JPH0777248B2 - 樹脂封止形半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH0777248B2 JPH0777248B2 JP63283452A JP28345288A JPH0777248B2 JP H0777248 B2 JPH0777248 B2 JP H0777248B2 JP 63283452 A JP63283452 A JP 63283452A JP 28345288 A JP28345288 A JP 28345288A JP H0777248 B2 JPH0777248 B2 JP H0777248B2
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、外形が例えばTO-220形のような半導体装置
のための製造工程を利用する、小形な表面実装形樹脂封
止形半導体装置の製造方法に関する。
のための製造工程を利用する、小形な表面実装形樹脂封
止形半導体装置の製造方法に関する。
リードフレームを用い、そのマウント部に半導体チツプ
を実装し、樹脂封止を施した後に分離する製造方法は全
組立工程の自動化が可能である。
を実装し、樹脂封止を施した後に分離する製造方法は全
組立工程の自動化が可能である。
この製造方法のおよその工程は、半導体チツプの製造と
並行するリードフレームの製造、リードフレームの各マ
ウント部に半導体チツプの固着（ダイボンデイング工
程）、半導体チツプと外部リードとのワイヤによる接続
（ワイヤボンデイング工程）、半導体チツプ等の表面処
理、トランスフアモールド等による樹脂封止、リードフ
レームの連結部分離等からなり、更にその後に試験・捺
印・梱包・出荷をする。
並行するリードフレームの製造、リードフレームの各マ
ウント部に半導体チツプの固着（ダイボンデイング工
程）、半導体チツプと外部リードとのワイヤによる接続
（ワイヤボンデイング工程）、半導体チツプ等の表面処
理、トランスフアモールド等による樹脂封止、リードフ
レームの連結部分離等からなり、更にその後に試験・捺
印・梱包・出荷をする。
前記製造方法は、低原価で多量生産をすることができる
が、反面、各工程のための製造設備、治工具類は高価で
あるばかりでなく工程の変更に長時間を要し、場合によ
ってはほとんど無人運転で１日24時間操業する場合には
操業率の低下が大きい。
が、反面、各工程のための製造設備、治工具類は高価で
あるばかりでなく工程の変更に長時間を要し、場合によ
ってはほとんど無人運転で１日24時間操業する場合には
操業率の低下が大きい。
前記の従来の技術において、前記自動化された製造工程
によってTO-220形半導体装置又は表面実装形半導体装置
を生産する場合がある。そして両者は外部放熱部の有無
及び外部リードの形状のみが異るが、マウント部、半導
体チツプ、樹脂封止部の形状が同一であるような場合で
も、前記自動化さた製造工程を別個に計画し、治工具類
を変え、製造設備の再調整を行わなければならない。
によってTO-220形半導体装置又は表面実装形半導体装置
を生産する場合がある。そして両者は外部放熱部の有無
及び外部リードの形状のみが異るが、マウント部、半導
体チツプ、樹脂封止部の形状が同一であるような場合で
も、前記自動化さた製造工程を別個に計画し、治工具類
を変え、製造設備の再調整を行わなければならない。
前記両者をそれぞれ多量生産する時には良いが、表面実
装形半導体装置の生産量が少ない場合は極めて生産性が
悪い。そこで、自動化製造工程で製造した例えばTO-220
形半導体装置の外部放熱部をカツタ等で切断して表面実
装形に改造することもあるが、切断時の応力が半導体チ
ップに及び、樹脂との密着度も低下する等の問題があ
る。
装形半導体装置の生産量が少ない場合は極めて生産性が
悪い。そこで、自動化製造工程で製造した例えばTO-220
形半導体装置の外部放熱部をカツタ等で切断して表面実
装形に改造することもあるが、切断時の応力が半導体チ
ップに及び、樹脂との密着度も低下する等の問題があ
る。
この発明の目的は、例えば樹脂封止形半導体装置であっ
て、外部放熱部と外部リード部とを備え、さらにマウン
ト部である金属基板が裏面において露出するような半導
体装置の製造工程を活用して、小形な表面実装形半導体
装置を品質を維持して経済的に少量生産する製造方法を
得ることにある。
て、外部放熱部と外部リード部とを備え、さらにマウン
ト部である金属基板が裏面において露出するような半導
体装置の製造工程を活用して、小形な表面実装形半導体
装置を品質を維持して経済的に少量生産する製造方法を
得ることにある。
この発明の樹脂封止形半導体装置は、マウント部と外部
リード部とを備えたリードフレームのマウント部に半導
体チツプを実装してマウント部の裏面の金属基板を露出
させて樹脂封止を施した半導体装置において、外部リー
ド部の先端部が前記マウント部裏面の延長面上にあるも
のとし、製造方法としては、マウント部と、その一方の
取付穴付きの外部放熱部と、他方の外部リード部とを備
えたリードフレームに半導体チツプを実装して樹脂封止
を施し、この樹脂封止部の裏面に前記マウント部の金属
基板を露出させる樹脂封止形半導体装置の製造方法にお
