JPH08186137A - 半導体チップの樹脂封止方法 - Google Patents
半導体チップの樹脂封止方法Info
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- JPH08186137A JPH08186137A JP7000247A JP24795A JPH08186137A JP H08186137 A JPH08186137 A JP H08186137A JP 7000247 A JP7000247 A JP 7000247A JP 24795 A JP24795 A JP 24795A JP H08186137 A JPH08186137 A JP H08186137A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止時の短絡事故を回避できる半導体チ
ップの樹脂封止方法を提供することを目的とする。 【構成】 基板１の電極２とこの基板１上に搭載された
半導体チップ３のランド４とを電気的に接続するワイヤ
６群に接触するように、補強用樹脂８を塗布する工程
と、半導体チップ３、ワイヤ６、補強用樹脂８を覆うよ
うに封止用樹脂１０を塗布する工程と、封止用樹脂１０
を硬化させる工程とを含む。
ップの樹脂封止方法を提供することを目的とする。 【構成】 基板１の電極２とこの基板１上に搭載された
半導体チップ３のランド４とを電気的に接続するワイヤ
６群に接触するように、補強用樹脂８を塗布する工程
と、半導体チップ３、ワイヤ６、補強用樹脂８を覆うよ
うに封止用樹脂１０を塗布する工程と、封止用樹脂１０
を硬化させる工程とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップの樹脂封
止方法に関するものである。
止方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップはリードフレームなどの基
板に搭載され、半導体チップのランドと、基板の電極
（例えばインナーリード）がワイヤで電気的に接続され
た後、半導体チップの周囲を覆うように封止用樹脂で、
半導体チップの封止が行われている。
板に搭載され、半導体チップのランドと、基板の電極
（例えばインナーリード）がワイヤで電気的に接続され
た後、半導体チップの周囲を覆うように封止用樹脂で、
半導体チップの封止が行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このワイヤ
は極細の金線からなり、それ自身非常に弱く変形したり
倒れたりしやすい。また近年半導体チップの高集積化が
一層進んで、１つの半導体チップに多数のランドが形成
されるようになってきており、結果的に多数のワイヤが
狭い間隔を隔てて林立するようになっている。
は極細の金線からなり、それ自身非常に弱く変形したり
倒れたりしやすい。また近年半導体チップの高集積化が
一層進んで、１つの半導体チップに多数のランドが形成
されるようになってきており、結果的に多数のワイヤが
狭い間隔を隔てて林立するようになっている。
【０００４】ここで、従来の半導体チップの樹脂封止方
法のように、ワイヤが単にランドと電極とに接続され裸
のままの状態で、一気に多量の封止用樹脂を塗布あるい
は流し込みすると、多量の封止用樹脂が流動すること
で、弱いワイヤに力が作用し、その結果ワイヤが変形し
隣接するワイヤに接触して短絡を生じ、得られた電子部
品が動作不良になってしまうことがあった。
法のように、ワイヤが単にランドと電極とに接続され裸
のままの状態で、一気に多量の封止用樹脂を塗布あるい
は流し込みすると、多量の封止用樹脂が流動すること
で、弱いワイヤに力が作用し、その結果ワイヤが変形し
隣接するワイヤに接触して短絡を生じ、得られた電子部
品が動作不良になってしまうことがあった。
【０００５】そこで本発明は、樹脂封止時の短絡事故を
回避できる半導体チップの樹脂封止方法を提供すること
を目的とする。
回避できる半導体チップの樹脂封止方法を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体チップの
樹脂封止方法は、基板の電極とこの基板上に搭載された
半導体チップのランドとを電気的に接続するワイヤ群に
接触するように、補強用樹脂を塗布する工程と、半導体
チップ、ワイヤ、補強用樹脂を覆うように封止用樹脂を
塗布する工程と、封止用樹脂を硬化させる工程とを含
む。
樹脂封止方法は、基板の電極とこの基板上に搭載された
半導体チップのランドとを電気的に接続するワイヤ群に
接触するように、補強用樹脂を塗布する工程と、半導体
チップ、ワイヤ、補強用樹脂を覆うように封止用樹脂を
塗布する工程と、封止用樹脂を硬化させる工程とを含
む。
【０００７】
【作用】上記構成により、多量の封止用樹脂を塗布する
