JPH02184040A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に絶縁型半導
体装置の樹脂封止方法に関する。
体装置の樹脂封止方法に関する。
従来、この種の絶縁型半導体装置の製造方法は、第４図
（ａ）に示すように、内部放熱板３の先端部に放熱板支
持用のリード９を設けて、樹脂成形時の放熱板位置精度
を確保していた。また、樹脂成形後支持リード部９を切
断しているので、ネジ穴近傍の樹脂側面には放熱板の一
部が露出していた（第４図（ｂ））。
（ａ）に示すように、内部放熱板３の先端部に放熱板支
持用のリード９を設けて、樹脂成形時の放熱板位置精度
を確保していた。また、樹脂成形後支持リード部９を切
断しているので、ネジ穴近傍の樹脂側面には放熱板の一
部が露出していた（第４図（ｂ））。
上述した従来の樹脂封止絶縁型半導体装置の製造方法は
、内部放熱板支持用のリードの一部が露出するため、外
部放熱板に取りつけた場合、外部放熱板〜支持用リード
間の絶縁性能が低下するという欠点がある。
、内部放熱板支持用のリードの一部が露出するため、外
部放熱板に取りつけた場合、外部放熱板〜支持用リード
間の絶縁性能が低下するという欠点がある。
また、内部放熱板の支持用リード導出部〜外部放熱板間
距離を伸ばすため、ネジ穴近傍の内部放熱板厚を薄くし
、クランク状に曲げた部分から支持リードを導出した放
熱板を使用することが提案されているが、やはり支持リ
ードの露出は残るので、絶縁性能を十分向上させること
ができないという欠点がある。
距離を伸ばすため、ネジ穴近傍の内部放熱板厚を薄くし
、クランク状に曲げた部分から支持リードを導出した放
熱板を使用することが提案されているが、やはり支持リ
ードの露出は残るので、絶縁性能を十分向上させること
ができないという欠点がある。
本発明の樹脂封止絶縁型半導体装置の製造方法は、ベレ
ットを搭載する厚肉部と、ネジ穴近傍にクランク状の加
工を施した薄肉部から成る内部放熱板を使用し、樹脂金
型内に作りつけられた、固定ピンにより放熱板を表面、
裏面２方向から固定し、樹脂注入後硬化前に裏面固定ピ
ンを引き抜く工程を有している。
ットを搭載する厚肉部と、ネジ穴近傍にクランク状の加
工を施した薄肉部から成る内部放熱板を使用し、樹脂金
型内に作りつけられた、固定ピンにより放熱板を表面、
裏面２方向から固定し、樹脂注入後硬化前に裏面固定ピ
ンを引き抜く工程を有している。
固定ピンは表面から放熱板厚肉部を、裏面から放熱板薄
肉部を好ましくは保持し、固定ピン、先端は円錐形で頭
部は平面となっていることが望ましい。
肉部を好ましくは保持し、固定ピン、先端は円錐形で頭
部は平面となっていることが望ましい。
上述した従来の樹脂封止絶縁型半導体装置に対して、本
発明においては放熱板の支持用リードを廃止し、成形金
型内の固定ピンで位置決めを行ない、成形時、樹脂硬化
前に裏面固定ピンを抜き、裏面ピン穴を埋める。また、
放熱板は、ネジ穴近傍にクランク状の加工を施し裏面固
定ピンの移動量を稼いでいる。
発明においては放熱板の支持用リードを廃止し、成形金
型内の固定ピンで位置決めを行ない、成形時、樹脂硬化
前に裏面固定ピンを抜き、裏面ピン穴を埋める。また、
放熱板は、ネジ穴近傍にクランク状の加工を施し裏面固
定ピンの移動量を稼いでいる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例の各工程ご
との成形金型縦断面図である。厚肉部上にベレット１を
搭載し薄肉部にクランク加工２を施した放熱板３を金型
４と固定ピン６上に置き、放熱板裏面と金型面の間を０
．２〜０゜６ｍｍ程開けておく、金型５を降して金型５
と固定ピン７により放熱板３を金型内！こ固定する（第
１図−（ａ）、（ｂ））。次に、樹脂注入口８よりエポ
キシ樹脂等を注入する（第１図−（Ｃ））。樹脂注入完
了後、樹脂硬化前に固定ピン６を抜き、裏面ピン穴を埋
める（第１図−（ｄ））。尚、固定ピン先端は円錐台形
として、放熱板との接触面積を狭くする。
との成形金型縦断面図である。厚肉部上にベレット１を
搭載し薄肉部にクランク加工２を施した放熱板３を金型
４と固定ピン６上に置き、放熱板裏面と金型面の間を０
．２〜０゜６ｍｍ程開けておく、金型５を降して金型５
と固定ピン７により放熱板３を金型内！こ固定する（第
１図−（ａ）、（ｂ））。次に、樹脂注入口８よりエポ
キシ樹脂等を注入する（第１図−（Ｃ））。樹脂注入完
了後、樹脂硬化前に固定ピン６を抜き、裏面ピン穴を埋
める（第１図−（ｄ））。尚、固定ピン先端は円錐台形
として、放熱板との接触面積を狭くする。
このようにして得られた樹脂封止半導体装置の透視斜視
図を第２図に示す。
図を第２図に示す。
第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の他の実施例の各工程で
の成形金型縦断面図である。まず、金型内に放熱板３を
固定するピン６．７で固定する（第３図−（ａ） 、
（ｂ））。次に樹脂注入口８よりエポキシ樹脂等を注み
する（第３図−（Ｃ））。樹脂注入完了後樹脂硬化前に
固定するピン６．７を両方抜く（第３図−（ｄ））。
の成形金型縦断面図である。まず、金型内に放熱板３を
固定するピン６．７で固定する（第３図−（ａ） 、
（ｂ））。次に樹脂注入口８よりエポキシ樹脂等を注み
する（第３図−（Ｃ））。樹脂注入完了後樹脂硬化前に
固定するピン６．７を両方抜く（第３図−（ｄ））。
尚、固定ピン６．７の先端は、円錐台形として放熱板の
移動を防止する。
