JPS5918675Y2 - 半導体装置のモ−ルド装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本案は半導体装置の樹脂モールド装置の改良に関するも
のである。

一般に半導体装置は例えば第１図〜第３図に示すように
金属部材よりなる放熱板Ａにリード片ｂ１〜ｂ７よりな
るリードＢを、リード片す、、ｂ７が放熱板Ａの突出部
Ｃによってかしめ固定されかつリード片ｂ２〜ｂ６が放
熱板Ａの上面に離隔位置するように配設すると共に、放
熱板Ａのほぼ中央部に固定された半導体素子りの電極と
リード片ｂ２〜ｂ６とを金属細線Ｅにて接続し、然る後
、放熱板Ａにおける半導体素子りの固定側を樹脂材Ｆに
てモールド被覆して構成されている。

ところで、放熱板Ａにおける主要部分の樹脂材Ｆによる
モールド被覆は例えば第４図に示すように、放熱板Ａに
おける半導体素子りの非固定側（裏面）が上部金型Ｇ１
の上部内壁面に密着されるようにリードＢを上部金型Ｇ
１及び下部金型Ｇ２にて挟持し、この状態で上部金型Ｇ
１と下部金型Ｇ２とによって構成されるキャビティに樹
脂材Ｆを注入することによって行われている。

しかし乍ら、放熱板Ａの上部金型Ｇ工の上部内壁面への
密着度はリードＢを上部金型Ｇ１及び下部金型Ｇ２によ
って挟持した状態で放熱板Ａの裏面が上部金型Ｇ１の上
部内壁面に密着するように構成されている関係で、放熱
板Ａの厚み、放熱板Ａへのり−ドＢの固定高さなどによ
って左右される。

従って、放熱板Ａの厚みが薄くなったり、或いは放熱板
ＡへのリードＢの固定高さが低くなったりして放熱板Ａ
の裏面と上部金型Ｇ１の上部内壁面との間に例えば０．
０２ｍｍ程度の隙間が形成されると、キャビティに樹脂
材Ｆを注入した際に、上述の隙間にも流れ込んでしまい
、第５図に示すようにバリＫが形成される。

このバリには放熱板Ａの裏面の上部金型Ｇ１の上部内壁
面への密着度に応じて形成されるために、その形状は一
定化せず、外観が著しく損なわれるのみならず、放熱板
Ａを放熱器に固定する場合、取付面が密着しないために
放熱効果が著しく阻害される。

従って、従来においてはブラック法、サンドブラスト法
などを用いてバリＫを除去することが試みられているが
、除去の際に放熱板Ａの側面と樹脂材Ｆとの接続境界部
分に剥離や樹脂クラックが生じたりして耐湿性が損なわ
れ易いという欠点がある。

本案はこのような点に鑑み、ブラック法、サンドブラス
ト法などによってバリを除去しなくても実用上支障のな
い程度にバリの発生を抑制させうる樹脂モールド装置を
提供するもので、以下実施例について説明する。

第６図〜第７図において、１は上部金型であって、その
下面には樹脂材を注入する凹部２が形成されている。

そして凹部２の上部内壁面２ａのほぼ中央部分には例え
ば角形の窓孔３が形成されている。

尚、この窓孔３は後述する放熱板とほぼ同一となるよう
に構成されている。

４は上部金型１における窓孔３に上下動自在なるように
嵌合されたブロック金型であって、例えば角筒状に形成
されている。

５は下部金型であって、その上面には凹部６が形成され
ており、上部金型１の凹部２とによってキャビティが構
成される。

次にこの装置を用いた半導体装置の樹脂材によるモール
ド被覆方法について第８図〜第１２図を参照して説明す
る。

まず、第８図に示すように金属部材よりなる放熱板７に
リード片８□〜８７よりなるリード８を、リード片８□
、８７が放熱板７の突出部によってかしめ固定されかつ
リード片８２〜８６が放熱板７の上面７ａに離隔位置す
るように配設すると共に、放熱板７の上面７ａの中央部
分に半導体素子９を半田部材を用いて固定し、然る後、
リード片８□〜８６と半導体素子９の電極とを金属細線
１０にて接続して半導体装置を構成する。