以前に、封止用樹脂よりも少量の補強用樹脂をワイヤに
接触させるように塗布することにより、裸で弱いワイヤ
を補強し変形しにくくすることができる。しかる後、封
止用樹脂で封止する際には、ワイヤは補強されており、
倒立等による短絡事故を回避することができる。
以前に、封止用樹脂よりも少量の補強用樹脂をワイヤに
接触させるように塗布することにより、裸で弱いワイヤ
を補強し変形しにくくすることができる。しかる後、封
止用樹脂で封止する際には、ワイヤは補強されており、
倒立等による短絡事故を回避することができる。
【０００８】
【実施例】次に図面を参照しながら本発明の実施例を説
明する。
明する。
【０００９】図１（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施
例における半導体チップの樹脂封止方法の工程説明図で
ある。第１の実施例では、ポッティングタイプの樹脂封
止を行う。まず図１（ａ）に示すように、基板１の電極
２が形成された箇所の中央部（例えばアイランドなど）
に図示していない接着剤を塗布して半導体チップ３をダ
イボンディングする。次に、ワイヤ６が挿通されたキャ
ピラリ５を上下に揺動させ、半導体チップ３に形成され
たランド４と基板１の電極２とをワイヤ６で電気的に接
続する。
例における半導体チップの樹脂封止方法の工程説明図で
ある。第１の実施例では、ポッティングタイプの樹脂封
止を行う。まず図１（ａ）に示すように、基板１の電極
２が形成された箇所の中央部（例えばアイランドなど）
に図示していない接着剤を塗布して半導体チップ３をダ
イボンディングする。次に、ワイヤ６が挿通されたキャ
ピラリ５を上下に揺動させ、半導体チップ３に形成され
たランド４と基板１の電極２とをワイヤ６で電気的に接
続する。
【００１０】次に本発明の第１の実施例における半導体
チップの樹脂封止方法を行う。まず図１（ｂ）に示すよ
うに補強用樹脂８を吐出するディスペンサ７により、図
２（本発明の第１の実施例における半導体チップの樹脂
封止方法の工程説明図）にも示すように、ワイヤ６に接
触するように、しかも電極２付近において半導体チップ
３の周囲を一周するように補強用樹脂８を塗布する。そ
して基板１をキュアして補強用樹脂８を硬化させる（図
１（ｃ））。すると、ワイヤ６は補強用樹脂８により実
質的な強度を増し、ほとんど変形しなくなる。なお補強
用樹脂８は、封止用樹脂１０に対して少量にすぎないの
で、補強用樹脂８を塗布することによりワイヤ６が短絡
することはない。
チップの樹脂封止方法を行う。まず図１（ｂ）に示すよ
うに補強用樹脂８を吐出するディスペンサ７により、図
２（本発明の第１の実施例における半導体チップの樹脂
封止方法の工程説明図）にも示すように、ワイヤ６に接
触するように、しかも電極２付近において半導体チップ
３の周囲を一周するように補強用樹脂８を塗布する。そ
して基板１をキュアして補強用樹脂８を硬化させる（図
１（ｃ））。すると、ワイヤ６は補強用樹脂８により実
質的な強度を増し、ほとんど変形しなくなる。なお補強
用樹脂８は、封止用樹脂１０に対して少量にすぎないの
で、補強用樹脂８を塗布することによりワイヤ６が短絡
することはない。
【００１１】次にワイヤ６を補強した後に、図１（ｄ）
に示すように、ディスペンサ９により半導体チップ３、
ワイヤ６、補強用樹脂８を覆うように、封止用樹脂１０
を塗布し、再びキュアして封止用樹脂１０を硬化させる
ことにより封止を完了する（図１（ｅ））。このとき、
既にワイヤ６は補強されているので、封止用樹脂１０の
流動により、ワイヤ６同士が短絡することはない。
に示すように、ディスペンサ９により半導体チップ３、
ワイヤ６、補強用樹脂８を覆うように、封止用樹脂１０
を塗布し、再びキュアして封止用樹脂１０を硬化させる
ことにより封止を完了する（図１（ｅ））。このとき、
既にワイヤ６は補強されているので、封止用樹脂１０の
流動により、ワイヤ６同士が短絡することはない。
【００１２】次に図３（ａ）〜（ｅ）（本発明の第２の
実施例における半導体チップの樹脂封止方法の工程説明
図）を参照しながら、トランスファーモールドタイプの
樹脂封止について説明する。まず第１の実施例と同様
に、ワイヤ６によるランド４と電極２の接続を行った後
（図３（ａ））、図２に示したように、ディスペンサ７
によりワイヤ６に接触するように電極２付近に補強用樹
脂８を塗布し（図３（ｂ））、これをキュアして補強用
樹脂８を硬化させる（図３（ｃ））。
実施例における半導体チップの樹脂封止方法の工程説明
図）を参照しながら、トランスファーモールドタイプの
樹脂封止について説明する。まず第１の実施例と同様
に、ワイヤ６によるランド４と電極２の接続を行った後
（図３（ａ））、図２に示したように、ディスペンサ７
によりワイヤ６に接触するように電極２付近に補強用樹
脂８を塗布し（図３（ｂ））、これをキュアして補強用
樹脂８を硬化させる（図３（ｃ））。
