ
て小型化の要求には反することにはなるが、それでも成
る程度の消費電力（例えば１００ビン程度のもの）まで
は賄える放熱効果を得ることができる。ところが、フラ
ットパッケージの薄型外囲器では樹脂モールド層による
放熱量の絶対量が少ないため、消費電力の小さいものに
適用の範囲が限定されざるを得ないという問題がある。
他方、樹脂封止型半導体装置に対するユーザ側のニーズ
として軽量小形化、多機能化の要求が益々大きく、かな
りの消費電力のものについてもフラットパッケージタイ
プで実装することが求められている。この要求に応える
ため、発明者は放熱フィンを設けたフラットパッケージ
を提案したが、この場合にも要求に充分に応えられるま
で適用範囲を拡大し得るには至っていない。特に単品実
装の場合に問題が残っている。
として軽量小形化、多機能化の要求が益々大きく、かな
りの消費電力のものについてもフラットパッケージタイ
プで実装することが求められている。この要求に応える
ため、発明者は放熱フィンを設けたフラットパッケージ
を提案したが、この場合にも要求に充分に応えられるま
で適用範囲を拡大し得るには至っていない。特に単品実
装の場合に問題が残っている。
（発明の目的）
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、フラットパ
ッケージによる樹脂封止型半導体装置の適用範囲拡大を
目的としてなされたもので、放熱フィンと実装するプリ
ント配線基板構造との組合せによって放熱効果を更に向
上しようとするものである。
ッケージによる樹脂封止型半導体装置の適用範囲拡大を
目的としてなされたもので、放熱フィンと実装するプリ
ント配線基板構造との組合せによって放熱効果を更に向
上しようとするものである。
本発明は、放熱フィンを設けた平面実装タイプの薄型外
囲器（フラットパッケージ）による樹脂封止型半導体装
置をプリント配線基板上に実装する際、該プリント配線
基板には配線用パターン以外に放熱用パターンを設け、
前記樹脂封止型半導体装置をプリント配線基板に平面実
装するに際し、前記放熱フィンをプリント配線基板に形
成されている前記放熱用パターンに接合することにより
放熱浄化を向上させたものである。
囲器（フラットパッケージ）による樹脂封止型半導体装
置をプリント配線基板上に実装する際、該プリント配線
基板には配線用パターン以外に放熱用パターンを設け、
前記樹脂封止型半導体装置をプリント配線基板に平面実
装するに際し、前記放熱フィンをプリント配線基板に形
成されている前記放熱用パターンに接合することにより
放熱浄化を向上させたものである。
即ち、本発明による樹脂封止型半導体装置の平面実装形
態は、放熱フィン上に半田層を介してマウントされた半
導体チップと、該半導体チップの表面に形成された内部
端子にボンディングワイヤを介して接続されたリードビ
ンと、前記半導体チップ、前記放熱フィンの半導体チッ
プマウント部分、前記リードのワイヤボンディング部分
を封止する樹脂モールド層とを具備し、該樹脂モールド
層の厚さが前記リードビンの厚さの１５倍以下で且つ平
面実装されるように構成されている樹脂封止型半導体装
置と、配線用パターン及び放熱用パターンが形成された
プリント配線基板とから構成され、前記樹脂封止型半導
体装置の各リードビンを前記配線用パターンに接合し、
且つ前記放熱フィンを前記放熱用パターンに接合して平
面実装したことを特徴とするものである。
態は、放熱フィン上に半田層を介してマウントされた半
導体チップと、該半導体チップの表面に形成された内部
端子にボンディングワイヤを介して接続されたリードビ
ンと、前記半導体チップ、前記放熱フィンの半導体チッ
プマウント部分、前記リードのワイヤボンディング部分
を封止する樹脂モールド層とを具備し、該樹脂モールド
層の厚さが前記リードビンの厚さの１５倍以下で且つ平
面実装されるように構成されている樹脂封止型半導体装
置と、配線用パターン及び放熱用パターンが形成された
プリント配線基板とから構成され、前記樹脂封止型半導
体装置の各リードビンを前記配線用パターンに接合し、
且つ前記放熱フィンを前記放熱用パターンに接合して平
面実装したことを特徴とするものである。
上記本発明によれば、放熱フィンの放熱作用に加えてプ
リント配線基板上の放熱用パターンによる放熱作用が得
られる結果、かなりの程度の消費電力を有するものにつ
いても適用でき、フラットパッケージの適用範囲拡大に
対する要求に応えることが可能となる。
リント配線基板上の放熱用パターンによる放熱作用が得
られる結果、かなりの程度の消費電力を有するものにつ
