JPH04284656A - 樹脂封止形半導体装置およびリードフレーム - Google Patents
樹脂封止形半導体装置およびリードフレームInfo
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title abstract description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title abstract description 19
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 11
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高圧大電力用ダイオー
ドなどの２極半導体装置を対象に、３端子用成形金型を
用いてモールド加工したシングルエンドタイプの樹脂封
止半導体装置、およびこの半導体装置に使用するリード
フレームに関する。
ドなどの２極半導体装置を対象に、３端子用成形金型を
用いてモールド加工したシングルエンドタイプの樹脂封
止半導体装置、およびこの半導体装置に使用するリード
フレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】頭記した樹脂封止半導体装置のパッケー
ジとして、トランジスタに用いるＴＯ外形で代表される
シングルエンドタイプのパッケージが周知である。また
、最近ではダイオードなどの２極半導体装置についても
、例えばＴＯ−３形トランジスタ用として作られたリー
ドフレーム，および工場に設備された既存のトランスフ
ァモールド設備を利用して半導ペレットをＴＯ外形のパ
ッケージに組み込んで樹脂封止した半導体装置が多く製
作されるようになっている。
ジとして、トランジスタに用いるＴＯ外形で代表される
シングルエンドタイプのパッケージが周知である。また
、最近ではダイオードなどの２極半導体装置についても
、例えばＴＯ−３形トランジスタ用として作られたリー
ドフレーム，および工場に設備された既存のトランスフ
ァモールド設備を利用して半導ペレットをＴＯ外形のパ
ッケージに組み込んで樹脂封止した半導体装置が多く製
作されるようになっている。
【０００３】次に、高圧大電力用ダイオードを対象に、
従来実施されているＴＯ外形の樹脂封止形半導体装置お
よびそのリードフレームのパターン形状を図６ないし図
８に示す。まず、図６に示したリードフレームはトラン
ジスタ用と同じ３端子用のリードフレームであり、ペレ
ットをマウントするダイパッド１と、左右に並べて同じ
方向に引出した３本のリード２，３，４と、各リードの
間を相互連結したタイバー５のパターンを有し、ここで
各リード２，３，４のうち、中央のリード３をダイパッ
ド１に連結し、残り２本のリード２，４はダイパッド１
から切り離されたパターンとして形成されている。かか
る形状のリードフレームを使用して半導体装置を組み立
てるには、図７で示すように、最初の工程でダイパッド
１にダイオードのペレット６を半田付け法などによりダ
イボンディングし、さらに、ダイパッド１と左端に並ぶ
リード２の基部２ａとの間、およびペレット６の表面電
極と右端に並ぶリード４の基部４ａとの間にワイヤ７を
ボンディングして接続する。次に、このリードフレーム
，ダイオードの組立体をトランスファ成形金型８にイン
サートしてモールド加工を行い、リードフレーム，ダイ
オードを封止した樹脂パッケージ９を成形する。そして
最後にタイバーカット，およびリードカットの加工を施
して図８に示すようなＴＯ外形の樹脂封止半導体装置を
得る。
従来実施されているＴＯ外形の樹脂封止形半導体装置お
よびそのリードフレームのパターン形状を図６ないし図
８に示す。まず、図６に示したリードフレームはトラン
ジスタ用と同じ３端子用のリードフレームであり、ペレ
ットをマウントするダイパッド１と、左右に並べて同じ
方向に引出した３本のリード２，３，４と、各リードの
間を相互連結したタイバー５のパターンを有し、ここで
各リード２，３，４のうち、中央のリード３をダイパッ
ド１に連結し、残り２本のリード２，４はダイパッド１
から切り離されたパターンとして形成されている。かか
る形状のリードフレームを使用して半導体装置を組み立
てるには、図７で示すように、最初の工程でダイパッド
１にダイオードのペレット６を半田付け法などによりダ
イボンディングし、さらに、ダイパッド１と左端に並ぶ
リード２の基部２ａとの間、およびペレット６の表面電
極と右端に並ぶリード４の基部４ａとの間にワイヤ７を
ボンディングして接続する。次に、このリードフレーム
，ダイオードの組立体をトランスファ成形金型８にイン
サートしてモールド加工を行い、リードフレーム，ダイ
オードを封止した樹脂パッケージ９を成形する。そして
最後にタイバーカット，およびリードカットの加工を施
して図８に示すようなＴＯ外形の樹脂封止半導体装置を
得る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図６に示し
たリードフレームを用いて前記のように製作されたＴＯ
外形の高圧用ダイオードでは、絶縁耐力の面で次記のよ
