JPH11121680A - リードフレームおよび半導体装置 - Google Patents
リードフレームおよび半導体装置Info
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- JPH11121680A JPH11121680A JP9277252A JP27725297A JPH11121680A JP H11121680 A JPH11121680 A JP H11121680A JP 9277252 A JP9277252 A JP 9277252A JP 27725297 A JP27725297 A JP 27725297A JP H11121680 A JPH11121680 A JP H11121680A
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- H01L2224/481—Disposition
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の樹脂封止工程におけるワイヤの
断線等の解消とパッケージクラックの防止とを併せて実
現できるリードフレーム及びこれを利用した半導体装置
の提供を図る。 【解決手段】 リードフレームには、半導体チップの電
極パッドと外部回路との電気的接続を行うためのインナ
ーリード３及びアウターリード４と、インナーリード３
及びアウターリード４を支持する外枠５と、ダイパッド
２と、ダイパッド２を介して半導体チップを支持するた
めの吊りリード１とが設けられている。吊りリード１の
幅Ｗ１と長さＬ１の比Ｗ１／Ｌ１が１／２０以上である
ので、吊りリードの強度が増大し、樹脂封止工程におけ
るワイヤの断線等が防止される。一方、外枠５と吊りリ
ード１とを切り離すための切断部には貫通孔７が形成さ
れているので、切断力が小さくなり、パッケージクラッ
クは生じない。
断線等の解消とパッケージクラックの防止とを併せて実
現できるリードフレーム及びこれを利用した半導体装置
の提供を図る。 【解決手段】 リードフレームには、半導体チップの電
極パッドと外部回路との電気的接続を行うためのインナ
ーリード３及びアウターリード４と、インナーリード３
及びアウターリード４を支持する外枠５と、ダイパッド
２と、ダイパッド２を介して半導体チップを支持するた
めの吊りリード１とが設けられている。吊りリード１の
幅Ｗ１と長さＬ１の比Ｗ１／Ｌ１が１／２０以上である
ので、吊りリードの強度が増大し、樹脂封止工程におけ
るワイヤの断線等が防止される。一方、外枠５と吊りリ
ード１とを切り離すための切断部には貫通孔７が形成さ
れているので、切断力が小さくなり、パッケージクラッ
クは生じない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路が表面に
形成された半導体チップを樹脂パッケージする際に使用
するリードフレームおよびそのリードフレームを用いた
半導体装置に関するものである。
形成された半導体チップを樹脂パッケージする際に使用
するリードフレームおよびそのリードフレームを用いた
半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型、薄型、高性能化
の傾向は著しく、これに伴い電子部品の高機能化が急速
に進んでいる。特に、メモリーをはじめとする半導体チ
ップの分野ではこの傾向が強く、より小型、薄型でかつ
低コスト、さらには高信頼性で高密度実装に適した半導
体装置のパッケージが求められている。
の傾向は著しく、これに伴い電子部品の高機能化が急速
に進んでいる。特に、メモリーをはじめとする半導体チ
ップの分野ではこの傾向が強く、より小型、薄型でかつ
低コスト、さらには高信頼性で高密度実装に適した半導
体装置のパッケージが求められている。
【０００３】半導体パッケージは以前はセラミックパッ
ケージが主流であったが、上述のような要求から、現在
はプラスチックモールド型の半導体パッケージ、その中
でも母基板の搭載部にアウターリードを挿入するように
構成された挿入型の半導体パッケージに比べ、母基板の
搭載部にアウターリードを載せる面実装型の半導体パッ
ケージが高密度実装に有利であるとしてその需要が増え
ている。ここで、面実装型の半導体パッケージには、実
装形態が異なるＱＦＰ，ＳＯＰ，ＳＯＪ等多くの種類が
ある。
ケージが主流であったが、上述のような要求から、現在
はプラスチックモールド型の半導体パッケージ、その中
でも母基板の搭載部にアウターリードを挿入するように
構成された挿入型の半導体パッケージに比べ、母基板の
搭載部にアウターリードを載せる面実装型の半導体パッ
ケージが高密度実装に有利であるとしてその需要が増え
ている。ここで、面実装型の半導体パッケージには、実
装形態が異なるＱＦＰ，ＳＯＰ，ＳＯＪ等多くの種類が
ある。
【０００４】以下、図面を参照しながら、ＳＯＪ型パッ
ケージを代表例として従来のプラスチックモールド型の
半導体パッケージについて説明する。
ケージを代表例として従来のプラスチックモールド型の
半導体パッケージについて説明する。
【０００５】図１２は従来の半導体パッケージの平面図
であって、封止樹脂は端部を除いて透明として扱ってい
る。図１２において、１０１は半導体チップ、１０２は
ダイパッド、１０３は吊りリード、１０４は接着剤、１
０５はインナーリード、１０６はアウターリード、１０
７は金線（ワイヤ）、１０８は封止樹脂をそれぞれ示
す。
であって、封止樹脂は端部を除いて透明として扱ってい
る。図１２において、１０１は半導体チップ、１０２は
ダイパッド、１０３は吊りリード、１０４は接着剤、１
０５はインナーリード、１０６はアウターリード、１０
７は金線（ワイヤ）、１０８は封止樹脂をそれぞれ示
す。
【０００６】半導体チップ１０１は接着剤１０４により
ダイパッド１０２上に固定されており、半導体チップ１
０１とインナーリード１０５とは金線１０７を介して互
いに電気的に接続されている。そして、半導体チップ１
０１，ダイパッド１０２，インナーリード１０５及び金
線１０７は、封止樹脂１０８により一体的に封止され
て、パッケージが構成されている。一方、インナーリー
ド１０５につながるアウターリード１０６はパッケージ
の外部に導出されて、母基板（図示せず）の配線に接続
可能に構成されている。接着剤１０４としては銀ペース
ト等が用いられ、吊りリード１０３、インナーリード１
０５、アウターリード１０６及びダイパッド１０２には
鉄合金もしくは銅合金等の金属材料が用いられる。
ダイパッド１０２上に固定されており、半導体チップ１
０１とインナーリード１０５とは金線１０７を介して互
いに電気的に接続されている。そして、半導体チップ１
０１，ダイパッド１０２，インナーリード１０５及び金
線１０７は、封止樹脂１０８により一体的に封止され
て、パッケージが構成されている。一方、インナーリー
ド１０５につながるアウターリード１０６はパッケージ
の外部に導出されて、母基板（図示せず）の配線に接続
可能に構成されている。接着剤１０４としては銀ペース
ト等が用いられ、吊りリード１０３、インナーリード１
０５、アウターリード１０６及びダイパッド１０２には
鉄合金もしくは銅合金等の金属材料が用いられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ここで、上記従来のパ
ッケージの構成では、以下のような問題があった。外部
端子数の多いパッケージでは、チップサイズに比べてパ
ッケージサイズが非常に大きくなるために吊りリードが
長くなり、吊りリードが長くなると樹脂封止工程での樹
脂流動による応力で吊りリードが変形し、パッケージ内
で半導体チップが上下に変動するおそれがある。反面、
吊りリードを太くすると、外枠から吊りリードを切り離
すための加工時に、吊りリード周辺の封止樹脂に多大な
応力が印加されて封止樹脂の一部が欠けるおそれがあ
る。
ッケージの構成では、以下のような問題があった。外部
端子数の多いパッケージでは、チップサイズに比べてパ
ッケージサイズが非常に大きくなるために吊りリードが
長くなり、吊りリードが長くなると樹脂封止工程での樹
