JPH08167685A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH08167685A JPH08167685A JP6312031A JP31203194A JPH08167685A JP H08167685 A JPH08167685 A JP H08167685A JP 6312031 A JP6312031 A JP 6312031A JP 31203194 A JP31203194 A JP 31203194A JP H08167685 A JPH08167685 A JP H08167685A
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体装置の製造方法に関し、多ピ
ン化、薄型化した場合でも歩留りの低下を来たさない半
導体装置の製造方法を実現することを目的とする。 【構成】 アウターリード１０のみがパターン化され、
インナーリードを含む内部パターンは平面のままである
リードフレームを用い、該リードフレーム１０のインナ
ーリードを含む内部パターンを形成する領域の一方の面
を露出させる凹部１７が形成されるようにパッケージ用
の樹脂モールドを行い、次いで露出している前記領域を
エッチングしてインナーリード１８を含む内部パターン
を形成し、次いでチップ２０を搭載し、次いで前記凹部
１７を樹脂にて充填するように構成する。
ン化、薄型化した場合でも歩留りの低下を来たさない半
導体装置の製造方法を実現することを目的とする。 【構成】 アウターリード１０のみがパターン化され、
インナーリードを含む内部パターンは平面のままである
リードフレームを用い、該リードフレーム１０のインナ
ーリードを含む内部パターンを形成する領域の一方の面
を露出させる凹部１７が形成されるようにパッケージ用
の樹脂モールドを行い、次いで露出している前記領域を
エッチングしてインナーリード１８を含む内部パターン
を形成し、次いでチップ２０を搭載し、次いで前記凹部
１７を樹脂にて充填するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関する。
関する。
【０００２】近年、半導体装置においては、小型化、高
集積化に伴い、多ピン化、薄型化が進められている。こ
のため、インナーリードのファイン化対応及び高粘度レ
ジンの適用がさけばれ、薄く、細いリードフレームを粘
度の高いレジンでモールドする技術が求められている。
集積化に伴い、多ピン化、薄型化が進められている。こ
のため、インナーリードのファイン化対応及び高粘度レ
ジンの適用がさけばれ、薄く、細いリードフレームを粘
度の高いレジンでモールドする技術が求められている。
【０００３】
【従来の技術】従来の半導体装置は、図８（ａ）に示す
ようにアウターリード１、インナーリード２、ダイステ
ージ３等が形成されたリードフレーム４を用い、そのダ
イステージ３に半導体チップ５をダイボンディングして
搭載し、次いで該チップ５の電極とインナーリード２間
を細線６でワイヤボンディングし、さらに（ｂ）図に示
すように半導体チップを樹脂７にてモールド封止した
後、アウターリードを連結しているリードフレームの枠
を除去し、（ｃ）図の断面図に示すようにアウターリー
ド１を折曲成形して完成させたものである。
ようにアウターリード１、インナーリード２、ダイステ
ージ３等が形成されたリードフレーム４を用い、そのダ
イステージ３に半導体チップ５をダイボンディングして
搭載し、次いで該チップ５の電極とインナーリード２間
を細線６でワイヤボンディングし、さらに（ｂ）図に示
すように半導体チップを樹脂７にてモールド封止した
後、アウターリードを連結しているリードフレームの枠
を除去し、（ｃ）図の断面図に示すようにアウターリー
ド１を折曲成形して完成させたものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体装置
では、多ピン化、薄型化した場合、その組立工程（ハン
ドリング、ダイボンディング、ワイヤボンディング工程
等）においてリードフレームが変形し易く、また樹脂モ
ールディング工程において樹脂注入時にリードフレーム
を変形させる等、歩留りの低下を招来するという問題が
あった。
では、多ピン化、薄型化した場合、その組立工程（ハン
ドリング、ダイボンディング、ワイヤボンディング工程
等）においてリードフレームが変形し易く、また樹脂モ
ールディング工程において樹脂注入時にリードフレーム
を変形させる等、歩留りの低下を招来するという問題が
あった。
【０００５】本発明は上記従来の問題点に鑑み、多ピン
化、薄型化した場合でも歩留りの低下を来たさない半導
体装置の製造方法を実現しようとする。
化、薄型化した場合でも歩留りの低下を来たさない半導
体装置の製造方法を実現しようとする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法に於いては図１に示されるように、アウターリー