うな問題点がある。すなわち、図８において樹脂パッケ
ージ９の左右両端から引出したリード２，４の中間には
リードカットされたリード３の基部３ａが突出している
。このリード基部３ａは図７で明らかなように樹脂パッ
ケージ９の内部でペレット６をマウントしたダイパッド
１に連なっており、当該半導体装置に電圧を印加した使
用状態では、リード基部３ａが左側のリード２の極と同
じ電位を持つ。このために、リード２と４との間の先端
側では十分な距離ｄ１を保っていても、中央のリード基
部３ａとリード４との間の異極間には実質的に前記距離
ｄ１の半分以下の絶縁距離ｄ２しか確保できず、小形で
高い絶縁耐力の半導体装置を得ることが困難である。
たリードフレームを用いて前記のように製作されたＴＯ
外形の高圧用ダイオードでは、絶縁耐力の面で次記のよ
うな問題点がある。すなわち、図８において樹脂パッケ
ージ９の左右両端から引出したリード２，４の中間には
リードカットされたリード３の基部３ａが突出している
。このリード基部３ａは図７で明らかなように樹脂パッ
ケージ９の内部でペレット６をマウントしたダイパッド
１に連なっており、当該半導体装置に電圧を印加した使
用状態では、リード基部３ａが左側のリード２の極と同
じ電位を持つ。このために、リード２と４との間の先端
側では十分な距離ｄ１を保っていても、中央のリード基
部３ａとリード４との間の異極間には実質的に前記距離
ｄ１の半分以下の絶縁距離ｄ２しか確保できず、小形で
高い絶縁耐力の半導体装置を得ることが困難である。
【０００５】なお、前記のようにパッケージ９から突き
出す有電部を形成する中央リードの基部３ａを作らない
ために、あらかじめリードを２本としてパターン形成し
た２端子用のリードフレームを使用することも考えられ
るが、このようなリードフレームを３端子用の成形金型
を利用してモールド加工すると、金型に設けた３箇所の
リード溝の１箇所が開放したままとなるので、モールド
加工時には開放状態にあるリード溝よりかなりの量の樹
脂が漏れ出てしまい、樹脂パッケージに欠陥が生じる。
出す有電部を形成する中央リードの基部３ａを作らない
ために、あらかじめリードを２本としてパターン形成し
た２端子用のリードフレームを使用することも考えられ
るが、このようなリードフレームを３端子用の成形金型
を利用してモールド加工すると、金型に設けた３箇所の
リード溝の１箇所が開放したままとなるので、モールド
加工時には開放状態にあるリード溝よりかなりの量の樹
脂が漏れ出てしまい、樹脂パッケージに欠陥が生じる。
【０００６】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、ダイオードなどの２極半導体装置を対象に、３
極用成形金型を用いて２極半導体装置を支障なくモール
ド加工できるようにした樹脂封止形半導体装置のリード
フレーム、および該リードフレームを使用して高い絶縁
耐力が確保できるよう組立てた半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
であり、ダイオードなどの２極半導体装置を対象に、３
極用成形金型を用いて２極半導体装置を支障なくモール
ド加工できるようにした樹脂封止形半導体装置のリード
フレーム、および該リードフレームを使用して高い絶縁
耐力が確保できるよう組立てた半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の樹脂封止半導体装置では、リードフレーム
のパターンがペレットをマウントするダイパッドと、前
記金型のリード溝に位置を合わせて同一方向に引出した
３本のリードと、リード間を相互連結したタイバーを有
し、かつ前記リードのうち両端に並ぶリードのいずれか
一方をダイパッドに連結し、残り２本のリードをダイパ
ッドから切り離して形成したリードフレームを使用する
ものとする。
に、本発明の樹脂封止半導体装置では、リードフレーム
のパターンがペレットをマウントするダイパッドと、前
記金型のリード溝に位置を合わせて同一方向に引出した
３本のリードと、リード間を相互連結したタイバーを有
し、かつ前記リードのうち両端に並ぶリードのいずれか
一方をダイパッドに連結し、残り２本のリードをダイパ
ッドから切り離して形成したリードフレームを使用する
ものとする。
【０００８】また、前記構成のリードフレームにおいて
、３本のリードのうち中央に並ぶリードのパターンにつ
いては、タイバーを境にダイパッド側に延在するリード
基部を残してタイバーより先のアウタリード部を欠如し
て形成することもできる。
、３本のリードのうち中央に並ぶリードのパターンにつ
いては、タイバーを境にダイパッド側に延在するリード
基部を残してタイバーより先のアウタリード部を欠如し
て形成することもできる。
【０００９】一方、前記構成のリードフレームを使用し
て構成した本発明の樹脂封止半導体装置は、２極半導体
ペレットの表面電極の一方をダイパッドにダイボンディ
ングし、他方をリード列の端に並ぶダイパッドと非連結
のリードとの間でワイヤボンディングし、かつ成形金型
でモールド加工した後に、タイバーカットして組立てる
ものとする。
て構成した本発明の樹脂封止半導体装置は、２極半導体
