JP2865458B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2865458B2 JP2865458B2 JP22755891A JP22755891A JP2865458B2 JP 2865458 B2 JP2865458 B2 JP 2865458B2 JP 22755891 A JP22755891 A JP 22755891A JP 22755891 A JP22755891 A JP 22755891A JP 2865458 B2 JP2865458 B2 JP 2865458B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関する。詳しくは組立時間の短縮及びリードフレームの
補強を兼ねた半導体装置の製造方法に関する。
関する。詳しくは組立時間の短縮及びリードフレームの
補強を兼ねた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】近年、半導体装置の製造においては、製造
コスト引下げ等のため製造時間を短縮する短手番化が要
求されている。またリードフレームパターンが微細化、
ファイン化したものについては安定した組立が困難とな
って来ている為、その対策が必要となっている。
コスト引下げ等のため製造時間を短縮する短手番化が要
求されている。またリードフレームパターンが微細化、
ファイン化したものについては安定した組立が困難とな
って来ている為、その対策が必要となっている。
【０００３】
【従来の技術】図４は従来の半導体装置の製造方法を説
明するための図である。図により説明すると、先ず
（ａ）図に示すようにリードフレーム１のダイステージ
部２に半導体チップ３をダイボンディングした後、該チ
ップの電極とインナーリード４との間をワイヤ５でワイ
ヤボンディングする。
明するための図である。図により説明すると、先ず
（ａ）図に示すようにリードフレーム１のダイステージ
部２に半導体チップ３をダイボンディングした後、該チ
ップの電極とインナーリード４との間をワイヤ５でワイ
ヤボンディングする。
【０００４】次いで（ｂ）図の如くモールド金型６，
６′の間にリードフレーム１を挟み込み、キャビティ７
に樹脂を注入し、（ｃ）図の如くダイステージ部２、半
導体チップ３、インナーリード４を樹脂８で封止する。
次いで樹脂部分に社標、メーカ品名、ユーザ品名等を捺
印し、さらにアウターリード９にＳｎ等のメッキを施し
た後、（ｄ）図の如くアウターリード９を所定の形状に
折曲成形して完成する。
６′の間にリードフレーム１を挟み込み、キャビティ７
に樹脂を注入し、（ｃ）図の如くダイステージ部２、半
導体チップ３、インナーリード４を樹脂８で封止する。
次いで樹脂部分に社標、メーカ品名、ユーザ品名等を捺
印し、さらにアウターリード９にＳｎ等のメッキを施し
た後、（ｄ）図の如くアウターリード９を所定の形状に
折曲成形して完成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体装置
の製造方法では、ダイス付け、ワイヤ付け後にモールド
樹脂封止を行い、その後に捺印を行っている為、工程が
長くなり、それだけ製造に要する時間が長くなるという
問題があった。また最近の半導体装置のファイン化、多
ピン化に伴い、リードフレームが弱いものとなって来て
いる為、安定した組立が困難なものとなって来ている。
の製造方法では、ダイス付け、ワイヤ付け後にモールド
樹脂封止を行い、その後に捺印を行っている為、工程が
長くなり、それだけ製造に要する時間が長くなるという
問題があった。また最近の半導体装置のファイン化、多
ピン化に伴い、リードフレームが弱いものとなって来て
いる為、安定した組立が困難なものとなって来ている。
【０００６】本発明は、短手番化でき、且つ安定した組
立が可能な半導体装置の製造方法を実現しようとする。
立が可能な半導体装置の製造方法を実現しようとする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法に於いては、樹脂封止型半導体装置の製造方法で
あって、リードフレーム１４に半導体チップを搭載する
前に捺印エリアをモールドし、該モールド部に捺印を行
なった後、半導体チップの搭載とワイヤボンディングを
行い、その後、残りの部分をモールドすることを特徴と
する。
造方法に於いては、樹脂封止型半導体装置の製造方法で
あって、リードフレーム１４に半導体チップを搭載する
前に捺印エリアをモールドし、該モールド部に捺印を行
なった後、半導体チップの搭載とワイヤボンディングを
行い、その後、残りの部分をモールドすることを特徴と
する。
【０００８】また、それに加えて、上記半導体チップ搭
載前のモールドは、リードフレーム１４のアウターリー
ド１３ｂ部分のみを枠状にモールドすることを特徴とす
る。また、それに加えて、上記半導体チップ搭載前のモ
ールドは、リードフレーム１４のチップ搭載面と反対の
面の部分をモールドすることを特徴とする。この構成を
採ることにより、短手番化でき、且つ安定した組立が可
能な半導体装置の製造方法が得られる。
載前のモールドは、リードフレーム１４のアウターリー
ド１３ｂ部分のみを枠状にモールドすることを特徴とす
る。また、それに加えて、上記半導体チップ搭載前のモ
ールドは、リードフレーム１４のチップ搭載面と反対の
面の部分をモールドすることを特徴とする。この構成を
採ることにより、短手番化でき、且つ安定した組立が可
能な半導体装置の製造方法が得られる。
【０００９】
【作用】本発明は、ダイス付け、ワイヤ付けの前に捺印
エリア相当部のみモールドし、かつそのエリアに捺印を
実施し、その後ダイス付け、ワイヤ付けを行なった後、