ド１０のみがパターン化され、インナーリードを含む内
部パターンは平面のままであるリードフレームを用い、
該リードフレーム１０のインナーリードを含む、内部パ
ターンを形成する領域の一方の面を露出させる凹部１７
が形成されるようにパッケージ用の樹脂モールドを行
い、次いで露出している前記領域をエッチングしてイン
ナーリード１８を含む内部パターンを形成し、次いでチ
ップ２０を搭載し、次いで前記凹部１７を樹脂にて充填
したことを特徴とする。
造方法に於いては図１に示されるように、アウターリー
ド１０のみがパターン化され、インナーリードを含む内
部パターンは平面のままであるリードフレームを用い、
該リードフレーム１０のインナーリードを含む、内部パ
ターンを形成する領域の一方の面を露出させる凹部１７
が形成されるようにパッケージ用の樹脂モールドを行
い、次いで露出している前記領域をエッチングしてイン
ナーリード１８を含む内部パターンを形成し、次いでチ
ップ２０を搭載し、次いで前記凹部１７を樹脂にて充填
したことを特徴とする。
【０００７】また、図２に示されるように、アウターリ
ード１０のみがパターン化され、インナーリード１８を
含む内部パターンはハーフエッチングされているリード
フレーム１０を用い、該リードフレーム１０のハーフエ
ッチングした領域を露出させる凹部１７が形成されるよ
うにパッケージ用の樹脂モールドを行い、次いで露出し
ている前記領域をエッチングしてインナーリード１８を
含む内部パターンを形成し、次いでチップ２０を搭載
し、次いで前記凹部１７を樹脂にて充填したことを特徴
とする。
ード１０のみがパターン化され、インナーリード１８を
含む内部パターンはハーフエッチングされているリード
フレーム１０を用い、該リードフレーム１０のハーフエ
ッチングした領域を露出させる凹部１７が形成されるよ
うにパッケージ用の樹脂モールドを行い、次いで露出し
ている前記領域をエッチングしてインナーリード１８を
含む内部パターンを形成し、次いでチップ２０を搭載
し、次いで前記凹部１７を樹脂にて充填したことを特徴
とする。
【０００８】また、図３に示されるように、インナーリ
ード１８の先端が連結部２４にて連結され、該連結部２
４がハーフエッチングされているリードフレーム１０を
用い、該リードフレーム１０のインナーリード１８を含
む内部パターン領域を露出させる凹部１７が形成される
ようにパッケージ用の樹脂モールドを行い、次いで露出
しているインナーリード１８の連結部２４をエッチン
グ、レーザ等の加工手段により切断し、次いでチップ２
０を搭載し、次いで前記凹部１７を樹脂にて充填したこ
とを特徴とする。
ード１８の先端が連結部２４にて連結され、該連結部２
４がハーフエッチングされているリードフレーム１０を
用い、該リードフレーム１０のインナーリード１８を含
む内部パターン領域を露出させる凹部１７が形成される
ようにパッケージ用の樹脂モールドを行い、次いで露出
しているインナーリード１８の連結部２４をエッチン
グ、レーザ等の加工手段により切断し、次いでチップ２
０を搭載し、次いで前記凹部１７を樹脂にて充填したこ
とを特徴とする。
【０００９】また、図４に示されるように、プラスチッ
クＩＣ用リードフレーム１０のインナーリード１８の先
端部をテープ２５で連結しておき、インナーリード１８
を含む内部パターンを露出させる凹部１７が形成される
ようにパッケージ用の樹脂モールドを行い、次いで露出
している前記インナーリード１８の先端を連結している
テープ２５を除去し、次いでチップ２０を搭載し、次い
で前記凹部１７を樹脂にて充填したことを特徴とする。
クＩＣ用リードフレーム１０のインナーリード１８の先
端部をテープ２５で連結しておき、インナーリード１８
を含む内部パターンを露出させる凹部１７が形成される
ようにパッケージ用の樹脂モールドを行い、次いで露出
している前記インナーリード１８の先端を連結している
テープ２５を除去し、次いでチップ２０を搭載し、次い
で前記凹部１７を樹脂にて充填したことを特徴とする。
【００１０】また、図５に示されるように、プラスチッ
クＩＣ用のリードフレーム１０のインナーリード１８を
含む内部パターン領域に金属ブロック２６をはり付け、
その状態でパッケージ用の樹脂モールドを行い、次いで
金属ブロック２６を除去し、次いでチップ２０を搭載
し、次いで金属ブロック２６を除去した凹部１７に樹脂
を充填したことを特徴とする。
クＩＣ用のリードフレーム１０のインナーリード１８を
含む内部パターン領域に金属ブロック２６をはり付け、
その状態でパッケージ用の樹脂モールドを行い、次いで
金属ブロック２６を除去し、次いでチップ２０を搭載
し、次いで金属ブロック２６を除去した凹部１７に樹脂
を充填したことを特徴とする。
【００１１】また、図６に示されるように、ダイステー
ジのないプラスチックＩＣ用のリードフレーム１０を用
い、その一方の面のインナーリード１８を含む領域に金