移動を防止する。
本実施例においては、表裏両面の固定ピンを抜くため、
完全絶縁型半導体装置となる。
完全絶縁型半導体装置となる。
以上説明したように本発明は、放熱板を金型４．５に作
りうけらｈた固定ピン６．７により、金型内に固定して
樹脂成形するため、金型内での放熱板位置精度は、従来
並となり、固定ピン６を成形途中で抜き裏面ピン穴を樹
脂で埋め、絶縁性能を向上する。
りうけらｈた固定ピン６．７により、金型内に固定して
樹脂成形するため、金型内での放熱板位置精度は、従来
並となり、固定ピン６を成形途中で抜き裏面ピン穴を樹
脂で埋め、絶縁性能を向上する。
尚、放熱板先端がクランク状に加工され、薄肉部を上部
の金型５に近づけるため、固定ピン６の移動量は大きく
なり、固定ピン抜きによるボイド、ピンホールの発生を
抑えることができる。
の金型５に近づけるため、固定ピン６の移動量は大きく
なり、固定ピン抜きによるボイド、ピンホールの発生を
抑えることができる。
また、ピン先端部を円錐台形にし放熱板との接触面積を
狭くして固定ピン６の移動時に、放熱板が固定ピン６の
移動方向について行くことを抑えることができる。
狭くして固定ピン６の移動時に、放熱板が固定ピン６の
移動方向について行くことを抑えることができる。
固定ピン７は放熱板厚肉部面を保持することにより、放
熱板位置精度を向上させることができる。
熱板位置精度を向上させることができる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例の各工程ごと
の成形金型縦断面図である。第２図は第１実施例の製品
透視図である。第３図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の他の
実施例の各工程ごとの成形金型縦断面図である。第４図
（ａ）は、従来品の製品透視図である。第４図（ｂ）は
第４図（ａ）の外形図である。 １・・・・・・ベレット、２・・・・・・クランク加工
、３−＝・・・放熱板、４・・・・・・金型、５・・・
・・・金型、６・・・・・・固定ピン、 ７・・・・・・固定ピン、 ８・・・・・・樹脂注入口、 ９・・・・・・ 放熱板支持リード。
の成形金型縦断面図である。第２図は第１実施例の製品
透視図である。第３図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の他の
実施例の各工程ごとの成形金型縦断面図である。第４図
（ａ）は、従来品の製品透視図である。第４図（ｂ）は
第４図（ａ）の外形図である。 １・・・・・・ベレット、２・・・・・・クランク加工
、３−＝・・・放熱板、４・・・・・・金型、５・・・
・・・金型、６・・・・・・固定ピン、 ７・・・・・・固定ピン、 ８・・・・・・樹脂注入口、 ９・・・・・・ 放熱板支持リード。
Claims (3)
- （１）絶縁型半導体装置の樹脂封止方法において、内部
放熱板にペレットを搭載する厚肉部と、先端部にクラン
ク状の加工を施した薄肉部とを少なくとも設け、樹脂封
止金型内に移動可能に設けられた固定ピンにより前記放
熱板を表面、裏面２方向から固定し、樹脂注入完了後樹
脂硬化前に裏面の前記固定ピンを引き抜く工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法 - （２）前記固定ピンは、表面からは前記放熱板厚肉部を
、裏面からは、前記放熱板薄肉部を保持することを特徴
とする請求項１記載の半導体装置の製造方法 - （３）前記固定ピン先端は、円錐台形であることを特徴
とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1005102A JP2752677B2 (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1005102A JP2752677B2 (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02184040A true JPH02184040A (ja) | 1990-07-18 |
| JP2752677B2 JP2752677B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=11602006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1005102A Expired - Lifetime JP2752677B2 (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2752677B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5370517A (en) * | 1990-10-31 | 1994-12-06 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Apparatus for assembling and resin-encapsulating a heat sink-mounted semiconductor power device |
| US5445995A (en) * | 1991-12-20 | 1995-08-29 | Sgs-Thomson Microelectronics, S.R.L. | Method for manufacturing plastic-encapsulated semiconductor devices with exposed metal heat sink |