いても適用でき、フラットパッケージの適用範囲拡大に
対する要求に応えることが可能となる。
まず、本発明の実装形態を適用するフラットパッケージ
の樹脂封止型半導体装置について説明すると、第３図（
Ａ）〜（Ｃ）はその例を示す斜視図である。このうち同
図（Ａ）および（Ｂ）は夫々第２図（Ａ）および（Ｂ）
に対応するもので、図中１１は樹脂モールド層からなる
外囲器、１２゜１２′・・・はリードビン、１３．１３
’ は放熱フィンである。これら第３図（Ａ）および（
Ｂ）の樹脂封止型半導体装置は、リードビン及び放熱フ
ィンのフォーミング形状が異なる以外は全く同じ構造を
有している。
の樹脂封止型半導体装置について説明すると、第３図（
Ａ）〜（Ｃ）はその例を示す斜視図である。このうち同
図（Ａ）および（Ｂ）は夫々第２図（Ａ）および（Ｂ）
に対応するもので、図中１１は樹脂モールド層からなる
外囲器、１２゜１２′・・・はリードビン、１３．１３
’ は放熱フィンである。これら第３図（Ａ）および（
Ｂ）の樹脂封止型半導体装置は、リードビン及び放熱フ
ィンのフォーミング形状が異なる以外は全く同じ構造を
有している。
これに対して第３図（Ｃ）の樹脂封止型半導体装置は、
リードビン２２・・・及び放熱フィン２３゜２３が樹脂
モールド層２１の側壁から二方向にのみ延設されている
点で同図（Ａ）（Ｂ）の構造とは異なっている。しかし
、外囲器２１が薄型で且つリードビン２２・・・及び放
熱フィン２３．２３が平面実装のための形状にフォーミ
ングされている点で同図（Ａ）の構造と共通しており、
これもフラットパッケージタイプとして分類されるもの
である。
リードビン２２・・・及び放熱フィン２３゜２３が樹脂
モールド層２１の側壁から二方向にのみ延設されている
点で同図（Ａ）（Ｂ）の構造とは異なっている。しかし
、外囲器２１が薄型で且つリードビン２２・・・及び放
熱フィン２３．２３が平面実装のための形状にフォーミ
ングされている点で同図（Ａ）の構造と共通しており、
これもフラットパッケージタイプとして分類されるもの
である。
次に、このような放熱フィン付きフラットパッケージに
よる樹脂封止型半導体装置の内部構造および製造方法に
つき、第３図（Ｃ）のものを例に説明すると、その製造
は第４図に示すリードフレーム３０を用いて行なわれる
。該リードフレーム３０は金属薄板を打扱き加工するこ
とにより、リード部２２・・・及び放熱フィン２３等の
所定のパターンを形成したものである。第３図（Ｃ）の
樹脂封止型半導体装置の製造に際しては、まず放熱フィ
ン２３．２３の中央部に設けられたベッド部上に半導体
チップ２４を銀／エポキシ系接着剤等のマウント剤を介
してダイボンデラングした後、図示のようにワイヤボン
ディングを施す。次いで、エポキシ樹脂等のトランスフ
ァーモールドにより図中一点鎖線で示す領域を封止する
樹脂モールド層２１を形成した後、図中破線に沿って各
パターンをリードフレームの外枠から切り離す。更に、
分離されたり−ド２２・・・および放熱フィン２３゜２
３を所定形状に折り曲げてフォーミングすることにより
、第３図（Ｃ）に示した平面実装タイプの樹脂封止型半
導体装置が得られる。
よる樹脂封止型半導体装置の内部構造および製造方法に
つき、第３図（Ｃ）のものを例に説明すると、その製造
は第４図に示すリードフレーム３０を用いて行なわれる
。該リードフレーム３０は金属薄板を打扱き加工するこ
とにより、リード部２２・・・及び放熱フィン２３等の
所定のパターンを形成したものである。第３図（Ｃ）の
樹脂封止型半導体装置の製造に際しては、まず放熱フィ
ン２３．２３の中央部に設けられたベッド部上に半導体
チップ２４を銀／エポキシ系接着剤等のマウント剤を介
してダイボンデラングした後、図示のようにワイヤボン
ディングを施す。次いで、エポキシ樹脂等のトランスフ
ァーモールドにより図中一点鎖線で示す領域を封止する
樹脂モールド層２１を形成した後、図中破線に沿って各
パターンをリードフレームの外枠から切り離す。更に、
分離されたり−ド２２・・・および放熱フィン２３゜２
３を所定形状に折り曲げてフォーミングすることにより
、第３図（Ｃ）に示した平面実装タイプの樹脂封止型半
導体装置が得られる。
なお、第４図において放熱フィン２３に穿設されている
透孔のうち、樹脂封止境界近傍の透孔２３ａ・・・は樹
脂モールド層によるフィンの保持力を強化するためのも
のである。即ち、平面実装タイプでは樹脂モールド層が
薄いため、フィンを折り曲げる際に必要とされる強度を
与えるものである。
透孔のうち、樹脂封止境界近傍の透孔２３ａ・・・は樹