属ブロック２６をはり付け、金属ブロック面にチップ２
０を搭載し、次いでパッケージ用の樹脂モールドを行、
次いで金属ブロック２６を除去し、次いで金属ブロック
２６を除去した凹部１７に樹脂を充填したことを特徴と
する。
ジのないプラスチックＩＣ用のリードフレーム１０を用
い、その一方の面のインナーリード１８を含む領域に金
属ブロック２６をはり付け、金属ブロック面にチップ２
０を搭載し、次いでパッケージ用の樹脂モールドを行、
次いで金属ブロック２６を除去し、次いで金属ブロック
２６を除去した凹部１７に樹脂を充填したことを特徴と
する。
【００１２】また、図７に示されるように、リードフレ
ームの片面にのみパッケージ用の樹脂モールドが行われ
る半導体の製造方法において、リードフレーム１０には
パターン化を行なわないリードフレーム１０を用い、樹
脂モールド後にパターン化を行うことを特徴とする。
ームの片面にのみパッケージ用の樹脂モールドが行われ
る半導体の製造方法において、リードフレーム１０には
パターン化を行なわないリードフレーム１０を用い、樹
脂モールド後にパターン化を行うことを特徴とする。
【００１３】この構成を採ることにより、多ピン化、薄
型化した場合でも歩留りの低下を来たさない半導体装置
の製造方法が得られる。
型化した場合でも歩留りの低下を来たさない半導体装置
の製造方法が得られる。
【００１４】
【作用】本発明では、リードフレーム１０のインナーリ
ード１８を含む内部パターン領域が露出するようにパッ
ケージ用樹脂モールドを行なうことにより、インナーリ
ード１８はモールド用金型で保護され、変形は防止され
る。また、リードフレーム１０のインナーリード１８を
含む内部パターン領域に金属ブロック２６をはり付けて
おき、その状態でパッケージ用樹脂モールドを行うこと
により、インナーリード１８は金属ブロック２６により
保護され、変形は防止される。
ード１８を含む内部パターン領域が露出するようにパッ
ケージ用樹脂モールドを行なうことにより、インナーリ
ード１８はモールド用金型で保護され、変形は防止され
る。また、リードフレーム１０のインナーリード１８を
含む内部パターン領域に金属ブロック２６をはり付けて
おき、その状態でパッケージ用樹脂モールドを行うこと
により、インナーリード１８は金属ブロック２６により
保護され、変形は防止される。
【００１５】また、パターン化されていないリードフレ
ームの一方の面にパッケージ用樹脂モールドを行い、そ
の後リードフレーム１０のパターン化を行うことにより
インナーリード１８は樹脂により保護されているため変
形は防止される。
ームの一方の面にパッケージ用樹脂モールドを行い、そ
の後リードフレーム１０のパターン化を行うことにより
インナーリード１８は樹脂により保護されているため変
形は防止される。
【００１６】
【実施例】図１は本発明の半導体装置の製造方法の第１
の実施例を説明するための図である。本実施例のリード
フレーム１０は図１（ａ）の如く所定の大きさのリード
フレーム用の金属薄板１１にインナーリード及びダイス
テージのパターン化を行なわず、アウターリード１２の
みをパターン化したものである。
の実施例を説明するための図である。本実施例のリード
フレーム１０は図１（ａ）の如く所定の大きさのリード
フレーム用の金属薄板１１にインナーリード及びダイス
テージのパターン化を行なわず、アウターリード１２の
みをパターン化したものである。
【００１７】そして、このアウターリード１２のパター
ン化は、隣接するアウターリード間に窓１３を形成し、
アウターリード１２と、アウターリード同士を連結する
連結部１４を形成している。なお三角形の窓１５はダイ
ステージを支持するバーを形成するためのものである。
ン化は、隣接するアウターリード間に窓１３を形成し、
アウターリード１２と、アウターリード同士を連結する
連結部１４を形成している。なお三角形の窓１５はダイ
ステージを支持するバーを形成するためのものである。
【００１８】次に上記リードフレームを用いた半導体装
置の製造方法を説明する。本実施例の半導体装置の製造
方法は図１（ａ）に示すリードフレーム１０の上下面
に、（ｂ）図の平面図及び（ｃ）図の断面図に示すよう
に、パッケージ用の樹脂モールド１６を行う。この際イ
ンナーリードを含む内部パターンを形成する領域が露出
するように凹部１７を形成する。なお凹部１７にはアウ
ターリード１２の一部を露出させる（後に形成するイン
ナーリードとの接続を完全にするため）ことが好まし
い。また該凹部１７はモールド金型のキャビティに突部
を設けることで容易に形成することができる。
置の製造方法を説明する。本実施例の半導体装置の製造
方法は図１（ａ）に示すリードフレーム１０の上下面
に、（ｂ）図の平面図及び（ｃ）図の断面図に示すよう
に、パッケージ用の樹脂モールド１６を行う。この際イ
ンナーリードを含む内部パターンを形成する領域が露出
するように凹部１７を形成する。なお凹部１７にはアウ