次にこの半導体装置を第９図に示すように上部金型１及
び下部金型５によって構成されるキャビティ内に収納固
定する。

尚、この際、半導体装置はその放熱板７の裏面７ｂの周
縁が上部金型１における窓孔３の周縁に合致するように
位置させた上でリード線８を上部金型１及び下部金型５
によって挟持して固定されている。

そして ブロック金型４を図示点線位置より実線位置ま
で下降させ、その下面４ａを放熱板７の裏面７ａの周縁
部分に密着させる。

尚、ブロック金型４と放熱板７との密着操作はブロック
金型４の下面４ａを予め凹部２の上部内壁面２ａより下
方にスプリングなどを用いて突出させておき、半導体装
置の上部金型１及び下部金型５にセットした状態で、放
熱板７とブロック金型４が密着しかつブロック金型４を
上方に後退させるようにすることもできる。

次にこの状態において、第１０図に示すようにキャビテ
ィ内にゲート（図示せず）より溶融状態の樹脂材１１′
を注入する。

すると、キャビティ内は下方より上方に向けて順次樹脂
材１１′にて充実される。

樹脂材の硬化後ノックアウトピン（図示せず）などを用
いて取出すことによって第１１図〜第１２図に示す半導
体装置が得られる。

このように半導体装置を上部金型１及び下部金型５にセ
ットした状態において放熱板７の裏面７ｂの周縁部分に
はブロック金型４が密着されるために、樹脂材１１′の
注入時に樹脂材がブロック金型４の下面４ａと放熱板７
の裏面７ａとの間に流入しない。

このために、放熱板７の裏面７ｂにはパリが殆んど形成
されず、従来のようなブラツシ法、サンドブラスト法な
どによるパリ除去操作を必要としないし、これに起因す
る耐湿性の低下も解決できる。

又、ブロック金型４は上部金型１とは無関係に上下動自
在に構成されているので、仮に放熱板７の厚みが薄くな
ったり、放熱板７へのり一ド８の取付高さが低くなった
りしても、その変動分がブロック金型４の上下動によっ
て吸収される。

このために、部品精度に余り左右されることなく、ブロ
ック金型４の放熱板７に対する密着性を良好に維持でき
、上述のパリ発生を実用上支障のない程度に減少できる
。

尚、本案は何ら上記実施例にのみ制約されることなく、
例えばブロック金型は全周に亙って設ける他、パリの発
生部分にのみ設けることもできるし、又下部金型に設け
ることもできる。

以上のように本考案によれば、金属部材の寸法精度に余
り左右されることなくパリの発生を実用上支障のない程
度に減少できる上、ブラツシ法などによるパリ除去を必
要としない関係で樹脂クラックなどによる耐湿性の低下
を防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は半導体装置の要部破断平面図、第２図は第１図
の■−■断面図、第３図は第１図のＩＩ −、ＩＩ断面
図、第４図は樹脂材によるモールド被覆方法を説明する
ための側断面図、第５図は第１図の下面図、第６図は本
案の一実施例を示す要部側断面図、第７図は本案に係る
上部金型の下面図、第８図〜第１２図は樹脂モールド方
法の説明図であって、第８図はモールド前の半導体装置
の平面図、第９図は半導体装置の上部金型及び下部金型
へのセット状態を示す側断面図、第１０図は樹脂材の注
入状態を示す側断面図、第１１図はモールド後の半導体
装置の側断面図、第１２図は第１１図の下面図である。 図中、１は上部金型、２，６は凹部（キャビティ）、３
は窓孔、４はブロック金型、５は下部金型、７は放熱、
８はリード、９は半導体素子、１ｏは金属細線である。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 上部金型と下部金型とからなり、上部金型と下部金型と
   によって構成されるキャビティの上部内壁面又は下部内
   壁面に半導体装置の放熱板にほぼ合致する窓孔を形成し
   、この窓孔にブロック金型を上下動自在に配設したこと
   を特徴とする半導体装置の樹脂モールド装置。