脂モールド層によるフィンの保持力を強化するためのも
のである。即ち、平面実装タイプでは樹脂モールド層が
薄いため、フィンを折り曲げる際に必要とされる強度を
与えるものである。
また、ベッド部近傍に設けられた透孔２３ｂは半導体チ
ップ２４をダイボンディングする際のマウント剤の流れ
を防止し、放熱フィンに対するワイヤボンディングに支
障をきたさないようにするものである。更に、放熱フィ
ン２３．２３はベッド部の両側の封止部分が括れており
、幅が細くなっているのは次の理由による。第一の理由
は、プリント配線基板の放熱器部分にフィンを半田付け
する際の熱が半導体チップ１４に伝わるのを抑制するた
めである。また第二の理由は、フィンを折り曲げてフォ
ーミングする際の機械的ストレスが樹脂モールド層の内
部に波及するのを回避し、間隙の発生による耐湿性の低
下を防止するためである。
ップ２４をダイボンディングする際のマウント剤の流れ
を防止し、放熱フィンに対するワイヤボンディングに支
障をきたさないようにするものである。更に、放熱フィ
ン２３．２３はベッド部の両側の封止部分が括れており
、幅が細くなっているのは次の理由による。第一の理由
は、プリント配線基板の放熱器部分にフィンを半田付け
する際の熱が半導体チップ１４に伝わるのを抑制するた
めである。また第二の理由は、フィンを折り曲げてフォ
ーミングする際の機械的ストレスが樹脂モールド層の内
部に波及するのを回避し、間隙の発生による耐湿性の低
下を防止するためである。
なお、放熱フィン及びリードビンを四方向に設けた第３
図（Ａ）又は（Ｂ）のものについても、そのようなパタ
ーンで形成されたリードフレームを用いることにより上
記と同様に製造することができる。
図（Ａ）又は（Ｂ）のものについても、そのようなパタ
ーンで形成されたリードフレームを用いることにより上
記と同様に製造することができる。
次に、上記の構造を有する第３図（Ａ＞の樹脂封止型半
導体装置に本発明による実装形態を適用し、放熱フィン
１３・・・の放熱効果を向上させた実施例を説明する。
導体装置に本発明による実装形態を適用し、放熱フィン
１３・・・の放熱効果を向上させた実施例を説明する。
第１図はこの一実施例を示す斜視図で、第３図（Ａ）の
フラットパッケージによる樹脂封止型半導体装置がプリ
ント配線基板４０の上に平面実装されている。プリント
配線基板４０は樹脂封止型半導体装置を平面実装する部
分４１と、これを更に別の回路基板に組込むためのプラ
グ部分４２からなり、その実装部分表面には配線用の銅
箔パターン４３・・・の他、放熱用の銅箔パターン４４
・・・が形成されている。また、このプリント配線基板
４０はガラスエポキシ板を用いた積層構造になっており
、実装部分に形成された配線用の銅箔パターン４３・・
・は内部配線層を介してプラグ部分４２表面に形成され
た銅箔パターン４５・・・に接続されている。そして、
第３図（Ａ）の樹脂封止型半導体装置は、そのリードビ
ン１２・・・をプリント基板実装部分４１表面に形成し
た配線用パターン３４の端子上に半田付けし、且つ放熱
フィン１３・・・を基板実装部４１表面に形成された放
熱用パターン４４上に半田付けすることにより平面実装
されている。
フラットパッケージによる樹脂封止型半導体装置がプリ
ント配線基板４０の上に平面実装されている。プリント
配線基板４０は樹脂封止型半導体装置を平面実装する部
分４１と、これを更に別の回路基板に組込むためのプラ
グ部分４２からなり、その実装部分表面には配線用の銅
箔パターン４３・・・の他、放熱用の銅箔パターン４４
・・・が形成されている。また、このプリント配線基板
４０はガラスエポキシ板を用いた積層構造になっており
、実装部分に形成された配線用の銅箔パターン４３・・
・は内部配線層を介してプラグ部分４２表面に形成され
た銅箔パターン４５・・・に接続されている。そして、
第３図（Ａ）の樹脂封止型半導体装置は、そのリードビ
ン１２・・・をプリント基板実装部分４１表面に形成し
た配線用パターン３４の端子上に半田付けし、且つ放熱
フィン１３・・・を基板実装部４１表面に形成された放
熱用パターン４４上に半田付けすることにより平面実装
されている。
上記実施例の実装形態では、平面実装された樹脂封止型
半導体装置の放熱フィン２３・・・をプリント配線基板
の実装部表面に形成された配線機能をもたない放熱用の
銅箔パターン４４・・・に半田付けしたことにより、放
熱フィンの実質的な放熱面積が大きくなっている。この
結果、単に放熱フィン１３のみの場合に比べて放熱用銅
箔パターン４４・・・による放熱分だけ確実に大きな放