脂流動による応力で吊りリードが変形し、パッケージ内
で半導体チップが上下に変動するおそれがある。反面、
吊りリードを太くすると、外枠から吊りリードを切り離
すための加工時に、吊りリード周辺の封止樹脂に多大な
応力が印加されて封止樹脂の一部が欠けるおそれがあ
る。
【０００８】本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的は、チップサイズに比べてパ
ッケージサイズの非常に大きい半導体装置を高精度に製
造することが可能な構造を有するリードフレームとこれ
を用いた半導体装置を提供することにある。
れたものであり、その目的は、チップサイズに比べてパ
ッケージサイズの非常に大きい半導体装置を高精度に製
造することが可能な構造を有するリードフレームとこれ
を用いた半導体装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の講じた手段は、リードフレームの吊りリー
ドの幅と長さの比を大きくして吊りリードの強度を高め
ながら、吊りリードと外枠とを切り離すための切断部の
構造を改良して切断力の増大を回避するようにしたもの
である。
に、本発明の講じた手段は、リードフレームの吊りリー
ドの幅と長さの比を大きくして吊りリードの強度を高め
ながら、吊りリードと外枠とを切り離すための切断部の
構造を改良して切断力の増大を回避するようにしたもの
である。
【００１０】具体的には、請求項１に記載されている第
１のリードフレームに関する手段と、請求項２に記載さ
れている第２のリードフレームに関する手段と、これら
を引用した請求項３〜４に記載されているリードフレー
ムに関する手段と、請求項５に記載されている第３のリ
ードフレームに関する手段と、請求項６〜９に記載され
ている半導体装置に関する手段とを講じている。
１のリードフレームに関する手段と、請求項２に記載さ
れている第２のリードフレームに関する手段と、これら
を引用した請求項３〜４に記載されているリードフレー
ムに関する手段と、請求項５に記載されている第３のリ
ードフレームに関する手段と、請求項６〜９に記載され
ている半導体装置に関する手段とを講じている。
【００１１】本発明の第１のリードフレームは、請求項
１に記載されているように、半導体チップの電極パッド
と外部回路との電気的接続を行うためのリードと、該リ
ードを支持する外枠と、上記半導体チップを支持するた
めの吊りリードとを備え、上記吊りリードの幅と長さの
比が１／２０以上であり、上記外枠と上記吊りリードと
を切り離すための切断部には少なくとも１つの貫通孔が
形成されている。
１に記載されているように、半導体チップの電極パッド
と外部回路との電気的接続を行うためのリードと、該リ
ードを支持する外枠と、上記半導体チップを支持するた
めの吊りリードとを備え、上記吊りリードの幅と長さの
比が１／２０以上であり、上記外枠と上記吊りリードと
を切り離すための切断部には少なくとも１つの貫通孔が
形成されている。
【００１２】これにより、吊りリードの強度が確保され
るので、リードフレームを用いた半導体装置の樹脂封止
工程における封止樹脂の流れを受けても、吊りリードの
変形が抑制され、ワイヤの断線等が確実に解消できる。
一方、切断部に貫通孔が形成されていることで、外枠を
切り離す際の切断力を小さくなり、パッケージ欠けの発
生が回避される。したがって、外部端子数の多い半導体
装置に使用された場合にも、ワイヤの断線等やパッケー
ジ欠けのおそれが解消される。
るので、リードフレームを用いた半導体装置の樹脂封止
工程における封止樹脂の流れを受けても、吊りリードの
変形が抑制され、ワイヤの断線等が確実に解消できる。
一方、切断部に貫通孔が形成されていることで、外枠を
切り離す際の切断力を小さくなり、パッケージ欠けの発
生が回避される。したがって、外部端子数の多い半導体
装置に使用された場合にも、ワイヤの断線等やパッケー
ジ欠けのおそれが解消される。
【００１３】本発明の第２のリードフレームは、請求項
２に記載されているように、半導体チップの電極パッド
と外部回路との電気的接続を行うためのリードと、該リ
ードを支持する外枠と、上記半導体チップを支持するた
めの吊りリードとを備え、上記吊りリードの幅と長さの
比が１／２０以上であり、上記外枠と上記吊りリードと
を切り離すための切断部の厚みが他の部分より薄く形成
されている。
２に記載されているように、半導体チップの電極パッド
と外部回路との電気的接続を行うためのリードと、該リ
ードを支持する外枠と、上記半導体チップを支持するた
めの吊りリードとを備え、上記吊りリードの幅と長さの
比が１／２０以上であり、上記外枠と上記吊りリードと
を切り離すための切断部の厚みが他の部分より薄く形成
されている。
【００１４】これにより、吊りリードの強度が確保され
るので、リードフレームを用いた半導体装置の樹脂封止
工程における封止樹脂の流れを受けても、吊りリードの
変形が抑制され、ワイヤの断線等が確実に解消できる。
一方、切断部の厚みが薄くなっていることで、外枠を切
り離す際の切断力を小さくなり、パッケージ欠けの発生
が回避される。したがって、外部端子数の多い半導体装
置に使用された場合にも、ワイヤの断線等やパッケージ
欠けのおそれが解消される。また、切断部の変形が小さ
いためパッケージ外周部からの必要以上の吊りリードの
はみ出しがなくなる。
るので、リードフレームを用いた半導体装置の樹脂封止
工程における封止樹脂の流れを受けても、吊りリードの
変形が抑制され、ワイヤの断線等が確実に解消できる。
一方、切断部の厚みが薄くなっていることで、外枠を切
り離す際の切断力を小さくなり、パッケージ欠けの発生
が回避される。したがって、外部端子数の多い半導体装
置に使用された場合にも、ワイヤの断線等やパッケージ
欠けのおそれが解消される。また、切断部の変形が小さ
いためパッケージ外周部からの必要以上の吊りリードの
はみ出しがなくなる。
【００１５】請求項３に記載されているように、請求項
１又は２において、上記吊りリードの面が粗面仕上げさ
れていることが好ましい。
１又は２において、上記吊りリードの面が粗面仕上げさ
れていることが好ましい。
【００１６】これにより、粗面仕上げされた吊りリード
の投錨効果によって封止樹脂との密着性が強固となる。
の投錨効果によって封止樹脂との密着性が強固となる。
【００１７】請求項４に記載されているように、請求項
３において、上記吊りリードの面の表面粗さは、Ｒmax
１０μｍ〜５０μｍの範囲にあることがより好ましい。
３において、上記吊りリードの面の表面粗さは、Ｒmax
１０μｍ〜５０μｍの範囲にあることがより好ましい。
【００１８】これにより、吊りリードの投錨機能と強度
とが確実に確保される。
とが確実に確保される。
【００１９】本発明の第３のリードフレームは、請求項
５に記載されているように、半導体チップの電極パッド
と外部回路との電気的接続を行うためのリードと、該リ
ードを支持する外枠と、上記半導体チップを支持するた
めの吊りリードとを備え、上記吊りリードのうち相隣接
する吊りリードの間をたすき状に連結する補強リードが
形成されている。
５に記載されているように、半導体チップの電極パッド
と外部回路との電気的接続を行うためのリードと、該リ
ードを支持する外枠と、上記半導体チップを支持するた
めの吊りリードとを備え、上記吊りリードのうち相隣接
する吊りリードの間をたすき状に連結する補強リードが
形成されている。
【００２０】これにより、吊りリードの幅を広げること
なく強度を向上させることが可能となるので、樹脂封止
工程における断線等が防止されるとともに、パッケージ
欠けの発生が回避される。
なく強度を向上させることが可能となるので、樹脂封止
工程における断線等が防止されるとともに、パッケージ
欠けの発生が回避される。
【００２１】請求項６に記載されているように、請求項
１〜５のうちいずれか１つにおいて、上記半導体チップ
を搭載するためのダイパッドをさらに設け、上記吊りリ
ードを、いずれも上記ダイパッドに接続し、ダイパッド
を介して上記半導体チップを支持するように構成するこ
とができる。
１〜５のうちいずれか１つにおいて、上記半導体チップ
