JPH01105550A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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Publication number
JPH01105550A
JPH01105550A JP26300587A JP26300587A JPH01105550A JP H01105550 A JPH01105550 A JP H01105550A JP 26300587 A JP26300587 A JP 26300587A JP 26300587 A JP26300587 A JP 26300587A JP H01105550 A JPH01105550 A JP H01105550A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
substrate support
support
mold
pin
Prior art date
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Pending
Application number
JP26300587A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Aono
青野 勉
Takashi Emura
隆志 江村
Takeshi Akiyama
武史 秋山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP26300587A priority Critical patent/JPH01105550A/ja
Publication of JPH01105550A publication Critical patent/JPH01105550A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
(ロ)従来の技術 一般に樹脂封止型半導体装置は製品のコストや加工性ま
た量産性などの点で金属封止型半導体装置に勝っている
が放熱性の点では劣っている。しかし近年大電力用樹脂
封止型半導体装置において放熱性の良いものが考案され
て来ている。
第2図の場合基板支持体(2)が直接露出させてあり放
熱性は大変良い、しかし放熱板を装着する場合基板支持
体(2)と放熱板との間に絶縁板を介在させる必要があ
り煩雑であった。この絶縁板を省くことを目的とした改
良例が特開昭57−147260号公報により第3図〜
第5図に示きれている。つまりマイカ板の装着工程を省
くため第3図の如く基板支持体(2)の下面に薄い樹脂
層を設けた。
第4図は第β図の樹脂封止型半導体装置を形成する工程
において金型(7)(8)がリード・フレームを挾持し
たときの断面図である。この様な構造で樹脂注入を行う
と基板支持体〈2〉は樹脂の抵抗にあって水平を保てな
くなる。また第5図に示す如く樹脂抵抗に対し基板支持
体(2)が水平を保つよう基板支持体の前方に基板支持
体支持用リード(31′)を伸ばしかつ共通細条(31
)を上金型(7)と下金型(8)で挾持した。
(ハ)発明が解決しようとする問題点 第4図で示した如く、方法では確かに基板支持体(2)
には樹脂抵抗に対して安定となる。しかしながら、この
様な方法では基板支持体支持用リード(31’ )の部
分が材料的に無駄になり、また切断の余分な工数がかか
りフレーム寸法に精度が必要となる。
更に切断したとき基板支持体支持用リード(31′)の
断面部が露出するため高耐圧用のチップを実装すると断
面部から放電するため断面部を樹脂でコートしなければ
ならず工数が増える問題点があった。
(=)問題点を解決するための手段 本発明は上述した問題点に鑑みて為されたものであり、
少なくとも1個の共通細条(1)と前記共通細条(1)
から同一方向へ延びる複数本の外部リード(3)と前記
外部リード(3〉の1本の先端部に繋がる放熱板を兼ね
る基板支持体(2)とを具備するリード・フレームを準
備し、前記基板支持体(2)上に半導体ペレット(5)
を固着し、半導体ペレット(5)と外部リード(3)と
を所定の手段を用いて電気的に接、統し、前記基板支持
体(2)の上面及び下面に樹脂を所定の厚さで注入でき
る金型(8〉(9〉に前記基板支持体(2)を固定する
位置決めピン(10)を挿入し、前記金型(8)(9)
で前記外部リード(3)を挟持し、且つ前記位置決めピ
ン(10)で基板支持体(2)を挾持して前記金型(8
)(9)内に前記樹脂を注入し、前記樹脂が硬化する直
前に前記位置決めピン(10)を抜脱して解決する。
(*)作用 この様に本発明に依れば、金型(8)(9)に基板支持
体(2)を固定する位置決めピン(10)を挿入して、
金型(8)(9)内に樹脂を注入しその樹脂が硬化する
直前に位置決めピン(10)を抜脱することにより、樹
脂モールド時に完全な絶縁処理を行うことができると共
に位置決めピン(10)で基板支持体(2)が固定され
るので樹脂注入時に基板支持体(2)の位置ズレを防げ
る。
(へ)実施例 以下に第1図A乃至第1図りに示した実施例に基づいて
本発明の詳細な説明する。
本発明の様な消費電力の大きな場合リード・フレームの
材料は熱伝導の良好な銅系材料が用いられプレスやホト
エツチング等で加工きれる。そして加工後リード・フレ
ームはチップのマウント、ボンディングやリード部分の
耐蝕性、ハンダ付性を良くするためにAu−Ag−Ni
−5nなどのメツキが施される。上述の事項を適当に加
工処理し作製きれたリード・フレームが第1図Aに示さ
れている。本実施例では1個の共通細条(1)に同一方
向へ3木の外部リードが伸びている。そして中′央の外
部リード(3)は放熱板も兼ねる基板支持体(2)と繋
がっている。また両端の外部リード(3)は共通細条(
1)より伸び終端部(4)はやや広い面積でボンディン
グ作業を効率良く行えるようにしである。
