JPH02230761A - リードフレームおよびこれを利用した半導体装置 - Google Patents
リードフレームおよびこれを利用した半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
本発明は、リードフレームおよびこれを利用して樹脂封
止して成る電力用等の半導体装置に関する。
止して成る電力用等の半導体装置に関する。
く従来技術〉
従来の樹脂封止型の電力用半導体装置に利用されるリー
ドフレームは、第８図の如く、横枠ｌと、該横枠１に一
端が支持された複数のリード端子２３．４と、該複数の
リード端子２．３．４のうち載置片吊りリード端子４に
設けられた半導体素子載置片５と、該載置片５を連結支
持する載置片吊りタイパー６と、前記各リード端子２，
３．４を連結するリード吊りタイパー７とから成る。
ドフレームは、第８図の如く、横枠ｌと、該横枠１に一
端が支持された複数のリード端子２３．４と、該複数の
リード端子２．３．４のうち載置片吊りリード端子４に
設けられた半導体素子載置片５と、該載置片５を連結支
持する載置片吊りタイパー６と、前記各リード端子２，
３．４を連結するリード吊りタイパー７とから成る。
そして、電力用半導体装置は、このリードフレーム８に
、半導体素子９をグイボンドし、ボンデイングワイヤー
ｌＯにより内部結線を施して回路形成する。次に、第９
図の如く、リードフレーム８をモールド金型１１．１２
にセットアップ後、横枠ｌとタイパー６．７とを支持し
、封止樹脂ｌ３を用いてトランスファーモールド法によ
り樹脂封止する（この樹脂封止後の状聾を第ｌＯ図に示
す）。その後、タイパー６．７を切断して第１１図の如
き半導体装置が完成する。
、半導体素子９をグイボンドし、ボンデイングワイヤー
ｌＯにより内部結線を施して回路形成する。次に、第９
図の如く、リードフレーム８をモールド金型１１．１２
にセットアップ後、横枠ｌとタイパー６．７とを支持し
、封止樹脂ｌ３を用いてトランスファーモールド法によ
り樹脂封止する（この樹脂封止後の状聾を第ｌＯ図に示
す）。その後、タイパー６．７を切断して第１１図の如
き半導体装置が完成する。
なお、第ＩＯ図中、ｌ４は封止樹ＩＩＩ Ｉ ３により
形成された外装、Ｉ５は放熱板取付用ビス孔である。
形成された外装、Ｉ５は放熱板取付用ビス孔である。
く 発明が解決しようとする課題 〉
しかし、従来の樹脂封止型の電力用半導体装置は、第８
図の如く、リードフレーム８に載置片吊りタイパー６が
設けられているので、リードフレーム８を樹脂封止した
後にタイパー６を切断しても、第１１図の如く、タイパ
ー６の切断片６ａが露出する。
図の如く、リードフレーム８に載置片吊りタイパー６が
設けられているので、リードフレーム８を樹脂封止した
後にタイパー６を切断しても、第１１図の如く、タイパ
ー６の切断片６ａが露出する。
このため、半導体装置に放熱板を取付けたとき、タイパ
ー６の切断片６ａと放熱板との絶縁耐圧に制約が生じ、
絶縁ソートが必要となる。
ー６の切断片６ａと放熱板との絶縁耐圧に制約が生じ、
絶縁ソートが必要となる。
そこで、本発明は、上記課題に鑑み、放熱板の取付時に
絶縁ンートを必要と仕ず、かつ放熱板と高絶縁耐圧を有
する半導体装置の提供を目的とする。
絶縁ンートを必要と仕ず、かつ放熱板と高絶縁耐圧を有
する半導体装置の提供を目的とする。
く 課題を解決するための手段 〉
本発明請求項ｌによる課題解決手段は、第ｌ図の如く、
横枠２６と、該横枠２６から延設されたリード端子２７
．２８．２９と、半導体素子２０か搭載される載置片３
０とを備え、該載置片３ｂが前記横枠２６の長手方向に
沿って複数個配列されたリードフレームにおいて、前記
載置片３０か載置片吊りリード端子２９のみに支持され
たものである。
横枠２６と、該横枠２６から延設されたリード端子２７
．２８．２９と、半導体素子２０か搭載される載置片３
０とを備え、該載置片３ｂが前記横枠２６の長手方向に
沿って複数個配列されたリードフレームにおいて、前記
載置片３０か載置片吊りリード端子２９のみに支持され
たものである。
また、本発明請求項２による課題解決手段は、第６図な
いし第７図（ａＸｂ）の如く、請求項１記載のリードフ