を搭載するためのダイパッドをさらに設け、上記吊りリ
ードを、いずれも上記ダイパッドに接続し、ダイパッド
を介して上記半導体チップを支持するように構成するこ
とができる。
【００２２】これにより、半導体チップを確実に支持で
きる構造となる。
きる構造となる。
【００２３】請求項７に記載されているように、請求項
１〜５のうちいずれか１つに記載のリードフレームを備
え、上記リードフレームの吊りリードの先端部と半導体
チップの側面とが接着剤により互いに接合されている半
導体装置を構成することができる。
１〜５のうちいずれか１つに記載のリードフレームを備
え、上記リードフレームの吊りリードの先端部と半導体
チップの側面とが接着剤により互いに接合されている半
導体装置を構成することができる。
【００２４】これにより、ダイパッドが不要となること
で、半導体チップに加わる熱応力が小さくなり、はんだ
実装時のパッケージクラックの発生が抑制されるので、
外部端子の多いパッケージを高歩留まりで製造しうる構
造となる。
で、半導体チップに加わる熱応力が小さくなり、はんだ
実装時のパッケージクラックの発生が抑制されるので、
外部端子の多いパッケージを高歩留まりで製造しうる構
造となる。
【００２５】請求項８に記載されているように、請求項
１〜５のうちいずれか１つに記載のリードフレームを備
え、上記リードフレームの吊りリードの先端部と半導体
チップの裏面とが接着剤により互いに接合されている半
導体装置を構成することができる。
１〜５のうちいずれか１つに記載のリードフレームを備
え、上記リードフレームの吊りリードの先端部と半導体
チップの裏面とが接着剤により互いに接合されている半
導体装置を構成することができる。
【００２６】請求項９に記載されているように、請求項
１〜５のうちいずれか１つに記載のリードフレームを備
え、上記リードフレームの吊りリードの先端部と半導体
チップの主面とが接着剤により互いに接合されている半
導体装置を構成することができる。
１〜５のうちいずれか１つに記載のリードフレームを備
え、上記リードフレームの吊りリードの先端部と半導体
チップの主面とが接着剤により互いに接合されている半
導体装置を構成することができる。
【００２７】請求項８または９により、ダイパッドが不
要となることで、半導体チップに加わる熱応力が小さく
なり、はんだ実装時のパッケージクラックの発生が抑制
されるので、外部端子の多いパッケージを高歩留まりで
製造しうる構造となる。加えて、半導体チップとリード
フレームとの位置合わせずれの許容範囲が拡大されるの
で、製造高歩留りも向上する。
要となることで、半導体チップに加わる熱応力が小さく
なり、はんだ実装時のパッケージクラックの発生が抑制
されるので、外部端子の多いパッケージを高歩留まりで
製造しうる構造となる。加えて、半導体チップとリード
フレームとの位置合わせずれの許容範囲が拡大されるの
で、製造高歩留りも向上する。
【００２８】請求項１０に記載されているように、請求
項７〜９のうちいずれか１つにおいて、上記吊りリード
のうち相隣接する吊りリードの先端間を接続する半導体
チップ支持部が設けられ、少なくとも２つの半導体チッ
プ支持部が互いに分離して設けられていて、上記半導体
チップは、上記吊りリードの先端の半導体チップ支持部
により支持されている構成とすることができる。
項７〜９のうちいずれか１つにおいて、上記吊りリード
のうち相隣接する吊りリードの先端間を接続する半導体
チップ支持部が設けられ、少なくとも２つの半導体チッ
プ支持部が互いに分離して設けられていて、上記半導体
チップは、上記吊りリードの先端の半導体チップ支持部
により支持されている構成とすることができる。
【００２９】これにより、より確実に半導体チップを支
持しながら、上記各請求項の作用効果を得ることができ
る。
持しながら、上記各請求項の作用効果を得ることができ
る。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００３１】（第１の実施形態）図１は、本実施形態に
係るリードフレームの形状を示す平面図である。図１に
おいて、１は吊りリード、２はダイパッド、３はインナ
ーリード、４はアウターリード、５は外枠、６は各イン
ナーリード３間を連結するタイバー、７は吊りリード１
と外枠５との境界部である切断部に設けられた貫通孔、
１０は樹脂封止を行うための封止エリア、１１は半導体
チップを搭載するチップ搭載エリアをそれぞれ示す。こ
のリードフレームは、一般的には、一枚の銅合金または
鉄合金からなる平板を、マスク原板を使用した化学エッ
チング加工または金型を使用したプレス加工によってパ
ターニングすることにより形成される。
係るリードフレームの形状を示す平面図である。図１に
おいて、１は吊りリード、２はダイパッド、３はインナ
ーリード、４はアウターリード、５は外枠、６は各イン
ナーリード３間を連結するタイバー、７は吊りリード１
と外枠５との境界部である切断部に設けられた貫通孔、
１０は樹脂封止を行うための封止エリア、１１は半導体
チップを搭載するチップ搭載エリアをそれぞれ示す。こ
のリードフレームは、一般的には、一枚の銅合金または
鉄合金からなる平板を、マスク原板を使用した化学エッ
チング加工または金型を使用したプレス加工によってパ
ターニングすることにより形成される。
【００３２】図２は、図１に示すリードフレームを用い
て作製した半導体装置の平面図であって、封止樹脂は透
明として扱われている。図２において、１２は半導体チ
ップ、１３は接着剤、１４は金線（ワイヤ）、１５は封
止樹脂をそれぞれ示す。
て作製した半導体装置の平面図であって、封止樹脂は透
明として扱われている。図２において、１２は半導体チ
ップ、１３は接着剤、１４は金線（ワイヤ）、１５は封
止樹脂をそれぞれ示す。
【００３３】本実施形態に係る半導体装置をパッケージ
に組み込むには、図１に示すリードフレームのダイパッ
ド２上へ接着剤１３によって半導体チップ１２を固定さ
せ、次に、インナーリード３と半導体チップ１２上の電
極パッド（図示せず）とを金線１４を介して電気的に接
続する。次に、これらを組み立てた状態で金型内に設置
して封止樹脂１５を流し込んでパッケージに組み込む。
次に、タイバー６を切断し、アウターリード４を互いに
切り離す。最後に、吊りリード１と外枠５の境界部を切
断すると、図２に示すような半導体装置が完成する。
に組み込むには、図１に示すリードフレームのダイパッ
ド２上へ接着剤１３によって半導体チップ１２を固定さ
せ、次に、インナーリード３と半導体チップ１２上の電
極パッド（図示せず）とを金線１４を介して電気的に接
続する。次に、これらを組み立てた状態で金型内に設置
して封止樹脂１５を流し込んでパッケージに組み込む。
次に、タイバー６を切断し、アウターリード４を互いに
切り離す。最後に、吊りリード１と外枠５の境界部を切
断すると、図２に示すような半導体装置が完成する。
【００３４】ここで、本実施形態に係るリードフレーム
の特徴は、吊りリード１の長さＬ１を４ｍｍ、吊りリー
ド１の幅８を０．８ｍｍとしている点、すなわち吊りリ
ード１の幅Ｗ１を吊りリード１の長さＬ１の１／５とし
ている点である。このような構造によって、本実施形態
に係る半導体装置は、以下のような作用効果を発揮する
ことができる。
の特徴は、吊りリード１の長さＬ１を４ｍｍ、吊りリー
ド１の幅８を０．８ｍｍとしている点、すなわち吊りリ
ード１の幅Ｗ１を吊りリード１の長さＬ１の１／５とし
ている点である。このような構造によって、本実施形態
に係る半導体装置は、以下のような作用効果を発揮する
ことができる。
【００３５】一般に、半導体チップ１２のサイズに対す
る半導体パッケージのサイズが非常に大きい場合、樹脂
封止工程において、ダイパッド２や半導体チップ１２が
封止樹脂１５の流れによる力を受けると吊りリード１に
多大な応力が加わる。そして、この応力によって、吊り
リード１が変形するとともに半導体チップ１２の位置が
上下に変動するため、金線１４が断線する等の不良が発
生する。しかるに、本実施形態のような半導体装置の構
造では、吊りリード１の幅Ｗ１と長さＬ１との比が１／
５であり、従来の半導体装置に比べて極めて大きい値と