ペレットの表面電極の一方をダイパッドにダイボンディ
ングし、他方をリード列の端に並ぶダイパッドと非連結
のリードとの間でワイヤボンディングし、かつ成形金型
でモールド加工した後に、タイバーカットして組立てる
ものとする。
【００１０】
【作用】パターンが上記形状のリードフレームを使用し
、３端子用の成形金型を用いてモールド加工を行えば、
金型にリードフレームをセットした状態ではリードフレ
ームに形成した３本のリードのリード基部がそれぞれ金
型のリード溝に嵌入するので、樹脂漏れなしに樹脂パッ
ケージが成形される。ここで、３本のリードのうちの中
央に並ぶリードはモールド加工時のダミーリードとして
の役目を果たすものであってダイパッドとは連結されて
なく、かつ電気的にも回路から切り離れている。したが
って、モールド加工， リード加工を施して構成した製
品では、中央に並ぶリードの有り， 無しに関係なく、
左右両端に並ぶ異極のリードの間には十分な絶縁距離が
確保される。なお、中央のリードは、モールド加工，タ
イバーカットした後に、必要なければ樹脂パッケージか
ら引き抜いてもよく、あるいは半導体装置の取付用脚と
して生かす場合にはそのまま残しておいてもよい。
、３端子用の成形金型を用いてモールド加工を行えば、
金型にリードフレームをセットした状態ではリードフレ
ームに形成した３本のリードのリード基部がそれぞれ金
型のリード溝に嵌入するので、樹脂漏れなしに樹脂パッ
ケージが成形される。ここで、３本のリードのうちの中
央に並ぶリードはモールド加工時のダミーリードとして
の役目を果たすものであってダイパッドとは連結されて
なく、かつ電気的にも回路から切り離れている。したが
って、モールド加工， リード加工を施して構成した製
品では、中央に並ぶリードの有り， 無しに関係なく、
左右両端に並ぶ異極のリードの間には十分な絶縁距離が
確保される。なお、中央のリードは、モールド加工，タ
イバーカットした後に、必要なければ樹脂パッケージか
ら引き抜いてもよく、あるいは半導体装置の取付用脚と
して生かす場合にはそのまま残しておいてもよい。
【００１１】
【実施例】以下本発明の実施例を図１ないし図５に基づ
いて説明する。なお、各図において、図６ないし図８に
対応する同一部材には同じ符号が付してある。まず、本
発明の半導体装置に採用するリードフレームのパターン
形状を図２に示す。すなわち、リードフレームのパター
ンは、ペレットをマウントするダイパッド１と、３端子
用成形金型のリード溝に位置を合わせて同一方向に引出
した３本のリード２，３，４と、各リードを途中箇所で
相互連結したタイバー５を有し、かつ前記リードのうち
左端に並ぶリード２はダイパッド１に連結して、残り２
本のリード３，４がダイパッド１から切り離してある。
いて説明する。なお、各図において、図６ないし図８に
対応する同一部材には同じ符号が付してある。まず、本
発明の半導体装置に採用するリードフレームのパターン
形状を図２に示す。すなわち、リードフレームのパター
ンは、ペレットをマウントするダイパッド１と、３端子
用成形金型のリード溝に位置を合わせて同一方向に引出
した３本のリード２，３，４と、各リードを途中箇所で
相互連結したタイバー５を有し、かつ前記リードのうち
左端に並ぶリード２はダイパッド１に連結して、残り２
本のリード３，４がダイパッド１から切り離してある。
【００１２】次に、上記のリードフレームを使用してダ
イオードなどの２極半導体装置を組み立てるには、図１
で示すように、まずリードフレームのダイパッド１にペ
レット６をダイボンディングし、さらにペレット６の表
面電極と右端に並ぶリードフレーム４の基部４ａとの間
にワイヤ７をボンディングし、中央のリード３はそのま
ま遊ばしておく。続いて前記のようにペレットをマウン
トしたリードフレームを３端子用の成形金型８にインサ
ートしてモールド加工して樹脂パッケージ９を成形する
。なお、モールド加工時にはダミー用のリード３を含め
て３本のリード２，３，４がそれぞれ３端子用金型のリ
ード溝に嵌入するので、樹脂漏れのおそれはない。最後
にリードフレームを金型８から取出した上でタイバー５
をカットし、図３，ないし図４に示す樹脂封止形半導体
装置の製品を得る。ここで、図３は中央のリード３を取
付用脚として生かすためにそのまま残してある。これに
対して図４では中央のリード３を樹脂パッケージ９から
引き抜いて取り外してある。なお、９ａはリード３を引
き抜いた後の穴を示している。
イオードなどの２極半導体装置を組み立てるには、図１
で示すように、まずリードフレームのダイパッド１にペ
レット６をダイボンディングし、さらにペレット６の表
面電極と右端に並ぶリードフレーム４の基部４ａとの間
にワイヤ７をボンディングし、中央のリード３はそのま
ま遊ばしておく。続いて前記のようにペレットをマウン
トしたリードフレームを３端子用の成形金型８にインサ
ートしてモールド加工して樹脂パッケージ９を成形する
。なお、モールド加工時にはダミー用のリード３を含め
て３本のリード２，３，４がそれぞれ３端子用金型のリ
ード溝に嵌入するので、樹脂漏れのおそれはない。最後
にリードフレームを金型８から取出した上でタイバー５
をカットし、図３，ないし図４に示す樹脂封止形半導体