レーム２ｌと、該リードフレーム２Ｉに搭載される半導
体素子２０と、これらを封正樹脂２２により樹脂封止し
て成る外装２３とから構成され、前記リードフレーム２
１は、そのリード端子２７．２８．２９の出力部２＋ａ
を除いて外装２３により覆われたものである。
いし第７図（ａＸｂ）の如く、請求項１記載のリードフ
レーム２ｌと、該リードフレーム２Ｉに搭載される半導
体素子２０と、これらを封正樹脂２２により樹脂封止し
て成る外装２３とから構成され、前記リードフレーム２
１は、そのリード端子２７．２８．２９の出力部２＋ａ
を除いて外装２３により覆われたものである。
〈作用〉
上記課題解決手段において、リードフレーム２ｌの載置
片３０に、半導体素子２０を搭載し、リードフレーム２
ｌをモールド金型にセットする。
片３０に、半導体素子２０を搭載し、リードフレーム２
ｌをモールド金型にセットする。
このリードフレーム２１を金型にセットする際、載置片
３０が封止樹脂２２の射出により金型内で移動すること
なく位置決めできるよう載置片３０を金型内の位置決め
ピンにより支持する。しかる後、封止樹脂２２を射出し
、この封止樹脂２２の硬化前に位置決めビンを成形品の
表面まで持ち上げて半導体装置を製造する。
３０が封止樹脂２２の射出により金型内で移動すること
なく位置決めできるよう載置片３０を金型内の位置決め
ピンにより支持する。しかる後、封止樹脂２２を射出し
、この封止樹脂２２の硬化前に位置決めビンを成形品の
表面まで持ち上げて半導体装置を製造する。
このとき、載置片３０が載置片吊りリード端子２９のみ
に支持されているので、樹脂封止後、従来のようにタイ
バーの切断片が外装２３から露出することなくリードフ
レーム２１の出力部２１ａを除いて封止することができ
る。
に支持されているので、樹脂封止後、従来のようにタイ
バーの切断片が外装２３から露出することなくリードフ
レーム２１の出力部２１ａを除いて封止することができ
る。
したがって、半導体装置に放熱板を取付ける際に絶縁シ
ートが不要となり、かつ放熱板と高絶縁耐圧を有する半
導体装置を得ることができる。
ートが不要となり、かつ放熱板と高絶縁耐圧を有する半
導体装置を得ることができる。
〈実施例〉
以下、本発明の一実施例について図面により説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すリードフレームの樹脂
封止前の状態を示す平面図、第２図は同じくモールド金
型内に封止樹脂を射出した状態を示す断面図、第３図は
同じくモールド金型内で封止樹脂が半硬化した状聾を示
す断面図、第４図は同じくモールド金型内で封止樹脂が
硬化した状態を示す断面図、第５図は封正樹脂の粘度と
成形時間の関係を示す図、第６図は同じくリードフレー
ム樹脂封止後の状態を示す平面図、第７図（ａ）は同じ
くその半導体装置を示す側面図、第７図（ｂ）は同じく
第７図（ａ）の断面図である。
封止前の状態を示す平面図、第２図は同じくモールド金
型内に封止樹脂を射出した状態を示す断面図、第３図は
同じくモールド金型内で封止樹脂が半硬化した状聾を示
す断面図、第４図は同じくモールド金型内で封止樹脂が
硬化した状態を示す断面図、第５図は封正樹脂の粘度と
成形時間の関係を示す図、第６図は同じくリードフレー
ム樹脂封止後の状態を示す平面図、第７図（ａ）は同じ
くその半導体装置を示す側面図、第７図（ｂ）は同じく
第７図（ａ）の断面図である。
まず、本実施例の樹脂封止型の電力用半導体装置の構造
について説明する。
について説明する。
第７図（ａ） （ｂ）の如く、リードフレーム２１と、
該リードフレーム２ｌに搭載される半導体素子２０と、
これらを封止樹脂２２により樹脂封止して成る外装２３
とから構成され、前記リードフレーム２１は、そのリー
ド端子２７．２８．２９の出力部２１ａを除いて外装２
３により覆われている。
該リードフレーム２ｌに搭載される半導体素子２０と、
これらを封止樹脂２２により樹脂封止して成る外装２３
とから構成され、前記リードフレーム２１は、そのリー
ド端子２７．２８．２９の出力部２１ａを除いて外装２
３により覆われている。
なお、第７図（ａ） （ｂ）中、２４は放熱板取付用ヒ
