JPH03152965A - リードフレーム及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

リードフレーム及び半導体装置の製造方法

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JPH03152965A
JPH03152965A JP29274789A JP29274789A JPH03152965A JP H03152965 A JPH03152965 A JP H03152965A JP 29274789 A JP29274789 A JP 29274789A JP 29274789 A JP29274789 A JP 29274789A JP H03152965 A JPH03152965 A JP H03152965A
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JP
Japan
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lead frame
lead
leads
semiconductor device
island
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Application number
JP29274789A
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Inventor
Hiroshi Narita
成田 博史
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置組立用リードフレーム\とそのリー
ドフレームを用いた半導体装置の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体装置組立用リードフレーム(以下、リード
フレームと略す)は、2つのICが搭載できる構造を例
にとり、第4図の平面図に示すように、半導体素子搭載
部1(以下アイランドと称す)はフレーム部2に吊りビ
ン3a、3b4ごて連結され、外部取り出しリード4a
〜4hはモールドエリア5外のリード部(外部リード)
で互いにタイバー6a、6bで連結され、タイバー6a
、6bはフレーム部2まで延長されて連結されている。
外部取り出しリード4a〜4hはアイランド1とは離れ
て設けられており、また外部取り出しリード4a〜4h
の先端はアイランド1に対向するように配置されている
。例外的に、半導体素子の裏面からグランドを取るなど
の理由で、外部取り出しリードのうち1本がアイランド
と連結されているものもある。
従来は前述のリードフレームを用い、アイランドに半導
体素子を導電性接着剤で固着したのち、半導体素子表面
電極と外部取り出しリードとを金属細線を用いてワイヤ
ボンディングし、さらに外部リードを残し、半導体素子
、ワイヤボンディング部及びリード部を樹脂封止する。
その後、タイバー切断による外部リード連結部の分離、
リード仕上げ等を行なって半導体装置を製造していた。
又、別のリードフレームの形態として、モールドエリア
内の外部取り出しリード同志を絶縁性粘着フィルムにて
連結したリードフレームを用いる場合もある。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のリードフレームは、アイランドと外部取
り出しリード先端とが互いに対向しており、外部取り出
しリード先端はどこにも連結されていない。そのために
、比較的に小さい力で変形する事が多い。外部取り出し
リードが変形によって所定の位置から上下左右にずれる
と、半導体装置組立工程、特にワイヤボンディングや樹
脂封止時に、ワイヤ不着、ワイヤ破断などの重大な不良
を引き起こす要因となる。
又、リード変形は、リードフレームのプレス加工時に加
えられる剪断応力や、プレス加工後のめっき、包装 運
搬など取扱い時の衝撃等によって発生ずる。最近、リー
ドフレームは板厚が薄くなり、半導体装置1個当りのリ
ード数が飛躍的に多いものが増えているので、アイラン
ドと対向する外部取り出しリード先端は幅が狭く、且つ
薄くなっており、プレス加工、その他通常の取り扱いが
可能な限界を越えるに至っている。
そのため、非常に割高なエツチング加工に頼る事も多い
が、加工後の取扱いによる変形は一向に改善できていな
い。さらにプレス加工後、外部取り出しリードを互いに
絶縁性粘着フィルムにて連結して変形を防ぐ技術も実用
されているが、やはり加工時の変形を回避できず、粘着
フィルム貼付加工費が大きい」−1粘着フィルム自体か
ら発生ずる不純物等による半導体装置の信頼度低下を引
き起こすなどの問題点を内在している。
上述した従来のリードフレーム及び半導体装置の製造方
法に対し、本発明は、リードフレームの製造時に、変形
し易いリード先端部は加工しないでアイランドとつなが
ったままの状態にしておき、半導体装置の製造中に、機
械的又は化学的加工ではなく光学的加工にて、変形し易
いリード先端部の加工を行なう。すなわち、半導体装置
製造工程中にリードフレームの加工を行なうようにした
ものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、半導体装置組立用のリードフレームにおいて
、外部取り出しリードの内部先端部が個々に切り離され
ていないリードフレームであり、又、前記リードフレー
ムの外部取り出しリードの内部先端部を個々に切断する
工程を含む半導体装置の製造方法である。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例のリードフレームの平面
図である。
アイランド1は、フレーム部2a、2bに吊りビン3a
、3bによって連結されている。さらにアイランド1は
、外部取り出しリード4a〜4hとも連結されている。
モールドエリア5(図中破線に囲まれた範囲)外の外部
リード部は、互いにタイバー6a、6bで連結され、タ
イバー6a。
6bはフレーム部2a、2bに連なっている。外部リー
ド部の先端は桟部7a、7bに接続され、桟部7a、7
bはフレーム部2a、2bにつながっている。以上の構
造を1パターンとし、このパターンが数〜数十個配列さ
れたものが実施例のリードフレームである。