| NL2021812B1 (en) * | 2018-05-29 | 2019-12-04 | Katoh Electric Co Ltd | Semiconductor module |
| KR20200029009A (ko) * | 2017-08-23 | 2020-03-17 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10777489B2 (en) | 2018-05-29 | 2020-09-15 | Katoh Electric Co., Ltd. | Semiconductor module |
| US11107746B2 (en) | 2016-02-09 | 2021-08-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor apparatus and manufacturing method therefor |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60130129A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Nec Corp | 絶縁型半導体素子の樹脂封止方法 |
| JPS6132434A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-15 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JPS6362239A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-18 | エスジ−エス・マイクロエレットロニカ・エス・ピ−・エ− | プラスチックカプセル封じ半導体デバイスの製造方法 |
-
1989
- 1989-01-11 JP JP1005102A patent/JP2752677B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60130129A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Nec Corp | 絶縁型半導体素子の樹脂封止方法 |
| JPS6132434A (ja) * | 1984-07-24 | 1986-02-15 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JPS6362239A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-18 | エスジ−エス・マイクロエレットロニカ・エス・ピ−・エ− | プラスチックカプセル封じ半導体デバイスの製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5370517A (en) * | 1990-10-31 | 1994-12-06 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Apparatus for assembling and resin-encapsulating a heat sink-mounted semiconductor power device |
| US5445995A (en) * | 1991-12-20 | 1995-08-29 | Sgs-Thomson Microelectronics, S.R.L. | Method for manufacturing plastic-encapsulated semiconductor devices with exposed metal heat sink |
| US11107746B2 (en) | 2016-02-09 | 2021-08-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor apparatus and manufacturing method therefor |
| KR20200029009A (ko) * | 2017-08-23 | 2020-03-17 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| NL2021812B1 (en) * | 2018-05-29 | 2019-12-04 | Katoh Electric Co Ltd | Semiconductor module |
| US10777489B2 (en) | 2018-05-29 | 2020-09-15 | Katoh Electric Co., Ltd. | Semiconductor module |
| US11056422B2 (en) | 2018-05-29 | 2021-07-06 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2752677B2 (ja) | 1998-05-18 |
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Legal Events
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