なっている。このように吊りリード１の幅Ｗ１と長さＬ
１との比Ｗ１／Ｌ１を大きくしているので、封止樹脂の
流れによる応力が吊りリード１に加わったときでも、吊
りリード１の外部応力に対する変形を極めて小さく抑え
ることができる。したがって、樹脂封止工程における半
導体チップ１２の位置の変動量は無視できる程小さくな
り、金線１４の断線等を有効に低減することができる。
この点について、本発明に関する実験の結果得られたデ
ータに基づき、以下に説明する。
る半導体パッケージのサイズが非常に大きい場合、樹脂
封止工程において、ダイパッド２や半導体チップ１２が
封止樹脂１５の流れによる力を受けると吊りリード１に
多大な応力が加わる。そして、この応力によって、吊り
リード１が変形するとともに半導体チップ１２の位置が
上下に変動するため、金線１４が断線する等の不良が発
生する。しかるに、本実施形態のような半導体装置の構
造では、吊りリード１の幅Ｗ１と長さＬ１との比が１／
５であり、従来の半導体装置に比べて極めて大きい値と
なっている。このように吊りリード１の幅Ｗ１と長さＬ
１との比Ｗ１／Ｌ１を大きくしているので、封止樹脂の
流れによる応力が吊りリード１に加わったときでも、吊
りリード１の外部応力に対する変形を極めて小さく抑え
ることができる。したがって、樹脂封止工程における半
導体チップ１２の位置の変動量は無視できる程小さくな
り、金線１４の断線等を有効に低減することができる。
この点について、本発明に関する実験の結果得られたデ
ータに基づき、以下に説明する。
【００３６】図３は、吊りリード１の幅Ｗ１と長さＬ１
の比Ｗ１／Ｌ１と、半導体チップ１２の変動量および金
線１４の断線発生率との関係を示すグラフである。図３
に示されるように、半導体チップ１２の変動量は、吊り
リード１の幅Ｗ１と長さＬ１の比Ｗ１／Ｌ１が大きくな
るにつれて小さくなり、また金線の断線発生率は、吊り
リード１の幅Ｗ１と長さＬ１の比Ｗ１／Ｌ１が２０分の
１以上で０％となることがわかる。
の比Ｗ１／Ｌ１と、半導体チップ１２の変動量および金
線１４の断線発生率との関係を示すグラフである。図３
に示されるように、半導体チップ１２の変動量は、吊り
リード１の幅Ｗ１と長さＬ１の比Ｗ１／Ｌ１が大きくな
るにつれて小さくなり、また金線の断線発生率は、吊り
リード１の幅Ｗ１と長さＬ１の比Ｗ１／Ｌ１が２０分の
１以上で０％となることがわかる。
【００３７】ただし、吊りリードの幅Ｗ１が大きくなる
と、吊りリード１と外枠５の境界部を切断する工程にお
いて、吊りリード１周辺の封止樹脂１５に多大な応力が
加わり、封止樹脂１５の一部が欠けるおそれがある。こ
の不具合の回避対策について、以下に説明する。
と、吊りリード１と外枠５の境界部を切断する工程にお
いて、吊りリード１周辺の封止樹脂１５に多大な応力が
加わり、封止樹脂１５の一部が欠けるおそれがある。こ
の不具合の回避対策について、以下に説明する。
【００３８】一般に、吊りリードの幅Ｗ１を０．８ｍｍ
とすると、パッケージ欠けの不良が発生することがあっ
た。ここで、本実施形態では、吊りリード１の幅Ｗ１を
０．８ｍｍとし、貫通孔７の直径を０．５ｍｍとしてい
る。この貫通孔７は、外枠５を切り離すための切断部に
形成されている。これにより、外枠５を切り離すときの
パンチ力を小さくすることができ、パッケージ欠けの不
良の発生を確実に阻止することができる。具体的には、
貫通孔７を設けていない場合には吊りリードの幅Ｗ１を
０．３ｍｍ以上にするとパッケージ欠けの不良がある確
率で発生するが、貫通孔７を設けてその大きさ、数、位
置を調整することにより、吊りリードの幅Ｗ１を０．３
ｍｍ以上としてもパッケージ欠けの不良は発生しなくな
る。 （第２の実施形態）図４は、本実施の形態を示すリード
フレームの形状を示した平面図である。図４において、
１は吊りリード、３はインナーリード、４はアウターリ
ード、５は外枠、６は各インナーリード３間を連結する
タイバー、７は吊りリード１と外枠５との境界部である
切断部に設けられた貫通孔、１０は樹脂封止を行う封止
エリア、１１は半導体チップを搭載するチップ搭載エリ
ア、１６は吊りリード１先端部に設けられた半導体チッ
プ支持部をそれぞれ示す。このリードフレームは、一般
的には、一枚の銅合金または鉄合金からなる平板を、マ
スク原板を使用した化学エッチング加工または金型を使
用したプレス加工によってパターニングを行い、その後
ディプレス加工により吊りリード１先端部の半導体チッ
プ支持部１６を縦方向に折り曲げて、断面形状をＬ字状
にする。
とすると、パッケージ欠けの不良が発生することがあっ
た。ここで、本実施形態では、吊りリード１の幅Ｗ１を
０．８ｍｍとし、貫通孔７の直径を０．５ｍｍとしてい
る。この貫通孔７は、外枠５を切り離すための切断部に
形成されている。これにより、外枠５を切り離すときの
パンチ力を小さくすることができ、パッケージ欠けの不
良の発生を確実に阻止することができる。具体的には、
貫通孔７を設けていない場合には吊りリードの幅Ｗ１を
０．３ｍｍ以上にするとパッケージ欠けの不良がある確
率で発生するが、貫通孔７を設けてその大きさ、数、位
置を調整することにより、吊りリードの幅Ｗ１を０．３
ｍｍ以上としてもパッケージ欠けの不良は発生しなくな
る。 （第２の実施形態）図４は、本実施の形態を示すリード
フレームの形状を示した平面図である。図４において、
１は吊りリード、３はインナーリード、４はアウターリ
ード、５は外枠、６は各インナーリード３間を連結する
タイバー、７は吊りリード１と外枠５との境界部である
切断部に設けられた貫通孔、１０は樹脂封止を行う封止
エリア、１１は半導体チップを搭載するチップ搭載エリ
ア、１６は吊りリード１先端部に設けられた半導体チッ
プ支持部をそれぞれ示す。このリードフレームは、一般
的には、一枚の銅合金または鉄合金からなる平板を、マ
スク原板を使用した化学エッチング加工または金型を使
用したプレス加工によってパターニングを行い、その後
ディプレス加工により吊りリード１先端部の半導体チッ
プ支持部１６を縦方向に折り曲げて、断面形状をＬ字状
にする。
【００３９】図５は図４に示すリードフレームを用いて
作製した半導体装置の平面図であって、封止樹脂は透明
として扱われている。図５において、１２は半導体チッ
プ、１３は接着剤、１４は金線、１５は封止樹脂をそれ
ぞれ示す。すなわち、半導体チップ１２の短辺側の２つ
の側面は、１対の半導体チップ支持部１６に接着剤１３
によって固着されている。
作製した半導体装置の平面図であって、封止樹脂は透明
として扱われている。図５において、１２は半導体チッ
プ、１３は接着剤、１４は金線、１５は封止樹脂をそれ
ぞれ示す。すなわち、半導体チップ１２の短辺側の２つ
の側面は、１対の半導体チップ支持部１６に接着剤１３
によって固着されている。
【００４０】本実施形態の特徴は、第１の実施形態のよ
うなダイパッド２がなく、その代わりに、各吊りリード
１の先端に半導体チップ支持部１６が設けられている点
である。このようにダイパッドがないので、ダイパッド
の厚みの分パッケージを薄型にすることができる。
うなダイパッド２がなく、その代わりに、各吊りリード
１の先端に半導体チップ支持部１６が設けられている点
である。このようにダイパッドがないので、ダイパッド
の厚みの分パッケージを薄型にすることができる。
【００４１】また、ダイパッドがないため、従来ダイパ
ッド−半導体チップ間の熱膨張率の差による熱応力がな
いので、半導体チップに加わる熱応力が小さくなり、は
んだ実装時のパッケージクラックを防止することができ
る。さらに、接着面積が小さいために接着剤１３の使用
量を少なくできるので、コストが低減されるだけでな
く、接着剤１３内の水分の気化膨張に起因するパッケー
ジクラックをも抑制することができる。
ッド−半導体チップ間の熱膨張率の差による熱応力がな
いので、半導体チップに加わる熱応力が小さくなり、は
んだ実装時のパッケージクラックを防止することができ
る。さらに、接着面積が小さいために接着剤１３の使用
量を少なくできるので、コストが低減されるだけでな
く、接着剤１３内の水分の気化膨張に起因するパッケー
ジクラックをも抑制することができる。
【００４２】ただし、本実施形態では、ダイパッドがな