ス孔、２５は半導体素子２０とリードフレーム２ｌとを
内部結線するホンデイングワイヤーである。
ス孔、２５は半導体素子２０とリードフレーム２ｌとを
内部結線するホンデイングワイヤーである。
前記リードフレーム２１は、第１図の如く、横枠２６と
、該横枠２６から延設されたリード端子２７．２８
２９と、半導体素子２０が搭載される載置片３０とを備
え、該載置片３０が府記横枠２６の長手方向に沿って複
数個配列され、前記載置片３０が載置片吊りリード端子
２９のみに支持されている。
、該横枠２６から延設されたリード端子２７．２８
２９と、半導体素子２０が搭載される載置片３０とを備
え、該載置片３０が府記横枠２６の長手方向に沿って複
数個配列され、前記載置片３０が載置片吊りリード端子
２９のみに支持されている。
前記リード端子２ ７．２ ８は、前記載置片吊りリー
ド端子２９を挟んで対向配置されるとともに、前記半導
体素子２０とボンデイングワイヤー２５により内部結線
されている。該リード端子２７，２８．２９は、リード
吊りタイパー３により連結支持されている。
ド端子２９を挟んで対向配置されるとともに、前記半導
体素子２０とボンデイングワイヤー２５により内部結線
されている。該リード端子２７，２８．２９は、リード
吊りタイパー３により連結支持されている。
前記載置片３０は、前記載置片吊りリード端子２９に一
体形成されており、第１〜４図の如く、放熱効果が向上
するように肉厚に形成された載置片本体３２と、該本体
３２の略中夫に形成されたモールド金型挿入用孔３３と
から成る。
体形成されており、第１〜４図の如く、放熱効果が向上
するように肉厚に形成された載置片本体３２と、該本体
３２の略中夫に形成されたモールド金型挿入用孔３３と
から成る。
次に、上記半導体装置の製造方法について説明する。
まず、第１図の如く、半導体素子２０をリード端子２９
の載置片３０にグイポンドし、半導体素子２０とリード
端子２７．２８とをボンデイングワイヤー２５により内
部結線を施し回路形成する。
の載置片３０にグイポンドし、半導体素子２０とリード
端子２７．２８とをボンデイングワイヤー２５により内
部結線を施し回路形成する。
そして、リードフレーム２１を、第２図の如く、下面モ
ールド金型３４にセットアップ後、上面モールド金型３
５の凸部３５ａを金型挿入用孔３３に挿入して横枠２０
およびリード端子２７．２８２９を支持し、さらにモー
ルド金型３４．３５内から突出した位置決めピン３６．
３７で載置片３０の一端部３０ａ．３０ｂを支持し、モ
ールド金型３４．３５内に封止樹脂２２をトランスファ
ーモールド法により射出する。
ールド金型３４にセットアップ後、上面モールド金型３
５の凸部３５ａを金型挿入用孔３３に挿入して横枠２０
およびリード端子２７．２８２９を支持し、さらにモー
ルド金型３４．３５内から突出した位置決めピン３６．
３７で載置片３０の一端部３０ａ．３０ｂを支持し、モ
ールド金型３４．３５内に封止樹脂２２をトランスファ
ーモールド法により射出する。
このように、位置決めピン３６．３７によりリード端子
２９のみに支持された載置片３０を支持しているので、
従来のようにリードフレーム２＋に載置片３０を連結す
る載置片吊りタイバーを設けなくても、モールド金型３
４．３５内で載置片３０を移動させることなく位置決め
できる。
２９のみに支持された載置片３０を支持しているので、
従来のようにリードフレーム２＋に載置片３０を連結す
る載置片吊りタイバーを設けなくても、モールド金型３
４．３５内で載置片３０を移動させることなく位置決め
できる。
その後、封止樹脂２２の硬化萌に位置決めピン３６ ３
７を、第３図の如く、成形品の表面まで持ち上げる。
７を、第３図の如く、成形品の表面まで持ち上げる。
この位置決めピン３６．３７を持ち上げるタイミングは
、封正樹脂の粘度と成形時間とに依存する。すなわち、
第５図の如く、封止樹脂２２を射出して成形時間Ａの範
囲までは、封止樹脂２２の粘度が低いため、第２図の如
く、位置決めピン３６，３７て載置片３０を支持する。
、封正樹脂の粘度と成形時間とに依存する。すなわち、
第５図の如く、封止樹脂２２を射出して成形時間Ａの範
囲までは、封止樹脂２２の粘度が低いため、第２図の如