ターリード１２の一部を露出させる（後に形成するイン
ナーリードとの接続を完全にするため）ことが好まし
い。また該凹部１７はモールド金型のキャビティに突部
を設けることで容易に形成することができる。
【００１９】次いで、凹部１７の底部に露出している内
部パターンを形成する領域にパターン形成用のレジスト
を塗布した後、エッチングして（ｄ）図の如くインナー
リード１８及びダイステージ１９を形成する。なおレジ
ストの塗布はスタンプ印刷等により印刷することができ
る。
部パターンを形成する領域にパターン形成用のレジスト
を塗布した後、エッチングして（ｄ）図の如くインナー
リード１８及びダイステージ１９を形成する。なおレジ
ストの塗布はスタンプ印刷等により印刷することができ
る。
【００２０】次いで（ｅ）図の如くダイステージ１９の
上に半導体チップ２０を搭載した後、該チップの電極と
インナーリード１８間を細線２１でワイヤボンディング
する。その後（ｆ）図の如く凹部１７に樹脂２２を充填
し、リードフレーム１０のアウターリードの連結部１４
を切断除去した後、（ｇ）図に示すようにアウターリー
ド１２を所定の形状に折曲成形して半導体装置２３を完
成する。
上に半導体チップ２０を搭載した後、該チップの電極と
インナーリード１８間を細線２１でワイヤボンディング
する。その後（ｆ）図の如く凹部１７に樹脂２２を充填
し、リードフレーム１０のアウターリードの連結部１４
を切断除去した後、（ｇ）図に示すようにアウターリー
ド１２を所定の形状に折曲成形して半導体装置２３を完
成する。
【００２１】このように構成された本実施例の半導体装
置の製造方法は、リードフレーム１０のインナーリード
１８を含む内部パターンをパッケージ用の樹脂モールド
後にパターン形成するため、従来の如くハンドリング
時、または樹脂モールド時にインナーリードを変形させ
るようなことはない。従って歩留りの低下も防止され
る。
置の製造方法は、リードフレーム１０のインナーリード
１８を含む内部パターンをパッケージ用の樹脂モールド
後にパターン形成するため、従来の如くハンドリング
時、または樹脂モールド時にインナーリードを変形させ
るようなことはない。従って歩留りの低下も防止され
る。
【００２２】次に本発明の半導体装置の製造方法の第２
の実施例を図２により説明する。本実施例のリードフレ
ーム１０は、図２（ａ）に示すように所定の大きさのリ
ードフレーム用の金属薄板１１にアウターリード１２が
パターン形成され、インナーリード１８を含む内部パタ
ーンはハーフエッチングされたものである。なお図中１
４はアウターリード１２の先端を連結した連結部であ
り、１５はダイステージを支持するバーを形成するため
の窓である。
の実施例を図２により説明する。本実施例のリードフレ
ーム１０は、図２（ａ）に示すように所定の大きさのリ
ードフレーム用の金属薄板１１にアウターリード１２が
パターン形成され、インナーリード１８を含む内部パタ
ーンはハーフエッチングされたものである。なお図中１
４はアウターリード１２の先端を連結した連結部であ
り、１５はダイステージを支持するバーを形成するため
の窓である。
【００２３】このように形成されたリードフレームを用
いた半導体装置の製造方法は、図２（ａ）のリードフレ
ーム１０の上下両面に、（ｂ）図の平面図及び（ｃ）図
の断面図に示すようにパッケージ用の樹脂モールド１６
を行う。この際、前実施例と同様にインナーリードを含
む内部パターンを形成する領域が露出するように凹部１
７を形成する。
いた半導体装置の製造方法は、図２（ａ）のリードフレ
ーム１０の上下両面に、（ｂ）図の平面図及び（ｃ）図
の断面図に示すようにパッケージ用の樹脂モールド１６
を行う。この際、前実施例と同様にインナーリードを含
む内部パターンを形成する領域が露出するように凹部１
７を形成する。
【００２４】次いで凹部１７の底部に露出しているハー
フエッチングされた内部パターン領域にレジスト塗布及
びエッチングにより（ｄ）図の如くインナーリード１８
及びダイステージ１９を形成する。以下は前実施例と同
様に（ｅ）〜（ｇ）図の如くチップ２０の搭載、細線２
１によるワイヤボンディング、樹脂２２による凹部１７
の充填、アウターリード１２の折曲形成を行い（ｇ）図
の如く半導体装置２３を完成する。
フエッチングされた内部パターン領域にレジスト塗布及
びエッチングにより（ｄ）図の如くインナーリード１８
及びダイステージ１９を形成する。以下は前実施例と同
様に（ｅ）〜（ｇ）図の如くチップ２０の搭載、細線２
１によるワイヤボンディング、樹脂２２による凹部１７
の充填、アウターリード１２の折曲形成を行い（ｇ）図
の如く半導体装置２３を完成する。
【００２５】このように構成された本実施例の半導体装
置その製造方法は、前実施例と同様な効果を有する上、
予め内部パターンをハーフエッチングしておくため、後
工程のエッチング時間が短縮できるという利点がある。
置その製造方法は、前実施例と同様な効果を有する上、