いことから半導体チップ１２を挟んで相対向する各１対
の吊りリード１が互いにつながっていないため、ダイパ
ッドがある場合よりもさらに樹脂封止工程における半導
体チップ１２の位置の変動が起こりやすくなる。しか
し、本実施形態では、吊りリード１の幅Ｗ１と長さＬ１
の比Ｗ１／Ｌ１を１／２０以上としているので、半導体
チップ１２の変動を無視できる程小さくすることができ
る。また、切断部に設けられた貫通孔７の切断力低減効
果により、パッケージ欠けの不良は発生しなかった。次
に、本実施形態の変形形態について説明する。
いことから半導体チップ１２を挟んで相対向する各１対
の吊りリード１が互いにつながっていないため、ダイパ
ッドがある場合よりもさらに樹脂封止工程における半導
体チップ１２の位置の変動が起こりやすくなる。しか
し、本実施形態では、吊りリード１の幅Ｗ１と長さＬ１
の比Ｗ１／Ｌ１を１／２０以上としているので、半導体
チップ１２の変動を無視できる程小さくすることができ
る。また、切断部に設けられた貫通孔７の切断力低減効
果により、パッケージ欠けの不良は発生しなかった。次
に、本実施形態の変形形態について説明する。
【００４３】図６は、本実施形態の変形形態に係る半導
体装置の平面図であって、封止樹脂は透明として扱われ
ている。同図に示すように、この変形形態では、インナ
ーリード３が半導体チップ１２上の位置まで延設されて
いる。そして、半導体チップ１２の辺から内方にはいっ
た位置に設けられた電極パッド（図示せず）とインナー
リード３とが金線１４を介して電気的に接続されてい
る。その他の部分の構造は図５に示す構造と同じであ
る。このように、インナーリード３を任意の位置まで引
き延ばすことが可能なため、半導体チップ１２上の電極
パッドの位置を自由に配置することができるという利点
がある。
体装置の平面図であって、封止樹脂は透明として扱われ
ている。同図に示すように、この変形形態では、インナ
ーリード３が半導体チップ１２上の位置まで延設されて
いる。そして、半導体チップ１２の辺から内方にはいっ
た位置に設けられた電極パッド（図示せず）とインナー
リード３とが金線１４を介して電気的に接続されてい
る。その他の部分の構造は図５に示す構造と同じであ
る。このように、インナーリード３を任意の位置まで引
き延ばすことが可能なため、半導体チップ１２上の電極
パッドの位置を自由に配置することができるという利点
がある。
【００４４】なお、吊りリード１の幅Ｗ１が広い場合に
は、半導体チップ支持部１６がなくても、各吊りリード
１の先端部で半導体チップを支持する構造にしてもよ
い。
は、半導体チップ支持部１６がなくても、各吊りリード
１の先端部で半導体チップを支持する構造にしてもよ
い。
【００４５】（第３の実施形態）図７は、本実施形態に
係るリードフレームの形状を示す平面図である。図７に
おいて、１は吊りリード、３はインナーリード、４はア
ウターリード、５は外枠、６は各インナーリード３間を
連結するタイバー、７は吊りリード１と外枠５との境界
部に設けた貫通孔、１０は樹脂封止を行う封止エリア、
１１は半導体チップを搭載するチップ搭載エリア、１６
は吊りリード１の先端部に設けられた半導体チップ支持
部をそれぞれ示す。このリードフレームは、一般的に
は、一枚の銅合金または鉄合金からなる平板を、マスク
原板を使用した化学エッチング加工または金型を使用し
たプレス加工によってパターニングすることにより形成
される。
係るリードフレームの形状を示す平面図である。図７に
おいて、１は吊りリード、３はインナーリード、４はア
ウターリード、５は外枠、６は各インナーリード３間を
連結するタイバー、７は吊りリード１と外枠５との境界
部に設けた貫通孔、１０は樹脂封止を行う封止エリア、
１１は半導体チップを搭載するチップ搭載エリア、１６
は吊りリード１の先端部に設けられた半導体チップ支持
部をそれぞれ示す。このリードフレームは、一般的に
は、一枚の銅合金または鉄合金からなる平板を、マスク
原板を使用した化学エッチング加工または金型を使用し
たプレス加工によってパターニングすることにより形成
される。
【００４６】図８は、図７に示すリードフレームを用い
て作製した半導体装置の平面図であって、封止樹脂は透
明として扱われている。図８において、１２は半導体チ
ップ、１３は金線、１４は接着剤、１５は封止樹脂をそ
れぞれ示す。
て作製した半導体装置の平面図であって、封止樹脂は透
明として扱われている。図８において、１２は半導体チ
ップ、１３は金線、１４は接着剤、１５は封止樹脂をそ
れぞれ示す。
【００４７】本実施形態に係る半導体装置の特徴は、第
１の実施形態のようなダイパッド２がない点と、半導体
チップ支持部１６が、第２の実施形態２のごとく半導体
チップ１２の側面ではなく、半導体チップ１２の主面で
半導体チップ１２と接着剤により接合されている点であ
る。
１の実施形態のようなダイパッド２がない点と、半導体
チップ支持部１６が、第２の実施形態２のごとく半導体
チップ１２の側面ではなく、半導体チップ１２の主面で
半導体チップ１２と接着剤により接合されている点であ
る。
【００４８】本実施形態では、ダイパッドが設けられて
いないことで、上記第２の実施形態と同様に、熱応力の
低減によるはんだ実装時のパッケージクラックの防止効
果と、接着面積の縮小による接着剤１３の使用量の低減
効果とを得ることができる。加えて、本実施形態では、
半導体チップ支持部１６が半導体チップ１２の主面で半
導体チップと接合されているので、第２の実施形態に比
べて、半導体チップ１２とリードフレームの位置合わせ
ずれの許容範囲を大きくすることができ、高歩留りで製
造することができるという利点を有する。
いないことで、上記第２の実施形態と同様に、熱応力の
低減によるはんだ実装時のパッケージクラックの防止効
果と、接着面積の縮小による接着剤１３の使用量の低減
効果とを得ることができる。加えて、本実施形態では、
半導体チップ支持部１６が半導体チップ１２の主面で半
導体チップと接合されているので、第２の実施形態に比
べて、半導体チップ１２とリードフレームの位置合わせ
ずれの許容範囲を大きくすることができ、高歩留りで製
造することができるという利点を有する。
【００４９】なお、本実施形態においても、図６に示す
ようなインナーリード３を半導体チップ１２上の任意の
位置まで引き延ばすことができ、半導体チップ１２の電
極パッドの位置も自由に配置することが可能である。
ようなインナーリード３を半導体チップ１２上の任意の
位置まで引き延ばすことができ、半導体チップ１２の電
極パッドの位置も自由に配置することが可能である。
【００５０】また、本実施形態においても、ダイパッド
がないことから半導体チップ１２を挟んで相対向する各
１対の吊りリード１が互いにつながっていないため、ダ
イパッドがある場合よりもさらに樹脂封止工程における
半導体チップ１２の位置の変動が起こりやすくなる。し
かし、吊りリード１の幅Ｗ１と長さＬ１の比Ｗ１／Ｌ１
を１／２０以上としているので、半導体チップ１２の変
動を無視できる程小さくすることができる。また、切断
部に設けられた貫通孔７の切断力低減効果により、パッ
ケージ欠けの不良は発生しなかった。なお、本実施形態
では、半導体チップ支持部１６と半導体チップ１２の主
面とを接合しているが、半導体チップ支持部１６と半導
体チップの裏面とを接着剤によって接合してもよいこと
はいうまでもない。
がないことから半導体チップ１２を挟んで相対向する各
１対の吊りリード１が互いにつながっていないため、ダ
イパッドがある場合よりもさらに樹脂封止工程における
半導体チップ１２の位置の変動が起こりやすくなる。し
かし、吊りリード１の幅Ｗ１と長さＬ１の比Ｗ１／Ｌ１
を１／２０以上としているので、半導体チップ１２の変
動を無視できる程小さくすることができる。また、切断
部に設けられた貫通孔７の切断力低減効果により、パッ
ケージ欠けの不良は発生しなかった。なお、本実施形態
では、半導体チップ支持部１６と半導体チップ１２の主
面とを接合しているが、半導体チップ支持部１６と半導
体チップの裏面とを接着剤によって接合してもよいこと
はいうまでもない。
【００５１】また、吊りリード１の幅Ｗ１が広い場合に