熱効果が得られ、従来は不可能であった消費電力の大き
な半導体チップに対してもフラットパッケージの適用が
可能となる。実際、上記実施例の実装形態における放熱
用銅箔パターン４４・・・の幅を変化させ、同一のパッ
ケージで可能な半導体チップ内消費電力を検討したとこ
ろ、両者間には明確な依存関係が認められ、放熱用銅箔
パターン４４の有効性が確認された。
半導体装置の放熱フィン２３・・・をプリント配線基板
の実装部表面に形成された配線機能をもたない放熱用の
銅箔パターン４４・・・に半田付けしたことにより、放
熱フィンの実質的な放熱面積が大きくなっている。この
結果、単に放熱フィン１３のみの場合に比べて放熱用銅
箔パターン４４・・・による放熱分だけ確実に大きな放
熱効果が得られ、従来は不可能であった消費電力の大き
な半導体チップに対してもフラットパッケージの適用が
可能となる。実際、上記実施例の実装形態における放熱
用銅箔パターン４４・・・の幅を変化させ、同一のパッ
ケージで可能な半導体チップ内消費電力を検討したとこ
ろ、両者間には明確な依存関係が認められ、放熱用銅箔
パターン４４の有効性が確認された。
第５図は第３図（Ａ）の樹脂封止型半導体装置に本発明
による実装形態を適用した他の実施例を示す斜視図であ
る。この実施例では、プリント配線基板実装部４１の裏
面全面を銅箔４６で覆い、表面に形成されている前記放
熱用銅箔パターン４３・・・を実装部４１の側壁に沿っ
て延設し、裏面のｆ！４箔４６に連結しである。その他
の構成は第１図の実施例と全く同じである。この実施例
は、プリント基板実装部４１の表面に形成した放熱用銅
箔パターン４３・・・に加えて、プリント基板実装部裏
面全面に形成した面積の大きい銅箔４６による放熱効果
が加わるため、第１図の実施例と比較した場合にも数倍
の放熱を得ることができ、その分だけ消費電力の大きな
半導体チップに対してフラットパッケージの適用を可能
とすることができる。
による実装形態を適用した他の実施例を示す斜視図であ
る。この実施例では、プリント配線基板実装部４１の裏
面全面を銅箔４６で覆い、表面に形成されている前記放
熱用銅箔パターン４３・・・を実装部４１の側壁に沿っ
て延設し、裏面のｆ！４箔４６に連結しである。その他
の構成は第１図の実施例と全く同じである。この実施例
は、プリント基板実装部４１の表面に形成した放熱用銅
箔パターン４３・・・に加えて、プリント基板実装部裏
面全面に形成した面積の大きい銅箔４６による放熱効果
が加わるため、第１図の実施例と比較した場合にも数倍
の放熱を得ることができ、その分だけ消費電力の大きな
半導体チップに対してフラットパッケージの適用を可能
とすることができる。
ところで、配線基板４０の内層に芯材として用いられる
鉄板を選択的に露出させ、該露出部分に放熱フィン２３
を半田付けすることにより放熱フィンの効果を増大する
構成も可能ではある。しかし、この場合には鉄板の露出
面積が極く小さいから、上記の実施例の場合に比較して
その効果は著しく劣らざるを得ない。
鉄板を選択的に露出させ、該露出部分に放熱フィン２３
を半田付けすることにより放熱フィンの効果を増大する
構成も可能ではある。しかし、この場合には鉄板の露出
面積が極く小さいから、上記の実施例の場合に比較して
その効果は著しく劣らざるを得ない。
なお、上記の実施例は何れも第３図（Ａ）の樹脂封止型
半導体装置の実装に適用した例であるが、本発明は第３
図（Ｂ）および同図（Ｃ）の樹脂封止型半導体装置に対
しても同様に適用することが可能である。
半導体装置の実装に適用した例であるが、本発明は第３
図（Ｂ）および同図（Ｃ）の樹脂封止型半導体装置に対
しても同様に適用することが可能である。
また、リードビンは第３図（Ａ）と同様に四方向である
が、放熱フィンは三方向、二方向、或いは一方向にのみ
設けられている樹脂封止型半導体装置に対しても同様に
適用することができる。
が、放熱フィンは三方向、二方向、或いは一方向にのみ
設けられている樹脂封止型半導体装置に対しても同様に
適用することができる。
更に、放熱用の周部パターン４３・・・は任意の平面パ
ターン形状に形成すればよい。
ターン形状に形成すればよい。
（発明の効果）
以上詳述したように、本発明によればフラットパッケー
ジの実装に使用するプリント配線基板仕様を従来のもの
から特に大幅に変更することなく放熱フィンによる放熱
効果の増大を図り、フラットパッケージによる薄型樹脂
封止半導体装置の適用範囲拡大を著しく拡大できる等、
顕著な効果が得られるものである。
ジの実装に使用するプリント配線基板仕様を従来のもの