予め内部パターンをハーフエッチングしておくため、後
工程のエッチング時間が短縮できるという利点がある。
【００２６】次に本発明の半導体装置の製造方法の第３
の実施例を図３により説明する。本実施例のリードフレ
ーム１０は図３（ａ）に示すように、所定の大きさのリ
ードフレーム用の金属薄板１１にアウターリード１２
と、該アウターリードに接続したインナーリード１８
と、ダイステージ１９とがパターン形成され、さらに各
インナーリード１８の先端を接続する連結部２４（ハツ
チングを入れて示す）が形成され、且つ該連結部２４は
ハーフエッチングされている。なお図中１４はアウター
リード１２の先端を連結した連結部であり、１５はダイ
ステージを支持するバーを形成するための窓である。
の実施例を図３により説明する。本実施例のリードフレ
ーム１０は図３（ａ）に示すように、所定の大きさのリ
ードフレーム用の金属薄板１１にアウターリード１２
と、該アウターリードに接続したインナーリード１８
と、ダイステージ１９とがパターン形成され、さらに各
インナーリード１８の先端を接続する連結部２４（ハツ
チングを入れて示す）が形成され、且つ該連結部２４は
ハーフエッチングされている。なお図中１４はアウター
リード１２の先端を連結した連結部であり、１５はダイ
ステージを支持するバーを形成するための窓である。
【００２７】このように形成されたリードフレームを用
いた半導体装置の製造方法は図３（ａ）のリードフレー
ム１０の上下両面に、（ｂ）図の平面図及び（ｃ）図の
断面図に示すようにパッケージ用の樹脂モールド１６を
行う。この際、インナーリード１８を含む内部パターン
が形成された領域が露出するように凹部１７を形成す
る。
いた半導体装置の製造方法は図３（ａ）のリードフレー
ム１０の上下両面に、（ｂ）図の平面図及び（ｃ）図の
断面図に示すようにパッケージ用の樹脂モールド１６を
行う。この際、インナーリード１８を含む内部パターン
が形成された領域が露出するように凹部１７を形成す
る。
【００２８】次いで凹部１７の底部に露出しているイン
ナーリード１８の連結部２４をエッチング又はレーザ等
の加工手段で切断する。以下の工程は前実施例と同様に
（ｅ）〜（ｇ）図の如くチップ（２０）の搭載、細線２
１によるワイヤボンディング、樹脂２２による凹部１７
の充填、アウターリード１２の折曲成形を行い（ｇ）図
の如く半導体装置２３を完成する。
ナーリード１８の連結部２４をエッチング又はレーザ等
の加工手段で切断する。以下の工程は前実施例と同様に
（ｅ）〜（ｇ）図の如くチップ（２０）の搭載、細線２
１によるワイヤボンディング、樹脂２２による凹部１７
の充填、アウターリード１２の折曲成形を行い（ｇ）図
の如く半導体装置２３を完成する。
【００２９】このように構成された本実施例の半導体装
置の製造方法は、パッケージ用樹脂モールドを行う際は
インナーリード１８は連結部２４で連結されているた
め、インナーリード１８の変形は防止される。
置の製造方法は、パッケージ用樹脂モールドを行う際は
インナーリード１８は連結部２４で連結されているた
め、インナーリード１８の変形は防止される。
【００３０】次に本発明の半導体装置の製造方法の第４
の実施例を図４により説明する。本実施例に用いるリー
ドフレーム１０は、図４（ａ）に示すように、所定の大
きさのリードフレーム用の金属薄板１１にアウターリー
ド１２と、該アウターリードに接続したインナーリード
１８と、ダイステージ１９が形成された通常のリードフ
レームと同様なものである。
の実施例を図４により説明する。本実施例に用いるリー
ドフレーム１０は、図４（ａ）に示すように、所定の大
きさのリードフレーム用の金属薄板１１にアウターリー
ド１２と、該アウターリードに接続したインナーリード
１８と、ダイステージ１９が形成された通常のリードフ
レームと同様なものである。
【００３１】このリードフレームを用いた半導体装置の
製造方法は、図４（ａ）のリードフレーム１０の一方の
面のインナーリード１８の先端部を（ｂ）図の如く粘着
テープ２５（ハツチングを入れて示す）で連結する。
（図においてはダイステージ１９にも連結している。）
次いで（ｃ）図の平面図及び（ｄ）図の断面図に示すよ
うに粘着テープ２５で覆った部分を露出させる凹部１７
が形成されるようにパッケージ用の樹脂モールド１６を
行う。
製造方法は、図４（ａ）のリードフレーム１０の一方の
面のインナーリード１８の先端部を（ｂ）図の如く粘着
テープ２５（ハツチングを入れて示す）で連結する。
（図においてはダイステージ１９にも連結している。）
次いで（ｃ）図の平面図及び（ｄ）図の断面図に示すよ
うに粘着テープ２５で覆った部分を露出させる凹部１７
が形成されるようにパッケージ用の樹脂モールド１６を
行う。
【００３２】次いで粘着テープ２５を除去する。以下の
工程は前実施例と同様に（ｅ）〜（ｇ）図の如くチップ
２０の搭載、細線２１によるワイヤボンディング、樹脂
２２による凹部１７の充填、アウターリード１２の折曲
