JPS6050347B2 - シングルインライン半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents

シングルインライン半導体装置用リ−ドフレ−ム

Info

Publication number
JPS6050347B2
JPS6050347B2 JP55061661A JP6166180A JPS6050347B2 JP S6050347 B2 JPS6050347 B2 JP S6050347B2 JP 55061661 A JP55061661 A JP 55061661A JP 6166180 A JP6166180 A JP 6166180A JP S6050347 B2 JPS6050347 B2 JP S6050347B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
semiconductor devices
semiconductor device
resin
line semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP55061661A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS56158462A (en
Inventor
強 青木
昭弘 窪田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP55061661A priority Critical patent/JPS6050347B2/ja
Publication of JPS56158462A publication Critical patent/JPS56158462A/ja
Publication of JPS6050347B2 publication Critical patent/JPS6050347B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は樹脂封止型シングルインライン半導体装置用リ
ードフレームに関するものである。
樹脂封止型半導体装置には樹脂封止部の両側面に外部リ
ード端子を有するデュアルインライン半導体装置および
樹脂封止部の片側にのみ外部り−ド端子を有するシング
ルインライン半導体装置等がある。シングルインライン
半導体装置用リードフレームにおいては、樹脂封止部の
片側にのみ外部リード端子を形成すればよいためデュア
ルインライン半導体装置用リードフレームに比べ樹脂封
止部間ピッチは小さい。したがつて、新規にシングルイ
ンライン半導体装置を製造する場合、製造数の多少にか
かわらずこのリードフレームのピッチに合わせて樹脂封
止用鋳型を配置し、素子塔載固定用ダイボンダあるいは
結線用ワイヤボンダ等の製造設備をセットしなければな
らず多額の費用および多くの労力を要する。特に製造数
が少い場合、ＩＣ製品単価に含まれる設備償却費が増大
しコスト的に不経済となる。本発明は上記の点に鑑みな
されたものであつて、デュアルインライン半導体装置製
造用設備をそのまま使用してシングルインライン半導体
装置を製造可能とするリードフレームの提供を目的とす
る。
このため本発明に係るリードフレームは樹脂封止部の両
外側のうち一方は外部リード端子形成部とし他の一方に
は上記外部リード端子長さにほぼ等しい長さ分の不要除
去部を有している。第１図はデュアルインライン半導体
装置用りードフレームの平面図であり、第２図は第１図
のリードフレームを用いたデュアルインライン半導体装
置製造設備をそのまま使用できる本発明に係るシングル
インライン半導体装置用リードフレームの平面図である
。デュアルインライン半導体装置用リードフレーム１は
樹脂封止部２の両外側に外部リード端子３を有している
。この外部リード端子３は製品完成時には点線位置１−
１’で切断される。４は位置決め用及び送り用の孔であ
る。
このようなリードフレーム１を用いる場合、樹脂封止用
鋳型は樹脂封止部２の位置に対応してピッチａの間隔で
配備され、またダイボンダ、ワイヤホンＪダ等もこのピ
ッチａに対応した時間間隔で作動を繰返すように設定さ
れる。第２図に示す本発明によるシングルインライン半
導体装置用リードフレーム１０は、その樹脂封止部２が
第１図の場合と同じピッチａの間隔で形７成される。
各樹脂封止部２の内部には内部リード５および素子塔載
パッド（ステージ）６等が形成されこれらに連続する外
部リード端子３は各樹脂封止部２の一方の側（図示実施
例ては左外側）にのみ形成される。この外部リード端子
３は製品完成後に点線位置１−１″他で切断される。従
つて、樹脂封止部２の図示右外側部分の点線位置までの
長さ分は製品完成時には不要除去部となる。以上のよう
なシングルインライン半導体装置用リードフレームにお
いては、各樹脂封止部の両外側のうち一方の側に外部リ
ード端子を形成し他の一方の側に上記外部リード端子と
ほぼ等しい長さ分の不要除去部を設けてあるため樹脂封
止部間ピッチを大きくしてデュアルインライン半導体装
置用リードフレームの樹脂封止部間ピッチと等しくする
ことができる。従つて、デュアルインライン半導体装置
用の鋳型、ダイボンダ、ワイヤボンダ等の製造設備をそ
のまま使用することができシングルインライン半導体装
置を製造する場合新たに製造設備を設置しなおす必要が
なく、特に製造個数が少い場合、労力、コスト的に非常
に有利となる。
【図面の簡単な説明】
第１図はデュアルインライン半導体装置用リードフレー
ムの平面図、第２図は本発明に係るシングルインライン
半導体装置用リードフレームの平面図である。 ２・・・・・・樹脂封止部、３・・・・・・外部リード
端子、１０・・・・・・シングルインライン半導体装置
用リードフレーム。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ リードフレームの樹脂封止部の両外側のうち一方は
    外部リード端子形成部とし他の一方には上記外部リード
    端子長さにほぼ等しい長さ分の不要除去部とされてなる
    ことを特徴とするシングルインライン半導体装置用リー
    ドフレーム。
JP55061661A 1980-05-12 1980-05-12 シングルインライン半導体装置用リ−ドフレ−ム Expired JPS6050347B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55061661A JPS6050347B2 (ja) 1980-05-12 1980-05-12 シングルインライン半導体装置用リ−ドフレ−ム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55061661A JPS6050347B2 (ja) 1980-05-12 1980-05-12 シングルインライン半導体装置用リ−ドフレ−ム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS56158462A JPS56158462A (en) 1981-12-07
JPS6050347B2 true JPS6050347B2 (ja) 1985-11-08