いて、 前記半導体チツプを実装する前に、前記外部放熱部の樹
脂封止される部分と取付穴との間に切断用の断面の小さ
い部分を予め設け、樹脂封止後にこの断面の小さい部分
において前記外部放熱部を切断し、前記外部リード部先
端を前記樹脂封止部の裏面の延長面上に達するように折
り曲げて切断するものである。
リード部とを備えたリードフレームのマウント部に半導
体チツプを実装してマウント部の裏面の金属基板を露出
させて樹脂封止を施した半導体装置において、外部リー
ド部の先端部が前記マウント部裏面の延長面上にあるも
のとし、製造方法としては、マウント部と、その一方の
取付穴付きの外部放熱部と、他方の外部リード部とを備
えたリードフレームに半導体チツプを実装して樹脂封止
を施し、この樹脂封止部の裏面に前記マウント部の金属
基板を露出させる樹脂封止形半導体装置の製造方法にお
いて、 前記半導体チツプを実装する前に、前記外部放熱部の樹
脂封止される部分と取付穴との間に切断用の断面の小さ
い部分を予め設け、樹脂封止後にこの断面の小さい部分
において前記外部放熱部を切断し、前記外部リード部先
端を前記樹脂封止部の裏面の延長面上に達するように折
り曲げて切断するものである。
本発明に係るリードフレームの形状は従来のハートフレ
ーム形状と放熱部の断面の小さい部分を除いて他は全て
連結部等も含めて同一であり、半導体チツプの内部回路
構造が異っても例えばTO-220形などの外形の樹脂封止形
半導体装置のための自動化された工程と設備を完全に活
用できる。そのような多量生産設備により小形な表面実
装形半導体装置を経済的に少量生産することができると
ともに、断面の小さい部分の切断による外力が少ない為
に内部の半導体チツプに悪影響がなく、樹脂との密着度
の低下の恐れがない。また、外部リード部の先端部とマ
ウント部裏面とが同一面上にあるので半田付けなどによ
り回路基板上パターンに容易に表面実装することができ
る。外部放熱部が切断されてもマウント部をプリント基
板等にはんだ付け等するので放熱特性も良い。
ーム形状と放熱部の断面の小さい部分を除いて他は全て
連結部等も含めて同一であり、半導体チツプの内部回路
構造が異っても例えばTO-220形などの外形の樹脂封止形
半導体装置のための自動化された工程と設備を完全に活
用できる。そのような多量生産設備により小形な表面実
装形半導体装置を経済的に少量生産することができると
ともに、断面の小さい部分の切断による外力が少ない為
に内部の半導体チツプに悪影響がなく、樹脂との密着度
の低下の恐れがない。また、外部リード部の先端部とマ
ウント部裏面とが同一面上にあるので半田付けなどによ
り回路基板上パターンに容易に表面実装することができ
る。外部放熱部が切断されてもマウント部をプリント基
板等にはんだ付け等するので放熱特性も良い。
第１図は実施例の工程図、第２図は実施例になる物の断
面図、第３図は第１図の（ｂ）に相当する異る実施例の
一製造工程図、第４図は更に異る実施例の一製造工程中
の半導体装置の長穴と取付穴の部分図である。
面図、第３図は第１図の（ｂ）に相当する異る実施例の
一製造工程図、第４図は更に異る実施例の一製造工程中
の半導体装置の長穴と取付穴の部分図である。
この実施例の工程も、前記〔従来の技術〕で説明した工
程を持つ。すなわち半導体チツプの製造と並行するリー
ドフレームの製造、リードフレームの各マウント部に半
導体チツプの固着（ダイボンデイング工程）、半導体チ
ツプと外部リードとのワイヤによる接続（ワイヤボンデ
イング工程）、半導体チツプ等の表面処理、トランスフ
アモールド等による樹脂封止、リードフレームの連結部
分離等からなる。
程を持つ。すなわち半導体チツプの製造と並行するリー
ドフレームの製造、リードフレームの各マウント部に半
導体チツプの固着（ダイボンデイング工程）、半導体チ
ツプと外部リードとのワイヤによる接続（ワイヤボンデ
イング工程）、半導体チツプ等の表面処理、トランスフ
アモールド等による樹脂封止、リードフレームの連結部
分離等からなる。
しかし、第１図の（ａ）ワイヤボンデイング工程の図に
も現れているように、こヽで用いられるリードフレーム
１はリードフレームの製造工程で予めTO-220形用リード
フレームに長穴2aが外部放熱部３設けられ、それだけ断
面の小さい部分２を備えている。長穴2aはリードフレー
ムの全形と同時に打ち抜いてもよいし、TO-220形リード
フレームに長穴2aのみをパンチ加工してもよい。
も現れているように、こヽで用いられるリードフレーム
１はリードフレームの製造工程で予めTO-220形用リード
フレームに長穴2aが外部放熱部３設けられ、それだけ断
面の小さい部分２を備えている。長穴2aはリードフレー
ムの全形と同時に打ち抜いてもよいし、TO-220形リード
フレームに長穴2aのみをパンチ加工してもよい。
断面の小さい部分２と長穴2aとを除くほかは従来と同一
であって、リードフレーム１はマウント部４と取付穴５
を設けた外部放熱部３と外部リード6a、6bとを備え、こ
れらの単位のものは連結部7a、7b、7cで連結されてリー
ドフレーム１が形成されている。（ａ）ワイヤボンデイ
ング工程の図で示すようにマウント部４に半導体チツプ
８をダイボンデイングしたものにワイヤ９が接続され
る。
であって、リードフレーム１はマウント部４と取付穴５
を設けた外部放熱部３と外部リード6a、6bとを備え、こ
れらの単位のものは連結部7a、7b、7cで連結されてリー
ドフレーム１が形成されている。（ａ）ワイヤボンデイ
ング工程の図で示すようにマウント部４に半導体チツプ
８をダイボンデイングしたものにワイヤ９が接続され
る。
第１図（ｂ）はトランスフアモールドにより樹脂封止を
施し、各半導体素子ごとに連結部7a〜7cで分離を行った
工程を示す。TO-220形ではこの後試験工程に入るが、こ
の実施例では（ｃ）切断工程が特に設けられる。
施し、各半導体素子ごとに連結部7a〜7cで分離を行った
工程を示す。TO-220形ではこの後試験工程に入るが、こ
の実施例では（ｃ）切断工程が特に設けられる。
この工程（ｃ）では、長穴2aのある断面の小さい部分２
が切断線11で切断され、取付穴５を設けた外部放熱部３
の大部分はなくなり、残余部分3aのみとなる。同時に又
は前後して外部リード6a、6bの折り曲げ、切断等の加工
がなされ外部リード6xとなる。
が切断線11で切断され、取付穴５を設けた外部放熱部３
の大部分はなくなり、残余部分3aのみとなる。同時に又
は前後して外部リード6a、6bの折り曲げ、切断等の加工
がなされ外部リード6xとなる。
第２図は第１図の（ｃ）切断工程後の断面を示し、樹脂
封止部10の裏面にマウント部４が露出し、その面の延長
上に加工された外部リード6xが達している。
封止部10の裏面にマウント部４が露出し、その面の延長
上に加工された外部リード6xが達している。
第３図は断面の小さい部分２を一対の切欠け2cで形成す
る態様を示す。また長穴2aと取付穴５とを第４図のよう
に連結してもよい。
る態様を示す。また長穴2aと取付穴５とを第４図のよう
に連結してもよい。
この発明は、マウント部と外部リード部とを備えたリー
ドフレームのマウント部に半導体チツプを実装してマウ
ント部の裏面の金属基板を露出させて樹脂封止を施した
半導体装置において、外部リード部の先端部が前記マウ
ント部裏面の延長面上にあるものとし、この装置の製造
を、マウント部と、その一方の取付穴付きの外部放熱部
と、他方の外部リード部とを備えたリードフレームに半
導体チツプを実装して樹脂封止を施し、この樹脂封止部
の裏面に前記マウント部の金属基板を露出させる樹脂封
止形半導体装置の製造方法において、 前記半導体チツプを実装する前に、前記外部放熱部に切
断用の断面の小さい部分を予め設け、樹脂封止後にこの
断面の小さい部分において前記外部放熱部を切断し、前
記外部リード部先端を前記樹脂封止部の裏面の延長面上
に達するように折り曲げて切断するようにしたので、例
えばTO-220形のための自動化された多量生産用設備と工
程を活用して小形な表面実装形半導体装置を例え小量で
も生産することができるという効果があり、新たに設備
と治工具類を導入することなく共用できるという効果が
ある。そして外部放熱部の切断の力が半導体装置を害う
ということがないという効果があり、小形になるのでプ
リント基板等の実装密度が向上するという効果がある。
さらに外部リード部の先端部とマウント部裏面とが同一
面上にあるため半田付けなどにより回路基板上パターン
に容易に表面実装を行うことができる効果がある。
ドフレームのマウント部に半導体チツプを実装してマウ
ント部の裏面の金属基板を露出させて樹脂封止を施した
半導体装置において、外部リード部の先端部が前記マウ
ント部裏面の延長面上にあるものとし、この装置の製造
を、マウント部と、その一方の取付穴付きの外部放熱部
と、他方の外部リード部とを備えたリードフレームに半
導体チツプを実装して樹脂封止を施し、この樹脂封止部
の裏面に前記マウント部の金属基板を露出させる樹脂封
止形半導体装置の製造方法において、 前記半導体チツプを実装する前に、前記外部放熱部に切
断用の断面の小さい部分を予め設け、樹脂封止後にこの
断面の小さい部分において前記外部放熱部を切断し、前
記外部リード部先端を前記樹脂封止部の裏面の延長面上
に達するように折り曲げて切断するようにしたので、例
えばTO-220形のための自動化された多量生産用設備と工
程を活用して小形な表面実装形半導体装置を例え小量で
も生産することができるという効果があり、新たに設備
と治工具類を導入することなく共用できるという効果が
ある。そして外部放熱部の切断の力が半導体装置を害う
ということがないという効果があり、小形になるのでプ
リント基板等の実装密度が向上するという効果がある。
さらに外部リード部の先端部とマウント部裏面とが同一
面上にあるため半田付けなどにより回路基板上パターン
に容易に表面実装を行うことができる効果がある。
第１図は実施例の工程図、第２図は実施例になる物の断
面図、第３図は第１図の（ｂ）に相当する異る実施例の
一製造工程図、第４図は更に異る実施例の一製造工程中
の半導体装置の長穴と取付穴の部分図である。 １……リードフレーム、２……断面の小さい部分、３…
…外部放熱部、４……マウント部、6a,6b,6x……外部リ
ード、８……半導体チツプ、10……樹脂封止部。
面図、第３図は第１図の（ｂ）に相当する異る実施例の
一製造工程図、第４図は更に異る実施例の一製造工程中
の半導体装置の長穴と取付穴の部分図である。 １……リードフレーム、２……断面の小さい部分、３…
…外部放熱部、４……マウント部、6a,6b,6x……外部リ
ード、８……半導体チツプ、10……樹脂封止部。
Claims (2)
- 【請求項１】マウント部と外部リード部とを備えたリー
ドフレームのマウント部に半導体チツプを実装してマウ
ント部の裏面の金属基板を露出させて樹脂封止を施した
半導体装置において、外部リード部の先端部が前記マウ
ント部裏面の延長面上ににあることを特徴とする樹脂封
止形半導体装置。 - 【請求項２】マウント部と、その一方の取付穴付きの外
部放熱部と、他方の外部リード部とを備えたリードフレ
ームに半導体チツプを実装して樹脂封止を施し、この樹
脂封止部の裏面に前記マウント部の金属基板を露出させ
る樹脂封止形半導体装置の製造方法において、 前記半導体チップを実装する前に、前記外部放熱部の樹
脂封止される部分と取付穴との間に切断用の断面の小さ
い部分を予め設け、樹脂封止後にこの断面の小さい部分
において前記外部放熱部を切断し、前記外部リード部先
端を前記樹脂封止部の裏面の延長面上に達するように折
り曲げて切断することを特徴とする樹脂封止形半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63283452A JPH0777248B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 樹脂封止形半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63283452A JPH0777248B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 樹脂封止形半導体装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24447696A Division JP3019000B2 (ja) | 1996-09-17 | 1996-09-17 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129952A JPH02129952A (ja) | 1990-05-18 |
| JPH0777248B2 true JPH0777248B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=17665729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63283452A Expired - Lifetime JPH0777248B2 (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 樹脂封止形半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777248B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4907960B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2012-04-04 | マルエヌ株式会社 | ワイパーとアームを連結する連結具 |
| US8015656B2 (en) | 2007-02-28 | 2011-09-13 | Mitsuba Corporation | Wiper blade |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57178352A (en) * | 1981-04-28 | 1982-11-02 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of resin sealing type semiconductor device and lead frame employed thereon |
| JPS58186958A (ja) * | 1982-04-26 | 1983-11-01 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS601855A (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-08 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
| JPH0693482B2 (ja) * | 1984-04-25 | 1994-11-16 | 松下電子工業株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1988
- 1988-11-09 JP JP63283452A patent/JPH0777248B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02129952A (ja) | 1990-05-18 |
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