形成を行い、（ｇ）図の如く半導体装置２３を完成す
る。
工程は前実施例と同様に（ｅ）〜（ｇ）図の如くチップ
２０の搭載、細線２１によるワイヤボンディング、樹脂
２２による凹部１７の充填、アウターリード１２の折曲
形成を行い、（ｇ）図の如く半導体装置２３を完成す
る。
【００３３】このように構成された本実施例の半導体装
置の製造方法は、パッケージ用樹脂モールドを行う際
は、インナーリード１８は粘着テープ２５で固定されて
いるため変形することはない。
置の製造方法は、パッケージ用樹脂モールドを行う際
は、インナーリード１８は粘着テープ２５で固定されて
いるため変形することはない。
【００３４】次に本発明の半導体装置の製造方法の第５
の実施例を図５により説明する。本実施例に用いるリー
ドフレーム１０は前実施例と同様な通常のリードフレー
ムである。このリードフレームを用いた半導体装置の製
造方法は、図５（ａ）のリードフレーム１０の一方の面
のインナーリード１８を含む内部パターン領域に、
（ｂ）図の平面図及び（ｃ）図の断面図に示すように金
属ブロック２６をはり付ける。
の実施例を図５により説明する。本実施例に用いるリー
ドフレーム１０は前実施例と同様な通常のリードフレー
ムである。このリードフレームを用いた半導体装置の製
造方法は、図５（ａ）のリードフレーム１０の一方の面
のインナーリード１８を含む内部パターン領域に、
（ｂ）図の平面図及び（ｃ）図の断面図に示すように金
属ブロック２６をはり付ける。
【００３５】次いで、（ｄ）図の如く、金属ブロック２
６をはり付けた状態のリードフレーム１０の上下両面に
パッケージ用の樹脂モールド１６を行った後、（ｅ）図
の如く金属ブロック２６を除去し、凹部１７を形成す
る。以下の工程は前実施例と同様に（ｆ）〜（ｈ）図の
如くチップ２０の搭載、細線２１によるワイヤボンディ
ング、樹脂２２による凹部１７の充填、アウターリード
１２の折曲成形を行い、（ｈ）図の如く半導体装置２３
を完成する。
６をはり付けた状態のリードフレーム１０の上下両面に
パッケージ用の樹脂モールド１６を行った後、（ｅ）図
の如く金属ブロック２６を除去し、凹部１７を形成す
る。以下の工程は前実施例と同様に（ｆ）〜（ｈ）図の
如くチップ２０の搭載、細線２１によるワイヤボンディ
ング、樹脂２２による凹部１７の充填、アウターリード
１２の折曲成形を行い、（ｈ）図の如く半導体装置２３
を完成する。
【００３６】このように構成された本実施例の半導体装
置の製造方法は、パッケージ用樹脂モールドを行う際は
インナーリード１８は金属ブロック２６により保護され
ているため変形することはない。
置の製造方法は、パッケージ用樹脂モールドを行う際は
インナーリード１８は金属ブロック２６により保護され
ているため変形することはない。
【００３７】次に本発明の半導体装置の製造方法の第６
の実施例を図６により説明する。本実施例に用いるリー
ドフレーム１０は図６（ａ）に示すように、所定の大き
さのリードフレーム用の金属薄板１１にアウターリード
１２と、該アウターリードに接続したインナーリード１
８とが形成され、ダイステージは除去されている。なお
１４はアウターリードの連結部である。
の実施例を図６により説明する。本実施例に用いるリー
ドフレーム１０は図６（ａ）に示すように、所定の大き
さのリードフレーム用の金属薄板１１にアウターリード
１２と、該アウターリードに接続したインナーリード１
８とが形成され、ダイステージは除去されている。なお
１４はアウターリードの連結部である。
【００３８】このリードフレームを用いた半導体装置の
製造方法は、図６（ａ）のリードフレーム１０の一方の
面に、（ｂ）図の平面図及び（ｃ）図の断面図に示す如
く、インナーリード１８を含む領域に金属ブロック２６
をはり付け、次いでこの金属ブロック２６の上に（ｄ）
図の如くチップ２０を搭載し、さらに該チップの電極と
インナーリード１８間を細線２１でワイヤボンディング
する。
製造方法は、図６（ａ）のリードフレーム１０の一方の
面に、（ｂ）図の平面図及び（ｃ）図の断面図に示す如
く、インナーリード１８を含む領域に金属ブロック２６
をはり付け、次いでこの金属ブロック２６の上に（ｄ）
図の如くチップ２０を搭載し、さらに該チップの電極と
インナーリード１８間を細線２１でワイヤボンディング
する。
【００３９】次いで（ｅ）の如くリードフレーム１０の
上下面にパッケージ用の樹脂モールド１６を行った後、
（ｆ）図の如く金属ブロック２６を除去する。次いで金
属ブロック２６を除去した凹部１７に樹脂２２を充填
し、さらにアウターリード１２を折曲成形して（ｇ）図
の如く半導体装置（２３）を完成する。
上下面にパッケージ用の樹脂モールド１６を行った後、
（ｆ）図の如く金属ブロック２６を除去する。次いで金
属ブロック２６を除去した凹部１７に樹脂２２を充填
し、さらにアウターリード１２を折曲成形して（ｇ）図
の如く半導体装置（２３）を完成する。