装置の製品を得る。ここで、図３は中央のリード３を取
付用脚として生かすためにそのまま残してある。これに
対して図４では中央のリード３を樹脂パッケージ９から
引き抜いて取り外してある。なお、９ａはリード３を引
き抜いた後の穴を示している。
【００１３】図５はリードフレームの応用実施例を示す
ものであり、図２に示したリードフレームのパターンと
比べて、左右に並ぶ３本のリードのうち中央のリードに
ついては、タイバー５を境にダイパッド１の方へ延在す
るリード基部３ａを残し、ダイバー５から先のアウタリ
ード部分が欠如している。つまり、３端子用成形金型を
用いてモールド加工する際に、金型のリード溝から樹脂
が漏れるのを防ぐダミー用リードとしての役目を果たす
リード基部３ａをそのまま残し、回路用リードとしての
機能を持たない中央のリードの先端部分をあらかじめ省
略してパターン形成したものである。このようなリード
フレームを使用しても、図４と同様に３端子用成形金型
を用いて樹脂封止形半導体装置を支障なくモールド加工
することができる。
ものであり、図２に示したリードフレームのパターンと
比べて、左右に並ぶ３本のリードのうち中央のリードに
ついては、タイバー５を境にダイパッド１の方へ延在す
るリード基部３ａを残し、ダイバー５から先のアウタリ
ード部分が欠如している。つまり、３端子用成形金型を
用いてモールド加工する際に、金型のリード溝から樹脂
が漏れるのを防ぐダミー用リードとしての役目を果たす
リード基部３ａをそのまま残し、回路用リードとしての
機能を持たない中央のリードの先端部分をあらかじめ省
略してパターン形成したものである。このようなリード
フレームを使用しても、図４と同様に３端子用成形金型
を用いて樹脂封止形半導体装置を支障なくモールド加工
することができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明の樹脂封止形半導体装置、および
リードフレームは以上説明したように構成されているの
で、トランジスタ用製造設備として工場に設備されてい
る既存の３端子用成形金型をそのまま利用して、ダイオ
ードのような２極半導体装置を対象とした樹脂封止半導
体装置を樹脂漏れなどを起こさずにモールド加工して樹
脂パッケージを成形することができる。しかも、リード
フレームのパターンに形成した３本のリードのうち、実
際には回路のリードとして機能しない中央のダミー用リ
ードはダイパッドに連結せず、かつ電気的にも半導体素
子の回路と切り離されているので、両端に並ぶ異極リー
ドの間には十分な絶縁距離が確保され、これにより高圧
大電力用のダイオードなどの樹脂封止形半導体装置を小
形，コンパクトな構成で組立ることができる。
リードフレームは以上説明したように構成されているの
で、トランジスタ用製造設備として工場に設備されてい
る既存の３端子用成形金型をそのまま利用して、ダイオ
ードのような２極半導体装置を対象とした樹脂封止半導
体装置を樹脂漏れなどを起こさずにモールド加工して樹
脂パッケージを成形することができる。しかも、リード
フレームのパターンに形成した３本のリードのうち、実
際には回路のリードとして機能しない中央のダミー用リ
ードはダイパッドに連結せず、かつ電気的にも半導体素
子の回路と切り離されているので、両端に並ぶ異極リー
ドの間には十分な絶縁距離が確保され、これにより高圧
大電力用のダイオードなどの樹脂封止形半導体装置を小
形，コンパクトな構成で組立ることができる。
【図１】本発明実施例による樹脂封止形半導体装置をモ
ールド加工して樹脂封止した状態を表す図であり、（ａ
）は平面断面図，（ｂ）は側断面図
ールド加工して樹脂封止した状態を表す図であり、（ａ
）は平面断面図，（ｂ）は側断面図
【図２】図１におけ
るリードフレームのパターンの平面図
るリードフレームのパターンの平面図
【図３】本発明実施例による樹脂封止形半導体装置の外
観図
観図
【図４】図３と異なる本発明実施例の樹脂封止形半導体
装置の外観図
装置の外観図
【図５】図１と異なる実施例のリードフレームの平面図
【図６】従来の樹脂封止形半導体装置に使用されている
リードフレームの平面図
リードフレームの平面図
【図７】図６のリードフレームを使用した半導体装置を
モールド加工して樹脂封止した状態を表す図
モールド加工して樹脂封止した状態を表す図
【図８】図
６のリードフレームを使用して構成した樹脂封止形半導
体装置の外観図
６のリードフレームを使用して構成した樹脂封止形半導
体装置の外観図
１ ダイパッド
２ リード
３ リード
４ リード
５ タイバー
６ 半導体ペレット
７ ボンディングワイヤ
８ 樹脂パッケージ
９ ３端子用成形金型
Claims (3)
- 【請求項１】２極半導体装置を対象とするシングルエン
ドタイプの樹脂封止形半導体装置に適用するリードフレ
ームであり、３端子用成形金型を用いてモールド加工を
行うものにおいて、リードフレームのパターンがペレッ
トをマウントするダイパッドと、前記金型のリード溝に
位置を合わせて同一方向に引出した３本のリードと、リ
ード間を相互連結したタイバーを有し、かつ前記リード
のうち両端に並ぶリードのいずれか一方をダイパッドに
連結し、残り２本のリードをダイパッドから切り離して