【００１３】次に基板１を下型１１と上型１２とにより
挟持し、半導体チップ３、ワイヤ６、補強用樹脂８など
を包み込むように上型１２に形成されたキャビティ１２
ａ内に、湯道１２ｂを介して溶融した封止用樹脂１０を
流し込む（図３（ｄ））。このとき、封止用樹脂１０の
流動によりワイヤ６を転倒させるような力が作用する
が、ワイヤ６は補強用樹脂８により補強されているの
で、転倒して短絡することはない。そして、封止用樹脂
８を硬化させ、硬化後離型して樹脂封止を完了するもの
である（図３（ｅ））。
挟持し、半導体チップ３、ワイヤ６、補強用樹脂８など
を包み込むように上型１２に形成されたキャビティ１２
ａ内に、湯道１２ｂを介して溶融した封止用樹脂１０を
流し込む（図３（ｄ））。このとき、封止用樹脂１０の
流動によりワイヤ６を転倒させるような力が作用する
が、ワイヤ６は補強用樹脂８により補強されているの
で、転倒して短絡することはない。そして、封止用樹脂
８を硬化させ、硬化後離型して樹脂封止を完了するもの
である（図３（ｅ））。
【００１４】図４（ａ）（ｂ）は本発明の他の実施例に
おける補強用樹脂の塗布要領を示す側面図である。即
ち、上記第１、第２の実施例では、補強用樹脂８を、電
極２の付近に塗布したが、図４（ａ）に示すように、電
極２とワイヤ６の接合部とランド４とワイヤ６の接合部
の両方にかかるように補強用樹脂８を塗布しても良い
し、ランド４とワイヤ６の接合部付近のみに補強用樹脂
８を塗布しても良い。要するに、ワイヤ６に補強用樹脂
８が接触するように塗布して、ワイヤ６の強度を増強し
て転倒しにくくなっていれば差支えない。
おける補強用樹脂の塗布要領を示す側面図である。即
ち、上記第１、第２の実施例では、補強用樹脂８を、電
極２の付近に塗布したが、図４（ａ）に示すように、電
極２とワイヤ６の接合部とランド４とワイヤ６の接合部
の両方にかかるように補強用樹脂８を塗布しても良い
し、ランド４とワイヤ６の接合部付近のみに補強用樹脂
８を塗布しても良い。要するに、ワイヤ６に補強用樹脂
８が接触するように塗布して、ワイヤ６の強度を増強し
て転倒しにくくなっていれば差支えない。
【００１５】
【発明の効果】本発明の半導体チップの樹脂封止方法
は、基板の電極とこの基板上に搭載された半導体チップ
のランドとを電気的に接続するワイヤ群に接触するよう
に、補強用樹脂を塗布する工程と、半導体チップ、ワイ
ヤ、補強用樹脂を覆うように封止用樹脂を塗布する工程
と、封止用樹脂を硬化させる工程とを含むので、多量の
封止用樹脂の流動によりワイヤに力が作用する前にワイ
ヤを補強することができ、短絡事故を回避することがで
きる。
は、基板の電極とこの基板上に搭載された半導体チップ
のランドとを電気的に接続するワイヤ群に接触するよう
に、補強用樹脂を塗布する工程と、半導体チップ、ワイ
ヤ、補強用樹脂を覆うように封止用樹脂を塗布する工程
と、封止用樹脂を硬化させる工程とを含むので、多量の
封止用樹脂の流動によりワイヤに力が作用する前にワイ
ヤを補強することができ、短絡事故を回避することがで
きる。
【図１】（ａ）本発明の第１の実施例における半導体チ
ップの樹脂封止方法の工程説明図 （ｂ）本発明の第１の実施例における半導体チップの樹
脂封止方法の工程説明図 （ｃ）本発明の第１の実施例における半導体チップの樹
脂封止方法の工程説明図 （ｄ）本発明の第１の実施例における半導体チップの樹
脂封止方法の工程説明図 （ｅ）本発明の第１の実施例における半導体チップの樹
脂封止方法の工程説明図
ップの樹脂封止方法の工程説明図 （ｂ）本発明の第１の実施例における半導体チップの樹
脂封止方法の工程説明図 （ｃ）本発明の第１の実施例における半導体チップの樹
脂封止方法の工程説明図 （ｄ）本発明の第１の実施例における半導体チップの樹
脂封止方法の工程説明図 （ｅ）本発明の第１の実施例における半導体チップの樹
脂封止方法の工程説明図
【図２】本発明の第１の実施例における半導体チップの
樹脂封止方法の工程説明図
樹脂封止方法の工程説明図
【図３】（ａ）本発明の第２の実施例における半導体チ
ップの樹脂封止方法の工程説明図 （ｂ）本発明の第２の実施例における半導体チップの樹
脂封止方法の工程説明図 （ｃ）本発明の第２の実施例における半導体チップの樹
脂封止方法の工程説明図 （ｄ）本発明の第２の実施例における半導体チップの樹
脂封止方法の工程説明図 （ｅ）本発明の第２の実施例における半導体チップの樹
脂封止方法の工程説明図
ップの樹脂封止方法の工程説明図 （ｂ）本発明の第２の実施例における半導体チップの樹
脂封止方法の工程説明図 （ｃ）本発明の第２の実施例における半導体チップの樹
脂封止方法の工程説明図 （ｄ）本発明の第２の実施例における半導体チップの樹
脂封止方法の工程説明図 （ｅ）本発明の第２の実施例における半導体チップの樹
脂封止方法の工程説明図
【図４】（ａ）本発明の他の実施例における補強用樹脂