【００４０】このように構成された本実施例の半導体装
置の製造方法は、パッケージ用の樹脂モールドを行う際
は、インナーリード１８は金属ブロック２６により保護
されているため変形することはない。またチップ２０は
直接樹脂上に実装されるため、樹脂と熱膨張率の異なる
ダイステージを排除することができ、クラック等の発生
を抑えて信頼性を向上することができる。
置の製造方法は、パッケージ用の樹脂モールドを行う際
は、インナーリード１８は金属ブロック２６により保護
されているため変形することはない。またチップ２０は
直接樹脂上に実装されるため、樹脂と熱膨張率の異なる
ダイステージを排除することができ、クラック等の発生
を抑えて信頼性を向上することができる。
【００４１】次に本発明の半導体装置の製造方法の第７
の実施例を図７により説明する。本実施例の半導体装置
の製造方法は、先ず、図７（ａ）の平面図及び（ｂ）の
断面図に示すように、何もパターン化されていないリー
ドフレーム用金属薄板１１の一方の面にパッケージ用の
樹脂モールド１６を行う。
の実施例を図７により説明する。本実施例の半導体装置
の製造方法は、先ず、図７（ａ）の平面図及び（ｂ）の
断面図に示すように、何もパターン化されていないリー
ドフレーム用金属薄板１１の一方の面にパッケージ用の
樹脂モールド１６を行う。
【００４２】次いで薄板１１上にパターン形成用のレジ
スト塗布、エッチングを行って（ｃ）図の如くアウター
リード１２及びインナーリード１８を形成した後、
（ｄ）図の如くチップ２０をフェースボンディングによ
り搭載してリードフレームの一方の面が露出している半
導体装置２３を完成する。
スト塗布、エッチングを行って（ｃ）図の如くアウター
リード１２及びインナーリード１８を形成した後、
（ｄ）図の如くチップ２０をフェースボンディングによ
り搭載してリードフレームの一方の面が露出している半
導体装置２３を完成する。
【００４３】このように構成された本実施例の半導体装
置の製造方法は、パッケージ用の樹脂モールド後にパタ
ーン形成するため、リードフレームの変形は防止され
る。
置の製造方法は、パッケージ用の樹脂モールド後にパタ
ーン形成するため、リードフレームの変形は防止され
る。
【００４４】
【発明の効果】本発明に依れば、多ピン化、薄型化した
場合でもリードフレームの変形を防止して、歩留りの低
下を来たさず、信頼性の向上に寄与することができる。
場合でもリードフレームの変形を防止して、歩留りの低
下を来たさず、信頼性の向上に寄与することができる。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の第１の実施例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の第２の実施例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の第３の実施例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法の第４の実施例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法の第５の実施例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法の第６の実施例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法の第７の実施例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図８】従来の半導体装置の製造方法を示す図である。
１０…リードフレーム １１…金属薄板 １２…アウターリード １４…アウターリード連結部 １６…樹脂モールド １７…凹部 １８…インナーリード １９…ダイステージ ２０…チップ ２１…細線 ２２…樹脂 ２３…半導体装置 ２４…インナーリード連結部 ２５…粘着テープ ２６…金属ブロック
Claims (8)
- 【請求項１】 リードフレーム（１０）を用い、該リー
ドフレーム（１０）のインナーリードを含む内部パター
ンを形成する領域の一方の面を露出させる凹部（１７）
が形成されるようにパッケージ用の樹脂モールドを行
い、次いで露出している前記領域をエッチングしてイン
ナーリード（１８）を含む内部パターンを形成し、次い
でチップ（２０）を搭載し、次いで前記凹部（１７）を
樹脂にて充填する諸工程を含んで成ることを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 上記リードフレーム（１０）は、アウタ
ーリード（１２）のみがパターン化され、インナーリー
ドを含む内部パターンは平面のままであることを特徴と
する請求項１の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 上記リードフレーム（１０）は、アウタ