基板支持体(2)は半導体ペレット(5)がやや下方中
央部に付き、上方の中央部に放熱板固定用ネジ止め貫通
穴(6)が付くようにしである。また切断が容易な様に
外部リード(3)は基板支持体(2)よりも厚さが薄く
選定されボンディングしやすい様に外部リード(3)と
基板支持体(2)に段差を設けである。
上述の様なリード・フレームを準備し次に第1図Bに示
す如く、半導体ペレット(5)をハンダ等で固着する。
そしてさらにAuまたはA1でワイヤボンドし電気的に
接続される。また半導体ペレット(5)の保護のために
保護用樹脂(7)を付着させても良い。
次にリード・フレームを上金型(8)と下金型(9)で
挾持する。このとき外部リード(3)は従来の様に挾持
する。
本発明の特徴は第1図Bに示す如く、上金型(8)及び
下金型(9)に基板支持体(2)を固定する位置決めピ
ン(10)を挿入し、基板支持体(2〉を固定するとこ
ろにある。ここでは上金型(8)と下金型(9)の両方
に位置決めピン(10)を配置し上下で基板支持体(2
)を挾持しているが上金型(8)あるいは下金型(9〉
側のみに位置決めピン(10)を挿入して基板支持体(
2)を固定することも可能である。
下金型(9)の所定の位置にリード・フレームを置き、
そして上金型(8)と一体形成きれたネジ止め用貫通穴
金型(8′)をリード・フレームのネジ止め用貫通孔(
6)内に挿入する様に上下金型(8)(9)でリード・
フレームを挾持する。
このとき、上下金型(8)(9)には位置決めピン(1
0)が挿入されているので基板支持体(2)は上下から
固定される。即ち、上下金型(8>(9)内に配置され
たリード・フレームは、外部リード(3)と基板支持体
(2)との二カ所で固定することができる。
固定した後、外部リード(3)側あるいは基板支持体(
2)側よりエポキシ系の樹脂(11)を注入する。ここ
で本発明のもう一つの特徴とするところは第1図Cに示
す如く、樹脂(11)注入後に樹脂(11)が硬化する
直前に位置決めピン(10)を抜脱するところにある。
あるいは、基板支持体(2)の当接面から約062〜0
.5rlill程度離間する様に位置決めピン(10)
を可動させる。このとき位置決めピン(10)は樹脂圧
を受けて動くようにしても機械的に動くようにしてもど
ちらにでも使用することが可能である。
この様に本発明に依れば切断工程が外部リードのみであ
り、且つ基板支持体を固定する位置決めピンの固定部分
も第1図りに示す如く、モールドされた状態となり、樹
脂モールド工程のみで完全な絶縁が行える。
(ト)発明の効果 以上に詳述した如く、本発明に依れば、金型に位置決め
ピンを挿入し、その位置決めピンで基板支持体を固定し
、樹脂が硬化する直前で位置決めピンを抜脱することに
より、モールド時に絶縁処理を兼ねえ行えるため、従来
よりも1工程数削減することができる。
また本発明の工程において、位置決めピンは樹脂硬化後
、離型用イジェクトビンとして使用できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図A乃至第1図りは本発明の詳細な説明する平面図
及び断面図、第2図乃至第5図は従来例を示す断面図で
ある。 (2〉は基板支持体、 (3)は外部リード、 (8)
(9)は上金型、下金型、 (10)は位置決めピン、
(11)は樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくとも1個の共通細条と前記共通細条から同
    一方向へ延びる複数本の外部リードと前記外部リードの
    1本の先端部に繋がる放熱板を兼ねる基板支持体とを具
    備するリード・フレームを準備し、前記基板支持体上に
    半導体ペレットを固着し、半導体ペレットと外部リード
    とを所定の手段を用いて電気的に接続し、前記基板支持
    体の上面及び下面に樹脂を所定の厚さで注入できる金型
    に前記基板支持体を固定する位置決めピンを挿入し、前
    記金型で前記外部リードを挾持すると共に前記位置決め
    ピンで前記基板支持体を挾持して前記金型内に前記樹脂
    を注入し、前記樹脂が硬化する直前に前記位置決めピン
    を抜脱することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
    造方法。
JP26300587A 1987-10-19 1987-10-19 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Pending JPH01105550A (ja)

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JP26300587A Pending JPH01105550A (ja) 1987-10-19 1987-10-19 樹脂封止型半導体装置の製造方法

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JP (1) JPH01105550A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5394607A (en) * 1993-05-20 1995-03-07 Texas Instruments Incorporated Method of providing low cost heat sink

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60130129A (ja) * 1983-12-16 1985-07-11 Nec Corp 絶縁型半導体素子の樹脂封止方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Cited By (1)

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