は、半導体チップ支持部１６がなくても、各吊りリード
１の先端部で半導体チップを支持する構造にしてもよ
い。
は、半導体チップ支持部１６がなくても、各吊りリード
１の先端部で半導体チップを支持する構造にしてもよ
い。
【００５２】（第４の実施形態）図９は、本実施形態に
係るリードフレームのうち吊りリード１の付近を拡大し
て示す斜視図である。
係るリードフレームのうち吊りリード１の付近を拡大し
て示す斜視図である。
【００５３】本実施形態に係るリードフレームの特徴
は、全体に一定の厚みを有するように形成されているの
ではなく、吊りリード１と外枠５の境界部である切断部
の厚みが他の部分より薄くなるように形成されている点
である。なお、吊りリード１の先端には、第１の実施形
態のようなダイパッド２が設けられていてもよいし、第
２または第３の実施形態のような半導体チップ支持部１
６が設けられていてもよい。あるいは、吊りリード１が
それぞれバラバラの状態で半導体チップを支持するよう
にしてもよい。
は、全体に一定の厚みを有するように形成されているの
ではなく、吊りリード１と外枠５の境界部である切断部
の厚みが他の部分より薄くなるように形成されている点
である。なお、吊りリード１の先端には、第１の実施形
態のようなダイパッド２が設けられていてもよいし、第
２または第３の実施形態のような半導体チップ支持部１
６が設けられていてもよい。あるいは、吊りリード１が
それぞれバラバラの状態で半導体チップを支持するよう
にしてもよい。
【００５４】本実施形態では、このような形状とするこ
とによって、吊りリードの幅Ｗ１が大きくなっても、吊
りリード１と外枠５の境界部を切断する工程における切
断力を小さくすることができるので、切断工程における
吊りリード１、封止樹脂１５の一部が欠けるという不良
は発生しなくなる。さらに、切断部の変形が小さいため
パッケージ外周からの吊りリード１のはみ出しがなくな
る。
とによって、吊りリードの幅Ｗ１が大きくなっても、吊
りリード１と外枠５の境界部を切断する工程における切
断力を小さくすることができるので、切断工程における
吊りリード１、封止樹脂１５の一部が欠けるという不良
は発生しなくなる。さらに、切断部の変形が小さいため
パッケージ外周からの吊りリード１のはみ出しがなくな
る。
【００５５】（第５の実施形態）図１０（ａ），（ｂ）
は、本実施形態に係るリードフレームのうち吊りリード
１の付近を拡大して示す斜視図である。
は、本実施形態に係るリードフレームのうち吊りリード
１の付近を拡大して示す斜視図である。
【００５６】図１０（ａ），（ｂ）に示すように、本実
施形態に係るリードフレームの特徴は、吊りリード１の
表面が平滑ではなく凹凸加工が形成されている点であ
る。この凹凸加工としては、例えば表面粗さＲmax （最
大表面粗さ）が３０μｍのメッシュ加工がある。なお、
吊りリード１の先端には、第１の実施形態のようなダイ
パッド２が設けられていてもよいし、第２または第３の
実施形態のような半導体チップ支持部１６が設けられて
いてもよい。あるいは、吊りリード１がそれぞれバラバ
ラの状態で半導体チップを支持するようにしてもよい。
施形態に係るリードフレームの特徴は、吊りリード１の
表面が平滑ではなく凹凸加工が形成されている点であ
る。この凹凸加工としては、例えば表面粗さＲmax （最
大表面粗さ）が３０μｍのメッシュ加工がある。なお、
吊りリード１の先端には、第１の実施形態のようなダイ
パッド２が設けられていてもよいし、第２または第３の
実施形態のような半導体チップ支持部１６が設けられて
いてもよい。あるいは、吊りリード１がそれぞれバラバ
ラの状態で半導体チップを支持するようにしてもよい。
【００５７】本実施の形態では、このような形状とする
ことによって、吊りリードの幅Ｗ１が大きくなっても、
吊りリード１の表面と封止樹脂との密着力が大きくなる
ので、半田実装時に加わる熱応力によって封止樹脂と吊
りリード１とが剥がれるのを確実に解消することができ
る。
ことによって、吊りリードの幅Ｗ１が大きくなっても、
吊りリード１の表面と封止樹脂との密着力が大きくなる
ので、半田実装時に加わる熱応力によって封止樹脂と吊
りリード１とが剥がれるのを確実に解消することができ
る。
【００５８】ここで、吊りリード１の表面粗さを１０μ
ｍ以上とすると半田実装時の剥がれはなくなることがわ
かった。また、吊りリード１の表面粗さを５０μｍ以下
にすると吊りリード１の強度が十分保てるため、封止樹
脂１５を成形する工程において半導体チップ１２の変動
は無視できる程小さくなる。したがって、吊りリード１
の表面粗さは、Ｒmax １０〜５０μｍであることが好ま
しい。
ｍ以上とすると半田実装時の剥がれはなくなることがわ
かった。また、吊りリード１の表面粗さを５０μｍ以下
にすると吊りリード１の強度が十分保てるため、封止樹
脂１５を成形する工程において半導体チップ１２の変動
は無視できる程小さくなる。したがって、吊りリード１
の表面粗さは、Ｒmax １０〜５０μｍであることが好ま
しい。
【００５９】なお、本実施形態では、凹凸加工としてメ
ッシュ加工を用いたが、ディンプル加工などの他の加工
を用いてもよい。
ッシュ加工を用いたが、ディンプル加工などの他の加工
を用いてもよい。
【００６０】（第６の実施形態）図１１は、本実施形態
に係るリードフレームのうち吊りリード付近を拡大して
示す斜視図である。
に係るリードフレームのうち吊りリード付近を拡大して
示す斜視図である。
【００６１】図１１に示すように、本実施形態に係る吊
りリード１の特徴は、相隣接する２本の吊りリード１を
たすき状に連結する補強リード１７が設けられている点
である。なお、吊りリード１の先端には、第１の実施形
態のようなダイパッド２が設けられていてもよいし、第
２または第３の実施形態のような半導体チップ支持部１
６が設けられていてもよい。あるいは、吊りリード１が
それぞれバラバラの状態で半導体チップを支持するよう
にしてもよい。
りリード１の特徴は、相隣接する２本の吊りリード１を
たすき状に連結する補強リード１７が設けられている点
である。なお、吊りリード１の先端には、第１の実施形
態のようなダイパッド２が設けられていてもよいし、第
２または第３の実施形態のような半導体チップ支持部１
６が設けられていてもよい。あるいは、吊りリード１が
それぞれバラバラの状態で半導体チップを支持するよう
にしてもよい。
【００６２】本実施形態では、隣接する吊りリード間を
たすき状に連結する補強リード１７が設けられているの
で、半導体チップ１２のサイズに対する半導体パッケー
ジのサイズが非常に大きい場合でも、樹脂封止工程にお
いて吊りリード１に多大な応力が加わっても、吊りリー
ド１は変形しない。また、吊りリード１を太くしないで
済むので、吊りリード１と外枠５の境界部を切断する際
の切断力を小さくでき、吊りリード１、封止樹脂１５の
一部が欠けるという不良は発生しなくなる。
たすき状に連結する補強リード１７が設けられているの
で、半導体チップ１２のサイズに対する半導体パッケー
ジのサイズが非常に大きい場合でも、樹脂封止工程にお
いて吊りリード１に多大な応力が加わっても、吊りリー
ド１は変形しない。また、吊りリード１を太くしないで
済むので、吊りリード１と外枠５の境界部を切断する際
の切断力を小さくでき、吊りリード１、封止樹脂１５の
一部が欠けるという不良は発生しなくなる。
【００６３】なお、上記各実施形態では、インナーリー
ドとアウターリードとを備えているものについて説明し
たが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではな
い。例えば、アウターリードに相当する部分がなく、リ
ードを封止樹脂から外方に突出させずに下面で母基板に
接続するものであってもよい。
ドとアウターリードとを備えているものについて説明し
たが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではな
い。例えば、アウターリードに相当する部分がなく、リ
ードを封止樹脂から外方に突出させずに下面で母基板に
接続するものであってもよい。
【００６４】