Family

ID=13177622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP55061661A Expired JPS6050347B2 (ja) 1980-05-12 1980-05-12 シングルインライン半導体装置用リ−ドフレ−ム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6050347B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60263453A (ja) * 1984-06-11 1985-12-26 Nec Kansai Ltd Ｉｃの製造方法
JPS61179756U (ja) * 1985-04-30 1986-11-10
JPS62186440U (ja) * 1986-05-19 1987-11-27

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5110066A (ja) * 1974-07-11 1976-01-27 Takao Nishikawa Kokumotsusenbetsusochi
JPS53115176A (en) * 1977-03-17 1978-10-07 Sanyo Electric Co Ltd Production of resn mold type semiconductor device
JPS559401A (en) * 1978-07-05 1980-01-23 Hitachi Ltd Leed frame

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5110066A (ja) * 1974-07-11 1976-01-27 Takao Nishikawa Kokumotsusenbetsusochi
JPS53115176A (en) * 1977-03-17 1978-10-07 Sanyo Electric Co Ltd Production of resn mold type semiconductor device
JPS559401A (en) * 1978-07-05 1980-01-23 Hitachi Ltd Leed frame

Also Published As

Publication number Publication date
JPS56158462A (en) 1981-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6420779B1 (en) Leadframe based chip scale package and method of producing the same
US5363279A (en) Semiconductor package for a semiconductor chip having centrally located bottom bond pads
US8030741B2 (en) Electronic device
JP2599748Y2 (ja) リード露出型半導体パッケージ
US6611047B2 (en) Semiconductor package with singulation crease
US6319753B1 (en) Semiconductor device having lead terminals bent in J-shape
US5395800A (en) Method for assembling semiconductor devices with lead frame containing common lead arrangement
US6815806B1 (en) Asymmetric partially-etched leads for finer pitch semiconductor chip package
US11569152B2 (en) Electronic device with lead pitch gap
JPS6050347B2 (ja) シングルインライン半導体装置用リ−ドフレ−ム
JP2000164783A (ja) ヒ―トスラグを有するリ―ドフレ―ム
JP2874435B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法およびリードフレーム
JPS6234154B2 (ja)
CA1175957A (en) Integrated circuit package
JP3019000B2 (ja) 樹脂封止形半導体装置の製造方法
KR940004148B1 (ko) 소켓형 디바이스와 그 제조방법
JP2002110882A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS63160262A (ja) リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置
JPS5947462B2 (ja) 半導体装置用リ−ド構成
JPH03263362A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03219663A (ja) 半導体装置用リードフレーム
JPH0661412A (ja) 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH05226534A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPS61144048A (ja) リ−ドフレ−ム
JPS63273324A (ja) 樹脂封止型回路装置の製造方法