く、位置決めピン３６，３７て載置片３０を支持する。
そして、封止樹脂２２が半硬化状態となる成形時間Ｂの
範囲になったときに、第３図の如く、位置決めビン３６
．３７を成形品の表面まで持ち上げる。このとき、位置
決めピン３６．３７を持ち上げても封止樹脂２２の粘度
がある程度高くなっている（半硬化状態）ため載置片３
０は動かない。そして、成形時間Ｃの範囲になると、第
４図の如く、封止樹脂２２は硬化する。
範囲になったときに、第３図の如く、位置決めビン３６
．３７を成形品の表面まで持ち上げる。このとき、位置
決めピン３６．３７を持ち上げても封止樹脂２２の粘度
がある程度高くなっている（半硬化状態）ため載置片３
０は動かない。そして、成形時間Ｃの範囲になると、第
４図の如く、封止樹脂２２は硬化する。
そして、樹脂封止後、タイパー３１を切断して第７図（
ａ） （ｂ）の如き半導体装置が完成する。
ａ） （ｂ）の如き半導体装置が完成する。
このとき、載置片３０が載置片吊りリード端子２９のみ
に支持されているので、樹脂封止後、従来のようにタイ
バーの切断片が外装２３から露出することなくリードフ
レーム２１の出力部２１ａを除いて封止することができ
る。
に支持されているので、樹脂封止後、従来のようにタイ
バーの切断片が外装２３から露出することなくリードフ
レーム２１の出力部２１ａを除いて封止することができ
る。
したがって、半導体装置に放熱板を取付ける際に絶縁シ
ートが不要となり、かつ放熱板と高絶縁耐圧を有する半
導体装置を得ることができる。
ートが不要となり、かつ放熱板と高絶縁耐圧を有する半
導体装置を得ることができる。
なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではな《
、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修正および変更
を加え得ることは勿論である。
、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修正および変更
を加え得ることは勿論である。
く発明の効果〉
以上の説明から明らかな通り、本発明によると、載置片
が載置片吊りリード端子のみに支持されたリードフレー
ムに半導体素子を搭載し、これらを封止樹脂によりリー
ドフレームのリード端子の出力部を除いて覆われるよう
に外装を形成しているので、樹脂封止後、従来のように
タイバーの切断片か外装から露出しなくなる。
が載置片吊りリード端子のみに支持されたリードフレー
ムに半導体素子を搭載し、これらを封止樹脂によりリー
ドフレームのリード端子の出力部を除いて覆われるよう
に外装を形成しているので、樹脂封止後、従来のように
タイバーの切断片か外装から露出しなくなる。
したがって、半導体装置に放熱板を取付ける際に絶縁シ
ートが不要となり、かつ放熱板と高絶縁耐圧を有する半
導体装置を得ることができるといった優れた効果がある
。
ートが不要となり、かつ放熱板と高絶縁耐圧を有する半
導体装置を得ることができるといった優れた効果がある
。
第１図は本発明の一実施例を示すリードフレームの樹脂
封止前の状態を示す平面図、第２図は同じくモールド金
型内に封止樹脂を射出した状態を示す断面図、第３図は
同じくモールド金型内で封止樹脂が半硬化した状態を示
す断面図、第４図は同じくモールド金型内で封正樹脂が
硬化した状態を示す断面図、第５図は封止樹脂の粘度と
成形時間の関係を示す図、第６図は同じくリードフレー
ム樹脂封止後の状態を示す平面図、第７図（ａ）は同じ
くその半導体装置を示す側面図、第７図（ｂ）は同じく
第７図（ａ）の断面図、第８図は従来のリードフレーム
の樹脂封止前の状態を示す平面図、第９図は同じくリー
ドフレームをモールド金型に固定した状態を示す断面図
、第１０図は同じくリードフレームの樹脂封止後の状態
を示す平面図、第１１図は同じくその半導体装置を示す
側面図である。 ：封止樹脂、２６；横枠、 端子、３０・載置片。 ２９：リード ンヤープ株式会社 中村恒久 ２０：半導体素子、２ｌ：リードフレーム、２２第 区 （ｂ） 第 図 （ａノ
封止前の状態を示す平面図、第２図は同じくモールド金
型内に封止樹脂を射出した状態を示す断面図、第３図は