形成したことを特徴とする樹脂封止形半導体装置のリー
ドフレーム。 - 【請求項２】請求項１に記載のリードフレームにおいて
、３本のリードのうち中央に並ぶリードのパターンが、
タイバーを境にダイパッド側に延在するリード基部を残
してタイバーより先のアウタリード部が欠如しているこ
とを特徴とする樹脂封止形半導体装置のリードフレーム
。 - 【請求項３】請求項１または２に記載のリードフレーム
を使用して２極半導体ペレットの表面電極の一方をダイ
パッドにダイボンディングし、他方をリード列の端に並
ぶダイパッドと非連結のリードとの間でワイヤボンディ
ングし、かつ成形金型でモールド加工した後に、タイバ
ーカットして構成したことを特徴とする樹脂封止形半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4849391A JPH04284656A (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 樹脂封止形半導体装置およびリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4849391A JPH04284656A (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 樹脂封止形半導体装置およびリードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04284656A true JPH04284656A (ja) | 1992-10-09 |
Family
ID=12804911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4849391A Pending JPH04284656A (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | 樹脂封止形半導体装置およびリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04284656A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135515A (ja) * | 2009-01-29 | 2009-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2009164647A (ja) * | 2009-04-22 | 2009-07-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| WO2015001648A1 (ja) * | 2013-07-04 | 2015-01-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
| JP2016157850A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-03-14 JP JP4849391A patent/JPH04284656A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009135515A (ja) * | 2009-01-29 | 2009-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2009164647A (ja) * | 2009-04-22 | 2009-07-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| WO2015001648A1 (ja) * | 2013-07-04 | 2015-01-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
| US9472538B2 (en) | 2013-07-04 | 2016-10-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device |
| JP6065978B2 (ja) * | 2013-07-04 | 2017-01-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置 |
| JP2016157850A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体モジュール、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
| US10043735B2 (en) | 2015-02-25 | 2018-08-07 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor module, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor devices |
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