残りの部分をモールドすることにより、半導体チップの
作成と並行してダイス付け前のモールド及び捺印ができ
るため、組立手番の短縮ができる。またダイス付け前の
モールドによりリードフレームが樹脂に固定される為、
安定した組立が可能となる。
エリア相当部のみモールドし、かつそのエリアに捺印を
実施し、その後ダイス付け、ワイヤ付けを行なった後、
残りの部分をモールドすることにより、半導体チップの
作成と並行してダイス付け前のモールド及び捺印ができ
るため、組立手番の短縮ができる。またダイス付け前の
モールドによりリードフレームが樹脂に固定される為、
安定した組立が可能となる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の半導体装置の製造方法の第１
の実施例を説明するための図である。本実施例は先ず
（ａ）図に示すように枠状のタイバー１０にピンチバー
１１を介して支持されたダイステージ部１２と、それぞ
れタイバー１０に支持された多数のリード１３を有する
リードフレーム１４を用意し、該リードフレーム１４の
インナーリード１３ａとアウターリード１３ｂの境目か
らアウターリード側（捺印エリアに該当する部分）を
（ｂ）図の如く枠状に樹脂１５でモールドする。次いで
樹脂部に捺印１６を行う。
の実施例を説明するための図である。本実施例は先ず
（ａ）図に示すように枠状のタイバー１０にピンチバー
１１を介して支持されたダイステージ部１２と、それぞ
れタイバー１０に支持された多数のリード１３を有する
リードフレーム１４を用意し、該リードフレーム１４の
インナーリード１３ａとアウターリード１３ｂの境目か
らアウターリード側（捺印エリアに該当する部分）を
（ｂ）図の如く枠状に樹脂１５でモールドする。次いで
樹脂部に捺印１６を行う。
【００１１】次いで、図示は省略してあるが、ダイステ
ージ部１２に半導体チップを搭載し、該半導体チップの
電極とインナーリード１３ａ間をワイヤボンディングし
た後、（ｃ）図の如く、前回のモールドの残り部分を埋
めるように樹脂１５′でモールドし、半導体チップ、ダ
イステージ部１２、インナーリード１３ａを封止する。
その後アウターリード１３ｂにメッキを施した後、タイ
バー１０を切断除去し、アウターリード１３ｂを所定の
形状に折曲成形して完成する。
ージ部１２に半導体チップを搭載し、該半導体チップの
電極とインナーリード１３ａ間をワイヤボンディングし
た後、（ｃ）図の如く、前回のモールドの残り部分を埋
めるように樹脂１５′でモールドし、半導体チップ、ダ
イステージ部１２、インナーリード１３ａを封止する。
その後アウターリード１３ｂにメッキを施した後、タイ
バー１０を切断除去し、アウターリード１３ｂを所定の
形状に折曲成形して完成する。
【００１２】以上の本実施例によれば、図２のフローチ
ャート図に示すように、（ａ）図の本実施例では、半導
体チップの作成に並行して、該半導体チップ作成時間内
に捺印エリアの樹脂モールド及び捺印ができるため、
（ｂ）図の従来例に比し短手番が可能となり、製造時間
の短縮ができる。
ャート図に示すように、（ａ）図の本実施例では、半導
体チップの作成に並行して、該半導体チップ作成時間内
に捺印エリアの樹脂モールド及び捺印ができるため、
（ｂ）図の従来例に比し短手番が可能となり、製造時間
の短縮ができる。
【００１３】また、半導体チップのダイステージ部１２
へのダイス付け工程及びワイヤボンディング工程は、図
１（ｂ）の状態で行なうため、ダイステージ部１２及び
インナーリード１３ａは樹脂１５で固定されているた
め、安定した作業が可能となる。
へのダイス付け工程及びワイヤボンディング工程は、図
１（ｂ）の状態で行なうため、ダイステージ部１２及び
インナーリード１３ａは樹脂１５で固定されているた
め、安定した作業が可能となる。
【００１４】図３は本発明の半導体装置の製造方法の第
２の実施例を説明するための図である。本実施例は、先
ず（ａ）図の如く、リードフレーム１４の下面の部分を
樹脂１７でモールドし、次いで該樹脂１７の面に捺印を
行う。次に（ｂ）図に示すようにダイステージ部１２に
半導体チップ１８をダイボンディングし、さらに該半導
体チップ１８の電極とインナーリード１３ａ間をワイヤ
１９でワイヤボンディングする。
２の実施例を説明するための図である。本実施例は、先
ず（ａ）図の如く、リードフレーム１４の下面の部分を
樹脂１７でモールドし、次いで該樹脂１７の面に捺印を
行う。次に（ｂ）図に示すようにダイステージ部１２に
半導体チップ１８をダイボンディングし、さらに該半導
体チップ１８の電極とインナーリード１３ａ間をワイヤ
１９でワイヤボンディングする。
【００１５】次いで（ｃ）図の如く半導体チップ１８を
封止するようにリードフレーム１４の上面部分を樹脂１
７′でモールドする。最後に（ｄ）図の如くアウターリ
ード１３ｂにメッキを施し、タイバーを切断除去した
後、アウターリード１３ｂを所定の形状に折曲成形して
完成する。
封止するようにリードフレーム１４の上面部分を樹脂１
７′でモールドする。最後に（ｄ）図の如くアウターリ
ード１３ｂにメッキを施し、タイバーを切断除去した
後、アウターリード１３ｂを所定の形状に折曲成形して
完成する。
【００１６】本実施例によれば、前実施例と同様に、半
導体チップの作成に並行して捺印エリアの樹脂モールド
及び捺印ができるため従来に比して短手番が可能とな
り、またダイス付け及びワイヤボンディング時はダイス
テージ部１２及びインナーリード１３ａは樹脂１７で固
定されているため安定した作業が可能となる。
導体チップの作成に並行して捺印エリアの樹脂モールド
及び捺印ができるため従来に比して短手番が可能とな
り、またダイス付け及びワイヤボンディング時はダイス
テージ部１２及びインナーリード１３ａは樹脂１７で固