同じくモールド金型内で封止樹脂が半硬化した状態を示
す断面図、第４図は同じくモールド金型内で封正樹脂が
硬化した状態を示す断面図、第５図は封止樹脂の粘度と
成形時間の関係を示す図、第６図は同じくリードフレー
ム樹脂封止後の状態を示す平面図、第７図（ａ）は同じ
くその半導体装置を示す側面図、第７図（ｂ）は同じく
第７図（ａ）の断面図、第８図は従来のリードフレーム
の樹脂封止前の状態を示す平面図、第９図は同じくリー
ドフレームをモールド金型に固定した状態を示す断面図
、第１０図は同じくリードフレームの樹脂封止後の状態
を示す平面図、第１１図は同じくその半導体装置を示す
側面図である。 ：封止樹脂、２６；横枠、 端子、３０・載置片。 ２９：リード ンヤープ株式会社 中村恒久 ２０：半導体素子、２ｌ：リードフレーム、２２第 区 （ｂ） 第 図 （ａノ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、横枠と、該横枠から延設されたリード端子と、半導
体素子が搭載される載置片とを備え、該載置片が前記横
枠の長手方向に沿って複数個配列されたリードフレーム
において、前記載置片が載置片吊りリード端子のみに支
持されたことを特徴とするリードフレーム。 ２、請求項１記載のリードフレームと、該リードフレー
ムに搭載される半導体素子と、これらを封止樹脂により
樹脂封止して成る外装とから構成され、前記リードフレ
ームは、そのリード端子の出力部を除いて外装により覆
われたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1051619A JPH02230761A (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | リードフレームおよびこれを利用した半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1051619A JPH02230761A (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | リードフレームおよびこれを利用した半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230761A true JPH02230761A (ja) | 1990-09-13 |
Family
ID=12891895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1051619A Pending JPH02230761A (ja) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | リードフレームおよびこれを利用した半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02230761A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925256A (ja) * | 1982-08-02 | 1984-02-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS60175434A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-03-02 JP JP1051619A patent/JPH02230761A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5925256A (ja) * | 1982-08-02 | 1984-02-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS60175434A (ja) * | 1984-02-21 | 1985-09-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
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