上記のようなリードフレームを用いて半導体装置を製造
する方法について、以下に説明する。第1図に示したリ
ードフレームのアイランド1に半導体素子8をダイボン
ドする。ダイボンド用接着材は熱硬化性の銀−エポキシ
系接着剤が用いられる。ダイボンド後、アイランド1と
外部取り出しリード4a〜4hとの連結部9を溶断し、
アイランド1と外部取り出しリード4a〜4hとを分離
する。レーザー発振器が得られたレーザー光を集光して
前記連結部に照射し、連結部を消失させる。こうして製
造したダイボンド済みリードフレームを第2図の平面図
に示す。これ以降は、従来と同様にワイヤボンドし、樹
脂封止して、さらにタイバー切断、リード仕上げを行な
って本発明の半導体装置を製造する。
又、連結部を溶断するプロセスを、ワイヤボンディング
後、樹脂封止直前に行なう事も可能であり、このように
切断工程を後工程とする程変形防止効果がさらに大きい
ものになる。但し、この場合、ワイヤにレーザー光が照
射されるのを避けるため、リードフレーム裏面(ダイボ
ンドする面の裏側)から照射する必要がある。一方、比
較的変形し難いリードフレームの場合は、ダイボンドす
る直前に連結部を溶断してもよい。
第3図は本発明の第2の実施例を表わすリードフレーム
の平面図である。アイランド1と対向する外部取り出し
リード4a〜4hの先端はアイランド1から分離してい
る。そして外部取り出しリード4a〜4hのモールドエ
リア5内の部分でリード同志を連結している。その後の
製造方法は第1の実施例と同様である。この実施例によ
れば、半導体装置組立工程のいずれか、特にワイヤボン
ディング後に溶断する際、リードフレーム表面からレー
ザー光を照射することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、リードフレームの最も微
細加工が必要なインナーリード先端部近傍の加工をリー
ドフレーム製作工程では行なわず、半導体装置組立工程
で行なう。従って、リードフレームの外部取り出しリー
ド先端など、微細かつ脆弱な箇所が半導体装置組立工程
で形成されるため、それ以前の各プロセスでの取扱い、
加工などによる変形は全く発生しない。そのため高価な
粘着フィルムを用いて補強する必要もなく、リード変形
による半導体装置の品質、信頼度の低下を未然に防止す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例であるリードフレームの
平面図、第2図はそのリードフレームに加工を施した後
の平面図、第3図は本発明の第2の実施例であるリード
フレームの平面図、第4図は従来のリードフレームの平
面図である。 1・・アイランド、2a、2b・・・フレーム部、3a
、3b・・・吊りピン、4a〜4h・・・外部取り出し
リード、5・・・モールドエリア、6a、6b・・タイ
バー、7a、7b・・・桟、8・・・半導体素子、9・
・・連結部。 第1図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体装置組立用のリードフレームにおいて、外
    部取り出しリードの内部先端部が個々に切り離されてい
    ないことを特徴とするリードフレーム。
  2. (2)リードフレームを用いた半導体装置の製造方法に
    おいて、外部取り出しリードの内部先端部を個々に切断
    する工程を含む請求項(1)記載のリードフレームを用
    いた半導体装置の製造方法。
JP29274789A 1989-11-09 1989-11-09 リードフレーム及び半導体装置の製造方法 Pending JPH03152965A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5200806A (en) * 1989-09-12 1993-04-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Lead frame having a plurality of island regions and a suspension pin
DE19842683A1 (de) * 1998-09-17 1999-12-16 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls sowie in diesem Verfahren einsetzbare Komponenten
WO2000051179A1 (en) * 1999-02-23 2000-08-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a leadframe assembly

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5200806A (en) * 1989-09-12 1993-04-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Lead frame having a plurality of island regions and a suspension pin
DE19842683A1 (de) * 1998-09-17 1999-12-16 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls sowie in diesem Verfahren einsetzbare Komponenten
WO2000051179A1 (en) * 1999-02-23 2000-08-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a leadframe assembly
US6340634B1 (en) 1999-02-23 2002-01-22 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing an assembly of conductors and a semiconductor device manufactured by means of such an assembly

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