から特に大幅に変更することなく放熱フィンによる放熱
効果の増大を図り、フラットパッケージによる薄型樹脂
封止半導体装置の適用範囲拡大を著しく拡大できる等、
顕著な効果が得られるものである。
第１図は本発明の一実施例になる樹脂封止型半導体装置
の実装形態を示す斜視図、第２図（Ａ）（Ｂ）は従来の
フラットパッケージによる樹脂封止型半導体装置を示す
斜視図、第３図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の実装形態を適
用する放熱フィン付きのフラットパッケージによる樹脂
封止型半導体装置の外観を示す斜視図、第４図は第３図
（Ｃ）の樹脂封止型半導体装置についてその製造工程お
よび内部構造を説明するための平面図、第５図は本発明
の他の実施例になる実装形態を示す斜視図である。 １１．２１・・・樹脂モールド層、１２．１２’。 ２２・・・リードビン、１３．１３’ 、２３・・・放
熱フィン、２３ａ 、２３ｂ・・・透孔、２４・・・半
導体チップ、２５・・・ボンディングワイヤ、３ｏ川リ
ードフレーム、４０・・・プリント配線基板、４１実装
部、４２・・・プラグ部、４３．４５・・・配線用鋼箔
パターン、４４・・・放熱用銅箔パターン、４６・・・
銅箔。
の実装形態を示す斜視図、第２図（Ａ）（Ｂ）は従来の
フラットパッケージによる樹脂封止型半導体装置を示す
斜視図、第３図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の実装形態を適
用する放熱フィン付きのフラットパッケージによる樹脂
封止型半導体装置の外観を示す斜視図、第４図は第３図
（Ｃ）の樹脂封止型半導体装置についてその製造工程お
よび内部構造を説明するための平面図、第５図は本発明
の他の実施例になる実装形態を示す斜視図である。 １１．２１・・・樹脂モールド層、１２．１２’。 ２２・・・リードビン、１３．１３’ 、２３・・・放
熱フィン、２３ａ 、２３ｂ・・・透孔、２４・・・半
導体チップ、２５・・・ボンディングワイヤ、３ｏ川リ
ードフレーム、４０・・・プリント配線基板、４１実装
部、４２・・・プラグ部、４３．４５・・・配線用鋼箔
パターン、４４・・・放熱用銅箔パターン、４６・・・
銅箔。
Claims (1)
- 放熱フィン上に半田層を介してマウントされた半導体
チップと、該半導体チップの表面に形成された内部端子
にボンディングワイヤを介して接続されたリードピンと
、前記半導体チップ、前記放熱フィンの半導体チップマ
ウント部分、前記リードのワイヤボンディング部分を封
止する樹脂モールド層とを具備し、該樹脂モールド層の
厚さが前記リードピンの厚さの１５倍以下で且つ平面実
装されるように構成されている樹脂封止型半導体装置と
、配線用パターン及び放熱用パターンが形成されたプリ
ント配線基板とから構成され、前記樹脂封止型半導体装
置の各リードピンを前記配線用パターンに接合し、且つ
前記放熱フィンを前記放熱用パターンに接合して平面実
装したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の平面実
装形態。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27841384A JPS61150356A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 樹脂封止型半導体装置の平面実装形態 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27841384A JPS61150356A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 樹脂封止型半導体装置の平面実装形態 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15757593A Division JPH0750761B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 樹脂封止型半導体装置の平面実装形態 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61150356A true JPS61150356A (ja) | 1986-07-09 |