の塗布要領を示す側面図 （ｂ）本発明の他の実施例における補強用樹脂の塗布要
領を示す側面図
の塗布要領を示す側面図 （ｂ）本発明の他の実施例における補強用樹脂の塗布要
領を示す側面図
１ 基板 ２ 電極 ３ 半導体チップ ４ ランド ６ ワイヤ ８ 補強用樹脂 １０ 封止用樹脂
Claims (4)
- 【請求項１】基板の電極とこの基板上に搭載された半導
体チップのランドとを電気的に接続するワイヤ群に接触
するように、補強用樹脂を塗布する工程と、 前記半導体チップ、前記ワイヤ、前記補強用樹脂を覆う
ように封止用樹脂を塗布する工程と、 前記封止用樹脂を硬化させる工程とを含むことを特徴と
する半導体チップの樹脂封止方法。 - 【請求項２】基板の電極とこの基板上に搭載された半導
体チップのランドとを電気的に接続するワイヤ群に接触
するように、補強用樹脂を塗布する工程と、 少なくとも前記半導体チップ、前記ワイヤ、前記補強用
樹脂を、上型と下型の間に入れ、前記上型と前記下型の
一方もしくは双方に形成されたキャビティ内に封止用樹
脂を流し込む工程と、 前記封止用樹脂を硬化させた上で、前記上型と前記下型
から前記封止用樹脂を離型させる工程とを含むことを特
徴とする半導体チップの樹脂封止方法。 - 【請求項３】前記補強用樹脂は、前記基板の前記電極付
近に塗布されることを特徴とする請求項１又は請求項２
記載の半導体チップの樹脂封止方法。 - 【請求項４】前記補強用樹脂は、前記半導体チップのラ
ンド付近に塗布されることを特徴とする請求項１又は請
求項２記載の半導体チップの樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7000247A JPH08186137A (ja) | 1995-01-05 | 1995-01-05 | 半導体チップの樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7000247A JPH08186137A (ja) | 1995-01-05 | 1995-01-05 | 半導体チップの樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08186137A true JPH08186137A (ja) | 1996-07-16 |
Family
ID=11468626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7000247A Pending JPH08186137A (ja) | 1995-01-05 | 1995-01-05 | 半導体チップの樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08186137A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010141109A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Sharp Corp | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
| CN110692135A (zh) * | 2019-06-14 | 2020-01-14 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 芯片封装结构和电子设备 |
-
1995
- 1995-01-05 JP JP7000247A patent/JPH08186137A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010141109A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-06-24 | Sharp Corp | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
| CN110692135A (zh) * | 2019-06-14 | 2020-01-14 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 芯片封装结构和电子设备 |
| US11545517B2 (en) | 2019-06-14 | 2023-01-03 | Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. | Chip package structure, electronic device and method for preparing a chip package structure |
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