【発明の効果】請求項１によれば、リード、リードを支
持する外枠、及び半導体チップを支持するための吊りリ
ードを備えたリードフレームにおいて、吊りリードの幅
と長さの比を１／２０以上とし、かつ外枠と吊りリード
との切断部には少なくとも１つの貫通孔を設ける構成と
したので、吊りリードの強度を確保しながら切断力を小
さくすることで、外部端子数の多い半導体装置の実装に
使用した場合にもワイヤの断線等とパッケージ欠けとを
確実に防止可能なリードフレームの提供を図ることがで
きる。
持する外枠、及び半導体チップを支持するための吊りリ
ードを備えたリードフレームにおいて、吊りリードの幅
と長さの比を１／２０以上とし、かつ外枠と吊りリード
との切断部には少なくとも１つの貫通孔を設ける構成と
したので、吊りリードの強度を確保しながら切断力を小
さくすることで、外部端子数の多い半導体装置の実装に
使用した場合にもワイヤの断線等とパッケージ欠けとを
確実に防止可能なリードフレームの提供を図ることがで
きる。
【００６５】請求項２によれば、リード、リードを支持
する外枠、及び半導体チップを支持するための吊りリー
ドとを備えたリードフレームにおいて、吊りリードの幅
と長さの比を１／２０以上とし、かつ外枠と吊りリード
との切断部の厚みを薄くする構成としたので、吊りリー
ドの強度を確保しながら切断力を小さくすることで、外
部端子数の多い半導体装置の実装に使用した場合にもワ
イヤの断線等とパッケージ欠けとを確実に防止すること
ができる。
する外枠、及び半導体チップを支持するための吊りリー
ドとを備えたリードフレームにおいて、吊りリードの幅
と長さの比を１／２０以上とし、かつ外枠と吊りリード
との切断部の厚みを薄くする構成としたので、吊りリー
ドの強度を確保しながら切断力を小さくすることで、外
部端子数の多い半導体装置の実装に使用した場合にもワ
イヤの断線等とパッケージ欠けとを確実に防止すること
ができる。
【００６６】請求項３または４によれば、請求項１又は
２において、吊りリードの面を粗面仕上げするようにし
たので、吊りリードの投錨効果によって封止樹脂との密
着性を強固にすることができる。
２において、吊りリードの面を粗面仕上げするようにし
たので、吊りリードの投錨効果によって封止樹脂との密
着性を強固にすることができる。
【００６７】請求項５によれば、リード、リードを支持
する外枠、及び半導体チップを支持するための吊りリー
ドを備えたリードフレームにおいて、相隣接する吊りリ
ードの間をたすき状に連結する補強リードを設ける構成
としたので、吊りリードの強度を確保しながら切断力を
小さく維持することで、外部端子数の多い半導体装置の
実装に使用した場合にもワイヤの断線等とパッケージ欠
けとを確実に防止することができる。
する外枠、及び半導体チップを支持するための吊りリー
ドを備えたリードフレームにおいて、相隣接する吊りリ
ードの間をたすき状に連結する補強リードを設ける構成
としたので、吊りリードの強度を確保しながら切断力を
小さく維持することで、外部端子数の多い半導体装置の
実装に使用した場合にもワイヤの断線等とパッケージ欠
けとを確実に防止することができる。
【００６８】請求項６によれば、請求項１〜５におい
て、半導体チップを搭載するためのダイパッドをさらに
設けたので、半導体チップを確実に支持することができ
る。
て、半導体チップを搭載するためのダイパッドをさらに
設けたので、半導体チップを確実に支持することができ
る。
【００６９】請求項７，８，９または１０によれば、請
求項１〜５のうちいずれか１つに記載のリードフレーム
を用いて、吊りリードの先端部と半導体チップの側面，
裏面または主面とを接着剤により互いに接合する半導体
装置を構成したので、はんだ実装時のパッケージクラッ
クの発生が抑制され、外部端子の多いパッケージを高歩
留まりで製造しうる半導体装置の提供を図ることができ
る。
求項１〜５のうちいずれか１つに記載のリードフレーム
を用いて、吊りリードの先端部と半導体チップの側面，
裏面または主面とを接着剤により互いに接合する半導体
装置を構成したので、はんだ実装時のパッケージクラッ
クの発生が抑制され、外部端子の多いパッケージを高歩
留まりで製造しうる半導体装置の提供を図ることができ
る。
【図１】本発明の第１の実施形態に係るリードフレーム
の一部を示す平面図である。
の一部を示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の封
止樹脂を透視して示す平面図である。
止樹脂を透視して示す平面図である。
【図３】本発明の半導体装置における吊りリードの幅と
長さの比と、半導体チップの変動量および金線の断線発
生率との関係を示す特性図である。
長さの比と、半導体チップの変動量および金線の断線発
生率との関係を示す特性図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るリードフレーム
の一部を示す平面図である。
の一部を示す平面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の封
止樹脂を透視して示す平面図である。
止樹脂を透視して示す平面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態の変形形態に係る半導
体装置の封止樹脂を透視して示す平面図である。
体装置の封止樹脂を透視して示す平面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係るリードフレーム
の一部を示す平面図である。
の一部を示す平面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の封
止樹脂を透視して示す平面図である。
止樹脂を透視して示す平面図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係るリードフレーム
の吊りリード付近を拡大して示す斜視図である。
の吊りリード付近を拡大して示す斜視図である。
【図１０】本発明の第５の実施形態に係るリードフレー
ムの吊りリード付近を拡大して示す斜視図である。
ムの吊りリード付近を拡大して示す斜視図である。
【図１１】本発明の第６の実施形態に係るリードフレー
ムの吊りリード付近を拡大して示す斜視図である。
ムの吊りリード付近を拡大して示す斜視図である。
【図１２】従来の半導体装置の封止樹脂を透視して示す
平面図である。
平面図である。
１ 吊りリード ２ ダイパッド ３ インナーリード ４ アウターリード ５ 外枠 ６ タイバー ７ 貫通孔 １０ 封止エリア １１ チップ搭載エリア １２ 半導体チップ １３ 接着剤 １４ 金線（ワイヤ） １５ 封止樹脂 １６ 半導体チップ支持部 １７ 補強リード Ｗ１ 吊りリードの幅 Ｌ１ 吊りリードの長さ
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体チップの電極パッドと外部回路と
の電気的接続を行うためのリードと、 該リードを支持する外枠と、 上記半導体チップを支持するための吊りリードとを備
え、 上記吊りリードの幅と長さの比が１／２０以上であり、 上記外枠と上記吊りリードとを切り離すための切断部に
は少なくとも１つの貫通孔が形成されていることを特徴
とするリードフレーム。 - 【請求項２】 半導体チップの電極パッドと外部回路と
の電気的接続を行うためのリードと、 該リードを支持する外枠と、 上記半導体チップを支持するための吊りリードとを備
え、 上記吊りリードの幅と長さの比が１／２０以上であり、 上記外枠と上記吊りリードとを切り離すための切断部の
厚みが他の部分より薄く形成されていることを特徴とす
るリードフレーム。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のリードフレームに
おいて、 上記吊りリードの面が粗面仕上げされていることを特徴
とするリードフレーム。 - 【請求項４】 請求項３記載のリードフレームにおい
て、 上記吊りリードの面の表面粗さは、Ｒmax １０μｍ〜５