| JPH0320067B2 JPH0320067B2 (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=17596997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27841384A Granted JPS61150356A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 樹脂封止型半導体装置の平面実装形態 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61150356A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200806A (en) * | 1989-09-12 | 1993-04-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lead frame having a plurality of island regions and a suspension pin |
| US5877937A (en) * | 1995-12-28 | 1999-03-02 | Rohm Co., Ltd. | Encapsulated semiconductor device and electronic circuit board mounting same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5150570A (en) * | 1974-10-30 | 1976-05-04 | Hitachi Ltd | Handotaisochino haisenkibanhenotoritsuke kozo |
| JPS55107250A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-16 | Hitachi Ltd | Electronic part, electronic part module and lead frame used for them |
| JPS58166048U (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-05 | 日本電気株式会社 | Ｉｃパツケ−ジ |
-
1984
- 1984-12-25 JP JP27841384A patent/JPS61150356A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5150570A (en) * | 1974-10-30 | 1976-05-04 | Hitachi Ltd | Handotaisochino haisenkibanhenotoritsuke kozo |
| JPS55107250A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-16 | Hitachi Ltd | Electronic part, electronic part module and lead frame used for them |
| JPS58166048U (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-05 | 日本電気株式会社 | Ｉｃパツケ−ジ |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5200806A (en) * | 1989-09-12 | 1993-04-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lead frame having a plurality of island regions and a suspension pin |
| US5877937A (en) * | 1995-12-28 | 1999-03-02 | Rohm Co., Ltd. | Encapsulated semiconductor device and electronic circuit board mounting same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0320067B2 (ja) | 1991-03-18 |
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Legal Events
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |