JPS6234154B2 - - Google Patents

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JPS6234154B2
JPS6234154B2 JP56039796A JP3979681A JPS6234154B2 JP S6234154 B2 JPS6234154 B2 JP S6234154B2 JP 56039796 A JP56039796 A JP 56039796A JP 3979681 A JP3979681 A JP 3979681A JP S6234154 B2 JPS6234154 B2 JP S6234154B2
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JP
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resin
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connection terminal
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Makoto Asada
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Fujitsu Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は樹脂封止型電子部品の製造方法に関
し、特に外部接続端子数の異る樹脂封止型電子部
品を共通の樹脂成形型等を用いて製造しようとす
る場合に有効な製造方法を提供しようとするもの
である。
樹脂封止型電子部品例えばモールドトランジス
タは、第１図に示されるように、トランジスタ素
子１１が固着されるダイスステージ１２を有し、
コレクタ電極端子を構成する第１の外部接続端子
１３と、前記外部接続連子１３の両側に配設され
リード線１４，１５によつて前記トランジスタ素
子１１のベース電極、エミツタ電極が接続された
外部接続端子１６，１７と前記半導体素子１１、
ダイスステージ１２及び外部接続端子１３，１
６，１７の一部を含んで封止する封止樹脂１８
（二点鎖線で外形を示す）とから構成される。
このような外部接続端子を３本有する樹脂封止
型半導体装置を製造する際に適用されたリードフ
レームあるいは樹脂成形型（モールド型）等をそ
のまま、例えばダイオード等外部接続端子が２本
である半導体装置の製造に適用することができれ
ば当該半導体装置の製造価格の低減化を図ること
ができる。
このため、外部接続端子が３本の半導体装置を
製造する際に用いられるリードフレーム及び樹脂
成形型を用いて、外部接続端子が２本の樹脂封止
型判導体装置を製造することが試みられている。
第２図ａ乃至ｄは、かかる外部接続端子が２本
の樹脂封止型半導体素子を製造する方法の従来法
を示す工程図である。
すなわち、かかる従来法にあつては、まず第２
図ａに示されるように半導体素子２１が固着され
るダイスステージ２２に延在する外部接続端子２
３と、該外部接続端子２３の一方の側に配設され
る外部接続端子２４とをリード線２５によつて接
続する。また半導体素子２１の他方の電極をリー
ド線２６によつて外部接続端子２３の他方の側に
配設される外部接続端子２７に接続する。なお２
８はリードフレーム基体、２９は樹脂の流れ止め
を兼ねる支持枠であり、当該リードフレームは前
記トランジスタ製造用のリードフレームをそのま
ま適用することができる。
次いで第２図ｂに示されるように、前記半導体
素子２１、ダイスステージ２２、リード線２５，
２６及び外部接続端子２３，２４及び２６の一部
をエポキシ樹脂等の封止樹脂３０によつて封止す
る。かかる樹脂封止工程は、前記トランジスタ製
造用樹脂封止型をそのまま適用することができ
る。
次いで第２図ｃに示されるように、前記リード
フレーム基体２８及び支持枠２９をプレス等によ
つて切断除去し、外部接続端子２３，２４及び２
７を機械的に分離する。かかるリードフレーム基
体２８及び支持枠２９の切断除去も、前記トラン
ジスタの製造に用いられるプレス装置を用いるこ
とができる。
しかる後、第２図ｄに示されるように、前記外
部接続端子２３を切断除去し、外部接続端子が２
本の樹脂封止型半導体装置を得る。
しかしながら、このような製造方法によれば、
樹脂封止後にリードフレーム基体２８及び支持枠
２９の切断と外部接続端子２３の切断という２回
の切断工程を必要とする。また樹脂封止部の外部
に残された外部接続端子２３′は、外観上好まし
くなく、当該半導体装置をプリント板等へ実装す
る際に障害となり得る。更に当該外部接続続端子
２３に沿つて半導体素子２１へ水分等が浸入し易
い。
本発明はこのような従来の方法に代えて、より
簡単な工程で、しかも樹脂封止部の表面に不要な
外部接続端子が残ることのない樹脂封止型電子部
品の製造方法を提供しようとするものである。
このため、本発明によれば複数本の外部接続端
子が所定の間隔を有して配列されたリードフレー
ムを準備し、前記外部接続端子の一つに電子部品
素子を固着し、前記電子部品素子の電極の他の外
部接続端子に接続し、次いで前記電子部品素子及
び外部接続端子の一部を樹脂封止し、しかる後前
記リードフレームの不要部分を切断除去する樹脂
封止型電子部品の製造方法において、前記電子部
品素子の電極が接続されない外部接続端子を予め
その先端が樹脂封止部に当接する長さに設定し、
樹脂封止後、前記電子部品素子の電極が接続され
ない外部接続端子を前記リードフレームの不要部
分と共に除去する樹脂封止型電子部品の製造方法
が提供される。
以下本発明を実施例をもつて詳細に説明する。
第３図ａ乃至ｃは本発明にかかる樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す工程図である。
本発明の当該実施例においては、第３図ａに示
されるように半導体素子１０１が固着されるダイ
スステージ１０２は、図面上の右端の第１の外部
接続端子１０３に連続して一体に形成される。ま
た前記半導体素子１０２の電極から導出されるリ
ード線１０４は、図面上の左端の第２の外部接続
端子１０５へ接続される。
そして、外部接続端子１０３と１０５との間に
位置する第３の外部接続端子１０６は、リード線
が接続されない不要な端子とされ、その半導体素
子１０１方向への長さも、図面上破線によつて画
定される樹脂封止部MAに当接する長さとされ
る。
なお、図において１０７はリードフレーム基
体、１０８は樹脂の流れ止めを兼ねる支持枠であ
る。
本発明によれば、次いで第３図ｂに示されるよ
うに前記半導体素子１０１、ダイスステージ１０
２、リード線１０５及び外部接続端子１０３及び
１０５の一部を含んでエポキシ樹脂等の樹脂１０
９により封止する。この時前記外部接続端子１０
６はその先端部１０６′が樹脂１０９中へ0.1
〔mm〕程侵入した状態で当該樹脂１０９に当接す
る。すなわち、封止樹脂１０９は、外部接続端子
１０６の端面部でその流出が停止される。したが
つて、かかる樹脂封止工程は、前記トランジスタ
製造用樹脂封止型をそのまま適用することができ
る。
本発明によれば、次いで前記トランジスタの製
造に用いられるプレス装置を用いて、前記リード
フレーム基体１０７及び支持枠１０８を切断除去
する。かかる切断処理の際の衝撃により、前記外
部接続端子１０６は樹脂１０９から容易に逸脱す
る。
かかる切断処理後の状態を第３図ｃに示す。
以上の工程から明らかなように、本発明によれ
ば半導体素子の電極が接続されない外部接続端子
を、予めその先端が樹脂封止部に当接する長さに
設定しておくことにより、ただ１回の切断処理に
よつて樹脂封止部並びに他の外部接続端子から分
離することができる。
しかも、樹脂封止部には前記半導体素子の電極
が接続されない外部接続端子が表出して残らない
ため、美観上またプリント基板等への実装上極め
て好ましい。
したがつて本発明によれば、例えば３本の外部
接続端子を有する樹脂封止型電子部品の製造に適
用した樹脂成形型、プレス装置等を用いて、２本
の外部接続端子を有する樹脂封止型電子部品をよ
り簡単な工程で製造することができる。
なお本発明は前記実施例の如き個別の半導体装
置に限られるものではなく、集積回路装置、混成
集積回路装置、集合部品等にも適用することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は樹脂封止型トランジスタの構成を示す
正面図、第２図ａ〜ｄは従来の樹脂封止方法を示
す工程図、第３図ａ〜ｃは本発明による樹脂封止
方法を示す工程図である。 図において、１１，２１，１０１……半導体素
子、１２，２２，１０２……ダイスステージ、１
３，１６，１７，２３，２４，２７，１０３，１
０５……外部接続端子、１８，３０，１０９……
樹脂封止部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 複数本の外部接続端子が所定の間隔を有して
    配列されたリードフレームを準備し、前記外部接
    続端子の一つに電子部品素子を固着し、前記電子
    部品素子の電極の他の外部接続端子に接続し、次
    いで前記電子部品素子及び外部接続端子の一部を
    樹脂封止し、しかる後前記リードフレームの不要
    部分を切断除去する樹脂封止型電子部品の製造方
    法において、前記電子部品素子の電極が接続され
    ない外部接続端子を予めその先端が樹脂封止部に
    当接する長さに設定し、樹脂封止後、前記電子部
    品素子の電極が接続されない外部接続端子を前記
    リードフレームの不要部分と共に除去することを
    特徴とする樹脂封止型電子部品の製造方法。
JP56039796A 1981-03-19 1981-03-19 Manufacture of resin sealing type electronic parts Granted JPS57154863A (en)

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JPS57154863A JPS57154863A (en) 1982-09-24
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WO1996036074A1 (fr) * 1995-05-11 1996-11-14 Rohm Co., Ltd. Dispositif semi-conducteur

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