０μｍの範囲にあることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項５】 半導体チップの電極パッドと外部回路と
の電気的接続を行うためのリードと、 該リードを支持する外枠と、 上記半導体チップを支持するための吊りリードとを備
え、 上記吊りリードのうち相隣接する吊りリードの間をたす
き状に連結する補強リードが形成されていることを特徴
とするリードフレーム。 - 【請求項６】 請求項１〜５のうちいずれか１つに記載
のリードフレームにおいて、 上記半導体チップを搭載するためのダイパッドをさらに
備え、 上記吊りリードは、いずれも上記ダイパッドに接続され
ていて、ダイパッドを介して上記半導体チップを支持す
るように構成されていることを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項７】 請求項１〜５のうちいずれか１つに記載
のリードフレームを備え、 上記リードフレームの吊りリードの先端部と半導体チッ
プの側面とが接着剤により互いに接合されていることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項８】 請求項１〜５のうちいずれか１つに記載
のリードフレームを備え、 上記リードフレームの吊りリードの先端部と半導体チッ
プの裏面とが接着剤により互いに接合されていることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項９】 請求項１〜５のうちいずれか１つに記載
のリードフレームを備え、 上記リードフレームの吊りリードの先端部と半導体チッ
プの主面とが接着剤により互いに接合されていることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項１０】 請求項７〜９のうちいずれか１つに記
載の半導体装置において、 上記吊りリードのうち相隣接する吊りリードの先端間を
接続する半導体チップ支持部が設けられ、 少なくとも２つの半導体チップ支持部が互いに分離して
設けられていて、 上記半導体チップは、上記吊りリードの先端の半導体チ
ップ支持部により支持されていることを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9277252A JPH11121680A (ja) | 1997-10-09 | 1997-10-09 | リードフレームおよび半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9277252A JPH11121680A (ja) | 1997-10-09 | 1997-10-09 | リードフレームおよび半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121680A true JPH11121680A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17580946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9277252A Withdrawn JPH11121680A (ja) | 1997-10-09 | 1997-10-09 | リードフレームおよび半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11121680A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095799A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Sharp Corp | 半導体装置、電子機器および半導体装置の製造方法 |
| JP2013044524A (ja) * | 2011-08-21 | 2013-03-04 | Denso Corp | 角速度センサ装置 |
| WO2014200055A1 (ja) * | 2013-06-14 | 2014-12-18 | 大日本印刷株式会社 | 板バネフレーム部材 |
| JP2015001620A (ja) * | 2013-06-14 | 2015-01-05 | 大日本印刷株式会社 | 板バネフレーム部材 |
| JP2015036727A (ja) * | 2013-08-12 | 2015-02-23 | 大日本印刷株式会社 | 板バネフレーム部材 |
| US20180090420A1 (en) * | 2016-09-29 | 2018-03-29 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
| US10916490B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-02-09 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN113707634A (zh) * | 2021-07-19 | 2021-11-26 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 片式封装外壳 |
| US11823985B2 (en) | 2020-11-12 | 2023-11-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Leadframe, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
-
1997
- 1997-10-09 JP JP9277252A patent/JPH11121680A/ja not_active Withdrawn
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095799A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Sharp Corp | 半導体装置、電子機器および半導体装置の製造方法 |
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| JPWO2014200055A1 (ja) * | 2013-06-14 | 2017-02-23 | 大日本印刷株式会社 | 板バネフレーム部材 |
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| CN105283790A (zh) * | 2013-06-14 | 2016-01-27 | 大日本印刷株式会社 | 板簧框架部件 |
| WO2014200055A1 (ja) * | 2013-06-14 | 2014-12-18 | 大日本印刷株式会社 | 板バネフレーム部材 |
| US9939037B2 (en) | 2013-06-14 | 2018-04-10 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Leaf spring frame member |
| CN105283790B (zh) * | 2013-06-14 | 2019-01-22 | 大日本印刷株式会社 | 板簧框架部件 |
| JP2015036727A (ja) * | 2013-08-12 | 2015-02-23 | 大日本印刷株式会社 | 板バネフレーム部材 |
| US20180090420A1 (en) * | 2016-09-29 | 2018-03-29 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
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| US10818581B2 (en) | 2016-09-29 | 2020-10-27 | Renesas Electronics Corporation | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050104 |