定されているため安定した作業が可能となる。
【００１７】
【発明の効果】本発明に依れば、ダイス付け、ワイヤ付
けの前に捺印エリア相当部のみモールディングを行い、
かつそのエリアに捺印を実施するため、該モールド及び
捺印が半導体チップの作成と並行して行なうことができ
短手番化となり、製造時間の短縮が可能となる。また多
ピン化、ファイン化に伴うリードフレームパターンの不
安定化に対しては、捺印エリア相当部のモールドにより
ダイステージ及びインナーリードが固定されるため、ダ
イボンディング、ワイヤボンディングを安定して行うこ
とができる。さらに２回目のモールドエリアが従来のモ
ールドエリアに比し極めて小さいエリアの為チップ近辺
の安定したモールドが可能となり、品質が向上する。
けの前に捺印エリア相当部のみモールディングを行い、
かつそのエリアに捺印を実施するため、該モールド及び
捺印が半導体チップの作成と並行して行なうことができ
短手番化となり、製造時間の短縮が可能となる。また多
ピン化、ファイン化に伴うリードフレームパターンの不
安定化に対しては、捺印エリア相当部のモールドにより
ダイステージ及びインナーリードが固定されるため、ダ
イボンディング、ワイヤボンディングを安定して行うこ
とができる。さらに２回目のモールドエリアが従来のモ
ールドエリアに比し極めて小さいエリアの為チップ近辺
の安定したモールドが可能となり、品質が向上する。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の第１の実施例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法と従来例のフロ
ーチャート図で、（ａ）は本発明、（ｂ）従来例であ
る。
ーチャート図で、（ａ）は本発明、（ｂ）従来例であ
る。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の第２の実施例
を説明するための図である。
を説明するための図である。
【図４】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
図である。
図である。
１０…タイバー １１…ピンチバー １２…ダイステージ １３…リード １３ａ…インナーリード １３ｂ…アウターリード １４…リードフレーム １５，１５′、１７，１７′…樹脂 １６…捺印 １８…半導体チップ １９…ワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲高▼橋 文仁 宮城県柴田郡村田町大字村田字西ケ丘１ 番地の１ 株式会社富士通宮城エレクト ロニクス内 (72)発明者 小林 均 宮城県柴田郡村田町大字村田字西ケ丘１ 番地の１ 株式会社富士通宮城エレクト ロニクス内 (72)発明者 奥山 重徳 宮城県柴田郡村田町大字村田字西ケ丘１ 番地の１ 株式会社富士通宮城エレクト ロニクス内 (56)参考文献 特開 昭55−21118（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−109538（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/56 H01L 23/00 H01L 23/50 H01L 23/28 - 23/30
Claims (3)
- 【請求項１】 樹脂封止型半導体装置の製造方法であっ
て、リードフレーム（１４）に半導体チップを搭載する
前に捺印エリアをモールドし、該モールド部に捺印を行
なった後、半導体チップの搭載とワイヤボンディングを
行い、その後、残りの部分をモールドすることを特徴と
する半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 上記半導体チップ搭載前のモールドは、
リードフレーム（１４）のアウターリード（１３ｂ）部
分のみを枠状にモールドすることを特徴とする請求項１
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 上記半導体チップ搭載前のモールドは、
リードフレーム（１４）のチップ搭載面と反対の面の部
分をモールドすることを特徴とする請求項１の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22755891A JP2865458B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22755891A JP2865458B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567642A JPH0567642A (ja) | 1993-03-19 |
| JP2865458B2 true JP2865458B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=16862792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22755891A Expired - Lifetime JP2865458B2 (ja) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2865458B2 (ja) |
-
1991
- 1991-09-09 JP JP22755891A patent/JP2865458B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0567642A (ja) | 1993-03-19 |
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