ーリード（１２）のみがパターン化され、インナーリー
ド（１８）を含む内部パターンはハーフエッチングされ
ていることを特徴とする請求項１の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項４】 上記リードフレーム（１０）は、インナ
ーリード（１８）の先端が連結部（２４）にて連結さ
れ、該連結部（２４）がハーフエッチングされているこ
とを特徴とする請求項１の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 プラスチックＩＣ用リードフレーム（１
０）のインナーリード（１８）の先端部をテープ（２
５）で連結しておき、インナーリード（１８）を含む内
部パターンを露出させる凹部（１７）が形成されるよう
にパッケージ用の樹脂モールドを行い、次いで露出して
いる前記インナーリード（１８）の先端を連結している
テープ（２５）を除去し、次いでチップ（２０）を搭載
し、次いで前記凹部（１７）を樹脂にて充填する諸工程
を含んで成ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 プラスチックＩＣ用のリードフレーム
（１０）のインナーリード（１８）を含む内部パターン
領域に金属ブロック（２６）をはり付け、その状態でパ
ッケージ用の樹脂モールドを行い、次いで金属ブロック
（２６）を除去し、次いでチップ（２０）を搭載し、次
いで金属ブロック（２６）を除去した凹部（１７）に樹
脂を充填する諸工程を含んで成ることを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項７】 ダイステージのないプラスチックＩＣ用
のリードフレーム（１０）を用い、その一方の面のイン
ナーリード（１８）を含む領域に金属ブロック（２６）
をはり付け、その金属ブロック面にチップ（２０）を搭
載し、次いでパッケージ用の樹脂モールドを行い、次い
で金属ブロック（２６）を除去し、次いで金属ブロック
（２６）を除去した凹部（１７）に樹脂を充填する諸工
程を含んで成ることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項８】 リードフレームの片面にのみパッケージ
用の樹脂モールドが行なわれる半導体装置の製造方法に
おいて、リードフレーム（１０）にはパターン化を行な
わないリードフレーム（１０）を用い、樹脂モールド後
にパターン化を行うことを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312031A JPH08167685A (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312031A JPH08167685A (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08167685A true JPH08167685A (ja) | 1996-06-25 |
Family
ID=18024392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6312031A Withdrawn JPH08167685A (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08167685A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19842683A1 (de) * | 1998-09-17 | 1999-12-16 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls sowie in diesem Verfahren einsetzbare Komponenten |
| CN106783636A (zh) * | 2016-12-10 | 2017-05-31 | 无锡中微高科电子有限公司 | 集成电路塑料封装的制备方法 |
-
1994
- 1994-12-15 JP JP6312031A patent/JPH08167685A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19842683A1 (de) * | 1998-09-17 | 1999-12-16 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls sowie in diesem Verfahren einsetzbare Komponenten |
| CN106783636A (zh) * | 2016-12-10 | 2017-05-31 | 无锡中微高科电子有限公司 | 集成电路塑料封装的制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020305 |